JP7249395B1 - 半導体試料の評価方法、半導体試料の評価装置および半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得すること、
上記減衰曲線に対して指数減衰項と定数項とを含むモデル式による信号データ処理を施すこと、および、
上記信号データ処理によって得られた指数減衰の式から上記半導体試料の再結合ライフタイムを求めること、
を含む、半導体試料の評価方法(以下、「評価方法」とも記載する。)、
に関する。
上記信号データ処理を行うことによって上記モデル式における定数項を打ち消して上記指数減衰の式を取得すること、および
上記指数減衰の式から時定数τB -1+τS -1を求めること、
を更に含むことができる。ここで、τBは、SRH再結合ライフタイムであり、τSは、表面再結合ライフタイムである。
xi(ti)=A×exp[-(τB -1+τS -1)ti]-C ・・・(1’)
(式(1’)中、ti:励起光照射後の経過時間、xi(ti):経過時間tiにおける信号強度、τB:SRH再結合ライフタイム、τS: 表面再結合ライフタイム、A、C:定数)
評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得する測定部と、
上記減衰曲線に対して指数減衰項と定数項とを含むモデル式による信号データ処理を施す処理部と、
上記信号データ処理によって得られた指数減衰の式から上記半導体試料の再結合ライフタイムを求める再結合ライフタイム算出部と、
を含む、半導体試料の評価装置(以下、「評価装置」とも記載する。)、
に関する。
上記信号データ処理を行うことによって上記モデル式における定数項を打ち消して上記指数減衰の式を取得すること、および
上記指数減衰の式から時定数τB -1+τS -1を求めること、
を実行することができる。ここで、τBは、SRH再結合ライフタイムであり、τSは、表面再結合ライフタイムである。
複数の半導体ウェーハを含む半導体ウェーハロットを製造すること、
上記半導体ウェーハロットから少なくとも1つの半導体ウェーハを抽出すること、
上記抽出された半導体ウェーハを上記評価方法によって評価すること、および、
上記評価の結果、良品と判定された半導体ウェーハと同じ半導体ウェーハロットの半導体ウェーハを製品半導体ウェーハとして出荷するための準備に付すこと、
を含む半導体ウェーハの製造方法、
に関する。
テスト製造条件下で評価用半導体ウェーハを製造すること、
上記製造された評価用半導体ウェーハを上記半導体試料の評価方法によって評価すること、
上記評価の結果に基づき、上記テスト製造条件に変更を加えた製造条件を実製造条件として決定するか、または上記テスト製造条件を実製造条件として決定すること、および、
上記決定された実製造条件下で半導体ウェーハを製造すること、
を含む半導体ウェーハの製造方法、
に関する。
本発明の一態様にかかる半導体試料の評価方法は、評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得すること、上記減衰曲線を指数減衰項と定数項とを含むモデル式によってフィッティングすることによりフィッティングカーブを作成すること、および、上記フィッティングカーブから上記半導体試料の再結合ライフタイムを求めること、を含む。
以下、上記評価方法について、更に詳細に説明する。
上記評価方法の評価対象は半導体試料であればよい。半導体試料としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、SiC等の各種半導体試料を挙げることができる。評価対象の半導体試料の形状および寸法は特に限定されない。一例として、評価対象の半導体試料は、ウェーハ形状の半導体試料、即ち半導体ウェーハ、例えば単結晶シリコンウェーハであることができる。ただし、評価対象の半導体試料は、ウェーハ以外の形状であることもできる。また、評価対象の半導体試料の導電型も特に限定されず、n型であってもp型であってもよい。
光導電減衰法による測定は、市販のPCD装置または公知の構成のPCD装置によって行うことができる。上記評価方法における光導電減衰法による測定については、公知技術を適用できる。光導電減衰法の具体例としては、マイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法を挙げることができる。ただし、上記評価方法における光導電減衰法による測定は、μ-PCD法によるものに限定されるものではない。例えば、一般的なμ-PCD装置の最大キャリア注入量を考慮すると、評価対象の半導体試料がp型シリコンである場合、その抵抗率は1~100Ωcm程度であることが好適であり、n型シリコンである場合、抵抗率は0.5~100Ωcm程度であることが好適である。
これに対し、上記評価方法では、以下に詳述するように減衰曲線に対して信号データ処理を施すことにより、再結合ライフタイムを精度よく求めることが可能になる。
上記評価方法では、減衰曲線に対する信号データ処理を、指数減衰項と定数項とを含むモデル式を用いて行う。本発明者は、表面再結合が起こる場合の減衰曲線は、指数減衰項と定数項とを含む式、好ましくは指数減衰項から定数項が差し引かれた式、で表すことが適切と考えている。かかる式に対して定数項を打ち消す信号データ処理を行うことで指数減衰項のみが残る。即ち、指数減衰の式が得られる。この指数減衰の式を用いることにより、SRH再結合および表面再結合の影響を含む値として再結合ライフタイムの値を求めることができる。これにより、評価対象の半導体試料の再結合ライフタイムを精度よく求めることが可能になる。以下に、かかる信号データ処理について、更に詳細に説明する。
x(t)=A×exp[-(τB -1+τS -1)t]-C ・・・(1)
xi(ti)=A×exp[-(τB -1+τS -1)ti]-C ・・・(1’)
上記算出値が予め設定した閾値(一例として、R2≧0.99)を満足する場合には、上記で設定したサンプリング領域の開始点を、信号データ処理を実行する際のサンプリング領域の開始点として決定することができる。
上記算出値が予め設定した閾値(一例として、R2≧0.99)を満足しない場合には、サンプリング領域の開始点を、信号強度が低い側へシフトさせて再計算を実行する。再計算は、1回または2回以上実行することができ、再計算での評価結果が予め設定した閾値を満足した場合、その再計算における開始点を、サンプリング領域の開始点として決定することができる。
サンプリング領域の終了点は、SN比(Signal-to-Noise Ratio)が予め設定した閾値以下にある位置とすることができる。SN比は、例えば以下の式によって算出できる。上記のSN比の閾値は、例えば5dB以下であることができ、信号のSN比が0dBである位置、即ちノイズと信号が同程度の位置、を終了点として決定することが好ましい。
SN比[dB]=20log10[(任意時間における信号の分散)/(平衡状態におけるノイズの分散)]
まず、開始点(1点目)を基準として、1点目~N点目の平均A1とN+1点目~2N点目の平均B1とを算出する(図1参照)。
A1={x(t1)+ x(t2)+…+ x(tN)}/N
B1={x(tN+1)+ x(tN+2)+…+ x(t2N)}/N
A1からB1を差し引いた値をY(t1)とする。
Y(t1)=A1-B1
次に2点目を基準として、2点目~N+1点目の平均A2とN+2点目~2N+1点目の平均B2とを算出する(図2参照)。
A2={x(t2)+ x(t3)+…+ x(tN+1)}/N
B2={x(tN+2)+ x(tN+3)+…+ x(t2N+1)}/N
A2からB2を差し引いた値をY(t2)とする。
Y(t2)=A2-B2
同様の計算を続け、最終的にN+1点目~2N点目の平均AN+1と2N+1点目~3N点目の平均BN+1とを算出する(図3参照)。
AN+1={x(tN+1)+ x(tN+2)+…+ x(t2N)}/N
BN+1={x(t2N+1)+ x(t2N+2)+…+ x(t3N)}/N
AN+1からBN+1を差し引いた値をY(tN+1)とする。
Y(tN+1)=AN+1-BN+1
上記計算を続けて得られた時系列信号データ列は、式(1’)における定数項が打ち消され、以下の指数減衰の式(2)となる。この式(2)に対して一般的な指数減衰近似法を適用することにより、時定数τB -1+τS -1を求めることができる。こうして求められた「τB -1+τS -1」を、評価対象の半導体試料の再結合ライフタイムの値として採用することができる。上記指数減衰近似法としては、例えば、1次モード法、1/eライフタイム法等を挙げることができる。
Y(t)=A’×exp[-(τB -1+τS -1)t]・・・(2)
(A’:任意定数)
図4は、本発明の一態様にかかる半導体試料の評価方法の一例の説明図である。
図4左図に示す減衰曲線は、図8に示す減衰曲線と同じであって、n型シリコンウェーハ(単結晶シリコンウェーハ、抵抗率:10Ωcm)を、表面処理としてケミカルパッシベーション処理を行った後にμ-PCD法による測定に付して得られた減衰曲線である。ここでのμ-PCDの最大キャリア注入量は約1E17/cm3であった。なお、「E17」は、「×1017」を示す。
図4左図に示す減衰曲線に対して、モデル式として式(1’)を使用し、図1~図3を参照して先に説明したように、サンプリング点数を3N点として、信号データ処理を行った。サンプリング領域の開始点は、閾値を「R2≧0.99」として先に記載した方法によって決定した。サンプリング領域の終了点は、先に記載したようにSN比が0dBである位置とした。
上記信号データ処理を行うことによって式(1’)の定数項が打ち消され、指数減衰項のみからなる式(2)の一次式の直線(図4右図中の実線)が得られた。この一次式に対して、1次モード法を適用することによって時定数τB -1+τS -1を求め、この時定数τB -1+τS -1の逆数として求められた再結合ライフタイム(表1中、実施例1)は、表1に示す値であった。
図4左図に示す減衰曲線に対して、SEMI規格に記載の1次モード法およびSEMI規格に記載の1/e法をそれぞれ適用して求められた再結合ライフタイムも併せて表1に示す。
まず、式(1)における残りの未定パラメータ定数A、Cを決めるために、以下の通りフィッティングを行った。
上記の実施例で求められた時定数τB -1+τS -1を用いると、式(1)はexp[-(τB -1+τS -1)t]に対して直線の式の形になる。即ち、オートスケーリングで決めたサンプリング領域において、減衰曲線は、図5左図のようにexp[-(τB -1+τS -1)t]に対して直線近似することができ、その傾きおよび切片として定数AおよびCを得ることができる。
このように求められた時定数τB -1+τS -1および定数A、Cを用いて式(1)を適用すると、図5右図のように、1次モード法または1/eライフタイム法によってフィッティングした場合(図5右図中、1次モードライフタイムフィッティング、1/eライフタイムフィッティング)と比較して、減衰曲線の広い範囲で適合したフィッティングカーブ(図5右図中、新手法フィッティング)が得られた。
以上の結果から、式(1)の関数が、実測の減衰に近い時間の関数であることが確認できる。
図6左図に、上記の実施例1と同様の手法によって7000μsec程度の再結合ライフタイム値が得られる複数のn型シリコンウェーハについて、実施例1と同様の手法によって求められた再結合ライフタイム値(図6中、新手法)と、従来手法である1次モード法によって得られた再結合ライフタイム値(図6中、「従来手法」)とを示す。図6右図は、図6左図に示されている測定結果のCV値(標準偏差/算術平均×100、単位:%)を示す。図6に示す結果から、新手法において、従来手法と比べて、再結合ライフタイム値のばらつきが抑制されていることが確認できる。
本発明の一態様は、
評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得する測定部と、
上記減衰曲線に対して指数減衰項と定数項とを含むモデル式による信号データ処理を施す処理部と、
上記信号データ処理によって得られた指数減衰の式から上記半導体試料の再結合ライフタイムを求める再結合ライフタイム算出部と、
を含む、半導体試料の評価装置、
に関する。
本発明の一態様は、
複数の半導体ウェーハを含む半導体ウェーハロットを製造すること、
上記半導体ウェーハロットから少なくとも1つの半導体ウェーハを抽出すること、
上記抽出された半導体ウェーハを上記評価方法によって評価すること、および、
上記評価の結果、良品と判定された半導体ウェーハと同じ半導体ウェーハロットの半導体ウェーハを製品半導体ウェーハとして出荷するための準備に付すこと、
を含む半導体ウェーハの製造方法(以下、「製造方法1」とも記載する。)、
に関する。
テスト製造条件下で評価用半導体ウェーハを製造すること、
上記製造された評価用半導体ウェーハを上記半導体試料の評価方法によって評価すること、
上記評価の結果に基づき、上記テスト製造条件に変更を加えた製造条件を実製造条件として決定するか、または上記テスト製造条件を実製造条件として決定すること、および、
上記決定された実製造条件下で半導体ウェーハを製造すること、
を含む半導体ウェーハの製造方法(以下、「製造方法2」とも記載する。)、
に関する。
Claims (14)
- 評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得すること、
前記減衰曲線に対して指数減衰項と定数項とを含むモデル式による信号データ処理を施すこと、および、
前記信号データ処理によって得られた指数減衰の式から前記半導体試料の再結合ライフタイムを求めること、
を含み、
前記信号データ処理を行うことによって前記モデル式における定数項を打ち消して前記指数減衰の式を取得すること、および
前記指数減衰の式から時定数τ B -1 +τ S -1 を求めること、
を更に含み、τ B は、SRH再結合ライフタイムであり、τ S は、表面再結合ライフタイムである、半導体試料の評価方法。 - 前記信号データ処理は、前記モデル式によってモデル化される時系列信号をサンプリングして差分を取る操作を繰り返すことを含む、請求項1に記載の半導体試料の評価方法。
- 前記サンプリングを行うサンプリング領域を決定するためのオートスケーリングを実行することを更に含む、請求項2に記載の半導体試料の評価方法。
- 前記オートスケーリングによって、オージェ再結合の影響が少なく、かつノイズの影響が少ない領域を、サンプリング領域として決定する、請求項3に記載の半導体試料の評価方法。
- 前記モデル式は、下記式(1’):
xi(ti)=A×exp[-(τB -1+τS -1)ti]-C ・・・(1’)
(式(1’)中、ti:励起光照射後の経過時間、xi(ti):経過時間tiにおける信号強度、τB:SRH再結合ライフタイム、τS:表面再結合ライフタイム、A、C:定数)
である、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体試料の評価方法。 - 評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得すること、
前記減衰曲線に対して指数減衰項と定数項とを含むモデル式による信号データ処理を施すこと、および、
前記信号データ処理によって得られた指数減衰の式から前記半導体試料の再結合ライフタイムを求めること、
を含み、
前記モデル式は、下記式(1’):
xi(ti)=A×exp[-(τ B -1 +τ S -1 )ti]-C ・・・(1’)
(式(1’)中、ti:励起光照射後の経過時間、xi(ti):経過時間tiにおける信号強度、τ B :SRH再結合ライフタイム、τ S :表面再結合ライフタイム、A、C:定数)
である、半導体試料の評価方法。 - 評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得する測定部と、
前記減衰曲線に対して指数減衰項と定数項とを含むモデル式による信号データ処理を施す処理部と、
前記信号データ処理によって得られた指数減衰の式から前記半導体試料の再結合ライフタイムを求める再結合ライフタイム算出部と、
を含み、
前記処理部は、
信号データ処理を行うことによって前記モデル式における定数項を打ち消して前記指数減衰の式を取得すること、および
前記指数減衰の式から時定数τ B -1 +τ S -1 を求めること、
を実行し、τ B は、SRH再結合ライフタイムであり、τ S は、表面再結合ライフタイムである、半導体試料の評価装置。 - 前記信号データ処理は、前記モデル式によってモデル化される時系列信号をサンプリングして差分を取る操作を繰り返すことを含む、請求項7に記載の半導体試料の評価装置。
- 前記処理部は、前記サンプリングを行うサンプリング領域を決定するためのオートスケーリングを実行する、請求項8に記載の半導体試料の評価装置。
- 前記処理部は、前記オートスケーリングによって、再結合の影響が少なく、かつノイズの影響が少ない領域を、サンプリング領域として決定する、請求項9に記載の半導体試料の評価装置。
- 前記モデル式は、下記式(1’):
xi(ti)=A×exp[-(τB -1+τS -1)ti]-C ・・・(1’)
(式(1’)中、ti:励起光照射後の経過時間、xi(ti):経過時間tiにおける信号強度、τB:SRH再結合ライフタイム、τS:表面再結合ライフタイム、A、C:定数)
である、請求項7~10のいずれか1項に記載の半導体試料の評価装置。 - 評価対象の半導体試料を光導電減衰法による測定に付すことによって減衰曲線を取得する測定部と、
前記減衰曲線に対して指数減衰項と定数項とを含むモデル式による信号データ処理を施す処理部と、
前記信号データ処理によって得られた指数減衰の式から前記半導体試料の再結合ライフタイムを求める再結合ライフタイム算出部と、
を含み、
前記モデル式は、下記式(1’):
xi(ti)=A×exp[-(τ B -1 +τ S -1 )ti]-C ・・・(1’)
(式(1’)中、ti:励起光照射後の経過時間、xi(ti):経過時間tiにおける信号強度、τ B :SRH再結合ライフタイム、τ S :表面再結合ライフタイム、A、C:定数)
である、半導体試料の評価装置。 - 複数の半導体ウェーハを含む半導体ウェーハロットを製造すること、
前記半導体ウェーハロットから少なくとも1つの半導体ウェーハを抽出すること、
前記抽出された半導体ウェーハを請求項1~6のいずれか1項に記載の評価方法によって評価すること、および、
前記評価の結果、良品と判定された半導体ウェーハと同じ半導体ウェーハロットの半導体ウェーハを製品半導体ウェーハとして出荷するための準備に付すこと、
を含む半導体ウェーハの製造方法。 - テスト製造条件下で評価用半導体ウェーハを製造すること、
前記製造された評価用半導体ウェーハを請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体試料の評価方法によって評価すること、
前記評価の結果に基づき、前記テスト製造条件に変更を加えた製造条件を実製造条件として決定するか、または前記テスト製造条件を実製造条件として決定すること、および、
前記決定された実製造条件下で半導体ウェーハを製造すること、
を含む半導体ウェーハの製造方法。
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