JP2013147743A - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Abstract
【解決手段】成膜装置に、蒸着方向に指向性を有する蒸着源と、蒸着源を移動する蒸着源移動機構と、三次元曲面を有する被蒸着体を保持する被蒸着体保持機構と、蒸着方向を変える蒸着方向可変機構と、蒸着源移動機構および蒸着方向可変機構を制御する制御部と、を設ける。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置の構成について、図1を参照して説明する。具体的には、蒸着方向に指向性を有する蒸着源と、蒸着源を移動する蒸着源移動機構と、三次元曲面を有する被蒸着体を保持する被蒸着体保持機構と、蒸着源の蒸着方向を変える蒸着方向可変機構と、蒸着方向に対する被蒸着体の蒸着面の角度が一定になるように被蒸着体の保持角度を変える被蒸着体保持角度可変機構と、被蒸着体の三次元曲面に蒸着膜が形成されるように、蒸着源移動機構と、蒸着方向可変機構および被蒸着体保持角度可変機構と、を制御する制御部と、を有する成膜装置である。
本実施の形態で例示する被蒸着体200の形態について説明する。被蒸着体200は蒸着面に複数の凹みを有する。凹みの外形は円形であり、凹みの中心を通って外周に届く蒸着面の断面は、どの断面も緩やかな弧を描いている。なお、本発明の一態様の成膜装置を用いて、その表面に蒸着膜を成膜できる被蒸着体の形状は、この形状に限られない。蒸着面は凸状であってもよく、凹みがある場合は、蒸着源が動作(移動、方向転換、蒸着等)できる程度の空間が凹みにあればよい。なお、三次元曲面は平面、複数の平面を組み合わせたもの、平面と曲面を組み合わせたものも含む。
本発明の一態様に用いることができる蒸着源120は、蒸着方向に指向性を有する。例えば、図1(C)に示す蒸着源120は、蒸着物質を含む蒸気130を、破線で示す矢印の方向に噴出する。
蒸着源移動機構110は、被蒸着体200の蒸着面と重なる一平面内の任意の位置に蒸着源120を移動する。また、蒸着源移動機構110は、当該平面に交わる軸方向に沿って蒸着源120を移動する。
蒸着方向可変機構113は、指向性を有する蒸着源120の蒸着方向を変える。
被蒸着体保持機構170は被蒸着体200の蒸着面を蒸着源120に向けた状態を保持する。
被蒸着体保持角度可変機構172は蒸着源120の蒸着方向に対する被蒸着体200の蒸着面の角度を制御する。なお、図1(B)には紙面の左右方向に角度が可変であることを示す矢印のみが記載されているが、紙面の奥行き方向にも角度を可変とすることができる。互いに交差する2軸方向に角度を可変とすることで、蒸着面を蒸着源120の蒸着方向に対してあらゆる角度で向き合わせることができる。
制御部150は、蒸着源移動機構110を制御して蒸着源120の位置および移動速度を制御する。また、制御部150は、蒸着方向可変機構113を制御して、指向性を有する蒸着源120の蒸着方向を制御する。また、制御部150は、被蒸着体保持角度可変機構172を制御して、蒸着源120の蒸着方向に対する被蒸着体の蒸着面の角度を制御する。なお、制御部に被蒸着体の形状を記憶させ、その情報に基づいて蒸着源の位置、移動速度または被蒸着体の保持角度等を制御すればよい。
本実施の形態で例示する成膜装置の変形例1は、本実施の形態で例示した成膜装置100から、蒸着方向に対する被蒸着体の蒸着面の角度が一定になるように被蒸着体の保持角度を変える被蒸着体保持角度可変機構172が省かれた構成を有する。
本実施の形態で例示する成膜装置の変形例2は、本実施の形態で例示した成膜装置100から、蒸着源の蒸着方向を変える蒸着方向可変機構113が省かれた構成を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について、図2(A)を参照して説明する。具体的には、指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第1の帯状の蒸着層を形成し、第1の帯状の蒸着層からずらして第2の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、蒸着源の蒸着方向および被蒸着体の保持角度を変えて蒸着源の蒸着方向が被蒸着体の蒸着面に対して一定の角度を保ちながら蒸着する成膜方法について説明する。
本実施の形態で例示する成膜方法の変形例1は、本実施の形態で例示した成膜方法であって、蒸着源の蒸着方向のみを変えて蒸着源の蒸着方向が被蒸着体の蒸着面に対して一定の角度を保ちながら蒸着する成膜方法である。これにより、三次元曲面の形態によらず、その表面を複数の帯状の蒸着層で覆うことができる。その結果、三次元曲面を覆う蒸着膜の成膜方法を提供できる。また、制御部は被蒸着体保持角度可変機構を制御する必要がなく、成膜装置の構成を簡略化できる。
本実施の形態で例示する成膜方法の変形例2は、本実施の形態で例示した成膜方法であって、被蒸着体の保持角度のみを変えて蒸着源の蒸着方向が被蒸着体の蒸着面に対して一定の角度を保ちながら蒸着する成膜方法である。これにより、三次元曲面の形態によらず、その表面を複数の帯状の蒸着層で覆うことができる。その結果、三次元曲面の全体または一部を覆う蒸着膜の成膜方法を提供できる。また、制御部は蒸着方向可変機構を制御する必要がなく、成膜装置の構成を簡略化できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。本実施の形態で例示する成膜方法は、指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第1の帯状の蒸着層を形成し、第1の帯状の蒸着層からずらして第2の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、蒸着源の蒸着方向および被蒸着体の保持角度を変えて、蒸着源の蒸着方向の被蒸着体の蒸着面に対する角度と、蒸着源と蒸着面の距離とを、一定に保ちながら蒸着する成膜方法である。
本実施の形態で例示する成膜方法の変形例1は、本実施の形態で例示した成膜方法であって、蒸着源の蒸着方向のみを変えて蒸着源の蒸着方向が被蒸着体の蒸着面に対して一定の角度を保ちながら蒸着する成膜方法である。これにより、三次元曲面の形態によらず、その表面を同様な厚さを有する複数の帯状の蒸着層で覆うことができる。その結果、三次元曲面を覆う蒸着膜の成膜方法を提供できる。また、制御部は被蒸着体保持角度可変機構を制御する必要がなく、成膜装置の構成を簡略化できる。
本実施の形態で例示する成膜方法の変形例2は、本実施の形態で例示した成膜方法であって、被蒸着体の保持角度のみを変えて蒸着源の蒸着方向が被蒸着体の蒸着面に対して一定の角度を保ちながら蒸着する成膜方法である。これにより、三次元曲面の形態によらず、その表面を同様な厚さを有する複数の帯状の蒸着層で覆うことができる。その結果、三次元曲面を覆う蒸着膜の成膜方法を提供できる。また、制御部は蒸着方向可変機構を制御する必要がなく、成膜装置の構成を簡略化できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について、図2(B)を参照して説明する。具体的には、指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第1の帯状の蒸着層を形成し、第1帯状の蒸着層からずらして第2の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、第1の速度で蒸着源を移動しながら、蒸着方向に対して正対する被蒸着体の蒸着面を帯状に蒸着するステップと、第2の速度で蒸着源を移動しながら、蒸着方向に対して傾斜する被蒸着体の蒸着面を帯状に蒸着するステップと、を有し、第1の速度は第2の速度より速い成膜方法である。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置と成膜方法を用いて形成された三次元曲面を覆う蒸着膜を有する発光装置の構成について、図3を参照して説明する。具体的には、三次元曲面を有する基板と、基板の一方の面に沿って形成されたバリア層と、バリア層に沿って形成された発光素子と、三次元曲面を有する基板との間に、発光素子を封止する封止材と、を有し、発光素子はバリア層上に形成された第1の電極と、第1の電極上の第2の電極と、第1の電極と第2の電極の間に挟持される発光性の有機化合物を含む層と、を備える発光装置である。
基板301は三次元曲面を有する。三次元曲面を有する基板301の形成方法としては、例えば金属性の基板を型押しして形成してもよく、プラスチックを射出成型してもよい。
基板301側から発光素子310への不純物の拡散を抑制するために、基板301の一方の面にバリア層を設けるとよい(図3(B)に破線で示す層)。バリア層は、無機材料を用いた層の他、有機材料と無機材料の複合材料を用いた層であってもよい。無機材料としては、例えば窒化物、酸化物、金属等が挙げられ、具体的には窒化珪素、酸窒化珪素、酸化珪素、酸化アルミ、アルミ、銀等を用いることができる。また、有機材料と無機材料の複合材料としては、例えば上記の無機材料を含む層と樹脂層を交互に積層した層等が挙げられ、具体的にはアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリビニルアルコール等を用いることができる。
発光素子310は、バリア層上に形成された第1の電極と、第1の電極上の第2の電極と、第1の電極と第2の電極の間に挟持される発光性の有機化合物を含む層と、を備える。なお、図示しないが第1の電極上に開口部を有し、第1の電極の端部を覆う隔壁を設けると、第1の電極と第2の電極の短絡を防げるため好ましい。
本実施の形態で例示する封止材302は三次元曲面を有する。三次元曲面を有する封止材302の形成方法としては、例えば金属性の基板を型押しして形成してもよく、プラスチックを射出成型してもよい。
本実施の形態で例示する発光装置300は、一の基板から一つ作製することもできるが、一の基板から複数個形成することもできる。図3(C)に示すように、同一の基板に発光装置300を複数個形成し、レーザ(破線の矢印で示す)を用いて、発光装置300を一つずつ分離できる。発光装置の分離にレーザを用いる方法によれば、三次元曲面を有する基板に刃物等を接触する必要がない。よって、例えば刃物等の取り付け具が三次元曲面を有する基板に衝突し、発光装置300を損傷してしまう恐れがない。また、非接触であるため、発光装置300が複雑な形状であっても容易に分離できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置と成膜方法を用いて形成できる発光素子の構成の一例について、図4を参照して説明する。
発光素子の構成の一例を図4(A)に示す。図4(A)に示す発光素子は、陽極1101と陰極1102の間にEL層が挟まれている。
発光素子の構成の他の一例を図4(C)に示す。図4(C)に例示する発光素子は、陽極1101と陰極1102の間に発光ユニット1103を含むEL層が挟まれている。さらに、陰極1102と発光ユニット1103との間には中間層1104が設けられている。なお、当該発光素子の構成例2の発光ユニット1103には、上述の発光素子の構成例1が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成例1の記載を参酌できる。
発光素子の構成の他の一例を図4(D)に示す。図4(D)に例示する発光素子は、陽極1101と陰極1102の間に2つの発光ユニットが設けられたEL層を備えている。さらに、第1の発光ユニット1103aと、第2の発光ユニット1103bとの間には中間層1104が設けられている。
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、並びにEL層の順に説明する。
陽極1101は導電性を有する金属、合金、電気伝導性化合物等およびこれらの混合物の単層または積層体で構成される。特に、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)の材料をEL層に接する構成が好ましい。
陰極1102に接して第1の電荷発生領域1104cを、発光ユニット1103との間に設ける場合、陰極1102は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。
上述した発光ユニット1103を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極1102からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
第1の電荷発生領域1104c、及び第2の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、第1の電荷発生領域を陰極側に設ける積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極1102と接する構造となり、第2の電荷発生領域を陽極側に設ける積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極1101と接する構造となる。
電子リレー層1104bは、第1の電荷発生領域1104cにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層1104bは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのLUMO準位は、第1の電荷発生領域1104cにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、当該電子リレー層が接する発光ユニット1103のLUMO準位との間に位置する。具体的には、およそ−5.0eV以上−3.0eV以下とするのが好ましい。
電子注入バッファーは、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入バッファー1104aは、第1の電荷発生領域1104cから発光ユニット1103への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファー1104aを第1の電荷発生領域1104cと発光ユニット1103の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。
発光素子の作製方法の一態様について説明する。第1の電極上にこれらの層を適宜組み合わせてEL層を形成する。EL層は、それに用いる材料に応じて種々の方法(例えば、乾式法や湿式法等)を用いることができ。例えば、真空蒸着法、転写法、印刷法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。EL層上に第2の電極を形成し、発光素子を作製する。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置と成膜方法を用いて形成された三次元曲面を覆う蒸着膜を有する発光装置を適用した照明装置の一例について、図5を用いて説明する。三次元曲面を有する発光装置を、三次元曲面を有する筐体に配置することで、三次元曲面を有する照明装置を実現できる。
110 蒸着源移動機構
111 ベースユニット
112a アーム
112b アーム
113 蒸着方向可変機構
120 蒸着源
130 蒸気
131 蒸着膜
131a 帯状の蒸着層
131b 帯状の蒸着層
131c 帯状の蒸着層
131d 帯状の蒸着層
131e 帯状の蒸着層
131f 帯状の蒸着層
150 制御部
170 被蒸着体保持機構
172 被蒸着体保持角度可変機構
180 仕切弁
190 搬送室
195 搬送機構
200 被蒸着体
300 発光装置
301 基板
302 封止材
310 発光素子
1101 陽極
1102 陰極
1103 発光ユニット
1103a 発光ユニット
1103b 発光ユニット
1104 中間層
1104a 電子注入バッファー
1104b 電子リレー層
1104c 電荷発生領域
1113 正孔注入層
1114 正孔輸送層
1115 発光層
1116 電子輸送層
1117 電子注入層
7500 照明装置
7501 筐体
7503 発光装置
7503a 発光装置
7503b 発光装置
Claims (6)
- 蒸着方向に指向性を有する蒸着源と、
前記蒸着源を移動する蒸着源移動機構と、
三次元曲面を有する被蒸着体を保持する被蒸着体保持機構と、
前記蒸着源の蒸着方向を変える蒸着方向可変機構と、
前記被蒸着体の三次元曲面に蒸着膜が形成されるように、前記蒸着源移動機構および前記蒸着方向可変機構を制御する制御部と、を有する成膜装置。 - 蒸着方向に指向性を有する蒸着源と、
前記蒸着源を移動する蒸着源移動機構と、
三次元曲面を有する被蒸着体を保持する被蒸着体保持機構と、
前記蒸着方向に対する前記被蒸着体の蒸着面の角度が一定になるように被蒸着体の保持角度を変える被蒸着体保持角度可変機構と、
前記被蒸着体の三次元曲面に蒸着膜が形成されるように、前記蒸着源移動機構および前記被蒸着体保持角度可変機構を制御する制御部と、を有する成膜装置。 - 蒸着方向に指向性を有する蒸着源と、
前記蒸着源を移動する蒸着源移動機構と、
三次元曲面を有する被蒸着体を保持する被蒸着体保持機構と、
前記蒸着源の蒸着方向を変える蒸着方向可変機構と、
前記蒸着方向に対する前記被蒸着体の蒸着面の角度が一定になるように被蒸着体の保持角度を変える被蒸着体保持角度可変機構と、
前記被蒸着体の三次元曲面に蒸着膜が形成されるように、前記蒸着源移動機構と、前記蒸着方向可変機構および前記被蒸着体保持角度可変機構と、を制御する制御部と、を有する成膜装置。 - 指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第1の帯状の蒸着層を形成し、前記第1の帯状の蒸着層からずらして第2の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、
前記蒸着源の蒸着方向または/および前記被蒸着体の保持角度を変えて前記蒸着源の蒸着方向が被蒸着体の蒸着面に対して一定の角度を保ちながら蒸着する成膜方法。 - 指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第1の帯状の蒸着層を形成し、前記第1の帯状の蒸着層からずらして第2の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、
前記蒸着源の蒸着方向または/および前記被蒸着体の保持角度を変えて、前記蒸着源の蒸着方向の被蒸着体の蒸着面に対する角度と、前記蒸着源と前記蒸着面の距離とを、一定に保ちながら蒸着する成膜方法。 - 指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第1の帯状の蒸着層を形成し、前記第1の帯状の蒸着層からずらして第2の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、
第1の速度で前記蒸着源を移動しながら、前記蒸着方向に対して正対する被蒸着体の蒸着面を帯状に蒸着するステップと、
第2の速度で前記蒸着源を移動しながら、前記蒸着方向に対して傾斜する被蒸着体の蒸着面を帯状に蒸着するステップと、を有し、
前記第1の速度は前記第2の速度より速い成膜方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018204106A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | キヤノントッキ株式会社 | 真空蒸着装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
JP2021022423A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
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Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
DE102013109140B4 (de) * | 2013-08-23 | 2017-04-27 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen von organischen Leuchtdioden und organische Leuchtdiode |
DE102013111591A1 (de) * | 2013-10-21 | 2015-04-23 | Osram Oled Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur und optoelektronisches Bauelement |
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KR20210149266A (ko) * | 2020-06-01 | 2021-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 고정 장치, 이를 포함하는 성막 처리 설비 및 이를 이용한 성막 처리 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0253581A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-22 | Fanuc Ltd | 水平腕を備えた産業用ロボット |
JPH11335847A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Nippon Steel Corp | 光起電力装置の製造方法及び製造装置、並びに光起電力装置を有する移動体 |
JP2004035964A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Tokki Corp | 蒸着装置 |
JP2007044838A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Toshiba Mach Co Ltd | 産業用ロボット |
JP2007088110A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Daihen Corp | 基板搬送ロボットの基準位置教示方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05339712A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜装置 |
TW490714B (en) | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
US6739931B2 (en) | 2000-09-18 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
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US6692094B1 (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-17 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method of material deposition using compressed fluids |
AU2003263609A1 (en) | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication system and manufacturing method of light emitting device |
US20040135160A1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-07-15 | Eastman Kodak Company | OLED device |
US7211461B2 (en) | 2003-02-14 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
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JP2008031501A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Canon Inc | 成膜装置および蒸着薄膜の製造方法 |
JP2008108611A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 蒸着層の製造方法および製造装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0253581A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-22 | Fanuc Ltd | 水平腕を備えた産業用ロボット |
JPH11335847A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Nippon Steel Corp | 光起電力装置の製造方法及び製造装置、並びに光起電力装置を有する移動体 |
JP2004035964A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Tokki Corp | 蒸着装置 |
JP2007044838A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Toshiba Mach Co Ltd | 産業用ロボット |
JP2007088110A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Daihen Corp | 基板搬送ロボットの基準位置教示方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018204106A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | キヤノントッキ株式会社 | 真空蒸着装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
JP2021022423A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
JP7323251B2 (ja) | 2019-07-24 | 2023-08-08 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
WO2022097286A1 (ja) * | 2020-11-06 | 2022-05-12 | 貴嗣 飯塚 | 成膜装置、成膜ユニット及び成膜方法 |
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