JP2013165299A - 反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層 - Google Patents

反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層 Download PDF

Info

Publication number
JP2013165299A
JP2013165299A JP2013105060A JP2013105060A JP2013165299A JP 2013165299 A JP2013165299 A JP 2013165299A JP 2013105060 A JP2013105060 A JP 2013105060A JP 2013105060 A JP2013105060 A JP 2013105060A JP 2013165299 A JP2013165299 A JP 2013165299A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
subcell
layer
solar
base
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013105060A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5456923B2 (ja
Inventor
Mark A Stan
エイ スタン マーク
Arthur Cornfeld
コーンフェルド アーサー
Vance Ley
レイ ヴァンス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Solaero Solar Power Inc
Original Assignee
Emcore Solar Power Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Emcore Solar Power Inc filed Critical Emcore Solar Power Inc
Publication of JP2013165299A publication Critical patent/JP2013165299A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5456923B2 publication Critical patent/JP5456923B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • H01L31/06875—Multiple junction or tandem solar cells inverted grown metamorphic [IMM] multiple junction solar cells, e.g. III-V compounds inverted metamorphic multi-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03042—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0693—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法は、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備し、第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルを基板上に形成し、第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルを第１のソーラーサブセルの上に形成し、第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを第２のサブセル上に形成し、第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルをグレーディングインターレイヤの上に形成して、第３のサブセルが第２のサブセルに対して格子不整合となるようにし、前記ベースのうちの少なくとも１つが指数関数的にドープされたプロフィールを有するようにする。
【選択図】図４

Description

本発明は、ソーラーセル半導体デバイスの分野に係り、より詳細には、メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルに係る。このようなデバイスは、反転型メタモルフィックソーラーセルとして知られたソーラーセルも含む。
ソーラーセルとも称される光電池は、過去数年間に利用できるようになった最も重要な新規エネルギー源の１つである。ソーラーセルの開発には著しい努力が注がれた。その結果、ソーラーセルは、現在、多数の商業向け及び消費者向け用途で使用されている。この領域では著しい進歩がなされたが、より精巧な用途のニーズを満足するためのソーラーセルに対する要求が、重要と歩調を合わせていない。データ通信に使用される衛星のような用途は、電力及びエネルギー変換特性の改善を伴うソーラーセルの需要を劇的に高めた。
衛星及び他の宇宙関連用途において、衛星電源システムのサイズ、質量及びコストは、使用するソーラーセルの電力及びエネルギー変換効率に依存する。換言すれば、ペイロードのサイズ及びオンボードサービスの利用性は、供給される電力量に比例する。したがって、ペイロードが、より精巧になるにつれて、オンボード電源システムの電力変換装置として働くソーラーセルは、次第に重要度が増す。
ソーラーセルは、しばしば、垂直の多接合構造で製造されて、水平アレーで配置され、個々のソーラーセルが直列に一緒に接続される。アレーの形状及び構造、並びにそれに含まれるセルの数は、希望の出力電圧及び電流によって、一部分、決定される。
M. W. Wanlass氏等の“Lattice Mismatched Approaches for High Performance, III-V Photovoltaic Energy Converters”(Conference Proceedings of the 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Jan. 3-7, 2005, IEEE Press, 2005) に説明されたような反転型メタモルフィックソーラーセル構造体は、将来の商業的な高効率ソーラーセルを開発するための重要な出発点を与える。このような従来の文献に説明された構造は、材料及び製造ステップの適切な選択に関する多数の実際的な問題を提起する。
特開平０４−０７２７７３号公報
M.W.Wanlass et al. "LATTICE-MISMATCHED APPROACHES FOR HIGH-PERFORMANCE, III-V PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERTERS", Conf. Rec. IEEE Photovoltaic Spec. Conf., 2005, Vol.31st, p.530-535
本発明以前に、従来技術に開示された材料及び製造ステップは、反転型メタモルフィックセル構造を使用して商業的に価値ある、エネルギー効率のよいソーラーセルを製造するのに充分なものではない。
本発明は、上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備し、第１のバンドギャップを有し、ベース及びエミッタを有する第１のソーラーサブセルを前記基板上に形成し、前記第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有し、ベース及びエミッタを有する第２のソーラーサブセルを前記第１のソーラーサブセルの上に形成し、前記第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを前記第２のサブセル上に形成し、前記第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有し、ベース及びエミッタを有する第３のソーラーサブセルを前記グレーディングインターレイヤの上に形成して、この第３のサブセルが前記第２のサブセルに対して格子不整合となるようにし、前記ベースの少なくとも１つが指数関数的にドープされたプロファイルを有するようにする方法を提供する。
別の態様において、本発明は、第１の基板を準備し、第１の基板上に半導体材料の一連の層を堆積して、指数関数的ドーピングを伴う少なくとも１つのベース層を含むソーラーセルを形成し、その一連の層の頂部に代用基板を装着し、第１の基板を除去することにより、ソーラーセルを製造する方法を提供する。
別の態様において、本発明は、第１の基板を準備し、第１の基板上に半導体材料の一連の層を堆積して、指数関数的ドーピングを伴う少なくとも１つのベース層を含むソーラーセルを形成し、その一連の層の頂部に代用基板を装着し、第１の基板を除去することにより、ソーラーセルを製造する方法を提供する。別の態様において、本発明は、ソーラーセルを形成する方法であって、ＩｎＧａＰ半導体材料で構成されたベース及びエミッタ層を含む頂部セルを形成し、ＩｎＧａＰ半導体材料の中間セルエミッタ層及びＧａＡｓ半導体材料のベース層を形成し、ＩｎＧａＡｓ半導体材料のエミッタ及びベース層を含む底部セルを形成し、前記ベースの少なくとも１つが指数関数的にドープされたプロファイルを有するようにする方法を提供する。
本発明は、添付図面を参照した以下の詳細な説明から更に完全に理解されよう。
本発明により構成されたソーラーセルの拡大断面図である。 次の処理ステップの後の図１のソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図２のソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図３のソーラーセルを示す断面図である。 オリジナル基板が除去された次の処理ステップの後の図４のソーラーセルを示す断面図である。 図の最下部に代用基板がある状態で見た図５Ａのソーラーセルの別の断面図である。 ソーラーセルが製造されたウェハの上面図である。 ソーラーセルが製造されたウェハの下面図である。 次の処理ステップの後の図６Ａのウェハを示す上面図である。 次の処理ステップの後の図５Ｂのソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図８のソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図９のソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図１０のソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図１１のソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図１２のソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図１３のソーラーセルを示す断面図である。 次の処理ステップの後の図１４のソーラーセルを示す断面図である。 本発明による反転型メタモルフィックソーラーセルのサブセルにおけるエミッタとベース層との間のドーピングプロファイルを示すグラフである。
本発明は、例示的な態様及びその実施形態を含めて、以下に詳細に説明する。添付図面及び以下の説明を参照すれば、同じ参照番号を使用して、同じ又は機能的に同様の要素を識別すると共に、実施形態の主たる特徴を非常に簡単な図で示すものである。更に、添付図面は、実施形態の各特徴を示すものでも要素の相対的な寸法を示すものでもなく、又、正しい縮尺でもない。
図１は、基板上に３つのサブセルＡ、Ｂ及びＣを形成した後の本発明による多接合ソーラーセルを示す。より詳細には、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）又は他の適当な材料である基板１０１が示されている。Ｇｅ基板の場合には、基板上に核生成層１０２が堆積される。基板又は核生成層１０２の上には、バッファ層１０３及びエッチング停止層１０４が更に堆積される。次いで、層１０４上には接触層１０５が堆積され、この接触層には窓層１０６が堆積される。次いで、ｎ＋エミッタ層１０７及びｐ型ベース層１０８より成るサブセルＡが窓層１０６上に堆積される。
多接合ソーラーセル構造は、格子定数及びバンドギャップ要件を受ける周期表にリストされたIII属からＶ族元素の適当な組み合わせにより形成できることに注意されたい。III属は、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔ）を含む。IV属は、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）及びスズ（Ｓｎ）を含む。Ｖ属は、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）及びビスマス（Ｂｉ）を含む。
好ましい実施形態では、エミッタ層１０７は、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐで構成され、ベース層１０８は、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐで構成される。アルミニウム、即ち先の式におけるカッコ内のＡｌ項は、Ａｌが任意の成分であり、この場合は、０％ないし３０％の範囲の量で使用されてもよいことを意味する。本発明によるエミッタ及びベース層１０７及び１０８のドーピングプロファイルは、図１６を参照して説明する。
ベース層１０８の上には、再結合ロスを減少するために使用される背面フィールド（ＢＳＦ）層１０９が堆積される。
このＢＳＦ層１０９は、ベース／ＢＳＦ界面付近の領域から少数キャリアを駆動して、再結合ロスの影響を最小にする。換言すれば、ＢＳＦ層１０９は、ソーラーサブセルＡの背面での再結合ロスを減少し、それにより、ベースにおける再結合を減少する。
ＢＳＦ層１０９の上には、一連の強くドープされたｐ型及びｎ型層１１０が堆積され、これは、サブセルＡをサブセルＢに接続する回路素子であるトンネルダイオードを形成する。
このトンネルダイオード層１１０上には、窓層１１１が堆積される。サブセルＢに使用される窓層１１１も、再結合ロスを減少するように働く。又、窓層１１１は、その下に横たわる接合のセル面の不動態化を改善する。当業者に明らかなように、本発明の範囲から逸脱せずに、このセル構造において付加的な層（１つ又は複数）を追加又は除去してもよい。
窓層１１１の上には、セルＢの層、即ちエミッタ層１１２、及びｐ型ベース層１１３が堆積される。これらの層は、（Ｇｅ成長テンプレートに対して）各々ＩｎＧａＰ及びＩｎ0.015ＧａＡｓで構成されるのが好ましいが、格子定数及びバンドギャップ要件が一致する他の適当な材料を使用してもよい。ＧａＡｓ成長テンプレートに対しては、ＧａＡｓをｐ型ベース層１１３として使用することができる。本発明によるドーピングプロファイル１１２及び１１３は、図１６を参照して説明する。
セルＢの上には、ＢＳＦ層１０９と同じ機能を果たすＢＳＦ層１１４が堆積される。このＢＳＦ層１１４の上には、層１１０と同様に、ｐ＋＋／ｎ＋＋トンネルダイオード１１５が堆積され、この場合も、セルＢをセルＣに接続するための回路素子を形成する。
好ましくは、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐで構成されるバリア層１１６ａが、トンネルダイオード１１５の上に、約１．０ミクロンの厚みまで堆積される。このようなバリア層は、中間及び上部サブセルＢ及びＣへ成長する方向とは逆に、或いは下部サブセルＡへと成長する方向に、貫通転位が伝播するのを防止するように意図され、これは、２００７年９月２４日に出願された米国特許出願第１１／８６０，１８３号により詳細に説明されている。
バリア層１１６ａ上には、メタモルフィック層（グレーディングインターレイヤ）１１６が堆積される。この層１１６は、組成的に段階的にグレード付けされる一連のＩｎＧａＡｌＡｓ層で、サブセルＢからサブセルＣへ格子定数の遷移を達成するよう意図された単調に変化する格子定数をもつものであるのが好ましい。層１１６のバンドギャップは、中間サブセルＢのバンドギャップより若干大きな値に一致する１．５ｅＶである。
一実施形態では、Wanless氏等の論文に示唆されているように、段階的グレードは、９つの組成的にグレード付けされたＩｎＧａＰ段階を含み、その各段階層は、厚みが０．２５ミクロンである。好ましい実施形態では、層１１６は、少なくとも９つの段階にわたり単調に変化する格子定数をもつＩｎＧａＡｌＡｓで構成される。
本発明の別の実施形態では、ＩｎＧａＡｌＡｓメタモルフィック層１１６の上に任意の第２のバリア層１１６ｂを堆積してもよい。この第２のバリア層１１６ｂは、典型的に、バリア層１１６ａとは若干異なる組成を有する。
バリア層１１６ｂの上には、窓層１１７が堆積され、この窓層は、サブセル‘Ｃ’における再結合ロスを減少するように動作する。当業者であれば、本発明の範囲から逸脱せずに、このセル構造において付加的な層を追加又は除去してもよいことが明らかであろう。
窓層１１７の上には、セルＣの層、即ちｎ＋エミッタ層１１８及びｐ型ベース層１１９が堆積される。これらの層は、ＩｎＧａＡｓで各々構成されるのが好ましいが、格子定数及びバンドギャップ要件が一致する他の適当な材料を使用してもよい。層１１８及び１１９のドーピングプロファイルは、図１６を参照して説明する。
セルＣの上には、ＢＳＦ層１２０が堆積され、このＢＳＦ層は、ＢＳＦ層１０９及び１１４と同じ機能を遂行する。
最終的に、ＢＳＦ層１２０には、ｐ＋接触層１２１が堆積される。
当業者であれば、本発明の範囲から逸脱せずに、このセル構造において付加的な層（１つ又は複数）を追加又は除去してもよいことが明らかであろう。
図２は、ｐ＋半導体接触層１２１の上に金属接触層１２２が堆積された次の処理ステップの後の図１のソーラーセルを示す断面図である。金属は、Ｔｉ／Ａｕ／Ａｇ／Ａｕであるのが好ましい。
図３は、金属層１２２の上に接着剤層１２３が堆積された次の処理ステップの後の図２のソーラーセルを示す断面図である。接着剤は、ウェハボンド（ミズリー州ローラのブリューワーサイエンス社により製造される）であるのが好ましい。
図４は、代用基板１２４、好ましくは、サファイアが取り付けられる次の処理ステップの後の図３のソーラーセルを示す断面図である。代用基板は、厚みが約４０ミルであり、接着剤及び基板のその後の除去を助けるために、直径約１ｍｍの穴が４ｍｍの間隔で開けられている。
図５Ａは、基板１０１、バッファ層１０３及びエッチング停止層１０４を除去する一連のラッピング及び／又はエッチングステップによりオリジナル基板が除去される次の処理ステップの後の図４のソーラーセルを示す断面図である。特定のエッチング剤の選択は、成長基板に依存する。
図５Ｂは、代用基板１２４が図の底部に来るように方向付けした図５Ａのソーラーセルの断面図である。これ以降の図は、このような方向付けをとっている。
図６Ａは、ソーラーセルが実施されるウェハの上面図である。４つのセルを示したが、これは例示のために過ぎず、本発明は、ウェハ当たりの特定のセル数には限定されない。
各セルには、格子線５０１（図１０の断面図により詳細に示す）、相互接続バス線５０２、及び接触パッド５０３がある。格子線及びバス線の幾何学形状及び数は、例示に過ぎず、本発明は、ここに示す実施形態に限定されない。
図６Ｂは、図６Ａに示す４つのソーラーセルをもつウェハの底面図である。
図７は、燐化物及び砒化物のエッチング剤を使用して各セルの周囲でメサ５１０がエッチングされる次の処理ステップの後の図６Ａのウェハを示す上面図である。
図８は、図５Ｂのソーラーセルの簡単な断面図で、代用基板１２４の上の幾つかの上部層及び下部層を示す図である。
図９は、ＨＣＬ／Ｈ2Ｏ溶液によりエッチング停止層１０４が除去される次の処理ステップの後の図８のソーラーセルを示す断面図である。
図１０は、接触層１０５の上にホトレジストマスク（図示せず）を配置して格子線５０１形成する次の一連の処理ステップの後の図９のソーラーセルを示す断面図である。格子線５０１は、接触層１０５上に蒸着により堆積され、リソグラフ的にパターン化及び堆積される。マスクが離昇されて、金属格子線５０１が形成される。
図１１は、格子線をマスクとして使用し、クエン酸／過酸化物エッチング混合物を使用して表面を窓層１０６までエッチングする次の処理ステップの後の図１０のソーラーセルを示す断面図である。
図１２は、格子線５０１をもつウェハの「底部」側の全面に反射防止（ＡＲＣ）誘電体被覆層１３０が付着される次の処理ステップの後の図１１のソーラーセルを示す断面図である。
図１３は、燐化物及び砒化物のエッチング剤を使用して金属層１２２までメサ５１０がエッチングされる次の処理ステップの後の図１２のソーラーセルを示す断面図である。この断面図は、図７のＡ−Ａ平面から見たものとして示されている。次いで、１つ以上の銀電極が接触パッド（１つ又は複数）に溶接される。
図１４は、代用基板１２４呼び接着剤１２３がＥＫＣ９２２により除去された後の次の処理ステップの後の図１３のソーラーセルを示す断面図である。代用基板に設けられる好ましい孔は、直径が０．０３３インチで、０．１５２インチだけ分離されている。
図１５は、一実施形態においては、ＡＲＣ層１３０及びそれに取り付けられた堅牢なカバーガラスの上に接着剤が付着される次の処理ステップの後の図１４のソーラーセルを示す断面図である。
異なる実施形態では、図１３のソーラーセルが支持体に最初に装着され、その後、代用基板１２４及び接着剤１２３が除去される。このような支持体は、図１５に示すように、接着剤により装着される堅牢なカバーガラスである。
図１６は、本発明の第１の実施形態によるメタモルフィックソーラーセルのサブセルにおけるエミッタとベース層との間のドーピングプロファイルを示すグラフである。
上述したように、図１６に示されたエミッタとベース層のドーピングプロファイルは、本発明の三重接合ソーラーセルのサブセルの１つ以上において実施することができる。
本発明による特定のドーピングプロファイルが図示されており、エミッタのドーピングは、隣接層（例えば、層１０６、１１１又は１１７）のすぐ近くの領域における約５ｘ１０18／ｃｍ3から、図１６に点線で示されたｐ−ｎ接合付近の領域における５ｘ１０17／ｃｍ3へと減少する。ベースドーピングは、ｐ−ｎ接合付近の１ｘ１０16／ｃｍ3から、隣接層（例えば、層１０９、１１４又は１２０）付近の１ｘ１０18／ｃｍ3まで指数関数的に増加する。
指数関数的ドーピング勾配exp［−ｘ／λ］により発生される収集フィールドの絶対値は、次の大きさの一定電界により与えられる。
Ｅ＝（ｋＴ／ｑ(１／λ)）（exp［−ｘb／λ］）
但し、ｋは、ボルツマン定数、Ｔは、絶対温度（°ケルビン）、ｑは、電荷の絶対値、λは、ドーピング減衰のパラメータ特性である。
本発明の効果は、本発明により底部サブセルの３μｍ厚みのベース層に指数関数的ドーピングプロファイルを合体したテストソーラーセルにおいて実証されている。テストセルの電気的パラメータの測定に続いて、電流収集の６．７％の増加が観察された。測定は、少なくとも３．０１４Ｖに等しい開路電圧（Ｖoc）、少なくとも１６．５５ｍＡ／ｃｍの短絡電流（Ｊsc）、及びＡＭＯにおいて少なくとも０．８６の充填率を指示した。
本発明により教示される指数関数的ドーピングプロファイルは、ドープ領域に一定電界を発生する。本発明の特定の三重接合ソーラーセル材料及び構造では、底部セルは、全てのサブセルの中で最小の短絡電流を有する。三重接合ソーラーセルでは、個々のサブセルが積層され、直列回路を形成する。それ故、全セルにおける合計電流は、いずれか１つのサブセルに発生される最小電流により制限される。したがって、底部セルにおける短絡電流を６．７％増加することにより、電流は、上位サブセルの電流に、より厳密に接近し、三重接合ソーラーセルの全効率も、６．７％増加される。約３０％の効率をもつ三重接合ソーラーセルでは、本発明の実施は、効率を１．０６７の係数で増加し、即ち３２．０１％に増加する。全効率のこのような増加は、ソーラーセル技術の分野では相当のものである。効率の増加に加えて、指数関数的ドーピングプロファイルにより形成される収集フィールドは、ソーラーセルの放射線硬度を向上させ、これは、宇宙船の用途で重要である。
指数関数的ドープされるプロファイルは、実施されて検証されたドーピング設計であるが、他のドーピングプロファイルも、直線的に変化する収集フィールドを与え、これは、更に別の効果を発揮することができる。例えば、次の式に示すドーピングプロファイルは、少数キャリアの収集及びソーラーセルの寿命終了における放射線硬度の両方について効果的である線形フィールドをドープ領域に発生する。
Figure 2013165299
 １つ以上のベース層におけるこのような他のドーピングプロファイルは、本発明の範囲内である。
ここに示すドーピングプロファイルは、単なる例示に過ぎず、当業者であれば、本発明の範囲から逸脱せずに、より複雑な他のプロファイルが利用できるであろう。
又、上述した素子の各々、或いはその２つ以上は、上述した形式の構造とは異なる他の形式の構造にも有用に適用できることを理解されたい。
本発明は、反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて実施されるものとして図示して説明したが、本発明の精神から逸脱せずに種々の修正や構造変更がなされ得るので、ここに示す細部に限定されるものではない。
これ以上分析しなくても、以上の説明は、他の者が現在の知識を適用することにより、従来技術の観点から本発明の一般的又は特定の態様の本質的な特性を充分に構成する特徴を省くことなく種々の用途に容易に適応させることのできる本発明の要旨を充分に明らかにするもので、それ故、このような適応は、特許請求の範囲内に包含されるものとする。
〔原出願の出願時の特許請求の範囲の記載を以下に開示事項１乃至１１として加える。〕
〔開示事項１〕
上部サブセルと中間サブセルと下部又は底部サブセルとを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、
半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備するステップと、 第１のバンドギャップを有し、ベース及びエミッタを有する第１のソーラーサブセルを前記基板上に形成するステップと、
前記第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有し、ベース及びエミッタを有する第２のソーラーサブセルを前記第１のソーラーサブセルの上に形成するステップと、
前記第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを前記第２のサブセルの上に形成するステップと、
前記第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有し、ベース及びエミッタを有する第３のソーラーサブセルを前記グレーディングインターレイヤの上に形成して、この第３のサブセルが前記第２のサブセルに対して格子不整合となるようにするステップと、
を含み、
前記ベースのうちの少なくとも１つが指数関数的にドープされたプロファイルを有するものである、ことを特徴とする方法。
〔開示事項２〕
前記第１のソーラーサブセルのベースが、ベース−エミッタ接合の付近の１ｘ１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１ｘ１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有する、上記開示事項１に記載の方法。
〔開示事項３〕
前記第２のソーラーサブセルのベースが、ベース−エミッタ接合の付近の１ｘ１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１ｘ１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有する、上記開示事項１に記載の方法。
〔開示事項４〕
前記第３のソーラーサブセルのベースが、ベース−エミッタ接合の付近の１ｘ１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１ｘ１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有する、上記開示事項１に記載の方法。
〔開示事項５〕
少なくとも１つの前記ソーラーサブセルのエミッタ層が、ベース−エミッタ接合の付近の５ｘ１０17／ｃｍ3から、隣接層の付近の５ｘ１０18／ｃｍ3までの増加するドーピンググラデーションを有する、上記開示事項１に記載の方法。
〔開示事項６〕
前記第３のソーラーサブセルが、底部サブセルであり、前記指数関数的ドーピンググラデーションが、上位サブセルの短絡電流にほぼ等しいレベルまでの短絡電流の増加を生じさせる、上記開示事項４に記載の方法。
〔開示事項７〕
前記第１の基板がＧａＡｓで構成される、上記開示事項１に記載の方法。
〔開示事項８〕
前記第１のソーラーサブセルが、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐエミッタ領域と、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐベース領域とにより構成される、上記開示事項１に記載の方法。
〔開示事項９〕
前記第２のソーラーサブセルは、ＩｎＧａＰエミッタ領域と、ＧａＡｓベース領域とで構成される、上記開示事項１に記載の方法。
〔開示事項１０〕
前記グレーディングインターレイヤがＩｎＧａＡｌＡｓにより構成される、上記開示事項１に記載の方法。
〔開示事項１１〕
ソーラーセルを製造する方法であって、
第１の基板を準備するステップと、
前記第１の基板上に半導体材料の一連の層を堆積して、指数関数的ドーピングを伴う少なくとも１つのベース層を含むソーラーセルを形成するステップと、
前記一連の層の頂部に代用基板を装着するステップと、
前記第１の基板を除去するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
１０１：基板
１０２：核生成層
１０３：バッファ層
１０４：エッチング停止層
１０５：接触層
１０６：窓層
１０７：ｎ＋エミッタ層
１０８：ｐベース層
１０９：ＢＳＦ層
１１０：ｐ型及びｎ型層（トンネルダイオード層）
１１１：窓層
１１２：ｎ＋エミッタ層
１１３：ｐベース層
１１４：ＢＳＦ層
１１５：ｐ＋＋／ｎ＋＋トンネルダイオード
１１６ａ：バリア層
１１６：グレーディングインターレイヤ（メタモルフィックバッファ層）
１１６ｂ：バリア層
１１７：窓層
１１８：ｎ＋エミッタ層
１１９：ｐベース層
１２０：ＢＳＦ層
１２１：ｐ＋接触層
１２２：金属接触層
１２３：接着剤層
１２４：代用基板
５０１：格子線
５０２：相互接続バス線
５０３：接触パッド
５１０：メサ

Claims (1)

  1. 上部サブセルと中間サブセルと下部又は底部サブセルとを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、
    半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備するステップであって、前記第1の基板がＧａＡｓにより構成されるステップと、
    第１のバンドギャップを有し、第１のベース及び第１のエミッタを有する第１のソーラーサブセルを、前記基板の上に形成するステップであって、前記第1のベースがＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐにより構成される、前記第１のエミッタがＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐにより構成されるステップと、
    前記第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有し、第２のベース及び第２のエミッタを有する第２のソーラーサブセルを、前記第１のソーラーサブセルの上に形成するステップであって、前記第２のベースがＧａＡｓにより構成され、前記第２のエミッタがＩｎＧａＰにより構成されるステップと、
    前記第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを前記第２のサブセルの上に形成するステップであって、前記グレーディングインターレイヤがＩｎＧａＡｌＡｓにより構成されるステップと、
    前記第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有し、第３のベース及び第３のエミッタを有する第３のソーラーサブセルを、前記グレーディングインターレイヤの上に形成して、この第３のサブセルが前記第２のサブセルに対して格子不整合となるようにするステップであり、前記３のソーラーサブセルがＩｎＧａＡｓにより構成されるステップと、
    を含み、
    前記第１のソーラーサブセルの前記第１のベースが、前記第１のベース−前記第１のエミッタ接合の付近の１×１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１×１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有し、
    前記第２のソーラーサブセルの前記第２のベースが、前記第２のベース−前記第２のエミッタ接合の付近の１×１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１×１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有し、
    前記第３のソーラーサブセルの前記第３のベースが、前記第３のベース−前記第３のエミッタ接合の付近の１×１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１×１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有し、
    前記第１のエミッタ、前記第２のエミッタ及び前記第３のエミッタが、前記ベース−前記エミッタ接合の付近の５×１０17／ｃｍ3から隣接層の付近の５×１０18／ｃｍ3までの増加するドーピンググラデーションを有するものであることを特徴とする方法。
JP2013105060A 2007-12-13 2013-05-17 反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層 Active JP5456923B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/956,069 US20090155952A1 (en) 2007-12-13 2007-12-13 Exponentially Doped Layers In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US11/956,069 2007-12-13

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008269598A Division JP5318522B2 (ja) 2007-12-13 2008-10-20 反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013165299A true JP2013165299A (ja) 2013-08-22
JP5456923B2 JP5456923B2 (ja) 2014-04-02

Family

ID=40622227

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008269598A Active JP5318522B2 (ja) 2007-12-13 2008-10-20 反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層
JP2013105060A Active JP5456923B2 (ja) 2007-12-13 2013-05-17 反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008269598A Active JP5318522B2 (ja) 2007-12-13 2008-10-20 反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20090155952A1 (ja)
EP (1) EP2073276B8 (ja)
JP (2) JP5318522B2 (ja)
CN (1) CN101459204A (ja)
TW (1) TWI355091B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076704A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 엘지전자 주식회사 화합물 반도체 태양전지

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090078310A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Emcore Corporation Heterojunction Subcells In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US10381501B2 (en) 2006-06-02 2019-08-13 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with multiple metamorphic layers
US20100122724A1 (en) 2008-11-14 2010-05-20 Emcore Solar Power, Inc. Four Junction Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cell with Two Metamorphic Layers
US20090078309A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Emcore Corporation Barrier Layers In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US9117966B2 (en) 2007-09-24 2015-08-25 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with two metamorphic layers and homojunction top cell
US20100229913A1 (en) * 2009-01-29 2010-09-16 Emcore Solar Power, Inc. Contact Layout and String Interconnection of Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US9634172B1 (en) 2007-09-24 2017-04-25 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with multiple metamorphic layers
US20100229926A1 (en) 2009-03-10 2010-09-16 Emcore Solar Power, Inc. Four Junction Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cell with a Single Metamorphic Layer
US10170656B2 (en) 2009-03-10 2019-01-01 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with a single metamorphic layer
US20100047959A1 (en) * 2006-08-07 2010-02-25 Emcore Solar Power, Inc. Epitaxial Lift Off on Film Mounted Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100203730A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Emcore Solar Power, Inc. Epitaxial Lift Off in Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100093127A1 (en) * 2006-12-27 2010-04-15 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cell Mounted on Metallized Flexible Film
US20110041898A1 (en) * 2009-08-19 2011-02-24 Emcore Solar Power, Inc. Back Metal Layers in Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US8895342B2 (en) 2007-09-24 2014-11-25 Emcore Solar Power, Inc. Heterojunction subcells in inverted metamorphic multijunction solar cells
US20100233838A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-16 Emcore Solar Power, Inc. Mounting of Solar Cells on a Flexible Substrate
US10381505B2 (en) 2007-09-24 2019-08-13 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cells including metamorphic layers
US20090272430A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 Emcore Solar Power, Inc. Refractive Index Matching in Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100012175A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Emcore Solar Power, Inc. Ohmic n-contact formed at low temperature in inverted metamorphic multijunction solar cells
US20090272438A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Emcore Corporation Strain Balanced Multiple Quantum Well Subcell In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cell
US9287438B1 (en) * 2008-07-16 2016-03-15 Solaero Technologies Corp. Method for forming ohmic N-contacts at low temperature in inverted metamorphic multijunction solar cells with contaminant isolation
US20100012174A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Emcore Corporation High band gap contact layer in inverted metamorphic multijunction solar cells
US8263853B2 (en) 2008-08-07 2012-09-11 Emcore Solar Power, Inc. Wafer level interconnection of inverted metamorphic multijunction solar cells
US7741146B2 (en) 2008-08-12 2010-06-22 Emcore Solar Power, Inc. Demounting of inverted metamorphic multijunction solar cells
JP5416212B2 (ja) * 2008-09-19 2014-02-12 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 エピタキシャル層の成長によるデバイス形成
US8236600B2 (en) * 2008-11-10 2012-08-07 Emcore Solar Power, Inc. Joining method for preparing an inverted metamorphic multijunction solar cell
US20100122764A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Emcore Solar Power, Inc. Surrogate Substrates for Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US10541349B1 (en) 2008-12-17 2020-01-21 Solaero Technologies Corp. Methods of forming inverted multijunction solar cells with distributed Bragg reflector
US9018521B1 (en) 2008-12-17 2015-04-28 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with DBR layer adjacent to the top subcell
US7960201B2 (en) * 2009-01-29 2011-06-14 Emcore Solar Power, Inc. String interconnection and fabrication of inverted metamorphic multijunction solar cells
US8778199B2 (en) 2009-02-09 2014-07-15 Emoore Solar Power, Inc. Epitaxial lift off in inverted metamorphic multijunction solar cells
US20100206365A1 (en) * 2009-02-19 2010-08-19 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells on Low Density Carriers
US9018519B1 (en) 2009-03-10 2015-04-28 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cells having a permanent supporting substrate
US20100229933A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-16 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells with a Supporting Coating
US20100282288A1 (en) * 2009-05-06 2010-11-11 Emcore Solar Power, Inc. Solar Cell Interconnection on a Flexible Substrate
US20100282305A1 (en) 2009-05-08 2010-11-11 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Multijunction Solar Cells with Group IV/III-V Hybrid Alloys
US20100319764A1 (en) * 2009-06-23 2010-12-23 Solar Junction Corp. Functional Integration Of Dilute Nitrides Into High Efficiency III-V Solar Cells
IT1394853B1 (it) * 2009-07-21 2012-07-20 Cesi Ct Elettrotecnico Sperimentale Italiano Giacinto Motta S P A Cella fotovoltaica ad elevata efficienza di conversione
US8263856B2 (en) * 2009-08-07 2012-09-11 Emcore Solar Power, Inc. Inverted metamorphic multijunction solar cells with back contacts
US8575471B2 (en) * 2009-08-31 2013-11-05 Alliance For Sustainable Energy, Llc Lattice matched semiconductor growth on crystalline metallic substrates
US8961687B2 (en) * 2009-08-31 2015-02-24 Alliance For Sustainable Energy, Llc Lattice matched crystalline substrates for cubic nitride semiconductor growth
DE102009049397B4 (de) 2009-10-14 2018-09-06 Solaero Technologies Corp. Herstellungsverfahren mit Surrogatsubstrat für invertierte metamorphische Multijunction-Solarzellen
US9337360B1 (en) 2009-11-16 2016-05-10 Solar Junction Corporation Non-alloyed contacts for III-V based solar cells
US20110114163A1 (en) * 2009-11-18 2011-05-19 Solar Junction Corporation Multijunction solar cells formed on n-doped substrates
DE102009057020B4 (de) * 2009-12-03 2021-04-29 Solaero Technologies Corp. Wachstumssubstrate für invertierte metamorphe Multijunction-Solarzellen
US8507365B2 (en) * 2009-12-21 2013-08-13 Alliance For Sustainable Energy, Llc Growth of coincident site lattice matched semiconductor layers and devices on crystalline substrates
US20110232730A1 (en) 2010-03-29 2011-09-29 Solar Junction Corp. Lattice matchable alloy for solar cells
US9214586B2 (en) 2010-04-30 2015-12-15 Solar Junction Corporation Semiconductor solar cell package
US8187907B1 (en) 2010-05-07 2012-05-29 Emcore Solar Power, Inc. Solder structures for fabrication of inverted metamorphic multijunction solar cells
TWI414073B (zh) * 2010-07-20 2013-11-01 Cesi Ct Elettrotecnico Sperimentale Italiano Giacinto Motta S P A 高轉換效率光伏電池
KR20120034965A (ko) 2010-10-04 2012-04-13 삼성전자주식회사 태양 전지
TWI427807B (zh) * 2010-10-28 2014-02-21 Atomic Energy Council 能增加光電流收集效率的太陽能電池結構
US9214580B2 (en) * 2010-10-28 2015-12-15 Solar Junction Corporation Multi-junction solar cell with dilute nitride sub-cell having graded doping
WO2012074523A1 (en) 2010-12-01 2012-06-07 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods of producing free-standing semiconductors using sacrificial buffer layers and recyclable substrates
WO2012074524A1 (en) 2010-12-01 2012-06-07 Alliance For Sustainable Energy, Llc Coincident site lattice-matched growth of semiconductors on substrates using compliant buffer layers
US8962989B2 (en) 2011-02-03 2015-02-24 Solar Junction Corporation Flexible hermetic semiconductor solar cell package with non-hermetic option
US8859892B2 (en) 2011-02-03 2014-10-14 Solar Junction Corporation Integrated semiconductor solar cell package
US8962991B2 (en) 2011-02-25 2015-02-24 Solar Junction Corporation Pseudomorphic window layer for multijunction solar cells
US8766087B2 (en) 2011-05-10 2014-07-01 Solar Junction Corporation Window structure for solar cell
CN102244114A (zh) * 2011-06-22 2011-11-16 厦门市三安光电科技有限公司 一种高倍聚光多结太阳能电池及其制备方法
JP5758257B2 (ja) * 2011-09-30 2015-08-05 シャープ株式会社 化合物半導体太陽電池製造用積層体、化合物半導体太陽電池およびその製造方法
WO2013074530A2 (en) 2011-11-15 2013-05-23 Solar Junction Corporation High efficiency multijunction solar cells
US9263611B2 (en) 2011-11-17 2016-02-16 Solar Junction Corporation Method for etching multi-layer epitaxial material
US9153724B2 (en) 2012-04-09 2015-10-06 Solar Junction Corporation Reverse heterojunctions for solar cells
CN102651417B (zh) * 2012-05-18 2014-09-03 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 三结级联太阳能电池及其制备方法
CN102779890A (zh) * 2012-08-14 2012-11-14 厦门乾照光电股份有限公司 一种倒置三结太阳能电池及其制造方法
US9142615B2 (en) 2012-10-10 2015-09-22 Solar Junction Corporation Methods and apparatus for identifying and reducing semiconductor failures
US10153388B1 (en) 2013-03-15 2018-12-11 Solaero Technologies Corp. Emissivity coating for space solar cell arrays
US20170062642A1 (en) * 2013-04-29 2017-03-02 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell
US9853180B2 (en) 2013-06-19 2017-12-26 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with surface passivation
ITMI20131297A1 (it) * 2013-08-01 2015-02-02 Cesi Ct Elettrotecnico Sperim Entale Italian Cella fotovoltaica con banda proibita variabile
US9768326B1 (en) 2013-08-07 2017-09-19 Solaero Technologies Corp. Fabrication of solar cells with electrically conductive polyimide adhesive
US9214594B2 (en) 2013-08-07 2015-12-15 Solaero Technologies Corp. Fabrication of solar cells with electrically conductive polyimide adhesive
CN106133923B (zh) 2014-02-05 2018-07-24 太阳结公司 单片式多结能量转换器
US9758261B1 (en) 2015-01-15 2017-09-12 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell with lightweight laminate substrate
US10403778B2 (en) * 2015-10-19 2019-09-03 Solaero Technologies Corp. Multijunction solar cell assembly for space applications
US20170110613A1 (en) 2015-10-19 2017-04-20 Solar Junction Corporation High efficiency multijunction photovoltaic cells
US10270000B2 (en) * 2015-10-19 2019-04-23 Solaero Technologies Corp. Multijunction metamorphic solar cell assembly for space applications
US10361330B2 (en) 2015-10-19 2019-07-23 Solaero Technologies Corp. Multijunction solar cell assemblies for space applications
US10256359B2 (en) 2015-10-19 2019-04-09 Solaero Technologies Corp. Lattice matched multijunction solar cell assemblies for space applications
US9985161B2 (en) 2016-08-26 2018-05-29 Solaero Technologies Corp. Multijunction metamorphic solar cell for space applications
US9935209B2 (en) * 2016-01-28 2018-04-03 Solaero Technologies Corp. Multijunction metamorphic solar cell for space applications
CN105304764B (zh) * 2015-11-11 2017-12-05 厦门乾照光电股份有限公司 一种倒置结构太阳能电池制作方法
US9929300B2 (en) 2015-11-13 2018-03-27 Solaero Technologies Corp. Multijunction solar cells with electrically conductive polyimide adhesive
CN106784127B (zh) * 2015-11-20 2019-02-01 北京创昱科技有限公司 一种双结薄膜太阳能电池组件及其制作方法
CN106784108B (zh) * 2015-11-20 2019-05-31 北京创昱科技有限公司 一种双结薄膜太阳能电池组件及其制作方法
US10090420B2 (en) 2016-01-22 2018-10-02 Solar Junction Corporation Via etch method for back contact multijunction solar cells
US11316053B2 (en) * 2016-08-26 2022-04-26 Sol Aero Technologies Corp. Multijunction solar cell assembly
WO2017205100A1 (en) 2016-05-23 2017-11-30 Solar Junction Corporation Exponential doping in lattice-matched dilute nitride photovoltaic cells
US10263134B1 (en) 2016-05-25 2019-04-16 Solaero Technologies Corp. Multijunction solar cells having an indirect high band gap semiconductor emitter layer in the upper solar subcell
US9680035B1 (en) 2016-05-27 2017-06-13 Solar Junction Corporation Surface mount solar cell with integrated coverglass
US10700230B1 (en) * 2016-10-14 2020-06-30 Solaero Technologies Corp. Multijunction metamorphic solar cell for space applications
US10636926B1 (en) 2016-12-12 2020-04-28 Solaero Technologies Corp. Distributed BRAGG reflector structures in multijunction solar cells
WO2019010037A1 (en) 2017-07-06 2019-01-10 Solar Junction Corporation HYBRID MOCVD / MBE EPITAXIAL GROWTH OF MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS ADAPTED TO THE HIGH-PERFORMANCE NETWORK
WO2019067553A1 (en) 2017-09-27 2019-04-04 Solar Junction Corporation SHORT-LENGTH WAVELENGTH INFRARED OPTOELECTRONIC DEVICES HAVING DILUTED NITRIDE LAYER
US20190181289A1 (en) 2017-12-11 2019-06-13 Solaero Technologies Corp. Multijunction solar cells
US11011660B1 (en) 2018-07-17 2021-05-18 Solaero Technologies Corp. Inverted metamorphic multijunction solar cell
US11211514B2 (en) 2019-03-11 2021-12-28 Array Photonics, Inc. Short wavelength infrared optoelectronic devices having graded or stepped dilute nitride active regions
EP3980586A1 (en) * 2019-06-04 2022-04-13 Solar Junction Corporation Dilute nitride optical absorption layers having graded doping
US20230079215A1 (en) * 2021-09-01 2023-03-16 Solaria Corporation Solar Device Fabrication Limiting Power Conversion Losses
CN114335208B (zh) * 2022-03-16 2022-06-10 南昌凯迅光电股份有限公司 一种新型砷化镓太阳电池及制作方法

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3488834A (en) * 1965-10-20 1970-01-13 Texas Instruments Inc Microelectronic circuit formed in an insulating substrate and method of making same
US3964155A (en) * 1972-02-23 1976-06-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of planar mounting of silicon solar cells
US4001864A (en) * 1976-01-30 1977-01-04 Gibbons James F Semiconductor p-n junction solar cell and method of manufacture
US4255211A (en) * 1979-12-31 1981-03-10 Chevron Research Company Multilayer photovoltaic solar cell with semiconductor layer at shorting junction interface
DE3036260A1 (de) * 1980-09-26 1982-04-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten an einer silizium-solarzelle
US4338480A (en) * 1980-12-29 1982-07-06 Varian Associates, Inc. Stacked multijunction photovoltaic converters
JPH065765B2 (ja) * 1982-12-23 1994-01-19 株式会社半導体エネルギ−研究所 光電変換装置
US4881979A (en) * 1984-08-29 1989-11-21 Varian Associates, Inc. Junctions for monolithic cascade solar cells and methods
US4612408A (en) * 1984-10-22 1986-09-16 Sera Solar Corporation Electrically isolated semiconductor integrated photodiode circuits and method
JPS63244887A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 Sharp Corp アモルフアス太陽電池
US5217539A (en) * 1991-09-05 1993-06-08 The Boeing Company III-V solar cells and doping processes
US5053083A (en) * 1989-05-08 1991-10-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Bilevel contact solar cells
US5021360A (en) * 1989-09-25 1991-06-04 Gte Laboratories Incorporated Method of farbicating highly lattice mismatched quantum well structures
US5322572A (en) * 1989-11-03 1994-06-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Monolithic tandem solar cell
US5019177A (en) * 1989-11-03 1991-05-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Monolithic tandem solar cell
JPH0472773A (ja) * 1990-07-13 1992-03-06 Hitachi Cable Ltd 多層接合型太陽電池
US5342453A (en) * 1992-11-13 1994-08-30 Midwest Research Institute Heterojunction solar cell
US5376185A (en) * 1993-05-12 1994-12-27 Midwest Research Institute Single-junction solar cells with the optimum band gap for terrestrial concentrator applications
EP0658944B1 (en) 1993-12-14 2009-04-15 Spectrolab, Inc. Thin semiconductor device and method of fabrication
JP3169497B2 (ja) * 1993-12-24 2001-05-28 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US5479032A (en) * 1994-07-21 1995-12-26 Trustees Of Princeton University Multiwavelength infrared focal plane array detector
US6281426B1 (en) * 1997-10-01 2001-08-28 Midwest Research Institute Multi-junction, monolithic solar cell using low-band-gap materials lattice matched to GaAs or Ge
US6482672B1 (en) * 1997-11-06 2002-11-19 Essential Research, Inc. Using a critical composition grading technique to deposit InGaAs epitaxial layers on InP substrates
US5944913A (en) * 1997-11-26 1999-08-31 Sandia Corporation High-efficiency solar cell and method for fabrication
US6166318A (en) * 1998-03-03 2000-12-26 Interface Studies, Inc. Single absorber layer radiated energy conversion device
US6300557B1 (en) * 1998-10-09 2001-10-09 Midwest Research Institute Low-bandgap double-heterostructure InAsP/GaInAs photovoltaic converters
US6239354B1 (en) * 1998-10-09 2001-05-29 Midwest Research Institute Electrical isolation of component cells in monolithically interconnected modules
US6165873A (en) * 1998-11-27 2000-12-26 Nec Corporation Process for manufacturing a semiconductor integrated circuit device
JP3657143B2 (ja) * 1999-04-27 2005-06-08 シャープ株式会社 太陽電池及びその製造方法
US6252287B1 (en) * 1999-05-19 2001-06-26 Sandia Corporation InGaAsN/GaAs heterojunction for multi-junction solar cells
US6340788B1 (en) * 1999-12-02 2002-01-22 Hughes Electronics Corporation Multijunction photovoltaic cells and panels using a silicon or silicon-germanium active substrate cell for space and terrestrial applications
US6815736B2 (en) * 2001-02-09 2004-11-09 Midwest Research Institute Isoelectronic co-doping
US20030070707A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-17 King Richard Roland Wide-bandgap, lattice-mismatched window layer for a solar energy conversion device
US6660928B1 (en) * 2002-04-02 2003-12-09 Essential Research, Inc. Multi-junction photovoltaic cell
US6690041B2 (en) * 2002-05-14 2004-02-10 Global Solar Energy, Inc. Monolithically integrated diodes in thin-film photovoltaic devices
US20060162768A1 (en) * 2002-05-21 2006-07-27 Wanlass Mark W Low bandgap, monolithic, multi-bandgap, optoelectronic devices
US8067687B2 (en) * 2002-05-21 2011-11-29 Alliance For Sustainable Energy, Llc High-efficiency, monolithic, multi-bandgap, tandem photovoltaic energy converters
US6794631B2 (en) * 2002-06-07 2004-09-21 Corning Lasertron, Inc. Three-terminal avalanche photodiode
US7122734B2 (en) * 2002-10-23 2006-10-17 The Boeing Company Isoelectronic surfactant suppression of threading dislocations in metamorphic epitaxial layers
US7071407B2 (en) * 2002-10-31 2006-07-04 Emcore Corporation Method and apparatus of multiplejunction solar cell structure with high band gap heterojunction middle cell
AU2003297649A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-30 Blue Photonics, Inc. High efficiency, monolithic multijunction solar cells containing lattice-mismatched materials and methods of forming same
US7812249B2 (en) * 2003-04-14 2010-10-12 The Boeing Company Multijunction photovoltaic cell grown on high-miscut-angle substrate
KR101098065B1 (ko) 2003-07-22 2011-12-26 아크조 노벨 엔.브이. 임시기판을 사용하여 태양전지 호일을 제조하는 프로세스
US20050211291A1 (en) * 2004-03-23 2005-09-29 The Boeing Company Solar cell assembly
US8227689B2 (en) * 2004-06-15 2012-07-24 The Boeing Company Solar cells having a transparent composition-graded buffer layer
WO2006015185A2 (en) * 2004-07-30 2006-02-09 Aonex Technologies, Inc. GaInP/GaAs/Si TRIPLE JUNCTION SOLAR CELL ENABLED BY WAFER BONDING AND LAYER TRANSFER
US7846759B2 (en) * 2004-10-21 2010-12-07 Aonex Technologies, Inc. Multi-junction solar cells and methods of making same using layer transfer and bonding techniques
FR2878076B1 (fr) 2004-11-17 2007-02-23 St Microelectronics Sa Amincissement d'une plaquette semiconductrice
US7166520B1 (en) * 2005-08-08 2007-01-23 Silicon Genesis Corporation Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process
US8637759B2 (en) * 2005-12-16 2014-01-28 The Boeing Company Notch filter for triple junction solar cells
US7294869B2 (en) * 2006-04-04 2007-11-13 International Business Machines Corporation Silicon germanium emitter
US20100186804A1 (en) * 2009-01-29 2010-07-29 Emcore Solar Power, Inc. String Interconnection of Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells on Flexible Perforated Carriers
US8536445B2 (en) * 2006-06-02 2013-09-17 Emcore Solar Power, Inc. Inverted metamorphic multijunction solar cells
US20100122724A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Emcore Solar Power, Inc. Four Junction Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cell with Two Metamorphic Layers
US20100229926A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-16 Emcore Solar Power, Inc. Four Junction Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cell with a Single Metamorphic Layer
US20090078308A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Emcore Corporation Thin Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells with Rigid Support
US20090078309A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Emcore Corporation Barrier Layers In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20090078310A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Emcore Corporation Heterojunction Subcells In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100229913A1 (en) * 2009-01-29 2010-09-16 Emcore Solar Power, Inc. Contact Layout and String Interconnection of Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100047959A1 (en) * 2006-08-07 2010-02-25 Emcore Solar Power, Inc. Epitaxial Lift Off on Film Mounted Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20080029151A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-07 Mcglynn Daniel Terrestrial solar power system using III-V semiconductor solar cells
US20100203730A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Emcore Solar Power, Inc. Epitaxial Lift Off in Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20080149173A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Sharps Paul R Inverted metamorphic solar cell with bypass diode
US20080245409A1 (en) * 2006-12-27 2008-10-09 Emcore Corporation Inverted Metamorphic Solar Cell Mounted on Flexible Film
US20110041898A1 (en) * 2009-08-19 2011-02-24 Emcore Solar Power, Inc. Back Metal Layers in Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20080185038A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Emcore Corporation Inverted metamorphic solar cell with via for backside contacts
US20090038679A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Emcore Corporation Thin Multijunction Solar Cells With Plated Metal OHMIC Contact and Support
US20090078311A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Emcore Corporation Surfactant Assisted Growth in Barrier Layers In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100233838A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-16 Emcore Solar Power, Inc. Mounting of Solar Cells on a Flexible Substrate
US20090223554A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Emcore Corporation Dual Sided Photovoltaic Package
US20090229658A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Emcore Corporation Non-Isoelectronic Surfactant Assisted Growth In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20090229662A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Emcore Corporation Off-Cut Substrates In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20090272430A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 Emcore Solar Power, Inc. Refractive Index Matching in Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100012175A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Emcore Solar Power, Inc. Ohmic n-contact formed at low temperature in inverted metamorphic multijunction solar cells
US20090272438A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Emcore Corporation Strain Balanced Multiple Quantum Well Subcell In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cell
US20090288703A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Emcore Corporation Wide Band Gap Window Layers In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100012174A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Emcore Corporation High band gap contact layer in inverted metamorphic multijunction solar cells
US8263853B2 (en) * 2008-08-07 2012-09-11 Emcore Solar Power, Inc. Wafer level interconnection of inverted metamorphic multijunction solar cells
US7741146B2 (en) * 2008-08-12 2010-06-22 Emcore Solar Power, Inc. Demounting of inverted metamorphic multijunction solar cells
US8236600B2 (en) * 2008-11-10 2012-08-07 Emcore Solar Power, Inc. Joining method for preparing an inverted metamorphic multijunction solar cell
US20100122764A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Emcore Solar Power, Inc. Surrogate Substrates for Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100147366A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells with Distributed Bragg Reflector
US7960201B2 (en) * 2009-01-29 2011-06-14 Emcore Solar Power, Inc. String interconnection and fabrication of inverted metamorphic multijunction solar cells
US20100206365A1 (en) * 2009-02-19 2010-08-19 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells on Low Density Carriers
US20100229933A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-16 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells with a Supporting Coating
US20100282288A1 (en) * 2009-05-06 2010-11-11 Emcore Solar Power, Inc. Solar Cell Interconnection on a Flexible Substrate
US8263856B2 (en) * 2009-08-07 2012-09-11 Emcore Solar Power, Inc. Inverted metamorphic multijunction solar cells with back contacts

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076704A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 엘지전자 주식회사 화합물 반도체 태양전지
KR101931712B1 (ko) 2016-12-28 2018-12-24 엘지전자 주식회사 화합물 반도체 태양전지

Also Published As

Publication number Publication date
TWI355091B (en) 2011-12-21
US20090155952A1 (en) 2009-06-18
JP2009147309A (ja) 2009-07-02
EP2073276A3 (en) 2012-09-19
JP5456923B2 (ja) 2014-04-02
JP5318522B2 (ja) 2013-10-16
US20090155951A1 (en) 2009-06-18
CN101459204A (zh) 2009-06-17
US7727795B2 (en) 2010-06-01
EP2073276B8 (en) 2019-03-06
TW200926426A (en) 2009-06-16
EP2073276A2 (en) 2009-06-24
EP2073276B1 (en) 2018-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5456923B2 (ja) 反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層
US11677037B2 (en) Metamorphic layers in multijunction solar cells
JP6194283B2 (ja) 多接合ソーラーセル及びその形成方法
US10374112B2 (en) Inverted metamorphic multijunction solar cell including a metamorphic layer
US8987042B2 (en) Ohmic N-contact formed at low temperature in inverted metamorphic multijunction solar cells
JP5425480B2 (ja) 倒置型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおけるヘテロ接合サブセル
US7741146B2 (en) Demounting of inverted metamorphic multijunction solar cells
US10700232B1 (en) Inverted metamorphic multijunction solar cells with doped alpha layer
JP2015073130A (ja) ２つの変性層を備えた４接合型反転変性多接合太陽電池
JP2009076921A (ja) 多接合ソーラーセル及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130617

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131211

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140108

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5456923

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250