CN107591340A - 一种半导体的测试方法和测试装置 - Google Patents

一种半导体的测试方法和测试装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107591340A
CN107591340A CN201710644520.XA CN201710644520A CN107591340A CN 107591340 A CN107591340 A CN 107591340A CN 201710644520 A CN201710644520 A CN 201710644520A CN 107591340 A CN107591340 A CN 107591340A
Authority
CN
China
Prior art keywords
microwave
test sample
pulse laser
photoconductive effect
testing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710644520.XA
Other languages
English (en)
Inventor
卓恩宗
樊堃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HKC Co Ltd
Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
HKC Co Ltd
Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HKC Co Ltd, Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical HKC Co Ltd
Priority to CN201710644520.XA priority Critical patent/CN107591340A/zh
Publication of CN107591340A publication Critical patent/CN107591340A/zh
Priority to US16/633,586 priority patent/US20200209168A1/en
Priority to PCT/CN2018/097808 priority patent/WO2019024847A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N22/00—Investigating or analysing materials by the use of microwaves or radio waves, i.e. electromagnetic waves with a wavelength of one millimetre or more
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0095—Semiconductive materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种半导体材料的测试方法和测试装置，该测试方法包括步骤：通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应；探测光电导效应的衰弱信息；通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。本发明的方法能够通过非接触的测试方法，完成测试样品非平衡载流子复合寿命的测试。

Description

一种半导体的测试方法和测试装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种半导体的测试方法和测试装置。
背景技术
载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子(因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了)，所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。
对于主要是依靠少数载流子输运(扩散为主)来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。这时，常常采用的一个相关参量就是少数载流子扩散长度L(等于扩散系数与寿命之乘积的平方根)，L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。
对于双极结型晶体(BJT)，为了保证少数载流子在基区的复合尽量少(以获得很大的电流放大系数)，则必须把基区宽度缩短到少数载流子的扩散长度以下。因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。
由于不同的半导体器件对于载流子复合寿命的需求不同，故而如何准确的测试出半导体材料的载流子复合寿命非常的重要。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够检测半导体的非平衡载流子复合寿命的半导体材料的测试方法和测试装置。
本发明提供了一种半导体材料的测试方法，包括步骤：
通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应；
探测光电导效应的衰弱信息；
通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。
进一步的，所述通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应的步骤之前还包括：
检测测试样品的初始电导率σ0，以及对应的初始微波信号V0。本实施方案中，由于该半导体测试样品存在初始电导率和初始微波信号V0，本方案对其进行测试，有利于提高本发明的测试精度。
进一步的，所述通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应的步骤包括：
检测测试样品的电导率σ和微波信号V，并分别根据公式σ＝σ0+Δσ求得Δσ，以及公式V＝V0+ΔV求得ΔV；
Δσ为光致电导率的变化量，而ΔV为微波信号变化量。本实施方案中，由于脉冲激光的激发，该半导体测试样品的内部将产生电子-空穴对，并产生光电导导致微波反射率发生变化，进而引起微波信号V的变化，本方案中，通过检测可以得到其变化量，该检测有利于后期的计算，并能够提高测试精度。
进一步的，所述光电导效应的效应公式为：
Δσ＝q(Δnμe+Δpμp)，其中Δσ为光致电导率的变化量，q为电子电量，Δn为激光激发产生的电子浓度，Δp为空穴浓度。本实施方案中，该光电导对应的效应公式为Δσ＝q(Δnμe+Δpμp)，其中，由于电子和空穴对通常承兑产生，故而Δn＝Δp。
进一步的，所述探测光电导效应的衰弱信息的步骤包括：
采用微波反射方式探测光电导效应的衰弱信息；
所述衰弱信号包括：微波信号V的指数衰减曲线，其公式为：
V＝V0*e -t/τ；其中t指的是脉冲激光关断时间，τ指的是非平衡载流子在复合前的平均生存时间，称为非平衡载流子复合寿命。本实施方案中，通过该微波方式，能够对电导效应和该非平衡载流子将逐渐复合消失掉这一衰弱过程进行检测，通过分析光电导效应和微波信号V的变化曲线可以得出该半导体测试样品的复合寿命。
进一步的，所述脉冲激光的波长为：249nm-449nm。
进一步的，所述脉冲激光的波长为349nm。
进一步的，所述微波反射方式由可控微波源实现，所述可控微波源采用的微波波长为24-26GHZ。
本发明还公开了一种使用于如本发明任一所述的半导体材料的测试方法的测试装置，包括：
脉冲激光发射器，用于激发测试样品，产生光电导效应；
微波发生器，用于探测光电导效应的衰弱信息；
微波接收器，用于接收所述衰弱信息；
计算单元，用于通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。本实施方案中，实际上还应该包括相敏检测器(Phase sensitive detector)、触发器(circutator)和波导(waveguide)等结构，但是其他部分的结构不是本发明的主要发明内容，故而不予赘述；另外，还可以包括用于计算该微波信号V的指数衰减曲线的计算单元。
进一步的，所述微波发生器采用波长为24-26GHZ的可控微波源；
所述脉冲激光发射器使用的脉冲激光的波长为349nm。
本发明中，该测试方式通过脉冲激光的方式激发半导体测试样品，使其产生电子-空穴对，即产生光电导效应；并在达到需求后，关断该脉冲激光，如此，该半导体测试样品将在脉冲激光激发撤销的情况下，由于复合率和产生率的差异，非平衡载流子将逐渐复合消失掉；而借助该微波反射方式能够对该光电导效应和该非平衡载流子将逐渐复合消失掉这一衰弱过程进行检测，从而得到该半导体测试样品非平衡载流子的复合寿命；整个测试过程，均通过非接触的方式进行，由于硅单晶棒、晶体管和开关管等不同器件对于半导体及其复合寿命的需求不同，该复合寿命的检测将能够使得相关器件能够发挥出更好地效用，无接触无污染的测试过程，有利于测试精度的提高。
参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
附图说明
图1是本发明实施例一种半导体材料的测试方法的流程图；
图2是本发明实施例测试方法的测试过程示意图；
图3是本发明实施例一种半导体材料的测试装置的示意图。
附图说明，10、微波发生器；20、微波接收器；30、脉冲激光发生器。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
图1是本发明实施例一种半导体材料的测试方法的流程图，包括步骤：
S1:通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应；
S2:探测光电导效应的衰弱信息；
S3:通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。
具体来讲，通过脉冲激光激发测试样品，使其产生电子-空穴对，从而产生光电导效应。
本发明的测试方法是通过脉冲激光的方式激发半导体测试样品，使其产生电子-空穴对，即产生光电导效应；并在达到需求后，关断该脉冲激光，如此，该半导体测试样品将在脉冲激光激发撤销的情况下，由于复合率和产生率的差异，非平衡载流子将逐渐复合消失掉；而借助该微波反射方式能够对该光电导效应和该非平衡载流子将逐渐复合消失掉这一衰弱过程进行检测，从而得到该半导体测试样品非平衡载流子的复合寿命；整个测试过程，均通过非接触的方式进行，由于硅单晶棒、晶体管和开关管等不同器件对于半导体及其复合寿命的需求不同，该复合寿命的检测将能够使得相关器件能够发挥出更好地效用，无接触无污染的测试过程，有利于测试精度的提高。
本发明中的半导体可以指的是活性层薄膜，该活性层薄膜包括N型硅锗化合物(n+-SixGey),P型硅锗化合物(p+-SixGey)；N型掺杂氧化硅锗化合物Nn-doped SiGe-richSixGeyOz,P型掺杂氧化硅锗化合物(p-doped SiGe-rich SixGeyOz n+or p+-layer)；氧化硅锗化合物(SixGey and SiGe-rich SixGeyOx)。本发明的方法能够在无接触无污染情况下，非破坏性的对其进行检测；当然，对于其他的半导体材料，在合适的情况下，本发明的测试方法也是适用的。在显示技术领域，显示面板多采用半导体材料制作主动开关，因此，本发明的技术方案在显示技术领域有广泛的应用。
图2是本发明实施例测试方法的测试过程示意图，其中，该纵轴对应微波信号V，横轴对应时间；参考图2，结合图1可知，本实施例可选的，通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应的步骤之前还包括：
检测测试样品的初始电导率σ0，以及对应的初始微波信号V0。本实施方案中，由于该半导体测试样品存在初始电导率和初始微波信号V0，本方案对其进行测试，有利于提高本发明的测试精度；其中，该图2中的A阶段即对应脉冲激光注入前的阶段，此时测试样品的初始电导率σ0，以及对应的初始微波信号V0，该微波信号稳定。
本实施例可选的，通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应的步骤包括：
检测测试样品的电导率σ和微波信号V，并分别根据公式σ＝σ0+Δσ求得Δσ，以及公式V＝V0+ΔV求得ΔV；
Δσ为光致电导率的变化量，而ΔV为微波信号变化量。本实施方案中，由于脉冲激光的激发，该半导体测试样品的内部将产生电子-空穴对，并产生光电导导致微波反射率发生变化，进而引起微波信号V的变化，本方案中，通过检测可以得到其变化量，该检测有利于后期的计算，并能够提高测试精度；其中，该图2中的B阶段对应脉冲激光注入后的阶段，脉冲激光的注入激发了材料内容产生电子-空穴对，及产生光电导现象，导致微波反射率发生变化，进而引起微波信号的变化。
本实施例可选的，光电导效应的效应公式为：
Δσ＝q(Δnμe+Δpμp)，其中Δσ为光致电导率的变化量，q为电子电量，Δn为激光激发产生的电子浓度，Δp为空穴浓度。本实施方案中，该光电导对应的效应公式为Δσ＝q(Δnμe+Δpμp)，其中，由于电子和空穴对通常承兑产生，故而Δn＝Δp。
本实施例可选的，探测光电导效应的衰弱信息的步骤包括：
采用微波反射方式探测光电导效应的衰弱信息；
所述衰弱信号包括：微波信号V的指数衰减曲线，其公式为：
V＝V0*e -t/τ；其中t指的是脉冲激光关断时间，τ指的是非平衡载流子在复合前的平均生存时间，称为非平衡载流子复合寿命。本实施方案中，通过该微波方式，能够对电导效应和该非平衡载流子将逐渐复合消失掉这一衰弱过程进行检测，通过分析光电导效应和微波信号V的变化曲线可以得出该半导体测试样品的复合寿命；其中，该图2中的C阶段则是脉冲激光关断后的阶段，该阶段中，该测试样品的电导率，由于该Δσ逐渐减少以至于零，材料内部非平衡载流子因为其复合浓度Δn逐渐衰减至0，该过程对应表现为微波信号V的变化曲线，根据该变化曲线，可以得到非平衡载流子的复合寿命；当然，采用微波反射方式以外的其他方式检测该衰弱信息也是可以的，只要适用即可。
本实施例可选的，脉冲激光的波长为：249nm-449nm。
本实施例可选的，所述脉冲激光的波长为349nm。
本实施例可选的，微波反射方式由可控微波源实现，所述可控微波源采用的微波波长为24-26GHZ。
图3是本发明实施例的测试装置的示意图，参考图3，结合图1和图2可知，本发明还公开了一种使用于如本发明任一所述的半导体材料的测试方法的测试装置，包括：
脉冲激光发射器30，用于激发测试样品，产生光电导效应；
微波发生器10，用于探测光电导效应的衰弱信息；
微波接收器20，用于接收所述衰弱信息；
计算单元(图中未示出)，用于通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。
本发明的测试装置用于实现本发明公开的测试方式，而该测试方法是通过脉冲激光的方式激发半导体测试样品，使其产生电子-空穴对，即产生光电导效应；并在达到需求后，关断该脉冲激光，如此，该半导体测试样品将在脉冲激光激发撤销的情况下，由于复合率和产生率的差异，非平衡载流子将逐渐复合消失掉；而借助该微波反射方式能够对该光电导效应和该非平衡载流子将逐渐复合消失掉这一衰弱过程进行检测，从而得到该半导体测试样品非平衡载流子的复合寿命；整个测试过程，均通过非接触的方式进行，由于硅单晶棒、晶体管和开关管等不同器件对于半导体及其复合寿命的需求不同，该复合寿命的检测将能够使得相关器件能够发挥出更好地效用。
本实施方案中，实际上还应该包括相敏检测器(Phase sensitive detector)、触发器(circutator)和波导(waveguide)等结构，但是其他部分的结构不是本发明的主要发明内容，故而不予赘述；另外，还可以包括用于计算该微波信号V的指数衰减曲线的计算单元。
另外，该微波发生器和微波接收器可以组合至一个探头实现，当然，在适当情况下，该微波发生器、微波接收器以及脉冲激光发生器可以组合到同一个测试装置中进行使用，如此，便不需要在测试过程中多次更换测试装置，而只需要切换功能即可，如此，可以减少更换装置发生的时间误差。提高测试精度。
本实施例可选的，微波发生器采用波长为24-26GHZ的可控微波源；
所述脉冲激光发射器使用的脉冲激光的波长为349nm。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体材料的测试方法，其特征在于，包括步骤：
通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应；
探测光电导效应的衰弱信息；
通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。
2.如权利要求1所述的一种测试方法，其特征在于，所述通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应的步骤之前还包括：
检测测试样品的初始电导率σ0，以及对应的初始微波信号V0。
3.如权利要求2所述的一种测试方法，其特征在于，所述通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应的步骤包括：
检测测试样品的电导率σ和微波信号V，并分别根据公式σ＝σ0+Δσ求得Δσ，以及公式V＝V0+ΔV求得ΔV；
Δσ为光致电导率的变化量，而ΔV为微波信号变化量。
4.如权利要求3所述的一种测试方法，其特征在于，所述光电导效应的效应公式为：
Δσ＝q(Δnμe+Δpμp)，其中Δσ为光致电导率的变化量，q为电子电量，Δn为激光激发产生的电子浓度，Δp为空穴浓度。
5.如权利要求4所述的一种测试方法，其特征在于，所述探测光电导效应的衰弱信息的步骤包括：
采用微波反射方式探测光电导效应的衰弱信息；
所述衰弱信号包括：微波信号V的指数衰减曲线，其公式为：
V＝V0*e-t/τ；其中t指的是脉冲激光关断时间，τ指的是非平衡载流子在复合前的平均生存时间，称为非平衡载流子复合寿命。
6.如权利要求1所述的一种测试方法，其特征在于，所述脉冲激光的波长为：249nm-449nm。
7.如权利要求6所述的一种测试方法，其特征在于，所述脉冲激光的波长为349nm。
8.如权利要求1所述的一种测试方法，其特征在于，所述微波反射方式由可控微波源实现，所述可控微波源采用的微波波长为24-26GHZ。
9.一种测试装置，其特征在于，包括：
脉冲激光发射器，用于激发测试样品，产生光电导效应；
微波发生器，用于探测光电导效应的衰弱信息；
微波接收器，用于接收所述衰弱信息；
计算单元，用于通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。
10.如权利要求9所述的一种测试装置，其特征在于，所述微波发生器采用波长为24-26GHZ的可控微波源；
所述脉冲激光发射器使用的脉冲激光的波长为349nm。
CN201710644520.XA 2017-08-01 2017-08-01 一种半导体的测试方法和测试装置 Pending CN107591340A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710644520.XA CN107591340A (zh) 2017-08-01 2017-08-01 一种半导体的测试方法和测试装置
US16/633,586 US20200209168A1 (en) 2017-08-01 2018-07-31 Semiconductor testing method and testing apparatus
PCT/CN2018/097808 WO2019024847A1 (zh) 2017-08-01 2018-07-31 一种半导体的测试方法和测试装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710644520.XA CN107591340A (zh) 2017-08-01 2017-08-01 一种半导体的测试方法和测试装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107591340A true CN107591340A (zh) 2018-01-16

Family

ID=61042615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710644520.XA Pending CN107591340A (zh) 2017-08-01 2017-08-01 一种半导体的测试方法和测试装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20200209168A1 (zh)
CN (1) CN107591340A (zh)
WO (1) WO2019024847A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108490330A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 上海陆芯电子科技有限公司 一种半导体开关管测试装置
CN109243992A (zh) * 2018-07-26 2019-01-18 华南理工大学 一种检测溶液法绝缘层tft质量的方法
WO2019024847A1 (zh) * 2017-08-01 2019-02-07 惠科股份有限公司 一种半导体的测试方法和测试装置
CN111398774A (zh) * 2020-03-18 2020-07-10 西安奕斯伟硅片技术有限公司 硅片少子寿命的测试方法及装置
CN115728250A (zh) * 2022-11-25 2023-03-03 武汉大学 一种半导体载流子动力学测试仪器及测试方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106980078B (zh) * 2017-05-22 2023-08-18 山东辰宇稀有材料科技有限公司 一种少子寿命测试仪探头和少子寿命测试仪
CN113960385B (zh) * 2020-12-29 2024-02-13 广州昆德半导体测试技术有限公司 一种移动式高频光电导载流子寿命测试探头

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070089781A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Michio Kida Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same
CN101591808A (zh) * 2009-06-24 2009-12-02 浙江大学 掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法
CN102608510A (zh) * 2012-01-19 2012-07-25 上海交通大学 晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法
CN102709396A (zh) * 2012-06-13 2012-10-03 韩华新能源（启东）有限公司 基于过剩载流子衰减的太阳能晶硅硅片分析筛选方法
CN102735510A (zh) * 2012-06-20 2012-10-17 常州天合光能有限公司 一种测量n型硅片少子寿命的钝化方法
CN104266960A (zh) * 2014-10-09 2015-01-07 广州市昆德科技有限公司 扫描式微波反射法载流子复合寿命测试系统及测试方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5365334A (en) * 1990-12-21 1994-11-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Micro photoreflectance semiconductor wafer analyzer
US5580828A (en) * 1992-12-16 1996-12-03 Semiconductor Physics Laboratory Rt Method for chemical surface passivation for in-situ bulk lifetime measurement of silicon semiconductor material
US6346821B1 (en) * 1998-03-27 2002-02-12 Infineon Technologies Ag Method for nondestructive measurement of minority carrier diffusion length and minority carrier lifetime in semiconductor devices
US6512385B1 (en) * 1999-07-26 2003-01-28 Paul Pfaff Method for testing a device under test including the interference of two beams
EP2414820B1 (de) * 2009-04-03 2014-06-25 Johann Wolfgang Goethe-Universität Doppelresonanzstruktur und verfahren zur untersuchung von proben mit mehreren leitfähigen streifen
JP6052536B2 (ja) * 2011-12-16 2016-12-27 国立大学法人東京農工大学 光誘起キャリヤライフタイム測定装置及び光誘起キャリヤライフタイム測定方法
CN107591340A (zh) * 2017-08-01 2018-01-16 惠科股份有限公司 一种半导体的测试方法和测试装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070089781A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Michio Kida Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same
CN101591808A (zh) * 2009-06-24 2009-12-02 浙江大学 掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法
CN102608510A (zh) * 2012-01-19 2012-07-25 上海交通大学 晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法
CN102709396A (zh) * 2012-06-13 2012-10-03 韩华新能源（启东）有限公司 基于过剩载流子衰减的太阳能晶硅硅片分析筛选方法
CN102735510A (zh) * 2012-06-20 2012-10-17 常州天合光能有限公司 一种测量n型硅片少子寿命的钝化方法
CN104266960A (zh) * 2014-10-09 2015-01-07 广州市昆德科技有限公司 扫描式微波反射法载流子复合寿命测试系统及测试方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
何璇等: "基于激光_微波双辐射源少子寿命的测定装置", 《SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS》 *
周春兰等: "晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法", 《中国测试技术》 *
高冬美等: "微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命", 《激光技术》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019024847A1 (zh) * 2017-08-01 2019-02-07 惠科股份有限公司 一种半导体的测试方法和测试装置
CN108490330A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 上海陆芯电子科技有限公司 一种半导体开关管测试装置
CN109243992A (zh) * 2018-07-26 2019-01-18 华南理工大学 一种检测溶液法绝缘层tft质量的方法
CN109243992B (zh) * 2018-07-26 2020-10-27 华南理工大学 一种检测tft中通过溶液法所制备的绝缘层的质量的方法
CN111398774A (zh) * 2020-03-18 2020-07-10 西安奕斯伟硅片技术有限公司 硅片少子寿命的测试方法及装置
CN111398774B (zh) * 2020-03-18 2022-02-15 西安奕斯伟材料科技有限公司 硅片少子寿命的测试方法及装置
CN115728250A (zh) * 2022-11-25 2023-03-03 武汉大学 一种半导体载流子动力学测试仪器及测试方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200209168A1 (en) 2020-07-02
WO2019024847A1 (zh) 2019-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107591340A (zh) 一种半导体的测试方法和测试装置
US10895542B2 (en) Methods and apparatus for optically detecting magnetic resonance
JP5107183B2 (ja) テラヘルツ光検出装置とその検出方法
US8952338B2 (en) Crystalline quality evaluation apparatus for thin-film semiconductors, using μ-PCD technique
Son et al. Terahertz electromagnetic pulses as probes for transient velocity overshoot in GaAs and Si
Hatano et al. Simultaneous thermometry and magnetometry using a fiber-coupled quantum diamond sensor
Voelkl et al. Spin dephasing and photoinduced spin diffusion in a high-mobility two-dimensional electron system embedded in a GaAs-(Al, Ga) As quantum well grown in the [110] direction
JP5983275B2 (ja) 検査装置および検査方法
Willensdorfer et al. Dependence of the L–H power threshold on the alignment of external non-axisymmetric magnetic perturbations in ASDEX Upgrade
JP2006313803A (ja) テラヘルツ電磁波発生装置
US8779766B2 (en) Electron spin measurement device and measurement method
Gomez et al. Lifetime measurement of the 6 s level of rubidium
Tsai et al. Quantum Efficiency Gain in 2D Perovskite Photo and X‐Ray Detectors
Roca et al. A lateral-type spin-photodiode based on Fe/x-AlOx/p-InGaAs junctions with a refracting-facet side window
Dogariu et al. A diagnostic to measure neutral-atom density in fusion-research plasmas
Khorasani et al. Optically excited MOS-capacitor for recombination lifetime measurement
Ide et al. Dynamic characteristics and device degradation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser with an AlInN/GaN distributed Bragg reflector
CN110346627B (zh) 微小电流检测装置
Behrends et al. Observation of precursor pair formation of recombining charge carriers
Dou et al. Temperature dependence of electron-spin relaxation in a single InAs quantum dot at zero applied magnetic field
Musibau et al. Degradation and Recovery Kinetics Study of Vertical and Lateral Ge-on-Si Photodetectors
Hazama et al. Monitoring carrier transport and recombination in photovoltaic devices in real time
Zhang et al. Driver circuit with high-voltage pulse and high-frequency excitation for the cell of optically pumped sensors
Yurchenko et al. A resonator microwave sensor for measuring the parameters of Solar-quality silicon
Moxim et al. Tunable zero-field magnetoresistance responses in Si transistors: Origins and applications

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180116

RJ01 Rejection of invention patent application after publication