JP2013128571A - 遊技機用複合センサ - Google Patents

Abstract

【課題】不正行為を検出する機能とパチンコ玉その他の鋼球の通過を検出する機能とを併せ持つ遊技機用複合センサを提供する。
【解決手段】フォトセンサ本体部２０Ａと外乱光監視部２０Ｂと磁気センサ本体部２０Ｃとを並列に接続し、それらを外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに接続する。フォトセンサ本体部２０Ａからの出力信号と外乱光監視部２０Ｂからの出力信号と磁気センサ本体部２０Ｃからの出力信号をそれぞれ異なる信号レベルの段階に分けて出力する。
【選択図】図４

Description

本発明は、パチンコ玉などの鋼球をカウントする遊技機用複合センサに関する。

各種遊技機においてパチンコ玉を計数するために、パチンコ玉が通過する通路近傍に各種センサが取り付けられている。センサには磁気センサ、フォトセンサなどが用いられている。また、磁気センサとフォトセンサとを一つのセンサユニットとした複合センサも開発されている（特許文献１）。

一方、遊技機で使用されるパチンコ玉は、一般に鋼材でなっている。そのため、遊技機内で打ち出されたパチンコ玉を遊技機前面のガラスを介して磁石を用いて意図的に入賞口に誘導する不正行為が跡を絶たない。そのような不正行為を抑制するために、遊技者が磁石等を使用していないかを確かめるべく複数の磁気検出センサを搭載している。

遊技機においては、パチンコ玉の通過を検出するセンサは複数箇所にそれぞれ取り付けられ、不正行為を検出する不正行為検出用センサも適宜複数箇所に取り付けられているのが現状である。

特開２００７−７０３６号公報

このように、複数の通過検出用センサ及び不正行為検出用センサを遊技機に取り付けることになると、センサの数が増加すれば増加するほど遊技機内においてセンサの占有領域が増え、各センサからの配線を所定の端子に取り付ける作業も増加する。

そこで、本発明においては、不正行為を検出する機能とパチンコ玉その他の鋼球の通過を検出する機能とを併せ持つ遊技機用複合センサを提供することを目的とする。

本発明の目的を達成するために、本発明では、磁気センサ本体部とフォトセンサ本体部とが並列に接続されており、磁気センサ本体部からの出力信号とフォトセンサ本体部からの出力信号とがそれぞれ異なる信号レベルの段階に分けて出力されることを特徴とする。
この構成において、さらに、外乱光監視部が磁気センサ本体部及びフォトセンサ本体部に並列接続されており、外乱光監視部が磁気センサ本体部及びフォトセンサ本体部からの各出力信と異なる信号レベルで出力される。
好ましくは、磁気センサ本体部による磁気検知の検出範囲を広くする磁性体が設けられている。磁気センサ本体部がリードスイッチと抵抗とを直列接続してなる。

本発明によれば、磁気センサ本体部とフォトセンサ本体部との外部接続用端子を共有してそれぞれ信号レベルの異なる信号を出力する。これにより、磁気センサ本体部とフォトセンサ本体部とのそれぞれに外部接続用端子を設ける必要がなく、遊技機を制御する制御部への接続配線が半分となり、遊技機内におけるセンサ及び配線の占有割合の増加を抑制することができ、しかも、磁石などの磁気発生手段による不正行為を検知することができる。
外部光監視部を設けることで、不正行為による外乱光の照射を検知可能とし、フォトセンサ本体部による検知回数のみをカウントすれば、パチンコ玉など、磁性材からなる被検出物の通過数をカウントすることができる。
遊技機用複合センサに磁性体を設けることにより、磁気センサ本体部による磁気検出の範囲を広くすることができ、磁石などの磁気発生手段によって不正行為を確実検知することができる。

本発明の実施形態に係る遊技機用複合センサが取り付けられるパチンコ玉の通路形成部品を模式的に示す図である。 図１に示す遊技機用複合センサのモジュールを模式的に示すＩＩ−ＩＩ断面図である。 発光素子からの照射方向及び受光素子に入射する方向と通路との関係を模式的に示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る遊技機用複合センサの回路図である。 本発明の各実施形態に係る遊技機用複合センサの出力信号の一例を示す図である。 図４に示した遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。 本発明の第２の実施形態に係る遊技機用複合センサの回路図である。 図７に示した遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。 本発明の第３の実施形態に係る遊技機用複合センサの回路図である。 図９に示した遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。 本発明の第４の実施形態に係る遊技機用複合センサの回路図である。 図１１に示した遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。 本発明の第１乃至第４の実施形態に係る遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。 図２とは異なる遊技機用複合センサのモジュールを模式的に示す図である。

以下図面を参照しながら、本発明の幾つかの実施形態について詳細に説明する。以下では、鋼球としてのパチンコ玉の通過を検知することを想定して説明する。

図１は本発明の実施形態に係る遊技機用複合センサが取り付けられるパチンコ玉の通路を模式的に示しており、図２は遊技機用複合センサのモジュールを模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。

図１に示すように、本発明の実施形態に係るモジュール１０は、パチンコ玉１の通路２に挿入されている。モジュール１０には、二本の接続用配線１１Ａ，１１Ｂが取り付けられている。

モジュール１０は、例えば図２に示すように、パッケージ１２内で所定位置に、ＬＥＤなどの発光素子１３と、フォトトランジスタなどで構成され発光素子１３からの光を受ける受光素子１４と、外乱光を監視するための受光素子１５と、発光素子１３からの光を受光素子１４に反射するための光学部品１６と、磁石などの磁気発生手段による不正行為を検出する磁気センサ１７と、発光素子１３、受光素子１４，１５及び磁気センサ１７の間で回路を形成したプリント基板１８と、を備える。図２では回路配線は示していない。

これらの各素子は図２のように配置されている。モジュール１０にはパチンコ玉が通過する領域として開口孔１９が設けられており、開口孔１９は例えば図２に示すように略矩形の輪郭を有している。図２に示す例においては、発光素子１３と受光素子１４とが開口孔１９の一方の面に対となって配置され、光学部品１６としてのプリズムが発光素子１３及び受光素子１４に対向する面側に配置されている。外乱光用受光素子１５は発光素子１３と受光素子１４とが配置されている一方の面側で、受光素子１３と受光素子１４との間に配置されている。これにより、発光素子１３から出力された光が開口孔１９を通って光学部品１６としてのプリズムに入射し、プリズム内で二回反射し、再度開口孔１９を通って受光素子１４に入射する。図２に示すように、収容部１３Ｂと収容部１４Ｂにおいて、それぞれ光透過部１３Ａと光透過部１４Ａとには絞り１３Ｃ，絞り１４Ｃが設けられており、発光素子１３の光が広がらず、受光素子１４には発光素子１３からの光のみ入射するようにされている。

図２に示す断面図のように、一方側（−ｘ側）に矩形状の開口孔１９を有し、この開口孔１９を臨むように光透過部１３Ａ，１５Ａ，１４Ａが順に一つの面上に並んでいる。これら透過部１３Ａ，１５Ａ，１４Ａのそれぞれには隣接して収容部１３Ｂ，１５Ｂ，１４Ｂが設けられ、収容部１３Ｂ，１５Ｂ，１４Ｂにはそれぞれ発光素子１３，受光素子１４，外乱光用受光素子１５が収容されている。各収容部１３Ｂ，１５Ｂ，１４Ｂは光透過部１３Ａ，１５Ａ，１４Ａ以外からの光を遮断するよう区分けされている。収容部１３Ｂ，１５Ｂ，１４Ｂの光透過部１３Ａ，１５Ａ，１４Ａとは逆側に、プリント基板１８を収容する収容部１８Ｃが設けられている。プリント基板１８には二つの外部端子１８Ａ，１８Ｂが接続されており、これらの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂが接続用配線１１Ａ，１１Ｂと接続される。

発光素子１３及び受光素子１４は、開口孔１９の中心を向いておらず、かつ、開口孔１９の中心を通ってパチンコ玉１の通過する方向に沿う仮想線Ｌ、つまり、通路２の中心軸線（紙面に垂直な線）に向かわないように配置されている。その理由について説明すると、パチンコ玉１が連続して投入された場合であっても、発光素子１３からの光がパチンコ玉１同士の接触領域を通過しないようにすれば、パチンコ玉１と次のパチンコ玉１との間には必ず発光素子１３からの光が受光素子１４に入射するため、パチンコ玉１の数をカウントすることができるからである。以下、詳細に説明する。

図３は、発光素子からの照射方向及び受光素子に入射する方向と通路との関係を模式的に示す図である。図３ではパチンコ玉１が連続して通過している場合を示している。いま、発光素子１３からの光が通路２の中心軸を通るように受光素子１４に入射する場合を考える。２つのパチンコ玉１が点Ａで接触して通路２をｚ方向に向かって通過すると、２個のパチンコ玉１が開口孔１９を通過する前と通過した後の間では、発光素子１３からの光が点Ａを通って受光素子１４に入射するが、２つのパチンコ玉１が連続して通過している途中では発光素子１３からの光が２つのパチンコ玉１で遮られる。すると、２つのパチンコ玉１が通過しているにも拘わらず、パチンコ玉１は１つだけ通過していると判断することになる。

従って、本発明の実施形態においては、２つのパチンコ玉１の接触点Ａではなく、それよりも開口孔１９の縁に寄るよう、すなわち、通路２の断面寸法の一辺の長さの半分よりも通路壁側に寄せて、発光素子１３からの光が点Ｂを通って−ｘ方向に進み、光学部品１６により二回反射し、点Ｃを通って＋ｘ方向に進んで受光素子１４に向かうことが好ましい。

図４は本発明の第１の実施形態に係る遊技機用複合センサの回路図である。遊技機用複合センサ２０は、フォトセンサ本体部２０Ａと外乱光監視部２０Ｂと磁気センサ本体部２０Ｃとが互いに並列接続されており、何れも二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに並列接続されてなる。すなわち、遊技機複合センサ２０は、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対して接続された磁気センサ本体部２０Ｃと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対して接続されかつ磁気センサ本体部２０Ｃに対して並列接続されたフォトセンサ本体部２０Ａと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂ、磁気センサ本体部２０Ｃ及びフォトセンサ本体部２０Ａの何れにも並列接続された外乱光監視部２０Ｂとを、備える。磁気センサ本体部２０Ｃからの出力信号、フォトセンサ本体部２０Ａからの出力信号及び外乱光監視部２０Ｂからの出力信号がそれぞれ異なる信号レベルの段階に分けて出力される。

具体的には、遊技機用複合センサ２０は、発光素子としてのＬＥＤ２３と、ＬＥＤ２３からの光を検出する受光素子としてのフォトトランジスタ２４と、磁石などの磁気発生手段を用いて不正行為がなされているかを検出する磁気スイッチ２９Ａと、外乱光を監視するためのフォトトランジスタ２５と、を備え、プリント基板１８上に配置される第１の抵抗２６、第２の抵抗２７、第３の抵抗２９Ｂ、トランジスタ２８、磁気スイッチ２９Ａ及び保護回路としてのツェナーダイオード２２とで回路構成されている。

遊技機用複合センサ２０の回路構成を説明すると、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対し、外乱光監視部２０Ｂにおけるフォトトランジスタ２５と、保護回路としてのツェナーダイオード２２と、フォトセンサ本体部２０Ａと、磁気センサ本体部２０Ｃとが並列接続されている。

フォトセンサ本体部２０Ａの構成は次の通りである。ＬＥＤ２３と第１の抵抗２６とが直列接続され、ＬＥＤ２３のアノードとフォトトランジスタ２４の第１主電極としてのコレクタとが外部接続用端子１８Ａに接続され、フォトトランジスタ２４の第２主電極としてのエミッタがトランジスタ２８の制御電極としてのベースに接続され、トランジスタ２８の第１主電極としてのコレクタがＬＥＤ２３のカソードと第１の抵抗２６の一端との接続点に接続され、トランジスタ２８の第２主電極としてのエミッタが第２の抵抗２７の一端に接続され、第２の抵抗２７の他端が第１の抵抗２６の他端とともに外部接続用端子１８Ｂに接続されている。外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂは接続用配線２１Ａ，２１Ｂに接続され、一方の接続用配線２１Ａは直流電圧源Ｖ_ccに接続され、他方の接続用配線２１Ｂには負荷抵抗Ｒ_Lの一端が接続され、負荷抵抗Ｒ_Lの他端がグランドラインに接続されて接地され、負荷抵抗Ｒ_Lに加わる電圧が出力信号となる。

磁気センサ本体部２０Ｃは、磁石などの磁気発生手段が検出領域及びその近傍にあるとＯＮ，ＯＦＦするリードスイッチなどの磁気スイッチ２９Ａと、この磁気スイッチ２９Ａの一端に直列接続される第３の抵抗２９Ｂとからなる。

ここで、ツェナーダイオード２２は、外部接続用端子１８Ａ及び１８Ｂの間に異常電圧が加わったときの保護回路として働く。

磁気センサ本体部２０Ｃは、遊技機用複合センサ２０の近傍に不正行為によって磁石などの磁気発生手段が存在すると、磁気スイッチ２９ＡをＯＦＦからＯＮにして、外部接続用端子１８Ａを経由して接続用配線２１Ｂに出力信号としてＶ_ccＲ₃／（Ｒ₃＋Ｒ_L）を出力する。ここで、Ｒ₃は、第３の抵抗の値である。

フォトトランジスタ２５からなる外乱光監視部２０Ｂは、外乱光が入力されたときに、外部接続用端子１８Ａと外部接続用端子１８Ｂとを導通して、接続用配線２１Ｂに接続された負荷抵抗Ｒ_Lに対して電圧Ｖ_cc−Ｖ_ce(sat)を印加する。よって、外乱光の入力があると、外部接続用端子１８Ａを経由して接続用配線２１Ｂには出力信号としてＶ_cc−Ｖ_ce(sat)が出力される。ここで、Ｖ_ce(sat)は、フォトトランジスタ２５におけるコレクタ、エミッタ間の飽和電圧である。

パチンコ玉１が開口孔１９を通過しておらずフォトトランジスタ２４がＬＥＤ２３からの光を検出している場合には、トランジスタ２８がＯＮ状態となる。この状態の等価回路は、第１の抵抗２６と第２の抵抗２７との並列接続の一端がＬＥＤ２３のカソードの一端に接続され、かつ、その並列接続の他端が接続用配線２１Ｂに接続されたものとして表現される。よって、第１の抵抗２６、第２の抵抗２７の各抵抗値をＲ₁，Ｒ₂とすると、パチンコ玉１が通過していない状態では、外部接続用端子１８Ｂからの出力信号が（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁Ｒ₂／（Ｒ₁＋Ｒ₂）＋Ｒ_L）となる。ここで、Ｖ_FとはＬＥＤ２３の順方向電圧（「立ち上がり電圧」とも呼ぶ。）である。

パチンコ玉１が通過しておりフォトトランジスタ２４がＬＥＤ２３からの光を検出していない場合には、トランジスタ２８がＯＦＦ状態となる。この等価回路は、Ｖ_ccに対しＬＥＤ２３と第１の抵抗２６と負荷抵抗Ｒ_Lとが直列接続されたものとして表すことができる。よって、外部接続用端子１８Ｂからの出力信号は、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁＋Ｒ_L）となる。ここで、Ｖ_FとはＬＥＤ２３の順方向電圧（「立ち上がり電圧」とも呼ぶ。）である。

以上説明したように、パチンコ玉１が通過している場合、パチンコ玉１が通過していない場合、磁石などの磁気発生手段が近傍に存在した場合、外乱光があった場合とで、それぞれ出力信号を、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁＋Ｒ_L）、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁Ｒ₂／（Ｒ₁＋Ｒ₂）＋Ｒ_L）、Ｖ_ccＲ₃／（Ｒ₃＋Ｒ_L）、Ｖ_cc−Ｖ_ce(sat)の四段階に区分けすることができる。その際、抵抗の値Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃の大小関係を調整することにより、例えば図５に示すように、この順序に出力信号を大きくすることができ、外乱光、磁気発生手段などによる不正行為があったか否か、それともそのような不正行為がない状態で、パチンコ玉１の通過を確認することができる。

図６は図４に示す遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。図６に示す遊技機用複合センサ３０の回路において、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂとフォトセンサ本体部２０Ａと外乱光監視部３０Ｂと磁気センサ本体部２０Ｃを備えている点では図４に示す遊技機用複合センサ２０と同じであるが、外乱光監視部３０Ｂの構成が異なる。

外乱光監視部３０Ｂは、外部接続用端子１８Ａ及び１８Ｂに対して増幅用トランジスタ３２が並列接続されており、増幅用トランジスタ３２の制御電極としてのベースに対し光検出素子３１の第２主電極としてのエミッタが接続されている。すなわち、外乱光監視部３０Ｂはフォトダーリントントランジスタで構成してもよい。これは、パチンコ玉が通過している状態においてフォトトランジスタ２４へ影響を及ぼす外乱光が意図的に照射されたとき、外乱光監視部３０Ｂの設置箇所と光検出素子３１の検出感度に応じて増幅用トランジスタ３２により検出感度を増加させるためである。

第１の実施形態では、フォトセンサ本体部２０Ａがパチンコ玉１などの被検出物による光の遮断を検出し、外乱光監視部２０Ｂ，３０Ｂが外乱光を検出し、磁気センサ本体部２０Ａが磁石などの磁場発生手段の存在を検出する回路は、第１の実施形態では図４及び図６に示すように次のように形成されている。

フォトセンサ本体部２０Ａは、発光素子としてのＬＥＤ２３と、ＬＥＤ２３に流れる電流を制御するための第１の抵抗２６と、ＬＥＤ２３からの光を検出する受光素子としてのフォトトランジスタ２４と、フォトトランジスタ２４により制御されるトランジスタ２８と、トランジスタ２８に接続される第２の抵抗２７とを備えている。具体的には、ＬＥＤ２３のアノードとフォトトランジスタ２４の第１主電極との接続点が一方の外部接続用端子１８Ａに接続されている。ＬＥＤ２３のカソードと第１の抵抗２６の一端とがトランジスタ２８の第１主電極に接続されている。トランジスタ２８の第２主電極と第２の抵抗２７の一端が接続され、フォトトランジスタ２４の第２主電極とトランジスタ２８の制御電極とが接続されている。第１の抵抗２６の他端と第２の抵抗２７の他端との接続点が他方の外部接続用端子１８Ｂに接続されている。

外乱光監視部２０Ｂは、図４に示すように、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂの間にフォトトランジスタ２５を接続して構成されていてもよい。外乱光監視部３０Ｂは、図６に示すように、フォトトランジスタ３１と増幅用トランジスタ３２とで構成されてもよい。図６に示す態様では、フォトトランジスタ３１の一端と増幅用トランジスタ３２の一端とが一方の外部接続用端子１８Ａに接続されており、フォトトランジスタ３１の他端が増幅用トランジスタ３２の制御電極としてのベース電極に接続され、増幅用トランジスタ３１の他端が他方の外部接続用端子１８Ｂに接続されている。

図７は、本発明の第２の実施形態に係る遊技機用複合センサの回路図である。遊技機用複合センサ４０は、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対して接続された磁気センサ本体部４０Ｃと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対して接続されかつ磁気センサ本体部４０Ｃに対して並列接続されたフォトセンサ本体部４０Ａと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂ、磁気センサ本体部４０Ｃ及びフォトセンサ本体部４０Ａに並列接続された外乱光監視部４０Ｂとを、備える。磁気センサ本体部４０Ｃからの出力信号と、フォトセンサ本体部４０Ａからの出力信号、外乱光監視部４０Ｂからの出力信号がそれぞれ異なる信号レベルの段階に分けて出力される。

具体的には、遊技機用複合センサ４０は、発光素子としてのＬＥＤ４３と、ＬＥＤ４３からの光を検出する受光素子としてのフォトトランジスタ４４と、磁石などの磁気発生手段を用いて不正行為がなされているかを検出する磁気スイッチ２９Ａと、外乱光を監視するためのフォトトランジスタ４５と、を備え、プリント基板１８上に配置される第１の抵抗４６、第２の抵抗４７、第３の抵抗２９Ｂ、第４の抵抗４９Ａ、トランジスタ４８、磁気スイッチ２９Ａ及び保護回路としてのツェナーダイオード４２とで回路構成されている。

遊技機用複合センサ４０の回路構成を説明する。外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対し、外乱光監視部４０Ｂとしてのフォトトランジスタ４５と、保護回路としてのツェナーダイオード４２と、フォトセンサ本体部４０Ａと、磁気センサ本体部４０Ｃとが並列接続されている。

外乱光監視部４０Ｂと磁気センサ本体部２０Ｃとツェナーダイオード４２とは図４における外乱光監視部２０Ｂと磁気センサ本体部２０Ｃとツェナーダイオード２２と同じ構成、作用であり、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂには接続用配線４１Ａ，４１Ｂが接続され、一方の接続用配線４１Ａは直流電圧源Ｖ_ccに接続され、他方の接続用配線４１Ｂは負荷抵抗Ｒ_Lの一端に接続され、負荷抵抗Ｒ_Lの他端がグランドラインに接続されて接地され、負荷抵抗Ｒ_Lに加わる電圧が出力信号となる。

フォトセンサ本体部４０Ａの構成は次の通りである。ＬＥＤ４３と第１の抵抗４６とが直列接続され、フォトトランジスタ４４と第４の抵抗４９Ａが直列接続され、ＬＥＤ４３のアノードとフォトトランジスタ４４の第１主電極としてのコレクタとが外部接続用端子１８Ａに接続され、フォトトランジスタ４４の第２主電極としてのエミッタと第４の抵抗４９Ａの一端との接続点がトランジスタ４８の制御電極としてのベースに接続され、トランジスタ４８の第１主電極としてのコレクタに第２の抵抗４７の一端が接続され、ＬＥＤ４３のカソード側に第２の抵抗４７の他端が接続され、トランジスタ４８の第２主電極としてのエミッタに第１の抵抗４６及び第４の抵抗４９Ａの各他端が接続されている。さらに、コンデンサ４９Ｂが、トランジスタ４８の第１主電極としてのエミッタと第２主電極としてのコレクタに並列に接続されている。

ＬＥＤ４３とフォトトランジスタ４４とのペアは、図４におけるＬＥＤ２３とフォトトランジスタ２４とのペアと同じく、パチンコ玉の有無を検出する機能を有する。第１の抵抗４６は図４における第１の抵抗２６と同様、ＬＥＤ４３の駆動電圧を制御する駆動補助抵抗として機能する。トランジスタ４８は図４におけるトランジスタ２８と同じく順方向電流の切り替えを行う手段である。第２の抵抗４７は、図４における第２の抵抗２７と同じく、負荷抵抗Ｒ_Lとで出力電圧を分圧する出力分圧抵抗として機能する。よって、図７に示す遊技機用複合センサ４０においても、パチンコ玉１が通過している場合、パチンコ玉１が通過していない場合、磁石などの磁気発生手段が近傍に存在した場合、外乱光があった場合とで、それぞれ出力信号を、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁＋Ｒ_L）、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁Ｒ₂／（Ｒ₁＋Ｒ₂）＋Ｒ_L）、Ｖ_ccＲ₃／（Ｒ₃＋Ｒ_L）、Ｖ_cc−Ｖ_ce(sat)，の四段階に区分けすることができる。その際、抵抗の値Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃の大小関係を調整することにより、例えば図５に示すように、この順序に出力信号を大きくすることができ、外乱光、磁気発生手段などによる不正行為があったか否か、それともそのような不正行為がない状態で、パチンコ玉１の通過を確認することができる。

ここで、図７の回路図においては、トランジスタ４８とフォトトランジスタ４４との接続点と外部接続用端子１８Ｂとの間に第４の抵抗４９Ａを設けているが、図４においては第４の抵抗を同様に設けても設けていなくても回路動作上支障がないので、設けていない。また、図７の回路図において、トランジスタ４８のエミッタ及びコレクタ間にコンデンサ４９Ｂを設けているが、これは、ＬＥＤ４３のカソード側の電圧を一定に保つことで、ＬＥＤ４３から出力される光強度を安定化させるためである。また、このコンデンサ４９Ｂは、トランジスタ４８がＯＦＦからＯＮになるまでの時間を速くするためでもある。

図８は本発明の第２の実施形態に係る遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。図８に示す遊技機用複合センサ５０の回路において、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂとセンサ本体部４０Ａと外乱光監視部５０Ｂを備えている点では図７に示す遊技機用複合センサ４０と同じであるが、外乱光監視部５０Ｂの構成が異なる。

外乱光監視部５０Ｂは、外部接続用端子１８Ａ及び１８Ｂに対して増幅用トランジスタ５２が並列接続されており、増幅用トランジスタ５２の制御電極としてのベースに対しフォトトランジスタ５１の第２主電極としてのエミッタが接続されている。すなわち、外乱光監視部５０Ｂはフォトダーリントントランジスタで構成してもよい。これは、パチンコ玉が通過している状態においてフォトトランジスタ４４へ影響を及ぼす外乱光が意図的に照射されたとき、外乱光監視部５０Ｂの設置箇所と光検出素子５１の検出感度に応じて増幅用トランジスタ５２により検出感度を増加させるためである。

このように、第２の実施形態においても、フォトセンサ本体部４０Ａの基本的な構成及び外乱光検出部４０Ｂ，５０Ｂの構成は、第１の実施形態と同様である。

図９は、本発明の第３の実施形態に係る遊技機用複合センサの回路図である。遊技機用複合センサ６０は、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対して接続された磁気センサ本体部６０Ｃと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対して接続されかつ磁気センサ本体部６０Ｃに対して並列接続されたフォトセンサ本体部６０Ａと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂ、磁気センサ本体部６０Ｃ及びフォトセンサ本体部６０Ａに並列接続された外乱光監視部６０Ｂとを、備える。磁気センサ本体部６０Ｃからの出力信号と、フォトセンサ本体部６０Ａからの出力信号、外乱光監視部６０Ｂからの出力信号がそれぞれ異なる信号レベルの段階に分けて出力される。

具体的には、遊技機用複合センサ６０は、発光素子としてのＬＥＤ６３と、ＬＥＤ６３からの光を検出するフォトトランジスタ６４と、磁石などの磁気発生手段を用いて不正行為がなされているかを検出する磁気スイッチ２９Ａと、外乱光を監視するためのフォトトランジスタ６５と、を備え、プリント基板１７上に配置される第１の抵抗６６、第２の抵抗６７、第３の抵抗２９Ｃ、トランジスタ６８及び保護回路としてのツェナーダイオード６２とで回路構成されている。

遊技機用複合センサ６０の回路構成を説明する。外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対し、外乱光監視部６０Ｂとしてのフォトトランジスタ６５と、保護回路としてのツェナーダイオード６２と、フォトセンサ本体部６０Ａと、磁気センサ本体部６０Ｃとが並列接続されている。外乱光監視部６０Ｂと磁気センサ本体部６０Ｃとツェナーダイオード６２は、図４における外乱光監視部２０Ｂと磁気センサ本体部２０Ｃとツェナーダイオード２２と同じ構成、作用であり、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂには接続用配線６１Ａ，６１Ｂが接続され、一方の接続用配線６１Ａは直流電圧源Ｖ_ccに接続され、他方の接続用配線６１Ｂは負荷抵抗Ｒ_Lの一端に接続され、負荷抵抗Ｒ_Lの他端がグランドラインに接続されて接地され、負荷抵抗Ｒ_Lに加わる電圧が出力信号となる。

フォトセンサ本体部６０Ａの構成は次の通りである。第１の抵抗６６とＬＥＤ６３とが直列接続されており、第１の抵抗６６のうちＬＥＤ６３と接続されていない側の一端と、フォトトランジスタ６４の第１主電極としてのコレクタと、第２の抵抗６７の一端と、が外部接続用端子１８Ａに接続されている。ＬＥＤ６３のカソード側は、外部接続用端子１８Ｂに接続されている。フォトトランジスタ６４の第２主電極としてのエミッタがトランジスタ６８の制御電極としてのベースに接続されている。トランジスタ６８の第１主電極としてのコレクタと第２の抵抗６７の他端が接続されている。トランジスタ６８の第２主電極としてのエミッタが第１の抵抗６６及びＬＥＤ６３のアノードに接続されている。

フォトトランジスタ６５からなる外乱光監視部６０Ｂは、外乱光が入力されたときに、接続用配線６１Ａと６１Ｂとを導通して、接続用配線６１Ｂに接続された負荷抵抗Ｒ_Lに対して電圧Ｖ_cc−Ｖ_ce(sat)が印加される。よって、外乱光の入力があると、外部接続用端子１８Ｂに出力される電圧はＶ_cc−Ｖ_ce(sat)となる。ここで、Ｖ_ce(sat)は、フォトトランジスタ６５におけるコレクタ、エミッタ間の飽和電圧である。

パチンコ玉１が通過しておらずフォトトランジスタ６４がＬＥＤ６３からの光を検知している場合には、トランジスタ６８がＯＮ状態となる。この状態の等価回路は、第１の抵抗６６と第２の抵抗６７との並列接続の一端がＬＥＤ６３のアノードの一端に接続され、他端が外部接続用端子１８Ａに接続されたものとして表される。よって、第１の抵抗６６、第２の抵抗６７の各抵抗値をＲ₁，Ｒ₂とすると、パチンコ玉１が通過していない状態では、外部接続用端子１８Ｂに出力される電圧は（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁Ｒ₂／（Ｒ₁＋Ｒ₂）＋Ｒ_L）となる。

パチンコ玉１が通過しておりフォトトランジスタ６４がＬＥＤ６３からの光を検知していない場合には、トランジスタ６８がＯＦＦ状態となる。この状態の等価回路は、Ｖ_ccに対し第１の抵抗５６とＬＥＤ５３と負荷抵抗Ｒ_Lとが直列接続されたものとして表すことができる。よって、外部接続用端子１８Ｂに出力される電圧は、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁＋Ｒ_L）となる。ただし、Ｖ_FはＬＥＤ６３の順方向電圧（立ち上がり電圧とも呼ぶ。）である。

図９に示す遊技機用複合センサ６０においても、パチンコ玉１が通過している場合、パチンコ玉１が通過していない場合、磁石などの磁気発生手段が近傍に存在した場合、外乱光があった場合とで、それぞれ出力信号を、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁＋Ｒ_L）、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁Ｒ₂／（Ｒ₁＋Ｒ₂）＋Ｒ_L）、Ｖ_ccＲ₃／（Ｒ₃＋Ｒ_L）、Ｖ_cc−Ｖ_ce(sat)の四段階に区分けすることができる。その際、抵抗の値Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃の大小関係を調整することにより、例えば図５に示すように、この順序に出力信号を大きくすることができ、外乱光、磁気発生手段などによる不正行為があったか否か、それともそのような不正行為がない状態で、パチンコ玉１の通過を確認することができる。

図１０は本発明の第３の実施形態に係る遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。図１０に示す遊技機用複合センサ７０の回路において、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂとフォトセンサ本体部６０Ａと外乱光監視部７０Ｂと磁気センサ本体部６０Ｃを備えている点では図９に示す遊技機用複合センサ６０と同じであるが、外乱光監視部７０Ｂの構成が異なる。

外乱光監視部７０Ｂは、外部接続用端子１８Ａ及び１８Ｂに対して増幅用トランジスタ７２が並列接続されており、増幅用トランジスタ７２の制御電極としてのベースに対しフォトトランジスタ７１の第２主電極としてのエミッタが接続されている。すなわち、外乱光監視部７０Ｂはフォトダーリントントランジスタで構成してもよい。これは、遊技機用複合センサ７０においてフォトトランジスタ７１が設けられる箇所や遊技機用複合センサ７０が取り付けられる箇所に応じて、遊技機用複合センサ７０に入射される外乱光が弱い場合であっても、増幅用トランジスタ７２により検出感度を増加させるためである。

本発明の各実施形態では、何れも、フォトセンサ本体部２０Ａ，４０Ａ，６０Ａが、ＬＥＤ２３，４３，６３と、このＬＥＤ２３，４３，６３に流れる電流を制御するための第１の抵抗２６，４６，６６と、ＬＥＤ２３，４３，６３からの光を検出するフォトトランジスタ２４，４４，６４と、フォトトランジスタ２４，４４，６４により制御されるトランジスタ２８，４８，６８と、トランジスタ２８，４８，６８に接続される第２の抵抗と２７，４７，６７を含んで構成され、パチンコ玉１の通過の有無に応じて出力電圧の大きさが変化している。また、磁石などの磁気発生手段による不正行為があった場合には、磁気センサ本体部２０Ｃ，４０Ｃ，６０Ｃにより磁気を検出することにより、パチンコ玉１が通過している場合と通過していない場合とは別の異なるレベルの電圧を出力する。さらに、好ましくは、外乱光監視部２０Ｂ，３０Ｂ，４０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂにより外乱光の入力があった場合には、パチンコ玉１が通過している場合、通過していない場合及び磁気発生手段による不正行為があった場合とは、別の異なるレベルの電圧を出力する。よって、この出力信号の大きさをモニタリングすることで、磁石などの磁気発生手段が使用されているか否か及び／又は外乱光を監視した状態でパチンコ玉１が通過しているか否かを検出することができる。

図１１は本発明の第４の実施形態に係る遊技機用複合センサを示す回路図である。第４の実施形態に係る遊技機用複合センサ８０は、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対して接続された磁気センサ本体部８０Ｃと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対して接続されかつ磁気センサ本体部８０Ｃに対して並列接続されたフォトセンサ本体部８０Ａと、二つの外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂ、磁気センサ本体部８０Ｃ及びフォトセンサ本体部８０Ａに並列接続された外乱光監視部８０Ｂとを、備える。磁気センサ本体部８０Ｃからの出力信号、フォトセンサ本体部８０Ａからの出力信号及び外乱光監視部８０Ｂからの出力信号がそれぞれ異なる信号レベルの段階に分けて出力される。

具体的には、遊技機用複合センサ８０は、発光素子としてのＬＥＤ８３と、ＬＥＤ８３からの光を検出するフォトトランジスタ８４と、外乱光を監視するためのフォトトランジスタ８５と、磁石などの磁気発生手段を検出する磁気スイッチ２９Ａを備え、プリント基板１７上に配置される各抵抗、第１及び第２のトランジスタ８７，８８及び保護回路としてのツェナーダイオード８２とで回路構成されている。

遊技機用複合センサ８０の回路構成を説明する。外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに対し、外乱光監視部８０Ｂとしてのフォトトランジスタ８５と、保護回路としてのツェナーダイオード８２と、フォトセンサ本体部８０Ａと、磁石などの磁気発生手段を検出する磁気センサ本体部８０Ｃとが並列接続されている。外乱光監視部８０Ｂと磁気センサ本体部８０Ｃとツェナーダイオード８２は、図４における外乱光監視部２０Ｂと磁気センサ本体部２０Ｃとツェナーダイオード２２と同じ構成、作用である。すなわち、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂには接続用配線８１Ａ，８１Ｂが接続され、一方の接続用配線８１Ａは直流電圧源Ｖ_ccに接続され、他方の接続用配線８１Ｂは負荷抵抗Ｒ_Lの一端に接続され、負荷抵抗Ｒ_Lの他端がグランドラインに接続されて接地され、負荷抵抗Ｒ_Lに加わる電圧が出力信号となる。

フォトセンサ本体部８０Ａの構成は次の通りである。フォトトランジスタ８４と抵抗８６とが直列接続されて、その両端が外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに接続されている。フォトトランジスタ８４と抵抗８６との接続点には、第１のトランジスタ８７における制御電極としてのベースが接続されている。第１のトランジスタ８７における第１の主電極としてのコレクタが抵抗８９の一端に接続されている。第２のトランジスタ８８における第１の主電極としてのコレクタが抵抗９０の一端に接続されている。その抵抗９０の他端が、抵抗８９の他端及びフォトトランジスタ８４の一方の主電極と共に外部接続用端子１８Ａに接続されている。第１のトランジスタ８７及び第２のトランジスタ８８における各第２の主電極としてのエミッタが共にＬＥＤ８３のアノードに接続されている。第１のトランジスタ８７における第１の主電極と抵抗８９との接続点には、抵抗９２と加速コンデンサ９３との並列接続の一端が接続されている。抵抗９２と加速コンデンサ９３との並列接続の他端が、抵抗９１の一端と第２のトランジスタ８８の制御電極としてのベースとに接続されている。抵抗９１の他端は、抵抗８６の他端及びＬＥＤ８３のカソードと共に外部接続用端子１８Ｂに接続されている。

フォトセンサ本体部８０Ａの動作原理について説明する。ＬＥＤ８３とフォトトランジスタ８４とで、フォトインタラプタが構成されている。ＬＥＤ８３による発光がフォトトランジスタ８４で検出されることで、光路が開放されており、パチンコ玉１が光路を遮断していない状態と判断される。一方、ＬＥＤ８３による発光がフォトトランジスタ８４で検出されないと光路がパチンコ玉１で遮断されている状態と判断される。抵抗９１及び抵抗９２により第２のトランジスタ８８から第１のトランジスタ８７に信号を帰還している。またＬＥＤ８３により第１のトランジスタ８７からの出力を次段である第２のトランジスタ８８へ入力している。第１のトランジスタ８７と第２のトランジスタ８８とは何れか一方がＯＮの状態では他方がＯＦＦ状態となる。

通常、ＬＥＤ８３からの光がフォトトランジスタ８４に入射されているため、フォトトランジスタ８４がＯＮ状態となり、第１のトランジスタ８７がＯＮ状態となり、第２のトランジスタ８８がＯＦＦ状態となっている。

ＬＥＤ８３からの光がフォトトランジスタ８４に入射しなくなると、第１のトランジスタ８７のベース電位が下がり、第１のトランジスタ８７がＯＦＦ状態となる。それに伴い、第２のトランジスタ８８のベース電位が上がり、第２のトランジスタ８８のコレクタ電流が大きくなる。そして、第１のトランジスタ８７と第２のトランジスタ８８のエミッタ電位が下がり、第２のトランジスタ８８のコレクタ電流が益々流れる。このように、第２のトランジスタ８８のコレクタ電流が益々流れ、第１のトランジスタ８７のコレクタ電流が益々減る。その結果、第２のトランジスタ８８がＯＮ状態となる。

次に、ＬＥＤ８３からの光がフォトトランジスタ８４に入射するようになると、第１のトランジスタ８７のベース電位が上昇し、第１のトランジスタ８７がＯＮ状態となる。それに伴い、第１のトランジスタ８７のコレクタ電流が流れ始め、第１のトランジスタ８７のコレクタ電位が下がる。すると、第２のトランジスタ８８のベース電位が下がり、第２のトランジスタ８８のコレクタ電流が小さくなる。そして、第１のトランジスタ８７及び第２のトランジスタ８８におけるエミッタ電位が下がり、第１のトランジスタ８７のコレクタ電流が増加する。そうなると、さらに、第１のトランジスタ８７のコレクタ電位が益々下がる。このように、第１のトランジスタ８７のコレクタ電流が益々流れ、第２のトランジスタ８８のコレクタ電流が益々減る。その結果、第２のトランジスタ８８がＯＦＦ状態となる。

磁気センサ本体部８０Ｃは、遊技機用複合センサ８０の近傍に不正行為によって磁石などの磁気発生手段が存在すると、磁気スイッチ２９ＡをＯＦＦからＯＮにして、外部接続用端子１８Ａを経由して接続用配線２１Ｂに出力信号としてＶ_ccＲ₃／（Ｒ₃＋Ｒ_L）を出力する。ここで、Ｒ₃は第３の抵抗２９Ｂの値である。

フォトトランジスタ８４からなる外乱光監視部８０Ｂは、外乱光が入力されたときに、接続用配線８１Ａと接続用配線８１Ｂとを導通して、接続用配線８１Ｂに接続された負荷抵抗Ｒ_Lに対して電圧Ｖ_cc−Ｖ_ce(sat)が印加される。よって、外乱光の入力があると、外部接続用端子１８Ｂに出力される電圧はＶ_cc−Ｖ_ce(sat)となる。ここで、Ｖ_ce(sat)は、フォトトランジスタ８５におけるコレクタ、エミッタ間の飽和電圧である。

パチンコ玉１が通過しておらずフォトトランジスタ８４がＬＥＤ８３からの光を検知している場合には、第１のトランジスタ８７がＯＮ状態となり、第２のトランジスタ８８がＯＦＦ状態となる。この状態の等価回路は、抵抗８６、第２の抵抗８９の各抵抗値をＲ₁，Ｒ₂とし、Ｒ₁＞＞Ｒ₂の条件下において、抵抗８９とＬＥＤ８３との直列接続に対し抵抗８６が並列接続され、その両端が外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに接続されたものとして表すことができる。よって、パチンコ玉１が通過していない状態では、外部接続用端子１８Ｂに出力される電圧は（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁Ｒ₂／（Ｒ₁＋Ｒ₂）＋Ｒ_L）≒（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₂＋Ｒ_L）となる。ただし、Ｖ_FはＬＥＤ８３の順方向電圧（立ち上がり電圧とも呼ぶ。）である。

パチンコ玉１が通過しておりフォトトランジスタ８４がＬＥＤ８３からの光を検知していない場合には、第１のトランジスタ８７がＯＦＦ状態となり、第２のトランジスタ８８がＯＮ状態となる。この状態の等価回路は、抵抗９０、第２の抵抗８９の各抵抗値をＲ，Ｒ₂とし、Ｒ＞＞Ｒ₂の条件下において、Ｖ_ccに対し抵抗９０とＬＥＤ８３と負荷抵抗Ｒ_Lとが直列接続されたものとして表すことができる。よって、抵抗９０の抵抗値をＲとすると、外部接続用端子１８Ｂに出力される電圧は、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ＋Ｒ_L）となる。ただし、Ｖ_FはＬＥＤ８３の順方向電圧（立ち上がり電圧とも呼ぶ。）である。

図１１に示す遊技機用複合センサ８０においても、パチンコ玉１が通過している場合、パチンコ玉１が通過していない場合、磁石などの磁気発生手段が近傍に存在した場合、外乱光があった場合とで、それぞれ出力信号を、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₁＋Ｒ_L）、（Ｖ_cc−Ｖ_F）Ｒ_L／（Ｒ₂＋Ｒ_L）、Ｖ_ccＲ₃／（Ｒ₃＋Ｒ_L）、Ｖ_cc−Ｖ_ce(sat)の四段階に区分けすることができる。その際、抵抗の値Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃の大小関係を調整することにより、例えば図５に示すように、この順序に出力信号を大きくすることができ、外乱光、磁気発生手段などによる不正行為があったか否か、それともそのような不正行為がない状態でのパチンコ玉１の通過を確認することができる。

図１１は本発明の第４の実施形態に係る遊技機用複合センサの変形例を示す回路図である。図１１に示す遊技機用複合センサ１００の回路では、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂとフォトセンサ本体部８０Ａと磁気センサ本体部８０Ｃと外乱光監視部１００Ｂを備えている点において図１１に示す遊技機用複合センサ８０と同じであるが、外乱光監視部１００Ｂの構成が異なる。

外乱光監視部１００Ｂは、外部接続用端子１８Ａ及び１８Ｂに対して増幅用トランジスタ１０２が並列接続されており、増幅用トランジスタ１０２の制御電極としてのベースに対しフォトトランジスタ１０１の第２主電極としてのエミッタが接続されている。すなわち、外乱光監視部１００Ｂはフォトダーリントントランジスタで構成してもよい。これは、パチンコ玉が通過している状態においてフォトトランジスタ８４へ影響を及ぼす外乱光が意図的に照射されたとき、外乱光監視部１００Ｂの設置箇所と光検出素子１０１の検出感度に応じて増幅用トランジスタ１０２により検出感度を増加させるためである。

このように、第４の実施形態では、図１１及び図１２に示すように、フォトセンサ本体部８０Ａが、ＬＥＤ８３と、ＬＥＤ８３からの光を受けるフォトトランジスタ８４と、ＬＥＤ８３に接続される第１及び第２のトランジスタ８７，８８と、を備えている。一方の外部配線用接続端子１８Ａに、フォトトランジスタ８４の一端と、第１及び第２のトランジスタ８７，８８の各コレクタにそれぞれ接続された抵抗８９，９０の一端と、が接続されている。他方の外部配線用接続端子１８Ｂに、ＬＥＤ８３のカソードと、第１のトランジスタ８７におけるベース及びフォトトランジスタ８４に接続されている抵抗８６の一端と、第２のトランジスタ８８から第１のトランジスタ８７に信号を帰還するための抵抗９１，９２の各一端と、が接続されている。ＬＥＤ８３のアノードが第１のトランジスタ８７及び第２のトランジスタ８８の各エミッタに接続されている。

以上、本発明の実施形態を説明したが、遊技機用複合センサの回路構成は図４，図５〜図１２に示したものに限定されることなく、それと等価な回路まで含まれるものとする。例えば各フォトトランジスタ及びトランジスタにおけるエミッタとコレクタとは接続が逆であってもよい。

第１乃至第４の実施形態では、一方の外部接続用端子１８Ａが直流電圧源Ｖ_ccに接続され、他方の外部接続用端子１８Ｂが負荷抵抗Ｒ_Lに接続され、負荷抵抗Ｒ_Lの一端がグランドラインに接続されて負荷抵抗Ｒ_Lの他端が出力端子に接続されている。しかしながら、この態様に限定されることなく、例えば図１３に示すように、一方の外部接続用端子１８Ａが負荷抵抗Ｒ_Lを介在して直流電圧源Ｖ_ccに接続され、他方の外部接続用端子１８Ｂがグランドラインに接続され、負荷抵抗Ｒ_Lの一端のうち一方の外部接続用端子１８Ａ側が出力端子に接続されてもよい。すなわち、外部接続用端子１８Ａを、電源Ｖｃｃに接続された負荷抵抗Ｒ_Lの一端に対して外部接続用配線１１０Ａを介在して接続し、外部接続用端子１８Ｂを外部接続用配線１１０Ｂを介在してアースに接地してもよい。その際、負荷抵抗Ｒ_Lの外部接続用端子１８Ａ側を出力とする。なお、図１３において、センサ本体部１１０Ａ，外乱光監視部１１０Ｂ，ツェナーダイオード１１２については、前述の第１乃至第４の各実施形態及び変形例と同様である。

さらに、外乱光監視部、磁気センサ本体部について、図示した回路では、外乱光監視部は外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂにフォトダイオードを接続して構成されているが、フォトトランジスタに抵抗を直列接続したものを外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに接続する一方、磁気センサ本体部は磁気スイッチ２９Ａを外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂに直接接続するようにしてもよい。

このように、外乱光を検出する外乱光監視部、磁石などの磁場発生手段の存在を検出する磁気センサ本体部、パチンコ玉などの鋼球そのものの通過を検出するフォトセンサ本体部を相互に並列接続し、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂを共有している。よって、遊技機内での配線接続のためのスペースが増加せず、多種多様な設計をすることが可能となる。また、外部接続用端子１８Ａ，１８Ｂの何れか一方を電源に接続することにより、電源供給ラインも一本に共有することができる。

また、本発明の実施形態では、発光素子と受光素子との間の光路をパチンコ玉１が遮断する場合を説明しているが、パチンコ玉１の通路にパチンコ玉１が通過すると変位する通過確認用部材、例えば通路上に突起部材が出ておりパチンコ玉１が通過することにより突起が引っ込むような通過確認用部材を非透過部材で形成して設けておき、その通過確認用部材の変位の有無を発光素子と受光素子との間の光路の遮断の有無として検出してもよい。通過確認用部材は、遊技用球や遊技用玉などの通過を遮蔽したり解放したりする部材であり、それらが動作しているか否かを検出するものであってもよい。

磁気スイッチとしては、リードスイッチのほか、磁気抵抗効果素子、ホール素子などの各種の磁気センサを用いてもよい。

本発明の実施形態に係る遊技機用複合センサにおいて、発光素子、受光素子、磁気スイッチ部の配置については、図２に示すようなハウジングに限らず、例えば図１５に示す態様であってもよい。図１５では、ハウジング１２１は、略直方体のハウジング本体部１２１Ｃ上に光学素子配置部１２１Ａ，１２１Ｂを左右に分離して立設してなる。光学素子配置部１２１Ａと光学素子配置部１２１Ｂとはツインタワーのように、被検出物通過領域１２１Ｄをその間に形成している。光学素子配置部１２１Ａ内には発光素子１２２が立設され、光学素子配置部１２１Ｂ内には受光素子１２３が立設されている。ハウジング本体部１２１Ｃには図４、図６乃至図１３に示す各種の抵抗、トランジスタ、リードスイッチ１２４を取り付けたプリント基板１２５が収容されている。発光素子１２２及び受光素子１２３のリード部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２３Ａ，１２３Ｂがプリント基板１２５に立設している。本発明の実施形態では、発光素子１２２のリード部１２２Ａ，１２２Ｂ及び受光素子１２３のリード部１２３Ａ，１２３Ｂの少なくとも何れか又は全部に鉄などの磁性材料を塗布する。このように、遊技機用複合センサ１２０にリードスイッチ１２４の動作を妨げない程度の磁性体を内蔵してもよい。塗布された磁性材料その他の磁性体により、不正行為で使用される磁石などの磁気発生手段からの磁束を収束することで、一種のアンテナとして作用する。これにより、磁気スイッチの検出領域を広げることができる。

発光素子と受光素子とは、図２に示す光学部品１６によって光路が屈折しているが、図１４に矢印で示すよう光路が直線状であってもよい。また、光学部品１６には図示したものに限らず、各種の反射板などを用いて光路を変更して発光素子からの光が受光素子に入射するようにしても構わない。また、図２に点線で示すように、磁気スイッチ１７は、必ずしもプリント基板１８上になくてもよく、例えばパッケージ１２の開口孔１９の周囲に設けられていてもよい。

１：パチンコ玉
２：通路
３：通路形成部品
１０：モジュール
１１Ａ，１１Ｂ，２１Ａ，２１Ｂ，４１Ａ，４１Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ，８１Ａ，８１Ｂ，１１０Ａ，１１０Ｂ：接続用配線
１２：パッケージ
１３：発光素子
１３Ａ，１４Ａ，１５Ａ：光透過部
１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂ，１７Ｃ：収容部
１３Ｃ，１４Ｃ：絞り
１４，１５：受光素子
１６：光学部品
１７：磁気スイッチ
１８：プリント基板
１８Ａ，１８Ｂ：外部接続用端子
１９：開口孔
２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，１００，１１０：遊技機用複合センサ
２０Ａ，４０Ａ，６０Ａ，８０Ａ，１１０Ａ：フォトセンサ本体部
２０Ｂ，３０Ｂ：４０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂ，８０Ｂ，１００Ｂ，１１０Ｂ：外乱光監視部
２２，４２，６２，８２，１１２：ツェナーダイオード
２３：４３，６３，８３：ＬＥＤ
２４，２５，４４，４５，６４，６５，８４，８５：フォトダイオード
２６，４６，６６：第１の抵抗
２７，４７，６７：第２の抵抗
２８，４８，６８：トランジスタ
２９Ａ：磁気スイッチ
２９Ｂ：第３の抵抗
４９Ａ：第４の抵抗
４９Ｂ：コンデンサ
８６，８９，９０，９１，９２：抵抗
８７：第１のトランジスタ
８８：第２のトランジスタ
９３：加速コンデンサ
１２０：遊技機用複合センサ
１２１：ハウジング
１２１Ａ，１２１Ｂ：光学素子配置部
１２１Ｃ：ハウジング本体部
１２１Ｄ：被検出物通過領域
１２２：発光素子
１２２Ａ，１２２Ｂ：発光素子のリード部
１２３：受光素子
１２３Ａ，１２３Ｂ：受光素子のリード部
１２４：リードスイッチ
１２５：プリント基板

Claims (4)

1. 磁気センサ本体部とフォトセンサ本体部とが並列に接続されており、
   上記磁気センサ本体部からの出力信号と上記フォトセンサ本体部からの出力信号とがそれぞれ異なる信号レベルの段階に分けて出力される、遊技機用複合センサ。
2. さらに、外乱光監視部が前記磁気センサ本体部及び前記フォトセンサ本体部に並列接続されており、
   上記外乱光監視部が前記磁気センサ本体部及び前記フォトセンサ本体部からの各出力信と異なる信号レベルで出力される、請求項１に記載の遊技機用複合センサ。
3. 前記磁気センサ本体部による磁気検知の検出範囲を広くする磁性体が設けられている、請求項１に記載の遊技機用複合センサ。
4. 前記磁気センサ本体部がリードスイッチと抵抗とを直列接続してなる、請求項１に記載の遊技機用複合センサ。

Images