JP6073316B2 - 補償シリコンサンプルのドーパント含有量の特定 - Google Patents
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Description
− ドナー型ドーパント不純物およびアクセプタ型ドーパント不純物を含んでなるシリコンインゴットを提供する工程と、
− 第一の導電型と逆の第二の導電型との間の遷移が発生するインゴットの第一の領域の位置を特定する工程と、
− 第一の領域とは異なるインゴットの第二の領域中の遊離電荷キャリア濃度を、ホール効果により、またはフーリエ変換赤外線分光により測定する工程と、
− 第一の領域の位置およびインゴットの第二の領域中の遊離電荷キャリア濃度から、サンプル中のドーパント不純物の濃度を特定する工程と、
によって満足される傾向にある。
Claims (7)
- シリコンサンプル中のドーパント不純物の濃度(NA、ND)を特定する方法であって、以下の工程:
− ドナー型ドーパント不純物、ホウ素原子、および酸素原子を含んでなるシリコンインゴットを提供する工程と、
− 第一の導電型と逆の第二の導電型との間の遷移が発生する前記インゴットの第一の領域の位置(heq)を特定する工程(F1)と、
− p‐型であり前記第一の領域とは異なる前記インゴットの第二の領域中の遊離電荷キャリア濃度(q)を、前記インゴットの露光によってホウ素‐酸素複合体が活性化される時の前記電荷キャリアの寿命時間(τ)の変動をモニタリングすることによって測定する工程(F2)と、
− 前記第一の領域の前記位置(heq)および前記インゴットの前記第二の領域中の前記遊離電荷キャリア濃度(q)から、前記サンプル中の前記ドーパント不純物の濃度を特定する工程(F3)と、
を含んでなる方法。 - 前記シリコンインゴットに白色光を照射することによってホウ素‐酸素複合体を活性化する工程を含んでなる、請求項1に記載の方法。
- シリコンサンプル中のドーパント不純物の濃度(NA、ND)を特定する方法であって、以下の工程:
− ドナー型ドーパント不純物およびアクセプタ型ドーパント不純物を含んでなるシリコンインゴットを提供する工程と、
− 第一の導電型と逆の第二の導電型との間の遷移が発生する前記インゴットの第一の領域の位置(heq)を特定する工程(F1)と;
− 前記第一の領域とは異なる前記インゴットの第二の領域中の遊離電荷キャリア濃度(q)を、ホール効果によってまたはフーリエ変換赤外線分光によって測定する工程(F2)と、
− 前記第一の領域の前記位置(heq)および前記インゴットの前記第二の領域中の前記遊離電荷キャリア濃度(q)から、前記サンプル中の前記ドーパント不純物の濃度(NA、ND)を特定する工程(F3)と、
を含んでなる方法。 - 前記第二の領域が、固化開始部分である前記インゴットの端部である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記インゴットの端部における前記アクセプタ型ドーパント不純物の濃度NAおよび前記ドナー型ドーパント不純物の濃度NDが、以下の関係式:
によって特定される、請求項3に記載の方法。 - 前記インゴットの形成に用いられるシリコン供給原料中における前記アクセプタ型ドーパント不純物の濃度NAおよび前記ドナー型ドーパント不純物の濃度NDが、以下の関係式:
によって特定される、請求項3に記載の方法。 - 前記インゴットの前記第一の領域の前記位置(heq)が、以下の工程:
− 前記インゴットの複数の部分(P1、P2、P3)を、フッ化水素酸、硝酸、および酢酸またはリン酸に基づく化学処理に供して、前記部分のうち、前記第一の導電型と前記第二の導電型との間の前記遷移に対応する1つの部分に欠陥を出現させる工程と、
− 前記欠陥を示す前記部分(P2)の前記インゴット中での位置を特定する工程と、
によって得られる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
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