JP2006245002A - ポリマー及び小分子ベースのハイブリッド光源 - Google Patents

Abstract

【解決手段】基板と、前記基板上に配置された正孔注入電極と、前記正孔注入電極上に被覆されたアノード緩衝層と、正孔輸送層上に被覆されたポリマーベースの発光層と、前記ポリマーベースの発光層上に配置された小分子ベースの発光層と、小分子ベースの発光層上に配置された電子注入電極とを有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【効果】コンピュータディスプレー、インフォメーションディスプレー、テレビモニター、電話、プリンタ、及び標識におけるディスプレー、及び白色及び有色光のための照明、住居用照明及び一般的な面照明、バックライト及び工業的照明に使用できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般に加工及び製造される薄膜デバイスの種類に関する。更に特に、本発明は、有機発光ダイオードデバイス及びディスプレーの構造に関する。

共役ポリマー及び小分子は有機発光電子デバイス用の新規材料として益々重要となってきている。ポリマーベースの通常のデバイスは溶液加工技術を使用しており、小分子デバイスは熱蒸着技術を使用している。最も単純な溶液から製造されたポリマーをベースとするＯＬＥＤは、溶液中へブレンドされた発光ポリマー及び／又は小分子を有する活性領域が組み込まれていて、これは透明アノードにスピンキャスティング又は印刷法によって被覆される。多くの場合に、正孔輸送中間層は、正孔注入及び輸送を改善するために、アノード／アノード緩衝層と活性領域との間に位置する。反対に、小分子デバイスは一般に多くの積層された有機層からなり、これらの層のそれぞれが特別な機能を果たすために最適化されている。ポリマーＯＬＤＥの場合には、色及び光の出力を調節するのが困難である。

本発明の１つ以上の実施態様の場合に、第１に溶液加工によるポリマー活性層をベースとする新規のハイブリッド型エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）デバイスが開示されていて、このデバイスはポリマーベースの発光層を有するが、前記ポリマーベースの発光層の上に作成された付加的な小分子層が組み込まれている。いくつかの実施態様の場合に、前記小分子層は熱蒸着技術によって製造されている。本発明は、所望の発光スペクトルで、高い効率を得るための有機発光源を得ることが目的である。本発明の新規の態様は、ポリマーベースの発光デバイス、例えばＯＬＥＤにおいて、付加的に発光する小分子ベースの層を前記ポリマーベースの発光層領域の上に組み込むことを含む。この方法の場合、特別な蒸着工程を付加することによって所望のように、カラースペクトルを容易に調節できる。残りのデバイス構造は、今まで通り有利な溶液加工技術を用いて製造される。

本発明の１実施態様の場合には、新規のハイブリッド型有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、アノード（例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ））、アノード緩衝層（例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン）、ＰＡＮＩ（導電性ポリアニリン））、正孔輸送中間層（例えばアミンベースの有機材料）、ポリマーベースの発光層（この層は付加的なキャリア輸送成分及び発光成分でドープされていてもよい）、小分子ベースの発光層及びカソード層（例えばアルミニウムでカバーされたバリウム）を有する。アノード緩衝層の機能は、後続する層への有効な正孔注入を提供することであり、また、前記アノードの表面を平坦化するため、及び引き続く層にとってより良好な接着を提供するための緩衝層としても機能する。正孔輸送中間層の機能は、アノード緩衝層から注入された正孔を、ポリマーベースの発光層へ輸送し、この発光層で電子と再結合させて、発光させることである。前記正孔輸送中間層は、通常では高い正孔移動性の有機材料、例えばＴＰＤ、ＮＰＤ、アミンベースのスターバースト型化合物、アミンベースのスピロ化合物等からなる。前記ホール輸送中間層の他の機能は、再結合区域をアノード緩衝層との境界面から離れるように移動させることである。本発明の別の実施態様の場合には、正孔輸送中間層はデバイス構造体から除外することができる。ポリマーベースの発光層の機能は、両タイプのキャリアを輸送することであり、かつ電子−正孔の対（励起子）の再結合から所望の波長の光を有効に製造することである。小分子ベースの発光層の機能は、両タイプのキャリアを輸送し、かつポリマーベースの発光層の発光を補う光を有効に製造することである。電子注入層の機能は、エレクトロルミネッセンス層中へ有効に電子を注入することである。この小分子ベースの発光層は発光することができ、また正孔遮断の役割も担っている。

ＯＬＥＤデバイス２０５は基板２０８及び前記基板２０８の上にある第１の電極２１１を有する。前記第１の電極２１１はピクセル化された用途に関してはパターニングすることができ、又はバックライト又は他の一般的な照明用途に関してはパターニングしなくてもよい。ＯＬＥＤデバイス２０５は第１の電極２１１の上にある半導体積層２１４も有する。前記半導体積層２１４は、少なくとも次のものを有する：（１）アノード緩衝層（ＡＢＬ）２１５、（２）ポリマーベースの発光層（ＥＭＬ）２１６及び（３）小分子ベースの発光層（ＳＭＥＭＬ）２２０。

図１に示されているように、ＯＬＥＤデバイス２０５は下面発光型デバイスである。下面発光型デバイスとして、第１の電極２１１はアノードとして作用し、かつＡＢＬ２１５は第１の電極２１１上に配置され、ＥＭＬ２１６はＡＢＬ２１５上に配置され、かつＳＭＥＭＬ２２０はＥＭＬ２１６上に配置されている。前記ＯＬＥＤデバイス２０５は半導体層２１４の上にある第２の電極２１７も有する。図１に示されている層とは別の層、例えば絶縁層、バリア層、電子／正孔注入層、電子／正孔遮断層、ゲッタ層等を付加することもできる。これらの層の実施例を以下より詳細に説明する。

基板２０８：
基板２０８は付加的な層及び電極を支持することができ、かつＯＬＥＤデバイス２０５により発光する光の波長に対して透明又は半透明である全ての材料であることができる。有利な基板材料はガラス、石英、シリコン及びプラスチック、有利に薄いフレキシブルガラスを含む。基板２０８の有利な厚さは使用される材料及びデバイスの用途に依存する。基板２０８はシート又は連続被膜の形態であってよい。連続被膜は例えば、プラスチック、金属及び金属化されたプラスチックシートのために殊に適しているロールツーロール製造法に使用される。

第１の電極２１１：
下面発光型の構成の場合に、第１の電極２１１はアノードとして機能する（前記アノードは正孔注入層として使用される導電層である）。典型的なアノード材料は金属（例えば白金、金、パラジウム、インジウム等）；金属酸化物（例えば酸化鉛、酸化スズ、酸化インジウムスズ等）；黒鉛、ドープされた無機半導体（例えばシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム等）；ドープされた導電性ポリマー（例えばポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等）を含有する。有利に、前記第１の電極２１１は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を有する。

前記第１の電極２１１は、ＯＬＥＤデバイス２０５により製造された光の波長に対して、有利に透明であるか又は半透明である。有利に、第１の電極２１１の厚さは約１０ナノメートル（ｎｍ）〜約１０００ｎｍであり、さらに有利には５０ｎｍ〜約２００ｎｍであり、最も有利には約１００ｎｍ〜１５０ｎｍである。
一般に、第１の電極層２１１は、例えば純金属又は合金又は他のフィルム状の前駆体を使用する、例えば真空蒸着、スパッタリング、電子ビーム蒸着又は化学気層成長を含む、薄膜の蒸着に関する公知の全ての技術を使用して製造することができる。

ＡＢＬ２１５：
このＡＢＬ２１５は良好な正孔伝導特性を有し、第１の電極２１１からＥＭＬ２１６へ正孔を有効に注入するために使用される。前記ＡＢＬ２１５はポリマー又は小分子材料又は他の有機又は部分的に無機材料から製造される。例えば、ＡＢＬ２１５は、第三アミン又はカルバゾール誘導体（この両方は小分子の形又はポリマーの形である）、導電性ポリアニリン（ＰＡＮＴ）、又はＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の溶液）（HC Starck社からBaytron Pとして入手）から製造することができる。このＡＢＬ２１５は、約５ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有することができ、かつ通常では約５０〜約２５０ｎｍが使用される。

ＡＢＬ２１５の他の例は、有利に０．３〜３ｎｍの厚さの全ての小分子材料及びプラズマ重合されたフルオロカーボンフィルム（ＣＦｘ）のようなもの、有利に１０〜５０ｎｍの厚さの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）フィルムを含む。

このＡＢＬ２１５は、選択的堆積技術又は非選択的堆積技術により形成させることができる。選択的堆積技術の例は、例えばインクジェット印刷、フレックス印刷、及びスクリーン印刷を含む。非選択的堆積技術の例は、例えばスピンコーティング、ディップコーティング、ウェブコーティング、及びスプレーコーティングである。ホール輸送及び／又は緩衝材料は、第１の電極２１１上に堆積され、次いで乾燥して被膜にする。乾燥された被膜はＡＢＬ２１５を表す。前記のＡＢＬ２１５用の他の堆積法は、プラズマ重合（ＣＦｘ層のため）、真空蒸着、又は気相蒸着（例えばＣｕＰｃの被膜のため）を含む。

ＥＭＬ２１６：
ポリマーベースの発光層（ＥＭＬ）２１６は有機エレクトロルミネセンス材料からなり、この有機エレクトロルミネセンス材料は第１の電極２１１及び第２の電極２１７にわたり電位が加えられることによって光を放射する。このＥＭＬは、モノマー、オリゴマー及びポリマーのような性質の有機又は無機の金属の材料から製造することができる。本願明細書で使用されているように、有機の用語は有機金属材料も含まれる。この材料中での発光は、蛍光又は燐光の結果として作り出すことができる。そのような有機エレクトロルミネセンス材料の例は以下を含有する：
（ｉ）ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びフェニレン残基の様々な位置で置換された、その誘導体；
（ｉｉ）ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びビニレン残基の様々な位置で置換された、その誘導体；
（ｉｉｉ）ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びフェニレン残基の様々な位置で置換され、かつビニレン残基の様々な位置で置換された、その誘導体；
（ｉｖ）ポリ（アリーレンビニレン）、ここでアリーレンはナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オキサジアゾール、及びその類似体のような残基であってよい；
（ｖ）ポリ（アリーレンビニレン）の誘導体、ここでアリーレンは上記（ｉｖ）と同様であってよく、さらにアリーレンの様々な位置に置換基を有してよい；
（ｖｉ）ポリ（アリーレンビニレン）の誘導体、ここでアリーレンは上記（ｉｖ）と同様であってよく、さらにビニレンの様々な位置に置換基を有してよい；
（ｖｉｉ）ポリ（アリーレンビニレン）の誘導体、ここでアリーレンは上記（ｉｖ）と同様であってよく、さらにアリーレンの様々な位置に置換基及びビニレンの様々な位置に置換基を有してよい；
（ｖｉｉｉ）アリーレンビニレンオリゴマー、例えば（ｉｖ）、（ｖ）、（ｖｉ）及び（ｖｉｉ）と非共役オリゴマーとのコポリマー；及び
（ｉｘ）ポリｐ−フェニレン及びフェニレン残基の様々な位置で置換されたその誘導体、これはラダーポリマー誘導体、例えばポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）及びその類似体を含む；
（ｘ）ポリ（アリーレン）、ここで前記アリーレンはナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オキサジアゾール、及びその類似体のような残基：及びアリーレン残基の様々な位置で置換されたその誘導体であってもよい；
（ｘｉ）オリゴアリーレン、例えば（ｘ）で示したものと非共役オリゴマーとのコポリマー；
（ｘｉｉ）ポリキノリン及びその誘導体；
（ｘｉｉｉ）ポリキノリンと、例えば溶解性を提供するためのアルキル基又はアルコキシ基でフェニレンが置換されたｐ−フェニレンとのコポリマー；及び
（ｘｉｖ）硬質のロッドポリマー（rigid rod polymer）、例えばポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾビスチアゾール）、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンズビスオキサゾール）、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾイミダゾール）、及びその誘導体。

緑色、赤色、青色又は白色の光又はその系の光を発光する他の有機発光ポリマー、例えばポリフルオレンを使用するポリマーは、コポリマー、誘導体、又はそれらの混合物を含む。他のポリマーは、ポリスピロフルオレン系のポリマー、その類縁体、コポリマー及び誘導体を含む。

このＥＭＬ層２１６の厚さは約５ｎｍ〜約５００ｎｍであり、有利には約２０ｎｍ〜約１００ｎｍであり、さらに有利には約７５ｎｍであることができる。前記ＥＭＬ２１６は、非選択的に堆積された（例えばスピンコーティング、ディップコーティング等）連続被膜又は選択的に堆積された（例えばインクジェットプリント）非連続的な領域であってよい。

いくつかの実施態様の場合に、このＥＭＬ２１６は、例えば前記されたものから選択される少なくとも２つの発光素子から構成されていてもよい。２つの発光素子の場合には、ホストエレメントとドーパントエレメントの相対的な濃度を所望の色が得られるように調節することができる。前記ＥＭＬ層２１６は、物理的、化学的もしくはその両方でエレメントをブレンド又は混合することによって製造することができる。このＥＭＬ２１６は全ての所望な色で発光することができ、かつ所望のようにポリマー、コポリマー、ドーパント、クエンチャー、及び正孔輸送材料を有する。例えば、このＥＭＬ２１６は青、赤、緑、オレンジ、黄又は他の所望なこれらの色彩の組合せを発光することができ、かついくつかの適用において、白色光を製造する発光素子の組合せを含むことができる。

発光する、活性のエレクトロルミネッセンス材料に対して付加的に、ＥＭＬ２１６は電荷輸送できる材料も含むことができる。電荷輸送材料は、電荷キャリアを輸送できるポリマー又は小分子を含む。例えば、有機材料、例えばポリチオフェン、誘導化されたポリチオフェン、オリゴマーのポリチオフェン、誘導化されたオリゴマーのポリチオフェン、ペンタセン、トリフェニルアミン及びトリフェニルジアミンである。ＥＭＬ２１６は、半導体、例えばシリコン、ヒ化ガリウム、セレン化カドミウム又は硫化カドミウムも含むことができる。

小分子ベースの発光層（ＳＭＥＭＬ）２２０
本発明の場合には、小分子ベースの発光層（ＳＭＥＭＬ）２２０はＥＭＬ２１６上に作成される。蛍光体又は燐光体によって発光する１種以上の有機小分子を又は有機材料を有するＳＭＥＭＬ２２０は、有機エレクトロルミネセンス層として使用することができる。小分子有機エレクトロルミネセンス材料の例は以下を含有する：（ｉ）トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ）；（ｉｉ）１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＯＸＤ−８）；（ｉｉｉ）−オキソービス（２−メチル−８−キノリナト）アルミニウム；（ｉｖ）ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム；（ｖ）ビス（ヒドロキシベンゾキノリナト）ベリリウム（ＢｅＱ．ｓｕｂ．２）；（ｖｉ）ビス（ジフェニルビニル）ビフェニレン（ＤＰＶＢＩ）；及び（ｖｉｉ）アリールアミン−置換されたジスチリルアリーレン（ＤＳＡアミン）。ＳＭＥＭＬ２２０は、気相蒸着、スパッタリング、真空蒸着、熱蒸着等によって作成することができる。ＳＭＥＭＬ２２０は、例えばシャドウマスクを使用してパターニングして堆積又は作成することができる。

第２の電極２１７：
下面発光型の構成の場合に、第２の電極層２１７がカソードとして機能する（カソードは、電子注入層として使用されかつ低い仕事関数を有する材料を含有する導電層である）。この第２の電極は多数の異なる材料を含有することができるが、有利な材料はアルミニウム、銀、金、マグネシウム、カルシウム、セシウム、バリウム、又はそれらの組み合わせを含有する。さらに有利には、カソードはアルミニウム、アルミニウム合金又はマグネシウムと銀の組み合わせを包含する。付加的なカソード材料はＬｉＦ等のようなフッ化物を含有していても良い。単層として示された第２の電極２１７は、全ての所望の組合せにおいて１つ又は複数の前記材料の複数のサブレイヤーからなることもできる。

第２の電極層２１７の厚さは、約１０ｎｍ〜約１０００ｎｍであり、有利には約５０ｎｍ〜約５００ｎｍであり、さらに有利には約１００ｎｍ〜３００ｎｍである。第２の電極２１７を蒸着させることができる多数の方法が当業者には公知であるが、真空蒸着及びスパッタリングが有利である。

図２は本発明の少なくとも１つの実施形態によるエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）デバイス３０５の実施態様の断面図である。デバイス３０５は、次のものを除いて、全ての点で、同じ又は同様の記載を有する同じ符号が付けられた構成要素を有するデバイス２０５と類似又は同様である。半導体積層３１４は、少なくとも３層のＥＭＬ１２１６、正孔輸送（ＨＴ）中間層３１８及びアノード緩衝層（ＡＢＬ）２１５を有する。

ＨＴ中間層３１８：
ＨＴ中間層３１８の機能は、次のものを有する；正孔をＥＭＬ２１６中へ注入することをアシストする機能、励起子の消光を低減する機能、電子輸送よりも正孔輸送をより良好に提供する機能、及び電子がＡＢＬ２１５へ侵入しかつ減損することを遮断する機能。いくつかの材料は、前記した所望の特性の１つ又は２つを有することができるが、この材料の中間層としての有効性は示されたこれらの特性の数によって改善されると考えられる。前記ＨＴ中間層３１８は、１つ以上の次の化合物、その誘導体又はその残基などから少なくとも部分的になるか又はそれらから誘導されていてもよい。ポリフルオレン誘導体、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン）及び架橋可能な形を含む誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の発光しない形、架橋可能な小分子又はポリマーマトリックスと混合されたトリアリールアミン系材料（例えばトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）、α−ナフチルフェニル−ビフェニル（ＮＰＢ））、チオフェン、オキセタン官能化ポリマー及び小分子等。ＨＴ中間層３１８中で使用された正孔輸送材料は、有利にポリマーの正孔輸送材料であるが、ポリマー結合剤を有する小分子の正孔輸送材料であることもできる。例えば、主鎖又は側鎖中に芳香族アミン基を含有するポリマーは、正孔輸送材料として広範囲に使用される。有利にＨＴ中間層３１８の厚さは１０〜１５０ｎｍである。更に有利にＨＴ中間層３５１８の厚さは２０〜６０ｎｍである。本発明のいくつかの実施態様の場合に、ＨＴ中間層３１８は架橋可能な正孔輸送ポリマーを用いて製造される。

本発明の少なくとも１つの実施態様に従って、ＨＴ中間層３１８は１つ以上の有機及び／又は無機の導電性ドーパントも有することができる。１つ以上の実施態様の場合に、無機の導電性ドーパントは例えば少なくとも１つの次のものを有する：塩化鉄（ＦｅＣｌ_３）、臭化鉄（ＦｅＢｒ_３）、五塩化アンチモン（ＳｂＣｌ_５）、五塩化ヒ素（ＡｓＣｌ_５）、三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）など。１つ以上の実施態様の場合に、有機の導電性ドーパントは例えば少なくとも１つの次のものを有する：２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノ−キノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ジシアノジクロロキノン、及びトリニトロフルオレノン等。

このＨＴ中間層３１８は、引き続く隣接する層、例えばＥＭＬ２１６の作成の際に使用される溶剤にさらされる場合に、有利に架橋されるか又は他に物理的に又は化学的に不溶性にされて、このＨＴ中間層３１８の劣化を抑制される。架橋は、ＨＴ中間層３１８の被膜又は堆積された溶液を光、紫外線、熱にさらすか、又は化学的プロセスによって達成することができる。これは、紫外線硬化性インキ、架橋性側鎖、架橋性鎖末端基、架橋してポリマーになることのできるモノマー、架橋剤、開始剤、ポリマーブレンド、ポリマーマトリックス等を使用することを含むことができる。有機材料を架橋させる一般的方法は周知であり、更に記載する必要はない。架橋とは別の可能な方法として、このＨＴ中間層３１８は、ＥＭＬ２１６を作成する際に使用される溶剤（例えばトルエン、キシレン等）の極性に従って、その極性を調節することにより不溶性にすることができる。このＨＴ中間層３１８は架橋プロセスの前に又は架橋プロセスと一緒に、インクジェット印刷、スピンコーティング又は他の適当な堆積技術によって作成することができる。

前記されたこのＯＬＥＤディスプレー／デバイスは、例えばコンピュータディスプレー、車両のインフォメーションディスプレー、テレビジョンモニター、電話、プリンタ、及び照明された標識のような適用においてディスプレー中で、及び白色及び有色光のための照明、住居用照明及び一般的な面照明のための適用において、及びバックライト適用において、及び工業的照明において使用することができる。

本発明の少なくとも１つの実施態様によるＥＬデバイス２０５の実施態様の断面図を示す。 本発明の少なくとも１つの実施態様によるエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）デバイス３０５の実施態様の断面図を示す。

Claims (19)

1. 基板と、
   前記基板上に配置された正孔注入電極と、
   前記正孔注入電極上に被覆されたアノード緩衝層と、
   正孔輸送層上に被覆されたポリマーベースの発光層と、
   前記ポリマーベースの発光層上に配置された小分子ベースの発光層と、
   小分子ベースの発光層上に配置された電子注入電極と
   を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
2. 更に、前記アノード緩衝層と前記ポリマーベースの発光層との間に配置された正孔輸送中間層を有する、請求項１記載のデバイス。
3. 前記小分子ベースの発光層は、少なくとも１つの発光ドーパントでドープされた正孔遮断層により置き換えられている、請求項１記載のデバイス。
4. 前記正孔輸送中間層は、正孔輸送ポリマーとブレンドされた有機誘導体とのコポリマーを有することができる、請求項２記載のデバイス。
5. 前記正孔輸送中間層は、少なくとも１つの共役ポリチオフェンポリマー誘導体、フェニルビニレンポリマー又はフッ素、ポリスピロ又はコポリマーを有することができる、請求項２記載のデバイス。
6. 前記正孔輸送中間層は、架橋可能なポリマー又はポリマーのブレンドを有することができ、前記ポリマーの少なくとも１つは架橋可能である、請求項２記載のデバイス。
7. 前記ポリマーベースの発光層が、少なくとも１つの非共役ポリマー（ポリスチレン、ポリビニル、カルバゾール、ポリビニルアセン、芳香族ポリエステル、ポリイミド及びポリベンゾシロール）、共役ＰＰＶ、共役フルオレン、共役ポリスピロ又はコポリマーを有することができる、請求項１記載のデバイス。
8. 前記ポリマーベースの発光層は、ポリマーと有機誘導体のブレンドを有する、請求項１記載のデバイス。
9. 前記ポリマーベースの発光層は、有機誘導体化合物でドープされている、請求項１記載のデバイス。
10. 前記ポリマーベースの発光層は、燐光性のドーパントを有する、請求項１記載のデバイス。
11. 前記ポリマーベースの発光層は、燐光ベースの材料を有する、請求項１記載のデバイス。
12. 前記ポリマーベースの発光層は、三重項発光体により置き換えられていて、前記発光体は溶液加工可能な材料である、請求項１記載のデバイス。
13. 前記小分子ベースの発光層は、蛍光ベースの材料を有する、請求項１記載のデバイス。
14. 前記小分子ベースの発光層は、有機誘導体でドープされている、請求項１記載のデバイス。
15. 前記小分子ベースの発光層は、燐光ベースのドーパントを有する、請求項１記載のデバイス。
16. 前記小分子ベースの発光層は、燐光ベースの材料を有する、請求項１記載のデバイス。
17. 前記小分子ベースの発光層は、三重項発光体により置き換えられていて、前記発光体は熱により蒸発することができる、請求項１記載のデバイス。
18. 前記小分子ベースの発光層は、真空蒸着、熱蒸着、又はスパッタリングの少なくとも１つにより製造されている、請求項１記載のデバイス。
19. 前記ポリマーベースの発光層は、小分子輸送成分を有する、請求項１記載のデバイス。

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