JP2013145868A - 光誘起キャリヤライフタイム測定装置及び光誘起キャリヤライフタイム測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基体Sに対して光誘起キャリヤを発生させるための波長の異なる光を照射する光源20、22と、半導体基体Sに照射するマイクロ波を発生するマイクロ波発生部10と、半導体基体を透過したマイクロ波の強度を検出する検出部30と、前記少なくとも2種類の光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき光の波長毎の実効キャリヤライフタイムを算出し、算出した波長毎の実効キャリヤライフタイムに基づき半導体基体Sのバルクキャリヤライフタイムと表面再結合速度とを算出する演算部50とを含む。
【選択図】 図1
Description
前記半導体基体に対して、光誘起キャリヤを発生させるための波長の異なる少なくとも2種類の光を照射する光照射部と、
前記半導体基体に照射するマイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、
前記半導体基体を透過したマイクロ波の強度を検出する検出部と、
前記検出部で検出されたマイクロ波強度に基づき実効キャリヤライフタイムを算出する演算部とを含み、
前記演算部が、
前記少なくとも2種類の光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づいて、前記少なくとも2種類の光の波長毎の実効キャリヤライフタイムを算出し、算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムに基づき前記半導体基体のバルクキャリヤライフタイムと表面再結合速度とを算出することを特徴とする。
前記半導体基体に対して、光誘起キャリヤを発生させるための波長の異なる少なくとも2種類の光を照射するとともに、前記半導体基体にマイクロ波を照射し、
前記半導体基体を透過したマイクロ波の強度を検出し、
前記少なくとも2種類の光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づいて、前記少なくとも2種類の光の波長毎の実効キャリヤライフタイムを算出し、算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムに基づき前記半導体基体のバルクキャリヤライフタイムと表面再結合速度とを算出することを特徴とする。
バルクキャリヤライフタイム及び表面再結合速度をパラメータとして求められる前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値と、検出されたマイクロ波強度に基づき算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値とを、前記パラメータの値を変化させながら比較し、前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値が前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値に最も合致するときの前記バルクキャリヤライフタイム及び表面再結合速度の値を求めてもよい。
バルクキャリヤライフタイムの深さ分布及び表面再結合速度をパラメータとして求められる前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値と、検出されたマイクロ波強度に基づき算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値とを、前記パラメータの値を変化させながら比較し、前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値が前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値に最も合致するときの前記バルクキャリヤライフタイムの深さ分布及び表面再結合速度の値を求めてもよい。
半導体基体の表面にパッシベーション膜が形成された参照試料に対して周期的なパルス光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記参照試料の実効キャリヤライフタイムと、前記参照試料に対して連続光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記参照試料のキャリヤ面密度とに基づいて、キャリヤ発生率を求め、被測定試料である半導体基体に対して連続光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記被測定試料のキャリヤ面密度と、前記キャリヤ発生率とに基づいて、前記実効キャリヤライフタイムの測定値を算出してもよい。
前記少なくとも2種類の異なる光は、前記半導体基体に対する吸収係数の異なる2種類の光でもよい。
前記少なくとも2種類の異なる光は、前記半導体基体に対する吸収係数が少なくとも2倍以上異なる2種類の光でもよい。
本実施形態の測定方法及び測定装置では、被測定試料である半導体基体に対して吸収係数の異なる少なくとも2種類の光を照射する。
図1は、本実施形態の測定装置(光誘起キャリヤライフタイム測定装置)の構成の一例を示す図である。本実施形態の測定装置1は、被測定試料である半導体基体Sの実効キャリヤライフタイムの測定と、測定した実効キャリヤライフタイムを解析して半導体基体Sのバルクキャリヤライフタイムと表面再結合速度の測定を行う装置として構成されている。
の深さ分布(深さx毎のバルクキャリヤライフタイムτb)を求めることができる。この場合には、半導体基体の厚さdをM(Mは正の整数)層に分割して、それぞれの層の厚さd/Mについて、式(1)の微分式を差分式に変更する。そして、表面と裏面には式(4)と式(5)の境界条件を設ける。具体的には、式(5)の境界条件を満たすn(d)を仮定し、順次nM(第M層のキャリヤ体積濃度)、nM−1(第M−1層のキャリヤ体積濃度)、・・・n1(第1層のキャリヤ体積濃度)を、式(1)の差分式を満たすように初期値を少しずつ変えて計算する。そして、最終的に式(4)の境界条件を満たす値を数値解とする。
3−1.第1の実施例
表面がパッシベーションされた半導体基体を第1の試料とし、第1の試料に対して加熱処理を施したものを第2の試料として、本実施形態の測定装置により各試料の実効キャリヤライフタイム、バルクキャリヤライフタイム及び表面再結合速度の測定を行った。
で侵入し、キャリヤはシリコンバルク中で発生する。このため、拡散によりキャリヤは表面に達するまでの時間の間生き延びることになり、キャリヤ体積濃度は大きくなり、実効キャリヤライフタイムも大きくなる。
本実施例では、試料として、熱酸化膜を施した700μm厚のシリコン基板を用いた。このシリコン基板に対して、シリコン原子を70keVにてイオン注入(注入量:1×1014cm−2)を施した。本試料について、イオン注入前とイオン注入後の実効キャリヤライフタイムτeffを波長635nm及び波長980nmの光照射にて測定した。そして、測定結果を有限要素法により解析して、表面再結合速度Stop、Srearと、バルクキャリヤライフタイムの深さ分布τb(x)を求めた。バルクキャリヤライフタイムについては、基板の厚さを複数層に分割して、それぞれの層についてτbを求めた。測定結果と解析結果を表1に示す。
本実施例では、試料として、100nm厚の熱酸化膜を施した500μm厚のn型シリコン基板を用いた。このシリコン基板に対して、出力50wのアルゴンプラズマを1分間照射した。本試料について、プラズマ処理前とプラズマ処理後の実効キャリヤライフタイムτeffを波長635nm及び波長980nmの光照射にて測定した。そして、測定結果を有限要素法により解析して、表面再結合速度Stop、Srearと、バルクキャリヤライフタイムτbを求めた。測定結果と解析結果を表2に示す。
なお、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
光ファイバ、30 検出部、40 導波管、42 間隙、50 演算部
Claims (12)
- 半導体基体に発生した光誘起キャリヤの実効キャリヤライフタイムを測定する光誘起キャリヤライフタイム測定装置において、
前記半導体基体に対して、光誘起キャリヤを発生させるための波長の異なる少なくとも2種類の光を照射する光照射部と、
前記半導体基体に照射するマイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、
前記半導体基体を透過したマイクロ波の強度を検出する検出部と、
前記検出部で検出されたマイクロ波強度に基づき実効キャリヤライフタイムを算出する演算部とを含み、
前記演算部が、
前記少なくとも2種類の光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づいて、前記少なくとも2種類の光の波長毎の実効キャリヤライフタイムを算出し、算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムに基づき前記半導体基体のバルクキャリヤライフタイムと表面再結合速度とを算出する、光誘起キャリヤライフタイム測定装置。 - 請求項1において、
前記演算部が、
バルクキャリヤライフタイム及び表面再結合速度をパラメータとして求められる前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値と、検出されたマイクロ波強度に基づき算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値とを、前記パラメータの値を変化させながら比較し、前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値が前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値に最も合致するときの前記バルクキャリヤライフタイム及び表面再結合速度の値を求める、光誘起キャリヤライフタイム測定装置。 - 請求項1において、
前記演算部が、
バルクキャリヤライフタイムの深さ分布及び表面再結合速度をパラメータとして求められる前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値と、検出されたマイクロ波強度に基づき算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値とを、前記パラメータの値を変化させながら比較し、前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値が前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値に最も合致するときの前記バルクキャリヤライフタイムの深さ分布及び表面再結合速度の値を求める、光誘起キャリヤライフタイム測定装置。 - 請求項2又は3において、
前記演算部が、
半導体基体の表面にパッシベーション膜が形成された参照試料に対して周期的なパルス光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記参照試料の実効キャリヤライフタイムと、前記参照試料に対して連続光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記参照試料のキャリヤ面密度とに基づいて、キャリヤ発生率を求め、被測定試料である半導体基体に対して連続光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記被測定試料のキャリヤ面密度と、前記キャリヤ発生率とに基づいて、前記実効キャリヤライフタイムの測定値を算出する、光誘起キャリヤライフタイム測定装置。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記少なくとも2種類の異なる光は、前記半導体基体に対する吸収係数の異なる2種類の光である、光誘起キャリヤライフタイム測定装置。 - 請求項5において、
前記少なくとも2種類の異なる光は、前記半導体基体に対する吸収係数が少なくとも2倍以上異なる2種類の光である、光誘起キャリヤライフタイム測定装置。 - 半導体基体に発生した光誘起キャリヤの実効キャリヤライフタイムを測定する光誘起キャリヤライフタイム測定方法において、
前記半導体基体に対して、光誘起キャリヤを発生させるための波長の異なる少なくとも2種類の光を照射するとともに、前記半導体基体にマイクロ波を照射し、
前記半導体基体を透過したマイクロ波の強度を検出し、
前記少なくとも2種類の光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づいて、前記少なくとも2種類の光の波長毎の実効キャリヤライフタイムを算出し、算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムに基づき前記半導体基体のバルクキャリヤライフタイムと表面再結合速度とを算出する、光誘起キャリヤライフタイム測定方法。 - 請求項7において、
バルクキャリヤライフタイム及び表面再結合速度をパラメータとして求められる前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値と、検出されたマイクロ波強度に基づき算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値とを、前記パラメータの値を変化させながら比較し、前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値が前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値に最も合致するときの前記バルクキャリヤライフタイム及び表面再結合速度の値を求める、光誘起キャリヤライフタイム測定方法。 - 請求項7において、
バルクキャリヤライフタイムの深さ分布及び表面再結合速度をパラメータとして求められる前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値と、検出されたマイクロ波強度に基づき算出した前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値とを、前記パラメータの値を変化させながら比較し、前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの計算値が前記波長毎の実効キャリヤライフタイムの測定値に最も合致するときの前記バルクキャリヤライフタイムの深さ分布及び表面再結合速度の値を求める、光誘起キャリヤライフタイム測定方法。 - 請求項8又は9において、
半導体基体の表面にパッシベーション膜が形成された参照試料に対して周期的なパルス光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記参照試料の実効キャリヤライフタイムと、前記参照試料に対して連続光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記参照試料のキャリヤ面密度とに基づいて、キャリヤ発生率を求め、被測定試料である半導体基体に対して連続光を照射したときに検出されたマイクロ波強度に基づき求めた前記被測定試料のキャリヤ面密度と、前記キャリヤ発生率とに基づいて、前記実効キャリヤライフタイムの測定値を算出する、光誘起キャリヤライフタイム測定方法。 - 請求項7乃至10のいずれかにおいて、
前記少なくとも2種類の異なる光は、前記半導体基体に対する吸収係数の異なる2種類の光である、光誘起キャリヤライフタイム測定方法。 - 請求項11において、
前記少なくとも2種類の異なる光は、前記半導体基体に対する吸収係数が少なくとも2倍以上異なる2種類の光である、光誘起キャリヤライフタイム測定方法。
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