JP2013157525A - 有機トランジスタ - Google Patents
有機トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013157525A JP2013157525A JP2012018237A JP2012018237A JP2013157525A JP 2013157525 A JP2013157525 A JP 2013157525A JP 2012018237 A JP2012018237 A JP 2012018237A JP 2012018237 A JP2012018237 A JP 2012018237A JP 2013157525 A JP2013157525 A JP 2013157525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- organic
- drain electrode
- source electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板上にゲート電極3、ゲート絶縁層4、ソース電極5、ドレイン電極6、及び有機半導体層7を有する有機トランジスタであって、ソース電極5及びドレイン電極6の長手方向であって、なおかつソース電極5とドレイン電極6との間に形成されるチャネル領域9の外側領域に、ダミー膜8を形成することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図5(a)は一般的な有機トランジスタを示した平面図である。なお、理解を容易にするため、本来破線で示すべき電極などを実線で示している部分がある。この点は、ほかの図においても同様である。
図5(b)は図5(a)のE−E‘における概略断面図である。ここでは一例として、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機トランジスタを示す。図5に図示したように、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機トランジスタ1は、基板2上に、ゲート電極3、ゲート絶縁層4、ソース電極5及びドレイン電極6、有機半導体層7を有するものである。ソース電極5及びドレイン電極6のゲート電極3上の部分をハッチングで示し、その間に形成されるチャネル領域9を編みがけで示した。有機半導体層7は、ソース電極5及びドレイン電極6上に有機半導体溶液を塗布し、乾燥させ溶媒を除去することによって形成される。
た状態を示す。図7(a)に図示するように、ドロッピング直後の有機半導体溶液70は表面張力によって中心部が厚く縁部が薄い形態を有し、溶媒の蒸気密度は中心部72が縁部71に比べて高くなる。溶媒の乾燥速度は有機半導体溶液70を囲んでいる蒸気密度に反比例するため、中心部72より縁部71で溶媒の乾燥が活発に起こる。有機半導体溶液70中の有機半導体材料は、溶媒の乾燥が活発に起こる縁部に移動するようになり、これによって形成される有機半導体層は、図7(b)に図示するように、縁部71が中心部72より高い状態となる。このような現象をコーヒーステイン現象という。
と重なるように、ダミー膜の上にも有機半導体層が配置されていることを特徴とする。
インジウム、モリブデン、ニッケル等の金属、これら金属を用いた合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物(ITO)、インジウム・亜鉛酸化物(IZO)等の無機材料が挙げられる。また、これらの材料は2種以上を併用してもよい。
本発明の第1の実施形態について、図1を用いて詳細に説明する。
図1(a)は本発明の第1の実施形態の有機トランジスタの平面図を示す。また、図1(b)は図1(a)A−A‘における断面図を示している。図1(b)に示すような、基板2、ゲート電極3、ゲート絶縁層4、およびソース電極5及びドレイン電極6の形成までの積層構造は、一般的な有機トランジスタの製造方法を採用することが出来る。なお、理解を容易にするため、本来破線で示すべき電極などを実線で示している部分がある。この点は、ほかの図においても同様である。
特性を備えたダミー膜8を形成する。本実施形態では、ソース電極5の長手方向とドレイン電極6の長手方向の両方の位置にダミー膜8を形成した。ダミー膜8の材質は特に限定されず、金、白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、ニッケル等の金属、これら金属を用いた合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物(ITO)、インジウム・亜鉛酸化物(IZO)等の無機材料、さらにはポリメチルシルセスキオキサン、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレートなどの有機材料を用いることができる。
次に、本発明の別の実施形態について図2を用いて説明する。図2は本発明の第2の実施形態の有機トランジスタの平面図を示す。先の形態と同じ構成のものには同じ符号を用いている。本実施形態が先の実施形態と異なるのは、ソース電極5、ドレイン電極6、及
びダミー膜8パターン形状の違いである。即ち、ソース電極5及びドレイン電極6が櫛型でなく、一対の対向電極となっている。この構成により、ダミー膜8の個数について、第1の実施形態では櫛の数(ソース電極が3本、ドレイン電極が3本の計6本)だけダミー膜8を形成したが、第2の実施形態ではソース電極1本、ドレイン電極1本の計2本の電極数に対応して、ダミー膜の数を2つとした。
次に、本発明の別の実施形態について図3を用いて説明する。図3は本発明の第3の実施形態の有機トランジスタの平面図を示す。先の形態と同じ構成のものには同じ符号を用いている。本実施形態が先の実施形態と異なるのは、ソース電極5、ドレイン電極6、及びダミー膜8パターン形状の違いである。即ち、先の第1の実施形態ではソース電極5及びドレイン電極6の櫛の数が同数であったが、本実施形態では、ソース電極5とドレイン電極6の櫛の数が同数ではない例を示している。図3に図示するように、本実施形態では、ソース電極5が2本、ドレイン電極6が1本の計3本であり、この電極の櫛の数に対応し、ダミー膜8はソース電極5における長手方向の位置のそれぞれに2個、ドレイン電極6における長手方向の位置に1個の計3個を形成した。
ない。
次に、本発明の別の実施形態について図4を用いて説明する。図4(a)は本発明の第1の実施形態の有機トランジスタの平面図を示す。また、図4(b)は図4(a)D−D‘における断面図を示している。先の形態と同じ構成のものには同じ符号を用いている。本実施形態が先の実施形態と異なるのは、有機半導体溶液の塗布位置、つまり塗布パターンである。先の実施形態では、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機トランジスタの例を示したが、本実施形態では、トップゲート構造の有機トランジスタの実施例を示す。
2 基板
3 ゲート電極
4 ゲート絶縁層
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 有機半導体層
8 ダミー膜
9 チャネル領域
20 基板
70 有機半導体溶液
71 縁部
72 中心部
Claims (2)
- 基板上にソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを有する有機トランジスタであって、
前記ソース電極の長手方向、又は前記ドレイン電極の長手方向であって、なおかつ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されるチャネル領域の外側領域に、ダミー膜を配置し、
前記有機半導体層は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上、及び前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、
かつ、前記有機半導体層の端部が、前記ダミー膜の端部と重なるように、該ダミー膜の上にも前記有機半導体層が配置されていることを特徴とする有機トランジスタ。 - 前記ダミー膜は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ材質であることを特徴とする請求項1の有機トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012018237A JP5875880B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 有機トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012018237A JP5875880B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 有機トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013157525A true JP2013157525A (ja) | 2013-08-15 |
JP5875880B2 JP5875880B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=49052413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012018237A Expired - Fee Related JP5875880B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 有機トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5875880B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050432A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 日本写真印刷株式会社 | 能動素子、および能動素子の製造方法 |
WO2021172408A1 (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-02 | 国立大学法人 東京大学 | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008042043A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
JP2008205284A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Sharp Corp | 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2008300610A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Panasonic Corp | 有機tft素子及びこれを用いた有機elディスプレイパネル |
JP2009033020A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Seiko Epson Corp | 有機トランジスタ及びアクティブマトリックス基板 |
JP2009069805A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | 補償型グレイスケールマスク |
JP2009141203A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
-
2012
- 2012-01-31 JP JP2012018237A patent/JP5875880B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008042043A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
JP2008205284A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Sharp Corp | 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2008300610A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Panasonic Corp | 有機tft素子及びこれを用いた有機elディスプレイパネル |
JP2009033020A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Seiko Epson Corp | 有機トランジスタ及びアクティブマトリックス基板 |
JP2009069805A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | 補償型グレイスケールマスク |
JP2009141203A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050432A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 日本写真印刷株式会社 | 能動素子、および能動素子の製造方法 |
WO2017038372A1 (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 日本写真印刷株式会社 | 能動素子、および能動素子の製造方法 |
CN107851582A (zh) * | 2015-09-02 | 2018-03-27 | Nissha株式会社 | 有源元件及有源元件的制造方法 |
US10008604B2 (en) | 2015-09-02 | 2018-06-26 | Nissha Printing Co., Ltd. | Active device and method for manufacturing active device |
KR101914898B1 (ko) | 2015-09-02 | 2018-11-02 | 닛샤 가부시키가이샤 | 능동 소자 및 능동 소자의 제조 방법 |
CN107851582B (zh) * | 2015-09-02 | 2019-02-22 | Nissha株式会社 | 有源元件及有源元件的制造方法 |
TWI678799B (zh) * | 2015-09-02 | 2019-12-01 | 日商日寫股份有限公司 | 主動元件及主動元件之製造方法 |
WO2021172408A1 (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-02 | 国立大学法人 東京大学 | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5875880B2 (ja) | 2016-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7781760B2 (en) | Thin film transistor, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP5638944B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
US8283200B2 (en) | Manufacturing method of thin film transistor and thin film transistor, and display | |
US8089065B2 (en) | Organic thin film transistors | |
JP5428128B2 (ja) | 電子素子、電流制御装置、演算装置及び表示装置 | |
US20110186830A1 (en) | Method of Making Organic Thin Film Transistors Using a Laser Induced Thermal Transfer Printing Process | |
JP2008258608A (ja) | 両極性トランジスタ設計 | |
JP2010003723A (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ並びに画像表示装置 | |
JP6070073B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ | |
JP5875880B2 (ja) | 有機トランジスタ | |
JP2005294571A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
CN110556428A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件 | |
JP2018041759A (ja) | 薄膜トランジスタおよび画像表示装置 | |
JP6064356B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
WO2014049970A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
JP2014192317A (ja) | 有機トランジスタの製造方法 | |
JPWO2016170770A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ形成基板、画像表示装置用基板および薄膜トランジスタアレイ形成基板の製造方法 | |
JP2012222094A (ja) | 有機トランジスタの製造方法 | |
JP2016163029A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイの製造方法及び画素表示装置 | |
JP6209920B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
JP6331644B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 | |
JP6123413B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
JP2014063976A (ja) | 有機トランジスタおよびその製造方法 | |
WO2015004847A1 (en) | Electronic device and manufacturing method therefor and image display apparatus and substrate for constituting image display apparatus | |
JP6627437B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20130626 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141030 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5875880 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |