JP2013168440A5 - - Google Patents

Description

（８）上記（７）に記載の半導体光素子であって、前記第１のマルチモード干渉型合分波器及び前記第２のマルチモード干渉型合分波器は、ともに、光軸方向に沿って実効屈折率が変化してもよい。

Claims (15)

1. 第１の偏波を有する光を出力する第１の光源と、
   前記第１の偏波と異なる偏波である第２の偏波を有する光を出力する第２の光源と、
   前記第１の光源の出力側に光学的に接続され、前記第１の光源が出力する光を変調して光信号を出力する、第１の光変調器と、
   前記第２の光源の出力側に光学的に接続され、前記第２の光源が出力する光を変調して光信号を出力する、第２の光変調器と、
   前記第１の光変調器が出力する光信号と、前記第２の光変調器が出力する光信号と、を結合して結合光信号を出力する、光合波器と、
   が、半導体基板上にともに集積される、半導体光素子。
2. 請求項１に記載の半導体光素子であって、
   前記第１の光源及び前記第２の光源の少なくとも一方は、波長可変レーザであり、
   前記第１の光源及び前記第２の光源は、前記第１の光源又は第２の光源のいずれか一方の光源が出力する光の波長を、他方の光源が出力する光の波長に近づけることが可能である、
   ことを特徴とする、半導体光素子。
3. 請求項２に記載の半導体光素子であって、
   前記波長可変レーザは、出力する光の波長を温度によって調整するための抵抗体を備える分布帰還型レーザである、
   ことを特徴とする、半導体光素子。
4. 請求項２に記載の半導体光素子であって、
   前記波長可変レーザは、分布ブラッグ反射型レーザ又は横グレーティングアシスト横方向性結合器型レーザである、
   ことを特徴とする、半導体光素子。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体光素子であって、
   前記第１の光源及び前記第２の光源それぞれと光学的に接続するとともに、前記第１の光源及び前記第２の光源それぞれが出力する光の波長に差異があるかを検出するための、波長依存性を有する素子と、
   前記波長依存性を有する素子と光学的に接続するとともに、前記第１の光源及び前記第２の光源それぞれが出力する光を該素子が変換する光を検出する受光器と、
   をさらに備える、半導体光素子。
6. 請求項５に記載の半導体光素子であって、
   前記波長依存性を有する素子は、リング共振器又はマッハツェンダ型遅延干渉計である、
   ことを特徴とする、半導体光素子。
7. 請求項５に記載の半導体光素子であって、
   前記波長依存性を有する素子はリング共振器であり、
   前記第１の光源に光学的に接続される第１の光導波路と、
   前記第２の光源に光学的に接続される第２の光導波路と、
   前記第１の光導波路と前記リング共振器を光学的に結合する、第１のマルチモード干渉型合分波器と、
   前記第２の光導波路と前記リング共振器を光学的に結合する、第２のマルチモード干渉型合分波器と、
   をさらに備える、
   ことを特徴とする、半導体光素子。
8. 請求項７に記載の半導体光素子であって、
   前記第１のマルチモード干渉型合分波器及び前記第２のマルチモード干渉型合分波器は、ともに、光軸方向に沿って実効屈折率が変化する、
   ことを特徴とする、半導体光素子。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体光素子を、備える光モジュール。
10. 請求項５乃至８のいずれかに記載の半導体光素子と、
    前記受光器が検出する信号に基づいて、前記第１の光源又は第２の光源のいずれかの一方の光源が出力する光の波長を、他方の光源が出力する光の波長に近づけるよう、前記第１の光源及び／又は前記第２の光源を制御する、制御部と、
    を備える光モジュール。
11. 請求項１０に記載の光モジュールであって、
    前記第２の光源は波長可変レーザであり、
    前記制御部は、前記第１の光源の光出力を制御する信号に、第１ディザ信号を重畳し、前記受光器が検出する信号を前記第１ディザ信号の周波数で抽出して、前記波長依存性を有する素子を前記第１の光源の波長に対応して所定の特性となるように制御し、
    前記制御部は、前記第２の光源を制御する信号に、前記第１ディザ信号と異なる周波数を有する第２ディザ信号を重畳し、前記受光器が検出する信号を前記第２ディザ信号の周波数で抽出して、前記第２の光源の波長を前記波長依存性を有する素子の前記所定の特性に対応して所定の範囲となるように制御する、
    ことを特徴とする、光モジュール。
12. 請求項１０に記載の光モジュールであって、
    前記第１の光源及び前記第２の光源はともに波長可変レーザであり、
    前記制御部は、前記第１の光源を制御する信号に、第１ディザ信号を重畳し、前記第２の光源を制御する信号に、前記第１ディザ信号と異なる周波数を有する第２ディザ信号を重畳し、前記受光器が検出する信号を、前記第１ディザ信号の周波数及び前記第２ディザ信号の周波数それぞれで抽出して、前記第１の光源の波長及び前記第２の光源の波長を前記波長依存性を有する素子の所定の特性に対応して、それぞれ所定の範囲となるように制御する、
    ことを特徴とする、光モジュール。
13. 請求項１０に記載の光モジュールであって、
    前記第２の光源は波長可変レーザであり、
    前記半導体光素子は、
    前記第１の光源の前記第１の光変調器側とは反対側において、前記第１の光源に光学的に接続されるとともに、前記第１の光源が出力する光の強度を検出する第１光強度受光器と、
    前記第２の光源の前記第２の光変調器とは反対側において、前記第２の光源に光学的に接続されるとともに、前記第２の光源が出力する光の強度を検出する第２光強度受光器と、
    をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記第１の光源に対応するタイムスロットにおいて、前記第１光強度受光器及び前記第２光強度受光器それぞれに、前記第１の光源の波長検出するための所定のバイアス電圧を印加し、前記受光器が検出する信号に基づいて、前記波長依存性を有する素子を前記第１の光源の波長に対応して所定の特性となるように制御し、
    前記第２の光源に対応するタイムスロットにおいて、前記第１光強度受光器及び前記第２光強度受光器それぞれに、前記第２の光源の波長検出するための所定のバイアス電圧を印加し、前記受光器が検出する信号に基づいて、前記第２の光源の波長を前記波長依存性を有する素子の前記所定の特性に対応して所定の範囲となるように制御する、
    ことを特徴とする、光モジュール。
14. 請求項１０に記載の光モジュールであって、
    前記第１の光源及び前記第２の光源はともに波長可変レーザであり、
    前記半導体光素子は、
    前記第１の光源の前記第１の光変調器側とは反対側において、前記第１の光源に光学的に接続されるとともに、前記第１の光源が出力する光の強度を検出する第１光強度受光器と、
    前記第２の光源の前記第２の光変調器とは反対側において、前記第２の光源に光学的に接続されるとともに、前記第２の光源が出力する光の強度を検出する第２光強度受光器と、
    をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記第１の光源に対応するタイムスロットにおいて、前記第１光強度受光器及び前記第２光強度受光器それぞれに、前記第１の光源の波長検出するための所定のバイアス電圧を印加し、前記受光器が検出する信号に基づいて、前記第１の光源が出力する光の波長を前記波長依存を有する素子の特性に対応して所定の範囲内となるよう制御し、
    前記第２の光源に対応するタイムスロットにおいて、前記第１光強度受光器及び前記第２光強度受光器それぞれに、前記第２の光源の波長検出するための所定のバイアス電圧を印加し、前記受光器が検出する信号に基づいて、前記第２の光源が出力する光の波長を前記波長依存を有する素子の特性に対応して所定の範囲内となるよう制御する、
    ことを特徴とする、光モジュール。
15. 請求項１０に記載の光モジュールであって、
    前記第１の光源及び前記第２の光源はともに波長可変レーザであり、
    前記制御部は、前記受光器が検出する信号より、前記第１の光源が出力する光と前記第２の光源が出力する光とが前記波長依存性を有する素子において干渉して発生するビート信号を抽出して、前記第１の光源の波長及び前記第２の光源の波長を前記波長依存性を有する素子の所定の特性に対応して、それぞれ所定の範囲となるように制御する、
    ことを特徴とする、光モジュール。