JP2013149714A5 - - Google Patents

Description

本発明の光伝導アンテナでは、前記平面視において、前記第１導電領域と前記第２導電領域との間の前記間隙に位置する前記半導体領域の界面上の少なくとも一部に設けられた絶縁領域を有することが好ましい。
これにより、第１導電領域と第２導電領域との間の間隙におけるリーク電流の発生をより確実に防止することができる。
本発明の光伝導アンテナでは、前記半導体領域の半導体材料は、ＩＩＩ−Ｖ属化合物半導体であることが好ましい。
これにより、より高い強度のテラヘルツ波を発生することができる。

画像形成部１２においては、前記検出結果に基づいて、フィルター１５の第２の領域１６２を通過したテラヘルツ波の波長λ２の成分の強度α２と、第１の領域１６１を通過したテラヘルツ波の波長λ１の成分の強度α１の差分（α２−α１）を求める。そして、対象物１５０のうち、前記差分が正値となる部位を物質Ａ、前記差分が零となる部位を物質Ｂ、前記差分が負値となる部位を物質Ｃと判断し、特定する。

また、画像形成部１２では、図１６に示すように、対象物１５０の物質Ａ、ＢおよびＣの分布を示す画像の画像データを作成する。この画像データは、画像形成部１２から図示しないモニターに送出され、そのモニターにおいて、対象物１５０の物質Ａ、ＢおよびＣの分布を示す画像が表示される。この場合、例えば、対象物１５０の物質Ａの分布する領域は黒色、物質Ｂの分布する領域は灰色、物質Ｃの分布する領域は白色に色分けして表示される。このイメージング装置１００では、以上のように、対象物１５０を構成する各物質の同定と、その各物質の分布測定とを同時に行うことができる。
なお、イメージング装置１００の用途は、前記のものに限らず、例えば、人物に対してテラヘルツ波を照射し、その人物を透過または反射したテラヘルツ波を検出し、画像形成部１２において処理を行うことにより、その人物が、拳銃、ナイフ、違法な薬物等を所持しているか否かを判別することもできる。

Claims (10)

1. パルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナであって、
   第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第１導電領域と、
   前記第１導電領域の層厚方向からの平面視において前記第１導電領域に対して所定の間隙を介して位置しており、かつ、前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第２導電領域と、
   前記平面視における前記第１導電領域と前記第２導電領域との間の前記間隙に位置しており、かつ、前記第１導電領域の半導体材料または前記第２導電領域の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体領域と、
   前記第１導電領域に電気的に接続する第１電極と、
   前記第２導電領域に電気的に接続する第２電極と、を備え、
   前記半導体領域の前記間隙における界面と、前記第１導電領域の一方の界面と、前記第２導電領域の一方の界面とが、同一面内に位置し、
   前記第１導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面と、前記第２導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面とが、前記半導体領域の前記間隙における界面に対して同一側に位置していることを特徴とする光伝導アンテナ。
2. 前記第１導電領域と前記第２導電領域との間の前記間隙が、前記半導体領域により埋められている請求項１に記載の光伝導アンテナ。
3. 前記第１電極は、前記第１導電領域上に設けられており、
   前記平面視において前記第１電極と前記第１導電領域とが同一形状をなしている請求項１または２に記載の光伝導アンテナ。
4. 前記第２電極は、前記第２導電領域上に設けられており、
   前記平面視において前記第２電極と前記第２導電領域とが同一形状をなしている請求項１ないし３のいずれかに記載の光伝導アンテナ。
5. 前記平面視において、前記第１導電領域と前記第２導電領域との間の前記間隙に位置する前記半導体領域の界面上の少なくとも一部に設けられた絶縁領域を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の光伝導アンテナ。
6. 前記半導体領域の半導体材料は、ＩＩＩ−Ｖ属化合物半導体である請求項１ないし５のいずれかに記載の光伝導アンテナ。
7. パルス光を発生する光源と、
   前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、
   前記光伝導アンテナは、第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第１導電領域と、
   前記第１導電領域の層厚方向からの平面視において前記第１導電領域に対して所定の間隙を介して位置しており、かつ、前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第２導電領域と、
   前記平面視における前記第１導電領域と前記第２導電領域との間の前記間隙に位置しており、かつ、前記第１導電領域の半導体材料または前記第２導電領域の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体領域と、
   前記第１導電領域に電気的に接続する第１電極と、
   前記第２導電領域に電気的に接続する第２電極と、を備え、
   前記半導体領域の前記間隙における界面と、前記第１導電領域の一方の界面と、前記第２導電領域の一方の界面とが、同一面内に位置し、
   前記第１導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面と、前記第２導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面とが、前記半導体領域の前記間隙における界面に対して同一側に位置していることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。
8. テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、
   前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物にて反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、を備え、
   前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、
   前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、
   前記光伝導アンテナは、第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第１導電領域と、
   前記第１導電領域の層厚方向からの平面視において前記第１導電領域に対して所定の間隙を介して位置しており、かつ、前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第２導電領域と、
   前記平面視における前記第１導電領域と前記第２導電領域との間の前記間隙に位置しており、かつ、前記第１導電領域の半導体材料または前記第２導電領域の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体領域と、
   前記第１導電領域に電気的に接続する第１電極と、
   前記第２導電領域に電気的に接続する第２電極と、を備え、
   前記半導体領域の前記間隙における界面と、前記第１導電領域の一方の界面と、前記第２導電領域の一方の界面とが、同一面内に位置し、
   前記第１導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面と、前記第２導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面とが、前記半導体領域の前記間隙における界面に対して同一側に位置していることを特徴とするカメラ。
9. テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、
   前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
   前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部と、を備え、
   前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、
   前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、
   前記光伝導アンテナは、第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第１不純物含有半導体層と、
   前記第１導電領域の層厚方向からの平面視において前記第１導電領域に対して所定の間隙を介して位置しており、かつ、前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第２導電領域と、
   前記平面視における前記第１導電領域と前記第２導電領域との間の前記間隙に位置しており、かつ、前記第１導電領域の半導体材料または前記第２導電領域の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体領域と、
   前記第１導電領域に電気的に接続する第１電極と、
   前記第２導電領域に電気的に接続する第２電極と、を備え、
   前記半導体領域の前記間隙における界面と、前記第１導電領域の一方の界面と、前記第２導電領域の一方の界面とが、同一面内に位置し、
   前記第１導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面と、前記第２導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面とが、前記半導体領域の前記間隙における界面に対して同一側に位置していることを特徴とするイメージング装置。
10. テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、
    前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
    前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、を備え、
    前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、
    前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、
    前記光伝導アンテナは、第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第１導電領域と、
    前記第１導電領域の層厚方向からの平面視において前記第１導電領域に対して所定の間隙を介して位置しており、かつ、前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された層状の第２導電領域と、
    前記平面視における前記第１導電領域と前記第２導電領域との間の前記間隙に位置しており、かつ、前記第１導電領域の半導体材料または前記第２導電領域の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体領域と、
    前記第１導電領域に電気的に接続する第１電極と、
    前記第２導電領域に電気的に接続する第２電極と、を備え、
    前記半導体領域の前記間隙における界面と、前記第１導電領域の一方の界面と、前記第２導電領域の一方の界面と、前記半導体層の一方の界面とが、同一面内に位置し、
    前記第１導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面と、前記第２導電領域の前記一方の界面に対向する他方の界面とが、前記半導体領域の前記間隙における界面に対して同一側に位置していることを特徴とする計測装置。