JP2005277417A - 試料の1つ又は複数の特性を決定するための方法とシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】試料の特性を決定する主システムは、異なる波長の光源10,12の光を実質的に同時に試料26に照射するように構成する。異なる波長の光は、変調器14により実質的に同じ周波数で変調される。主システムは、さらに、試料26に対し少なくとも2回の測定を実行するように構成する。試料26の少数キャリア拡散長は、異なる波長での試料の測定と吸収係数から決定する。試料26上の欠陥を検出するサブシステムは、試料26の上面上の複数の位置に電荷を堆積するように構成する。このサブシステムは、複数の位置でプローブ22の振動を測定するように構成する。試料26上の欠陥は、測定された表面電圧から生成された試料26の二次元マップを使用して検出する。
【選択図】図1
Description
Claims (34)
- 試料の特性をその試料に接触せずに決定するように構成されているシステムであって、
前記試料上の測定スポットに異なる波長の光を実質的に同時に照射するように構成されている、実質的に同じ周波数で変調される2つの光源と、
前記試料上で少なくとも2回の測定を実行するように構成されているプローブであって、前記少なくとも2回の測定はそれぞれ、前記2つの光源のうちの一方により前記試料への照射により行われる、プローブと、
前記異なる波長で前記試料の前記少なくとも2つの測定結果と吸収係数から前記試料の少数キャリア拡散長を決定するように構成されたプロセッサと
を備えるシステム。 - 前記2つの光源のうちの第1の光源は、前記2つの光源のうちの第2の光源と比較して90°ずれた位相で変調される請求項1に記載のシステム。
- 前記2つの光源は、ダイオード・レーザである請求項1に記載のシステム。
- 前記2つの光源は、レーザを含み、さらに、前記レーザの変調ドライバにより変調される請求項1に記載のシステム。
- 前記2つの光源は、さらに、前記試料に実質的に一定の光束を照射するように構成されている請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも2回の測定が2つの表面光電圧を含み、前記プロセッサは、前記2つの表面光電圧の逆数と前記吸収係数の逆数のグラフを生成し、前記グラフのリニア・フィットから前記少数キャリア拡散長を決定するように構成されている請求項1に記載のシステム。
- 前記2つの光源は、さらに、前記試料を照射し前記試料から実質的に等しい表面光電圧を発生するように構成されている請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも2回の測定が2つの光束で行われ、前記プロセッサは、さらに、前記2つの光束と前記吸収係数の逆数のグラフを生成し、前記グラフのリニア・フィットから前記少数キャリア拡散長を決定するように構成されている請求項1に記載のシステム。
- 前記プロセッサは、前記少数キャリア拡散長を使用して前記試料内の汚染レベルを決定するように構成されている請求項1に記載のシステム。
- 前記システムはプロセス装置に結合される請求項1に記載のシステム。
- 試料の特性を、その試料に接触せずに決定する方法であって、
異なる波長を持ち、同じ周波数で変調されている、2本の光線を前記試料上の測定スポットに実質的に同時に照射することと、
前記試料上で少なくとも2回の測定を実行し、前記少なくとも2回の測定結果はそれぞれ、前記2本の光線のうちの1本を前記試料に照射することにより生成されることと、
前記異なる波長で前記試料の前記少なくとも2つの測定結果と吸収係数から前記試料の少数キャリア拡散長を決定することと
を含む方法。 - 前記2本の光線のうちの第1の光線は、前記2本の光線のうちの第2の光線と比較して90°ずれた位相で変調される請求項11に記載の方法。
- 前記2本の光線は実質的に一定の光束を持つ請求項11に記載の方法。
- 前記決定することは、前記2つの表面光電圧の逆数と前記吸収係数の逆数のグラフを生成することと、前記グラフへのリニア・フィットから前記少数キャリア拡散長を決定することとを含む請求項11に記載の方法。
- 前記2本の光線は、前記試料を照射し前記試料から実質的に等しい表面光電圧を発生するように構成されている請求項11に記載の方法。
- 前記少なくとも2回の測定は2つの光束で行われ、前記決定することは、前記2つの光束と前記吸収係数の逆数のグラフを生成することと、前記グラフのリニア・フィットから前記少数キャリア拡散長を決定することとを含む請求項11に記載の方法。
- さらに、前記少数キャリア拡散長を使用して前記試料内の汚染レベルを決定することを含む請求項11に記載の方法。
- 試料上の欠陥を検出するように構成されているシステムであって、
前記試料の上面上の複数の位置に電荷を堆積させるように構成されている電荷堆積サブシステムと、
前記電荷が堆積された後、前記複数の位置でプローブの振動を測定するように構成されている測定サブシステムと、
前記振動から前記複数の位置で表面電圧を決定し、前記複数の位置の前記表面電圧を使用して前記試料の二次元マップを生成し、前記二次元マップを使用して前記試料上の欠陥を検出するように構成されているプロセッサを備えるシステム。 - 前記電荷は第1の種類の電荷を含み、前記電荷堆積サブシステムは、さらに、前記複数の位置に第2の種類の電荷を堆積させ、前記試料の他の二次元マップを生成できるように構成されている請求項18に記載のシステム。
- 前記測定サブシステムは、前記電荷堆積サブシステムが前記複数の位置のうちの他の位置で電荷を堆積させている間に前記複数の位置のうちの1つで前記振動を測定するように構成されている請求項18に記載のシステム。
- 前記プローブは、カンチレバーに結合されたKelvinプローブを備え、前記測定サブシステムは、さらに、前記カンチレバーの位置を光学的に測定することにより前記振動を測定するように構成されている請求項18に記載のシステム。
- 前記プローブがアレイ内に配置された複数のプローブを備え、前記複数のプローブが前記複数の位置のうちの複数の位置の上に実質的に同時に配列させられ、前記測定サブシステムは、さらに、前記複数のプローブのうち2つ以上のプローブの振動を実質的に同時に測定するように構成されている請求項18に記載のシステム。
- 前記プローブの先端サイズは、約10μmから約1nmである請求項18に記載のシステム。
- 前記プローブは、検査プローブを含み、前記測定サブシステムは、さらに、前記欠陥の位置でレビュー・プローブの振動を測定するように構成され、前記レビュー・プローブの先端サイズは、前記検査プローブの先端サイズよりも小さい請求項18に記載のシステム。
- 前記欠陥は電気的欠陥を含む請求項18に記載のシステム。
- 前記試料はパターン形成されたウェハを含む請求項18に記載のシステム。
- 試料上の欠陥を検出する方法であって、
前記試料の上面上の複数の位置に電荷を堆積させることと、
前記電荷が堆積された後、前記複数の位置でプローブの振動を測定することと、
前記振動から前記複数の位置の表面電圧を決定することと、
前記複数の位置の前記表面電圧を使用して前記試料の二次元マップを生成することと、
前記二次元マップを使用して前記試料上の欠陥を検出することと
を含む方法。 - 前記電荷は第1の種類の電荷であり、前記方法はさらに前記試料の追加二次元マップを生成できるように前記複数の位置で第2の種類の電荷を堆積させ、前記検出することは、前記二次元マップと前記追加二次元マップを使用して前記試料上の欠陥を検出することを含む請求項27に記載の方法。
- 前記測定は、前記堆積が前記複数の位置のうちの他の位置で実行される間に前記複数のうちの一つの位置で実行される請求項27に記載の方法。
- 前記プローブは、カンチレバーに結合されたKelvinプローブを備え、前記測定は、前記カンチレバーの位置を光学的に測定することを含む請求項27に記載の方法。
- 前記プローブは、アレイ内に配置された複数のプローブを備え、前記複数のプローブは前記複数の位置のうちの複数の位置の上に実質的に同時に配列させることができ、前記測定は、前記複数のプローブのうち2つ以上のプローブの振動を実質的に同時に測定することを含む請求項27に記載の方法。
- 前記プローブは、検査プローブを含み、前記方法は、さらに、前記欠陥の位置でレビュー・プローブの振動を測定することにより前記欠陥をレビューすることを含み、前記レビュー・プローブの先端サイズは、前記検査プローブの先端サイズよりも小さい請求項27に記載の方法。
- 前記欠陥は電気的欠陥を含む請求項27に記載の方法。
- 前記試料はパターン形成ウェハを含む請求項27に記載の方法。
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