JP5381432B2 - 遊技機 - Google Patents

Description

本発明は遊技機に関するものである。

遊技機の一種としてパチンコ機がある。パチンコ機においては、例えば遊技領域に発射された遊技球が作動口に入球することに基づき、大当たり抽選が行われる。当該抽選において大当たり状態の発生に当選すると、例えば所定の表示装置において変動表示される図柄が予め定められた特定の組み合わせで停止表示された後、遊技領域に設けられた可変入球装置の開閉が実行される。そして、可変入球装置への入球数に応じた遊技球が払い出されるといった特典が遊技者に付与される（例えば特許文献１参照）。

特開２００４−７５６号公報

ここで、磁石を用いて遊技球を作動口等の遊技者に有利な場所へ誘導させる不正行為が行われることがある。これにより、遊技球が作動口に入球し易くなるため、大当たり当選となり易い。

当該不正行為を抑制するために、磁気を検知する磁気センサを設け、当該磁気センサが磁気を検知した場合には報知を行う構成が考えられる。この場合、仮に磁気センサが正常に機能していなければ磁石等を用いた不正に対して無防備となり、不正抑制の観点から好ましくない。かといって、パチンコ機毎に管理者が磁石をかざして正常に機能しているかどうかを確認するのも現実的ではない。

なお、以上の課題は、パチンコ機に限定されることはなく、磁気センサが用いられている他の遊技機においても同様である。さらに、磁気センサに限られず、光エネルギ等の何らかのエネルギを検知するセンサにおいても同様である。

本発明は、以上例示した事情等に鑑みてなされたものであり、管理者に与える負担を軽減しつつ、あるエネルギを検知するセンサが正常に動作しているか否かを確認することができる遊技機を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の遊技機は、
磁気を検知する磁気検知手段と、
前記磁気検知手段が磁気を検知した場合に、予め定められた検知信号を出力する第１出力手段と、
前記検知信号が入力される入力手段と、
前記入力手段に対して前記検知信号が入力された場合に、所定の信号を出力する第２出力手段と、
前記磁気検知手段に対して、当該磁気検知手段が検知可能な動作磁界を一時的に印加する磁界印加手段と、
を備え、
前記第１出力手段は、前記磁気検知手段に対して所定以上の強さの磁界が及んだ場合に、磁気を検知したとして前記検知信号を出力するものであり、
前記磁界印加手段は、
通電されることによって磁界を形成するコイルと、
前記磁気検知手段に対して前記動作磁界が一時的に印加されるように前記コイルに流れる電流を制御するものであって、前記所定の強さの磁界よりも弱い磁界である予備磁界が前記磁気検知手段に対して印加されるように前記コイルに流れる電流を制御可能な、電流制御手段と、
を備え、
前記電流制御手段は、
所定の場合に、前記コイルに流す電流を変化させることによって、前記検知信号が出力される契機となる動作電流を把握し、当該動作電流に基づいて、前記予備磁界を前記磁気検知手段に対して印加する場合の予備電流を決定するものであり、
前記動作電流と予め定められた基準動作電流とを比較する比較手段を備え、
前記比較手段による比較結果が、前記動作電流が前記基準動作電流よりも大きい比較結果である場合には、前記予備電流を予め定められた基準予備電流よりも大きく設定する一方、
前記比較手段による比較結果が、前記動作電流が前記基準動作電流よりも小さい比較結果である場合には、前記予備電流を前記基準予備電流よりも小さく設定するものであることを特徴とする。

本発明によれば、管理者に与える負担を軽減することができる。

第１の実施形態におけるパチンコ機を示す正面図。 パチンコ機の主要な構成を展開して示す斜視図。 遊技盤の構成を示す正面図。 磁気センサユニットと遊技盤と関係を示す説明図。 磁気センサユニットの内部構造を示す説明図。 リードスイッチが磁気を検知できる領域を模式的に示す模式図。 遊技盤の背面構成を示す斜視図。 主制御装置ユニットの構成を示す斜視図。 裏パックユニットの構成を示す正面図。 パチンコ機の電気的構成を示すブロック図。 遊技制御に用いる各種カウンタの概要を示す説明図。 検知回路を示すブロック回路図。 バイアス回路を示すブロック回路図。 電流可変回路を示すブロック回路図。 主制御基板のＭＰＵによるＮＭＩ割込み処理を示すフローチャート。 主制御基板のＭＰＵによるタイマ割込み処理を示すフローチャート。 始動入賞処理を示すフローチャート。 メイン処理を示すフローチャート。 磁気センサ動作確認処理を示すフローチャート。 通常処理を示すフローチャート。 磁気センサ監視処理を示すフローチャート。 （ａ）ＭＰＵからバイアス回路への出力状態の推移を示すタイミングチャート、（ｂ）コイルを流れる電流の推移を示すタイミングチャート、（ｃ）コイルから発生する磁界の推移を示すタイミングチャート。 第２の実施形態におけるバイアス回路の回路図。 電流可変回路の回路図。 電流可変回路の変形例を示す回路図。 磁界を印加する構成の変形例を示す回路図。

＜第１の実施形態＞
以下、遊技機の一種であるパチンコ遊技機（以下、「パチンコ機」という）の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。図１はパチンコ機１０の正面図、図２はパチンコ機１０の主要な構成を展開して示す斜視図である。

パチンコ機１０は、当該パチンコ機１０の外殻を形成する外枠１１と、この外枠１１に対して前方に回動可能に取り付けられた遊技機主部１２とを有する。パチンコ機１０は、外枠１１を島設備に取り付け固定することにより、遊技ホールに設置される。

遊技機主部１２は、ベース体としての本体枠１３と、その本体枠１３の前方に配置される前扉枠１４と、本体枠１３の後方に配置される裏パックユニット１５とを備えている。遊技機主部１２のうち本体枠１３が外枠１１に対して回動可能に支持されている。

本体枠１３には、前扉枠１４が回動可能に支持されており、正面視で左側を回動基端側とし右側を回動先端側として前方へ回動可能とされている。また、本体枠１３には、図２に示すように、裏パックユニット１５が回動可能に支持されており、正面視で左側を回動基端側とし右側を回動先端側として後方へ回動可能とされている。

なお、遊技機主部１２には、その回動先端部に施錠装置１６が設けられており、遊技機主部１２を外枠１１に対して開放不能に施錠状態とする機能を有しているとともに、前扉枠１４を本体枠１３に対して開放不能に施錠状態とする機能を有している。これらの各施錠状態は、パチンコ機１０前面にて露出させて設けられたシリンダ錠１７に対して解錠キーを用いて解錠操作を行うことにより、それぞれ解除される。

前扉枠１４は本体枠１３の前面側全体を覆うようにして設けられている。前扉枠１４には後述する遊技領域のほぼ全域を前方から視認することができるようにした窓部２１が形成されている。窓部２１は、略楕円形状をなし、透明性を有するガラス２２が嵌め込まれている。窓部２１の周囲には、各種ランプ等の発光手段が設けられている。例えば、窓部２１の周縁に沿ってＬＥＤ等の発光手段を内蔵した環状ランプ部２３が設けられている。環状ランプ部２３では、大当たり時や所定のリーチ時等における遊技状態の変化に応じて点灯や点滅が行われる。また、環状ランプ部２３の中央であってパチンコ機１０の最上部には所定のエラー時に点灯するエラー表示ランプ部２４が設けられ、さらにその左右側方には賞球払出中に点灯する賞球ランプ部２５が設けられている。また、左右の賞球ランプ部２５に近接した位置には、遊技状態に応じた効果音などが出力されるスピーカ部２６が設けられている。

前扉枠１４における窓部２１の下方には、手前側へ膨出した上側膨出部３１と下側膨出部３２とが上下に並設されている。上側膨出部３１内側には上方に開口した上皿３３が設けられており、下側膨出部３２内側には同じく上方に開口した下皿３４が設けられている。上皿３３は、後述する払出装置より払い出された遊技球を一旦貯留し、一列に整列させながら遊技球発射機構側へ導くための機能を有する。また、下皿３４は、上皿３３内にて余剰となった遊技球を貯留する機能を有する。

下側膨出部３２の右方には、手前側へ突出するようにして遊技球発射ハンドル４１が設けられている。遊技球発射ハンドル４１が操作されることにより、本体枠１３の下方に搭載された遊技球発射機構から遊技球が発射される。

本体枠１３には遊技盤５０が着脱可能に取り付けられている。遊技盤５０は合板よりなり、遊技盤５０の前面が本体枠１３の前面側に露出した状態となっている。

ここで、遊技盤５０の構成を図３に基づいて説明する。図３は、遊技盤５０の正面図である。

遊技盤５０には、内レール部５１と外レール部５２とが取り付けられており、これらレール部５１、５２によって囲まれた遊技領域Ｚが形成されている。これら内レール部５１と外レール部５２とにより誘導レールが構成され、後述する遊技球発射機構から発射された遊技球は遊技領域Ｚの上部に案内されるようになっている。

遊技領域Ｚには、ルータ加工が施されることによって前後方向に貫通する大小複数の開口部が形成されている。各開口部には一般入賞口５３，可変入賞装置５４，作動口５５，スルーゲート５６及び可変表示ユニット５７等がそれぞれ設けられている。一般入賞口５３は、左右にそれぞれ２個ずつ合計４個設けられており、それぞれ所定の間隔を隔てた位置に配置されている。一般入賞口５３、可変入賞装置５４及び作動口５５に遊技球が入ると、それが遊技盤５０に配設された検知センサにより検知され、その検知結果に基づいて所定数の賞球の払い出しが実行される。特に、作動口５５への入賞をトリガとして、予め定めた特別遊技状態（以下、大当たりという）に当選か否かの内部抽選が行われる。

その他に、遊技盤５０の最下部にはアウト口５８が設けられており、各種入賞口等に入らなかった遊技球はアウト口５８を通って遊技領域Ｚから排出される。また、遊技盤５０には、遊技球の落下方向を適宜分散、調整等するために多数の釘５９が植設されていると共に、風車等の各種部材（役物）が配設されている。

可変表示ユニット５７には、作動口５５への入賞をトリガとして図柄を可変表示する図柄表示装置６１が設けられている。また、可変表示ユニット５７には、図柄表示装置６１を囲むようにしてセンターフレーム６２が配設されている。センターフレーム６２の上部には、第１特定ランプ部６３及び第２特定ランプ部６４が設けられている。また、センターフレーム６２の上部及び下部にはそれぞれ保留ランプ部６５，６６が設けられている。下側の保留ランプ部６５は、図柄表示装置６１及び第１特定ランプ部６３に対応しており、遊技球が作動口５５を通過した回数は最大４回まで保留され保留ランプ部６５の点灯によってその保留個数が表示されるようになっている。上側の保留ランプ部６６は、第２特定ランプ部６４に対応しており、遊技球がスルーゲート５６を通過した回数は最大４回まで保留され保留ランプ部６６の点灯によってその保留個数が表示されるようになっている。

図柄表示装置６１は、液晶ディスプレイを備えた液晶表示装置として構成されており、後述する表示制御装置により表示内容が制御される。図柄表示装置６１には、例えば左、中及び右に並べて図柄が表示され、これらの図柄が上下方向にスクロールされるようにして変動表示されるようになっている。そして、予め設定されている有効ライン上に所定の組合せの図柄が停止表示された場合には、大当たりとして可変入賞装置５４が開放される。

第１特定ランプ部６３では、作動口５５への入賞をトリガとして所定の順序で発光色の切り替えが行われ、予め定められた色で停止表示された場合には大当たりが発生する。また、第２特定ランプ部６４では、遊技球のスルーゲート５６の通過をトリガとして所定の順序で発光色の切り替えが行われ、予め定められた色で停止表示された場合には作動口５５に付随する電動役物が所定時間だけ開放状態となる。

可変入賞装置５４は、通常は遊技球が入賞できない又は入賞し難い閉状態になっており、大当たりの際に遊技球が入賞しやすい所定の開放状態に切り換えられるようになっている。可変入賞装置５４の開放態様としては、所定時間（例えば３０秒間）の経過又は所定個数（例えば１０個）の入賞を１ラウンドとして、複数ラウンド（例えば１５ラウンド）を上限として可変入賞装置５４が繰り返し開放されるものが一般的である。

ここで、遊技盤５０には、磁気検知手段として磁気センサユニット８１が設けられている。磁気センサユニット８１について、図４〜図６を用いて説明する。図４は、遊技盤５０の前後方向の断面を模式的に示す一部断面図であって、遊技盤５０と磁気センサユニット８１との位置関係を示す説明図であり、図５は、磁気センサユニット８１の内部構造を示す説明図であり、図６は磁気センサユニット８１が磁気を検知可能な領域を示す説明図である。

磁気センサユニット８１は、作動口５５の周辺における遊技盤５０の背面側に設置されている。磁気センサユニット８１は、外部から磁界が印加された場合には、当該磁界を検知するように構成されている。上記のとおり大当たり当選か否かの内部抽選は作動口５５への入賞をトリガとして行われるため、ガラス２２の前方において作動口５５周辺に磁石を近付け、不正に作動口５５へと遊技球を誘導させようとする行為が想定される。これに対して、磁気センサユニット８１が設けられていることにより、上記磁石を用いた不正行為が行われた場合には、それを検知することが可能となっている。

また、磁気センサユニット８１にはコネクタ８２が設けられており、磁気センサユニット８１は、当該コネクタ８２を介して後述する主制御装置と電気的に接続されており、磁気センサユニット８１の検知結果は主制御装置に入力される。そして、主制御装置では磁気センサユニット８１の検知結果に基づいて磁石を用いた不正行為を特定した場合には、磁気を検知した旨の報知を行うための処理を実行する。

磁気センサユニット８１の磁気検知に関する構成について詳細に説明すると、磁気センサユニット８１は、密閉された内部空間が形成されているボックス８３を備えており、当該ボックス８３内には、磁界の有無によってオン又はオフとなるリードスイッチ９０が設けられている。

リードスイッチ９０は、略円柱形状であって密閉された内部空間が形成されているガラス管９１を備えており、全体として略円柱形状をなしている。ガラス管９１はボックス８３内にて位置が固定されているため、リードスイッチ９０とボックス８３との相対位置関係は固定されている。具体的には、リードスイッチ９０は、その長手方向が遊技盤５０の盤面に沿うように配置されている。特に、リードスイッチ９０は、その長手方向が遊技盤５０の幅方向に延び、更に遊技盤５０の盤面と略平行になるように配置されている。

リードスイッチ９０はガラス管９１内に封入された第１リード片９２、第２リード片９３を備えている。各リード片９２、９３は導電性を有する強磁性体であり、さらに弾性変形可能な素材で形成されている。各リード片９２、９３はリードスイッチ９０の長手方向の両端部からそれぞれ挿入されており、その挿入箇所がガラス管９１によって固定されている。各リード片９２、９３は、ガラス管９１によって固定されている固定箇所を固定端、先端側を自由端として、リードスイッチ９０の短手方向に変位可能に形成されている。

第１リード片９２及び第２リード片９３のそれぞれの自由端には、第１接触部９２ａ及び第２接触部９３ａが設けられている。なんら外力が付与されていない状況において、第１接触部９２ａ及び第２接触部９３ａはリードスイッチ９０の短手方向に所定の間隔Ｌ１を隔てて対向配置されている。かかる状態が初期状態であり、初期状態における第１接触部９２ａ及び第２接触部９３ａの位置を初期位置とする。初期状態において、リードスイッチ９０はオフ状態である。

かかる構成によれば、各リード片９２、９３に対して外部から磁界が印加された場合、各リード片９２、９３はそれぞれ磁化し、第１接触部９２ａと第２接触部９３ａとの間に磁気吸引力が働く。この場合、各リード片９２、９３は上記固定箇所を支点として撓み、各接触部９２ａ、９３ａが互いに接触する。これにより、リードスイッチ９０がオン状態となる。

一方、磁界の印加が停止された場合、各リード片９２、９３の弾性力によって、各接触部９２ａ、９３ａは初期位置に戻る。これにより、リードスイッチ９０がオフ状態となる。

ここで、リードスイッチ９０が磁気を検知できる領域（以下、リードスイッチ９０の検知可能領域という）について説明すると、図６の破線に示すように、リードスイッチ９０の検知可能領域は当該リードスイッチ９０の長手方向の両端側からそれぞれ形成されており、初期状態におけるリードスイッチ９０の検知可能領域に作動口５５が含まれている。換言すれば、初期状態におけるリードスイッチ９０の検知可能領域に作動口５５が含まるようにリードスイッチ９０は配置されている。これにより、少なくとも作動口５５周辺に対する磁気を検知することが可能となっている。よって、磁石を用いて作動口５５への直接的な遊技球の不正誘導を抑制することができる。

なお、各接触部９２ａ、９３ａはガラス管９１に封入されているため、大気中のガス・ほこり等の外部環境の影響を受けにくい。さらに、ガラス管９１内は、各リード片９２、９３の接触による活性化を抑制するために窒素ガスが封入されている。

磁気センサユニット８１はコイル１０１を備えている。コイル１０１はボックス８３にリードスイッチ９０とともに収容されている。コイル１０１はボックス８３内にて位置が固定されており、ボックス８３との相対関係が固定されている。すなわち、磁気センサユニット８１はリードスイッチ９０及びコイル１０１を含んだユニットとして構成されている。

具体的には、コイル１０１はリードスイッチ９０に対して当該リードスイッチ９０の短手方向に所定の間隔Ｌ２を隔てて配置されている。コイル１０１はその軸線方向がリードスイッチ９０の長手方向と略平行となるように配置されている。コイル１０１には鉄心が挿入されている。コイル１０１が通電されると、コイル１０１を流れる電流値に応じた磁界が形成される。この場合、コイル１０１の軸線方向とリードスイッチ９０の長手方向とが略平行であるため、コイル１０１によってリードスイッチ９０に印加される磁界の方向はリードスイッチ９０の長手方向に沿った方向になっている。

ここで、コイル１０１に流す電流値の調整次第では、各接触部９２ａ、９３ａ同士が接触し、リードスイッチ９０がオンとなる。

また、コイル１０１に流す電流値の調整次第では、リードスイッチ９０がオンにならない状態で各接触部９２ａ，９３ａ同士が近づく。この状態を予備印加状態という。当該予備印加状態では、コイル１０１からの磁界以外からの磁界に対するリードスイッチ９０の感度が高くなる。この場合、図４及び図６の２点鎖線に示すように、リードスイッチ９０の検知可能領域が遊技盤５０の前方に拡張するとともに、遊技盤５０の盤面に沿った方向に拡張する。以上のことから、コイル１０１を通電することによってリードスイッチ９０の検知可能領域を拡張することが可能となる。

次に、遊技盤５０の背面の構成を説明する。図７は遊技盤５０を後方より見た斜視図である。

遊技盤５０の中央に配置される可変表示ユニット５７には、センターフレーム６２を背後から覆う合成樹脂製のフレームカバー１１１が後方に突出させて設けられており、フレームカバー１１１に対して後側から図柄表示装置６１が取り付けられるとともに、その図柄表示装置を駆動するための表示制御装置が取り付けられている（図示略）。これら図柄表示装置６１及び表示制御装置は前後方向に重ねて配置され（図柄表示装置が前、表示制御装置が後）、さらにその後方に音声ランプ制御装置ユニット１１２が搭載されている。音声ランプ制御装置ユニット１１２は、音声ランプ制御装置１１３と、取付台１１４とを具備する構成となっており、取付台１１４上に音声ランプ制御装置１１３が装着されている。

音声ランプ制御装置１１３は、後述する主制御装置からの指示に従い音声やランプ表示、及び表示制御装置の制御を司る音声ランプ制御基板を具備しており、音声ランプ制御基板が透明樹脂材料等よりなる基板ボックス１１５に収容されて構成されている。

遊技盤５０の背面には、主制御装置ユニット１２０が搭載されている。主制御装置ユニット１２０の構成について図８を用いて説明する。図８は主制御装置ユニット１２０の構成を示す斜視図である。

主制御装置ユニット１２０は、合成樹脂製の取付台１２１を有し、取付台１２１に主制御装置１２２が搭載されている。主制御装置１２２は、遊技の主たる制御を司る機能（主制御回路）と、電源を監視する機能（停電監視回路）と、を有する主制御基板を具備しており、当該主制御基板が透明樹脂材料等よりなる基板ボックス１２３に収容されて構成されている。

基板ボックス１２３は、略直方体形状のボックスベース（表ケース体）とこのボックスベースの開口部を覆うボックスカバー（裏ケース体）とを備えている。これらボックスベースとボックスカバーとは封印手段としての封印部１２４によって開封不能に連結され、これにより基板ボックス１２３が封印されている。封印部１２４は、基板ボックス１２３の長辺部に５つ設けられ、そのうち少なくとも一つが用いられて封印処理が行われる。

封印部１２４はボックスベースとボックスカバーとを開放した場合には痕跡が残存する構成であれば任意の構成を適用できるが、封印部１２４を構成する長孔に係止爪を挿入することでボックスベースとボックスカバーとが開封不能に結合されるようになっている。封印部１２４による封印処理は、その封印後の不正な開封を防止し、また万一不正開封が行われてもそのような事態を早期に且つ容易に発見可能とするものであって、一旦開封した後でも再度封印処理を行うこと自体は可能である。すなわち、５つの封印部１２４のうち、少なくとも一つの長孔に係止爪を挿入することにより封印処理が行われる。そして、収容した主制御基板の不具合発生の際や主制御基板の検査の際など基板ボックス１２３を開封する場合には、係止爪が挿入された封印部と他の封印部との連結部分を切断する。これにより、基板ボックス１２３のボックスベースとボックスカバーとが分離され、内部の主制御基板を取り出すことができる。その後、再度封印処理する場合は他の封印部の長孔に係止爪を挿入する。基板ボックス１２３の開封を行った旨の履歴を当該基板ボックス１２３に残しておけば、基板ボックス１２３を見ることで不正な開封が行われた旨が容易に発見できる。

基板ボックス１２３の一方の短辺部には、その側方に突出するようにして複数の結合片１２５が設けられている。これら結合片１２５は、取付台１２１に形成された複数の被結合片１２６と１対１で対応しており、結合片１２５と被結合片１２６とにより基板ボックス１２３と取付台１２１との間で封印処理が行われる。

次に、裏パックユニット１５について説明する。図９は裏パックユニット１５の正面図である。

裏パックユニット１５は、裏パック１３１を備えており、当該裏パック１３１に対して、払出機構部１３２及び制御装置集合ユニット１３３が取り付けられている。裏パック１３１は透明性を有する合成樹脂により成形されており、払出機構部１３２などが取り付けられるベース部１４１と、パチンコ機１０後方に突出し略直方体形状をなす保護カバー部１４２とを有する。保護カバー部１４２は左右側面及び上面が閉鎖され且つ下面のみが開放された形状をなし、少なくとも可変表示ユニット５７を囲むのに十分な大きさを有する。

ベース部１４１には、その右上部に外部端子板１４３が設けられている。外部端子板１４３には各種の出力端子が設けられており、これらの出力端子を通じて遊技ホール側の管理制御装置に対して各種信号が出力される。

ベース部１４１には、保護カバー部１４２を迂回するようにして払出機構部１３２が配設されている。すなわち、裏パック１３１の最上部には上方に開口したタンク１５１が設けられており、タンク１５１には遊技ホールの島設備から供給される遊技球が逐次補給される。タンク１５１の下方には、下流側に向けて緩やかに傾斜するタンクレール１５２が連結され、タンクレール１５２の下流側には上下方向に延びるケースレール１５３が連結されている。ケースレール１５３の最下流部には払出装置１５４が設けられている。払出装置１５４より払い出された遊技球は、当該払出装置１５４の下流側に設けられた図示しない払出通路を通じて、裏パック１３１のベース部１４１に設けられた遊技球分配部１５５に供給される。

遊技球分配部１５５は、払出装置１５４より払い出された遊技球を上皿３３、下皿３４又はベース部１４１の下端部に設けられ、遊技ホールの島設備等へ遊技球を導く排出通路（図示略）の何れかに振り分けるための機能を有している。

払出機構部１３２には、裏パック基板１５６が設置されている。裏パック基板１５６には、例えば交流２４ボルトの主電源が供給され、電源スイッチ１５６ａの切替操作により電源ＯＮ又は電源ＯＦＦとされるようになっている。

ベース部１４１の下端部には、制御装置集合ユニット１３３が取り付けられている。制御装置集合ユニット１３３は、横長形状をなす取付台１６１を有し、取付台１６１に払出制御装置１６２と電源及び発射制御装置１６３とが搭載されている。これら払出制御装置１６２と電源及び発射制御装置１６３とは、払出制御装置１６２がパチンコ機１０後方となるように前後に重ねて配置されている。

払出制御装置１６２は、基板ボックス１６４内に払出制御基板が収容されており、主制御装置１２２からの信号に応じて所定の遊技球を払い出すように払出装置１５４を制御するように構成されている。

電源及び発射制御装置１６３は、基板ボックス１６５内に電源及び発射制御基板が収容されており、当該基板により、各種制御装置等で要する所定の電力が生成されて出力され、さらに遊技者による遊技球発射ハンドル４１の操作に伴う遊技球の打ち出しの制御が行われる。また、電源及び発射制御装置１６３にはＲＡＭ消去スイッチ１６６が設けられている。本パチンコ機１０は各種データの記憶保持機能を有しており、万一停電が発生した際でも停電時の状態を保持し、停電からの復帰の際には停電時の状態に復帰できるようになっている。したがって、例えば遊技ホールの営業終了の場合のように通常手順で電源を遮断すると遮断前の状態が記憶保持されるが、ＲＡＭ消去スイッチ１６６を押しながら電源を投入すると、ＲＡＭデータが初期化されるようになっている。

なお、ＲＡＭ消去スイッチ１６６は、電源及び発射制御装置１６３に設けられている構成に限られず、例えば、主制御装置１２２に設けられている構成としてもよい。

＜パチンコ機１０の電気的構成＞
次に、パチンコ機１０の電気的構成について、図１０のブロック図に基づいて説明する。図１０では、電力の供給ラインを二重線矢印で示し、信号ラインを実線矢印で示す。

主制御装置１２２には、主制御基板２０１と電断監視基板（停電監視基板）２０２とが設けられている。

主制御基板２０１には、ＭＰＵ２１１が搭載されている。ＭＰＵ２１１には、当該ＭＰＵ２１１により実行される各種の制御プログラムや固定値データを記憶したＲＯＭ（不揮発性記憶手段）２１２と、そのＲＯＭ２１２内に記憶される制御プログラムの実行に際して各種のデータ等を一時的に記憶するためのメモリであるＲＡＭ（揮発性記憶手段）２１３と、割込回路やタイマ回路、データ入出力回路などの各種回路が内蔵されている。なお、ＭＰＵ２１１、ＲＯＭ２１２及びＲＡＭ２１３の一部又は全部をそれぞれ別のチップとして設けてもよい。

ＭＰＵ２１１には、入力ポート２１１ａ及び出力ポートがそれぞれ設けられている。なお、入出力ポートを備え、ＭＰＵ２１１において入出力が適宜変更される構成としてもよい。

ＭＰＵ２１１の入力ポート２１１ａには、電断監視基板２０２、払出制御装置１６２及びその他センサ群などが接続されている。この場合に、電断監視基板２０２には電源及び発射制御装置１６３が接続されており、ＭＰＵ２１１には電断監視基板２０２を介して電源及び発射制御装置１６３から動作電力として直流＋１２Ｖ及びロジック用の直流＋５Ｖが供給される。

センサ群の一部として、作動口５５及び可変入賞装置５４などといった入球部に設けられた複数の検知センサが接続されており、主制御装置１２２のＭＰＵ２１１において入球部の入球判定が行われる。また、ＭＰＵ２１１では、入球部のうち、作動口５５への入球に基づいて大当たり発生判定を実行する。

ここで、ＭＰＵ２１１にて大当たり発生判定を行う上での電気的な構成について図１１を用いて説明する。

ＭＰＵ２１１は遊技に際し各種カウンタ情報を用いて、大当たり抽選、第１特定ランプ部６３の発光色の設定や、図柄表示装置６１の図柄表示の設定などを行うこととしており、具体的には、大当たりの抽選に使用する大当たり乱数カウンタＣ１と、確変大当たりや通常大当たり等の大当たり種別を判定する際に使用する大当たり種別カウンタＣ２と、図柄表示装置６１が外れ変動する際のリーチ抽選に使用するリーチ乱数カウンタＣ３と、大当たり乱数カウンタＣ１の初期値設定に使用する乱数初期値カウンタＣＩＮＩと、第１特定ランプ部６３に表示される色の切り替えを行う期間及び図柄表示装置６１における図柄の変動表示時間を決定する変動種別カウンタＣＳとを用いることとしている。

カウンタＣ１〜Ｃ３，ＣＩＮＩ，ＣＳは、その更新の都度前回値に１が加算され、最大値に達した後０に戻るループカウンタとなっている。各カウンタは短時間間隔で更新され、その更新値がＲＡＭ２１３の抽選カウンタ用バッファ２１３ａに適宜格納される。ＲＡＭ２１３には、１つの実行エリアと４つの保留エリア（保留第１〜第４エリア）とからなる保留球格納エリア２１３ｂが設けられており、これらの各エリアには、作動口５５への遊技球の入球履歴に合わせて、大当たり乱数カウンタＣ１、大当たり種別カウンタＣ２及びリーチ乱数カウンタＣ３の各値が時系列的に格納されるようになっている。

各カウンタについて詳しくは、大当たり乱数カウンタＣ１は、例えば０〜６７６の範囲内で順に１ずつ加算され、最大値（つまり６７６）に達した後０に戻る構成となっている。特に大当たり乱数カウンタＣ１が１周した場合、その時点の乱数初期値カウンタＣＩＮＩの値が当該大当たり乱数カウンタＣ１の初期値として読み込まれる。なお、乱数初期値カウンタＣＩＮＩは、大当たり乱数カウンタＣ１と同様のループカウンタである（値＝０〜６７６）。大当たり乱数カウンタＣ１は定期的に更新され、遊技球が作動口５５に入球したタイミングでＲＡＭ２１３の保留球格納エリア２１３ｂに格納される。

大当たり種別カウンタＣ２は、０〜４９の範囲内で順に１ずつ加算され、最大値（つまり４９）に達した後０に戻る構成となっている。そして、本実施の形態では、大当たり種別カウンタＣ２によって、大当たりが終了した後に、確変状態とするか通常状態とするかを決定することとしている。大当たり種別カウンタＣ２は定期的に更新され、遊技球が作動口５５に入球したタイミングでＲＡＭ２１３の保留球格納エリア２１３ｂに格納される。

リーチ乱数カウンタＣ３は、例えば０〜２３８の範囲内で順に１ずつ加算され、最大値（つまり２３８）に達した後０に戻る構成となっている。リーチ乱数カウンタＣ３は定期的に更新され、遊技球が作動口５５に入球したタイミングでＲＡＭ２１３の保留球格納エリア２１３ｂに格納される。

変動種別カウンタＣＳは、例えば０〜２４０の範囲内で順に１ずつ加算され、最大値（つまり２４０）に達した後０に戻る構成となっている。変動種別カウンタＣＳによって、第１特定ランプ部６３に表示される色の切り替えを行う期間としての切替表示時間が決定される。この切替表示時間は、図柄表示装置６１の図柄の変動表示時間に相当する。変動種別カウンタＣＳは、後述する通常処理が１回実行される毎に１回更新され、当該通常処理内の残余時間内でも繰り返し更新される。そして、第１特定ランプ部６３に表示される色の切り替え開始時及び図柄表示装置６１による図柄の変動開始時における変動パターン決定に際して変動種別カウンタＣＳのバッファ値が取得される。

なお、１遊技回の開始に際しては、主制御基板２０１のＭＰＵ２１１にて、保留球格納エリア２１３ｂに格納されている各カウンタＣ１〜Ｃ３，ＣＳの値を用いて大当たり抽選や第１特定ランプ部６３に表示される色の切り替え時間が決定されるが、ここで決定された抽選結果の情報や切り替え時間の情報は遊技回用コマンドとして音声ランプ制御装置１１３に送信される。音声ランプ制御装置１１３では、当該遊技回用コマンドに基づいて、図柄表示装置６１における変動パターンやリーチ発生の有無といった該当する遊技回の演出内容を決定する。

また、上記各カウンタ以外にも、作動口５５に設けられている電動役物を開放状態とするか否かの抽選に用いられる第２特定ランプ乱数カウンタが設けられており、スルーゲート５６への入賞が発生したタイミングでその時点での第２特定ランプ乱数カウンタの値が取得され、その取得した値に基づいて電動役物を開放状態とするか否かの抽選が実行される。

図１０の説明に戻り、ＭＰＵ２１１の出力ポートには、電断監視基板２０２、払出制御装置１６２及び音声ランプ制御装置１１３が接続されている。払出制御装置１６２には、賞球コマンドなどといった各種コマンドが出力される。主制御基板２０１から音声ランプ制御装置１１３には上記遊技回用コマンドなどが出力される。

電断監視基板２０２は、主制御基板２０１と電源及び発射制御装置１６３とを中継し、また電源及び発射制御装置１６３から出力される最大電圧である直流＋２４Ｖの電圧を監視する。そして、この電圧が＋２２Ｖ以上の場合には、主制御基板２０１に対し非電断信号（第１情報）としてのＨＩレベル信号を出力（送信）し、この電圧が＋２２Ｖ未満になると電源遮断の発生と判断し、主制御基板２０１に対して停電信号（第２情報）としてのＬＯＷレベル信号を出力（送信）する。主制御基板２０１では、このＬＯＷレベル信号の入力を所定の態様で確認することにより、その確認結果に基づいて後述する電断時処理（停電時処理）を実行する。

払出制御装置１６２は、主制御基板２０１から入力される賞球コマンド等に基づいて、所定の遊技球を払い出すように払出装置１５４を制御するものである。

電源及び発射制御装置１６３は、例えば、裏パック基板１５６を介して遊技ホール等における商用電源（外部電源）に接続されている。そして、その商用電源から供給される外部電力に基づいて主制御装置１２２や払出制御装置１６２等各々に必要な動作電力を生成するとともに、その生成した動作電力を二重線矢印で示す経路を通じて供給する。その概要としては、電源及び発射制御装置１６３は、裏パック基板１５６を介して供給される交流２４ボルト電源を取り込み、各種センサやモータ等を駆動するための直流＋１２Ｖ電圧、ロジック用の直流＋５Ｖ電圧などを生成し、これら直流＋１２Ｖ電圧、直流＋５Ｖ電圧を主制御装置１２２や払出制御装置１６２等に対して供給する。

また、電源及び発射制御装置１６３は、遊技者による遊技球発射ハンドル４１の操作にしたがって遊技球発射機構の発射制御を担うものであり、遊技球発射機構は所定の発射条件が整っている場合に駆動される。

また、電源及び発射制御装置１６３には、電断時用電源部が搭載されており、パチンコ機１０の電源がＯＦＦ状態の場合や商用電源における電断発生時といった電源遮断状態（外部電源からの電力供給が遮断されている場合）では、電断時用電源部から主制御基板２０１のＲＡＭ２１３に対して記憶保持用電力が供給される。よって、かかる状況であっても、ＲＡＭ２１３に記憶された情報が消去されることなく記憶保持される。

音声ランプ制御装置１１３は、主制御基板２０１から出力される各種コマンドに基づいて、各種ランプ部２３、２４、２５、スピーカ部２６、及び表示制御装置２１４を制御する。表示制御装置２１４は、音声ランプ制御装置１１３から入力される表示コマンドに基づいて図柄表示装置６１を制御する。

ここで、主制御基板２０１と磁気センサユニット８１とは電気的に接続されている。具体的には、主制御基板２０１には検知回路２２０が設けられており、検知回路２２０がリードスイッチ９０と接続されている。検知回路２２０はリードスイッチ９０の状態に応じた信号を出力するものである。

検知回路２２０について図１２を用いて詳細に説明する。図１２は、検知回路２２０の回路図である。

検知回路２２０はＭＰＵ２１１と接続されている。検知回路２２０はＭＰＵ２１１から直流＋１２Ｖ及び直流＋５Ｖの電圧供給を受けている。検知回路２２０は、リードスイッチ９０がオン状態になったことに基づいて、所定の磁気検知信号をＭＰＵ２１１に向けて出力する。

具体的には、検知回路２２０は比較手段としてのコンパレータ２２１を備えている。コンパレータ２２１はオープンコレクタタイプのものであり、２つの入力端子（反転入力端子（−端子）、非反転入力端子（＋端子））と１つの出力端子とを備えている。＋端子にはリードスイッチ９０が接続されており、＋端子に入力される入力電圧Ｖｍｇはリードスイッチ９０の動作に応じて変化する。

詳細には、＋端子はリードスイッチ９０を介して接地されている。具体的には、＋端子に第１リード片９２が接続されていると共に、第２リード片９３が接地されている。＋端子への入力はプルアップされている。具体的には、＋端子にはプルアップ抵抗２２２を介して＋１２Ｖの電圧が印加されている。

かかる構成によれば、リードスイッチ９０がオフ状態である場合、ＶｍｇはＨＩレベルに相当する＋１２Ｖとなる一方、リードスイッチ９０がオン状態である場合、＋端子は接地されることとなり、ＶｍｇはＬＯＷレベルに相当する０Ｖとなる。

なお、リードスイッチ９０及び＋端子を接続する経路上には、ローパスフィルタとしてのＣＲ積分回路２２３が設けられている。これにより、リードスイッチ９０のチャタリングによって生じ得る検知回路２２０の誤動作が抑制されている。

−端子には、入力電圧Ｖｍｇの比較対象となる定電圧Ｖｒｅｆが入力されている。具体的には、検知回路２２０には、定電圧Ｖｒｅｆを生成するとともに、−端子に当該Ｖｒｅｆを出力する定電圧回路２２４が設けられている。定電圧回路２２４はツェナダイオード２２４ａ及び抵抗２２４ｂを備えている。ツェナダイオード２２４ａのアノードは接地されている。ツェナダイオード２２４ａのカソードには抵抗２２４ｂを介して＋１２Ｖの電圧が印加されている。ツェナダイオード２２４ａのツェナ電圧（ブレイクダウン電圧）は＋１２Ｖよりも小さく設定されている（例えば＋５Ｖ）。−端子はツェナダイオード２２４ａに対して並列に接続されている。

かかる構成によれば、ツェナダイオード２２４ａに印加される電圧がツェナ電圧（ブレイクダウン電圧）を超えている状況では、ツェナダイオード２２４ａが導通状態となり、抵抗２２４ｂ及びツェナダイオード２２４ａに電流が流れ、ツェナダイオード２２４ａの印加電圧がツェナ電圧よりも小さくなるまで電圧降下が生じる。当該電圧降下によってツェナダイオード２２４ａの印加電圧がツェナ電圧よりも小さくなった場合、ツェナダイオード２２４ａには電流が流れなくなり、電圧降下が生じなくなる。

当該動作が高速で繰り返される結果、ツェナダイオード２２４ａにはツェナ電圧が印加されることとなる。当該ツェナ電圧がＶｒｅｆとして−端子に入力される。換言すれば、ツェナダイオード２２４ａは、自身に印加される電圧がツェナ電圧になるように電流を流すものであるといえる。これにより、仮にツェナダイオード２２４ａに対して印加される電圧が変動する場合であっても、Ｖｒｅｆは一定となる。これにより、定電圧Ｖｒｅｆとリードスイッチ９０の動作に応じて変動するＶｍｇとを比較することによって、リードスイッチ９０の状態の変化を確実に把握することが可能となる。具体的には、リードスイッチ９０がオフ状態ではＶｍｇ＞Ｖｒｅｆとなり、リードスイッチ９０がオン状態ではＶｍｇ＜Ｖｒｅｆとなる。

なお、定電圧回路２２４には、ツェナダイオード２２４ａに対して並列にバイパスコンデンサ２２４ｃが設けられている。バイパスコンデンサ２２４ｃはツェナダイオード２２４ａのツェナ電圧の変動に応じて放電又は蓄電を行う。これにより、ツェナダイオード２２４ａが導通状態となる際に生じるノイズが低減されている。

コンパレータ２２１は、ＶｍｇとＶｒｅｆとの比較結果に応じた信号を出力端子から出力する。詳細には、Ｖｍｇ＞Ｖｒｅｆの場合、出力端子はオープンとなる。一方、Ｖｍｇ＜Ｖｒｅｆの場合、出力端子は接地される。

ここで、出力端子はＭＰＵ２１１と接続されており、ＭＰＵ２１１の入力はプルアップされている。詳細には、出力端子とＭＰＵ２１１とを接続する経路上には、プルアップ抵抗２２５を介して＋５Ｖの電圧が印加されている。これにより、Ｖｍｇ＞Ｖｒｅｆであることによりコンパレータ２２１からの出力状態がオープン状態である場合、ＭＰＵ２１１にはＨＩレベル信号に相当する＋５Ｖが印加される。一方、Ｖｍｇ＜Ｖｒｅｆであることによりコンパレータ２２１からの出力状態がＬＯＷレベルである場合、ＭＰＵ２１１にはＬＯＷレベル信号に相当する０Ｖが印加される。

以上のことから、リードスイッチ９０がオン状態となることに基づいて、検知回路２２０からＭＰＵ２１１に向けて磁気検知信号としてのＬＯＷレベル信号が出力され、ＭＰＵ２１１は当該ＬＯＷレベル信号が入力されたことに基づいて、磁気を検知したことを認識する。

＜バイアス回路２３０について＞
主制御基板２０１には、コイル１０１を通電するバイアス回路２３０が設けられている。バイアス回路２３０はコイル１０１と接続されている。バイアス回路２３０はコイル１０１の通電を制御するものである。

具体的には、図１０に示すように、バイアス回路２３０はＭＰＵ２１１と接続されているとともに、ＭＰＵ２１１から＋１２Ｖの電圧供給を受けている。バイアス回路２３０は、ＭＰＵ２１１から信号が入力されることに基づいて、コイル１０１を通電するとともに、ＭＰＵ２１１からの信号に応じてコイル１０１に流れる電流値及び電流方向を変更する。

バイアス回路２３０について図１３を用いて詳細に説明する。図１３は、バイアス回路２３０の回路図である。

バイアス回路２３０は＋１２Ｖ電圧をコイル１０１に対して印加する駆動回路２３１を備えている。駆動回路２３１はコイル１０１と接続されている。具体的には、駆動回路２３１は第１駆動回路２３１ａ及び第２駆動回路２３１ｂを備えている。コイル１０１の一端は第１駆動回路２３１ａに接続されているとともに、コイル１０１の他端は第２駆動回路２３１ｂに接続されている。

詳細には、第１駆動回路２３１ａはｐ型ＭＯＳＦＥＴ２３２ａ及びｎ型ＭＯＳＦＥＴ２３３ａを備えている。以下、ｐ型ＭＯＳＦＥＴ２３２ａをｐＭＯＳ２３２ａ、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２３３ａをｎＭＯＳ２３３ａという。なお、後述する各ＭＯＳＦＥＴについても同様にＭＯＳと称する。

ｐＭＯＳ２３２ａ及びｎＭＯＳ２３３ａそれぞれのドレインを接続する経路が設けられており、当該経路とコイル１０１の一端（図１３においてＡと示す側）とが接続されている。ｐＭＯＳ２３２ａのソースには＋１２Ｖの電圧が印加されており、ｎＭＯＳ２３３ａのソースは接地されている。ｐＭＯＳ２３２ａのゲート及びｎＭＯＳ２３３ａのゲートには、それぞれプルアップ抵抗２３４ａ、２３５ａを介して＋１２Ｖが印加されている。

第２駆動回路２３１ｂは、第１駆動回路２３１ａと同様に、ｐＭＯＳ２３２ｂ及びｎＭＯＳ２３３ｂを備えている。第２駆動回路２３１ｂは、ｐＭＯＳ２３２ｂ及びｎＭＯＳ２３３ｂそれぞれのドレインを接続する経路とコイル１０１の他端（図１３においてＢと示す側）とが接続されている点を除いて、第１駆動回路２３１ａと同一であるため、説明を省略する。

かかる構成によれば、駆動回路２３１の各ＭＯＳのオンオフに応じてコイル１０１への通電の有無が決定される。具体的には、
（Ａ）ｐＭＯＳ２３２ａ及びｎＭＯＳ２３３ｂがオン状態であり且つｐＭＯＳ２３２ｂ及びｎＭＯＳ２３３ａがオフ状態である場合
（Ｂ）ｐＭＯＳ２３２ａ及びｎＭＯＳ２３３ｂがオフ状態であり且つｐＭＯＳ２３２ｂ及びｎＭＯＳ２３３ａがオン状態である場合
のいずれかの場合に、コイル１０１への通電が行われる。

詳細には、（Ａ）の場合、第１駆動回路２３１ａ側の＋１２Ｖがコイル１０１に印加される。これにより、図１３の矢印に示すように、コイル１０１の一端側（Ａ側）から他端側（Ｂ側）に電流＋Ｉが流れ、当該電流方向に応じた磁界が形成される。具体的には、コイル１０１の一端側をＳ極とし、他端側をＮ極とする磁界が形成される。そして、リードスイッチ９０の長手方向に沿った方向の磁界＋Ｈがリードスイッチ９０に対して印加される。当該磁界＋Ｈが印加されることによって、第１リード片９２及び第２リード片９３は磁化する。なお、リードスイッチ９０はコイル１０１に対して間隔Ｌ２だけ離れた位置に配置されているため、リードスイッチ９０に対して印加される磁界＋Ｈは、コイル１０１から形成される磁界に比べて、弱くなる。

一方、（Ｂ）の場合、第２駆動回路２３１ｂ側の＋１２Ｖがコイル１０１に印加される。これにより、図１３の矢印に示すように、コイル１０１の他端側（Ｂ側）から一端側（Ａ側）に向けて電流−Ｉが流れ、当該電流方向に対応した磁界が形成される。すなわち、（Ａ）の場合とは反対方向の磁界が形成される。具体的には、コイル１０１の他端側をＳ極とし、一端側をＮ極とする磁界が形成される。これにより、リードスイッチ９０には、反対方向の磁界−Ｈが印加されることとなる。よって、第１リード片９２及び第２リード片９３は、（Ａ）の場合とは反対の極性に磁化する。

以上のことから、駆動回路２３１の各ｐＭＯＳ２３２ａ、２３２ｂ及び各ｎＭＯＳ２３３ａ、２３３ｂのオンオフの組み合わせに応じて、コイル１０１に流れる電流の方向が変化する。

バイアス回路２３０はＭＰＵ２１１からの信号に応じて駆動回路２３１の動作を制御する制御回路２４１を備えている。制御回路２４１は駆動回路２３１と接続されているとともに、ＭＰＵ２１１と接続されている。制御回路２４１は、ＭＰＵ２１１から信号が入力されることに基づいて、コイル１０１への通電が行われるように駆動回路２３１を制御するとともに、ＭＰＵ２１１からの信号に応じて、コイル１０１に流れる電流方向が切り替わるように駆動回路２３１を制御する。

ここで、制御回路２４１とＭＰＵ２１１とを接続する経路上にはシュミットインバータ２４２が設けられている。シュミットインバータ２４２は、ＭＰＵ２１１からの信号を反転させるとともに、当該反転した信号を制御回路２４１に向けて出力する。シュミットインバータ２４２は、ＨＩレベルを出力する閾値電圧とＬＯＷレベル信号を出力する閾値電圧との間にヒステリシスを有するため、通常のインバータと比較してノイズの影響を受けにくい。これにより、ＭＰＵ２１１から制御回路２４１に入力される信号のノイズが低減されている。

制御回路２４１について詳細に説明すると、制御回路２４１は、第１駆動回路２３１ａのスイッチング制御を行う第１制御回路２４１ａと、第２駆動回路２３１ｂのスイッチング制御を行う第２制御回路２４１ｂと、を備えている。第１制御回路２４１ａは第１駆動回路２３１ａと接続されており、第２制御回路２４１ｂは第２駆動回路２３１ｂと接続されている。第１制御回路２４１ａ及び第２制御回路２４１ｂはそれぞれＭＰＵ２１１と接続されている。

ここで、第２制御回路２４１ｂとＭＰＵ２１１とを接続する経路上にのみ、上記シュミットインバータ２４２とは別にシュミットインバータ２４３が更に設けられている。具体的には、シュミットインバータ２４３は、第２制御回路２４１ｂとシュミットインバータ２４２とを接続する経路上に設けられている。これにより、第１制御回路２４１ａと第２制御回路２４１ｂとで、ＭＰＵ２１１から入力される信号が反転している。よって、ＭＰＵ２１１から同一の信号が出力されているにも関わらず、第１制御回路２４１ａの動作と第２制御回路２４１ｂの動作とが異なるようになっている。

各制御回路２４１ａ，２４１ｂについて詳細に説明する。ここで、第２制御回路２４１ｂは第１制御回路２４１ａと同一の構成であるため、第１制御回路２４１ａについてのみ説明する。なお、下記第１制御回路２４１ａの説明において部材の符号中の「ａ」を「ｂ」とすることによって、第２制御回路２４１ｂの説明となる。

第１制御回路２４１ａは、ｐＭＯＳ２３２ａのスイッチング制御を行うｎＭＯＳ２４４ａと、ｎＭＯＳ２３３ａのスイッチング制御を行うｎＭＯＳ２４５ａとを備えている。各ｎＭＯＳ２４４ａ，２４５ａのソースは接地されている。各ｎＭＯＳ２４４ａ，２４５ａのドレインは、それぞれｐＭＯＳ２３２ａのゲート、ｎＭＯＳ２３３ａのゲートに接続されている。この場合、ｐＭＯＳ２３２ａ及びｎＭＯＳ２３３ａのゲートはそれぞれ＋１２Ｖにプルアップされているため、各ｎＭＯＳ２４４ａ，２４５ａのドレインには＋１２Ｖの電圧が印加されている。各ｎＭＯＳ２４４ａ，２４５ａのゲートはＭＰＵ２１１と接続されている。

以上のように構成された制御回路２４１によれば、ＭＰＵ２１１からの信号に応じてコイル１０１への通電が行われるとともに、コイル１０１に流れる電流方向が切り替わる。具体的には、ＭＰＵ２１１からＬＯＷレベル信号が出力されている場合、第１制御回路２４１ａにＨＩレベル信号が入力されるとともに、第２制御回路２４１ｂにＬＯＷレベル信号が入力される。すると、ｎＭＯＳ２４４ａ、２４５ａがオン状態となる一方、ｎＭＯＳ２４４ｂ、２４５ｂがオフ状態となる。これにより、（Ａ）の条件が成立するため、コイル１０１に電流＋Ｉが流れ、リードスイッチ９０に対して＋Ｈの磁界が印加されることとなる。

一方、ＭＰＵ２１１からＨＩレベル信号が出力されている場合、第１制御回路２４１ａにＬＯＷレベル信号が入力されるとともに、第２制御回路２４１ｂにＨＩレベル信号が入力される。すると、ｎＭＯＳ２４４ａ、２４５ａがオフ状態となる一方、ｎＭＯＳ２４４ｂ、２４５ｂがオン状態となる。これにより、（Ｂ）の条件が成立するため、コイル１０１に電流−Ｉが流れ、リードスイッチ９０に対して−Ｈの磁界が印加されることとなる。

なお、コイル１０１の通電を行う点及びその電流方向を切り替える点に着目すれば、バイアス回路２３０は、コイル１０１への通電が可能であって、さらにコイル１０１に流れる電流方向を切替可能な駆動回路２３１と、ＭＰＵ２１１からの信号に応じて、コイル１０１の通電を行うとともに、当該コイル１０１に流れる電流方向の切替を行うように駆動回路２３１を制御する制御回路２４１と、を備えているとも言える。

ここで、バイアス回路２３０はコイル１０１に流れる電流値Ｉを可変制御する電流可変回路２５０を備えている。電流可変回路２５０はコイル１０１の通電経路上に設けられている。具体的には、電流可変回路２５０は駆動回路２３１の下流側に設けられており、駆動回路２３１は電流可変回路２５０を介して接地されている。これにより、電流可変回路２５０には、コイル１０１に流れる電流方向の変化に関わらず同一方向の電流が流れることとなる。換言すれば、電流可変回路２５０は、コイル１０１の通電経路上であって、コイル１０１を流れる電流方向の変化に関わらず同一方向の電流方向である経路上に設けられている。

電流可変回路２５０はＭＰＵ２１１と接続されており、ＭＰＵ２１１からの信号に応じてコイル１０１に流れる電流値Ｉを可変制御する。

電流可変回路２５０の構成について図１４を用いて詳細に説明する。図１４は、電流可変回路２５０の回路図である。

電流可変回路２５０は、コイル１０１の通電経路として３つの通電経路２５１，２５２，２５３を備えている。各通電経路２５１，２５２，２５３はそれぞれ並列に接続されている。各通電経路２５１，２５２，２５３上の構成は略同一であるため、通電経路２５１についてのみ説明する。

通電経路２５１には、抵抗２５１ａ及び当該抵抗２５１ａへの通電を許可又は禁止するスイッチング素子としてのｎＭＯＳ２５１ｂが設けられている。両者は直列に接続されている。具体的には、抵抗２５１ａの一端は駆動回路２３１に接続されており、他端はｎＭＯＳ２５１ｂのドレインに接続されている。ｎＭＯＳ２５１ｂのソースは接地されている。ｎＭＯＳ２５１ｂのゲートはＭＰＵ２１１に接続されており、プルアップされている。これにより、ＭＰＵ２１１からｎＭＯＳ２５１ｂへの信号がＨＩレベル又は不定である場合には、ｎＭＯＳ２５１ｂがオン状態となり、抵抗２５１ａへの通電が行われる。一方、ＭＰＵ２１１からｎＭＯＳ２５１ｂへの信号がＬＯＷレベルである場合には、ｎＭＯＳ２５１ｂがオフ状態となり、抵抗２５１ａへの通電は行われない。

以上のように構成された電流可変回路２５０によれば、コイル１０１に流れる電流値Ｉは各ｎＭＯＳ２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂそれぞれに入力される信号に応じて変化する。詳細には、例えば各ｎＭＯＳ２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂに向けてＨＩレベル信号が出力されている場合、各ｎＭＯＳ２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂはオン状態となる。この場合、各抵抗２５１ａ、２５２ａ、２５３ａへの通電が行われるため、電流可変回路２５０における合成抵抗値Ｒｖは、各抵抗２５１ａ、２５２ａ、２５３ａの抵抗値をＲ１，Ｒ２，Ｒ３とすると、Ｒ１×Ｒ２×Ｒ３／（Ｒ１×Ｒ２＋Ｒ１×Ｒ３＋Ｒ２×Ｒ３）となる。

一方、ｎＭＯＳ２５１ｂのみにＨＩレベル信号が入力されており、他のｎＭＯＳ２５２ｂ、２５３ｂにはＬＯＷレベル信号が入力されている状況においては、ｎＭＯＳ２５１ｂのみがオン状態となるため、電流可変回路２５０における合成抵抗値ＲｖはＲ１となる。つまり、ＭＰＵ２１１からＨＩレベル信号が入力されているｎＭＯＳに対応した通電経路上を電流が流れ、電流が流れる通電経路上の抵抗から構成される合成抵抗値が、コイル１０１の通電経路の抵抗値となる。

以上のことから、ＭＰＵ２１１から各ｎＭＯＳ２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂに向けて出力される信号の組み合わせに応じて、電流可変回路２５０における合成抵抗値Ｒｖ、すなわちコイル１０１を流れる通電経路における抵抗値が変化するため、コイル１０１を流れる電流値Ｉが変化することとなる。

ここで、各抵抗２５１ａ、２５２ａ、２５３ａの抵抗値はそれぞれ異なるように構成されている。これにより、電流可変回路２５０において設定可能な抵抗値は全部で７種類である。つまり、各ｎＭＯＳ２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂをスイッチング制御することによって、コイル１０１を流れる通電経路の抵抗値を７段階に変更することができる。これにより、コイル１０１に流す電流値Ｉを７段階に変更することができる。説明の便宜上、各段階を昇順に並べた順に第１段階、第２段階、…、第７段階とし、各段階に対応した電流値をそれぞれＩ１、Ｉ２、…、Ｉ７とする。

また、Ｉ５は、リードスイッチ９０及びコイル１０１の間隔Ｌ２を考慮しつつ、リードスイッチ９０のオンオフ動作の契機となる強さの磁界±Ｈａｏがリードスイッチ９０に印加されるように設定されている。換言すれば、コイル１０１に流れる電流値Ｉが第５段階に設定されている状況においてコイル１０１を通電すると、リードスイッチ９０に対して当該リードスイッチ９０のオンオフ動作の契機となる強さの磁界±Ｈａｏが印加される。Ｉ５が基準動作電流値に相当する。

この場合、第５段階〜第７段階の電流値（Ｉ≧Ｉ５）は、リードスイッチ９０に対して当該リードスイッチ９０が動作可能な磁界±Ｈａが印加されるように設定されているといえる。一方、第１段階〜第４段階の電流値（Ｉ＜Ｉ５）は予備印加状態となるように設定されているといえる。

以上のことから、駆動回路２３１が動作した場合、ＭＰＵ２１１から各ｎＭＯＳ２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂへの信号の組み合わせに応じて、初期状態から、リードスイッチ９０がオン状態となるような磁界が印加される状態又は予備印加状態どちらかの状態に移行する。

ここで、予備印加状態においては、図５に示すように、第１リード片９２及び第２リード片９３が互いに接触しない状態で近づく。詳細には、予備印加状態における第１接触部９２ａと第２接触部９３ａとの間隔Ｌ３が初期状態における間隔Ｌ１よりも小さくなる。これにより、リードスイッチ９０の感度が向上する。

すなわち、リードスイッチ９０に対して当該リードスイッチ９０のオンオフ動作の契機となる強さよりも弱い予備磁界±Ｈｓが印加されることによって、第１接触部９２ａ及び第２接触部９３ａが互いに接触しない状態で近づくため、リードスイッチ９０の実質的な感度が高くなる。これにより、図４及び図６に示すように、予備印加状態におけるリードスイッチ９０の検知可能領域が、初期状態と比較して大きくなる。詳細には、予備印加状態におけるリードスイッチ９０の検知可能領域は遊技盤５０の前方に拡張するとともに、遊技盤５０の盤面に沿った方向に拡張する。

また、リードスイッチ９０の検知可能領域の大きさは予備磁界の強さＨｓに依存する。当該Ｈｓはコイル１０１を流れる電流値Ｉに依存する。これにより、コイル１０１に流れる電流値Ｉの調整次第で、リードスイッチ９０の検知可能領域の大きさが変化する。

なお、コイル１０１に対して直接的に電圧が印加されるように、コイル１０１の通電経路上には、電流可変回路２５０と駆動回路２３１の２つのＭＯＳ以外の電子部品は搭載されていない。これにより、通電経路上における意図しない抵抗値の増加及びインダクタンスの増加が抑制されているため、コイル１０１に流れる電流が切り替わる場合に生じ得る過渡現象による遅延期間は十分に小さくなっている。

＜主制御基板２０１のＭＰＵ２１１における処理構成＞
次に、主制御基板２０１のＭＰＵ２１１により実行される各制御処理を説明する。かかるＭＰＵ２１１の処理としては大別して、電源投入に伴い起動されるメイン処理と、メイン処理の通常処理に対して定期的に割り込んで起動されるタイマ割込み処理と、ＮＭＩ端子（ノンマスカブル端子）への停電信号の入力により起動されるＮＭＩ割込み処理とがあり、説明の便宜上、はじめにＮＭＩ割込み処理とタイマ割込み処理とを説明し、その後メイン処理を説明する。

図１５は、ＮＭＩ割込み処理であり、当該処理は、停電の発生等によるパチンコ機１０の電源遮断発生時に実行される。すなわち、停電の発生等によりパチンコ機１０の電源が遮断される場合には、停電信号が電断監視基板２０２からＭＰＵ２１１のＮＭＩ端子に出力され、ＭＰＵ２１１は実行中の制御を中断してＮＭＩ割込み処理を開始する。ＮＭＩ割込み処理では、ステップＳ１０１にてＲＡＭ２１３の各種フラグ格納エリア２１３ｃにおける停電フラグ格納エリアに停電フラグをセットし、本処理を終了する。その後、後述する通常処理にて停電フラグがセットされていることが確認されることで、停電時処理が実行される。

＜タイマ割込み処理＞
図１６は、タイマ割込み処理を示すフローチャートである。タイマ割込み処理は、上記のとおり定期的に起動される。この場合、本実施の形態では２ｍｓｅｃ周期で起動されるように構成されているが、この周期は任意である。但し、当該タイマ割込み処理には、電断信号や不正検知信号の確認や、各種入賞の確認などといった短い周期で繰り返し実行すべき処理が設定されているため、これら以外の処理が設定されている後述する通常処理の繰り返し周期よりも短く設定されていることが好ましい。

タイマ割込み処理では、先ずステップＳ２０１にて、信号読み込み処理を実行する。信号読み込み処理では、一般入賞口５３、可変入賞装置５４、作動口５５及びスルーゲート５６に対して個別に設けられた球検知センサから入力ポート２１１ａに入力されている情報を確認し、その確認結果から各入球部への入球の有無を特定する。具体的には、任意の１回の処理にて遊技球を検知していないことに対応した信号（例えば、ＬＯＷレベル信号）の入力を確認し、その後の２回の処理にて遊技球を検知していることに対応した信号（例えば、ＨＩレベル信号）の入力を連続して確認した場合に、その検知センサに対応した入球部において遊技球の入球が発生したと特定する。

信号読み込み処理を実行した後は、ステップＳ２０２にて、乱数初期値カウンタＣＩＮＩの更新を実行する。続くステップＳ２０３では、大当たり乱数カウンタＣ１、大当たり種別カウンタＣ２及びリーチ乱数カウンタＣ３の更新を実行する。かかる更新が数値情報更新手段による更新に該当する。具体的には、それぞれの乱数カウンタの値を１ずつ加算するとともに、当該加算した値が上限値になっているか否かを判定する。そして、当該加算した値が上限値を超えている場合には、カウンタの値を初期値に設定する。ここで、大当たり乱数カウンタＣ１に関しては、その時点の乱数初期値カウンタＣＩＮＩの値が当該大当たり乱数カウンタＣ１の初期値として読み込まれる。乱数初期値カウンタＣＩＮＩは乱数値であるため、大当たり乱数カウンタＣ１の初期値は変動している。よって、大当たり乱数カウンタＣ１の値が当選値と一致するタイミングは、大当たり乱数カウンタＣ１が１周する毎に異なっているため、大当たり乱数カウンタＣ１の値が当選値となるタイミングを把握することは困難になっている。

その後、ステップＳ２０４にて始動入賞処理を実行する。始動入賞処理では、図１７のフローチャートに示すように、先ずステップＳ３０１にて、ＲＡＭ２１３の各種フラグ格納エリア２１３ｃにおける作動口フラグ格納エリアに作動口フラグが格納されているか否かを判定することにより、遊技球が作動口５５に入賞（始動入賞）したか否かを判定する。なお、作動口フラグは、上記ステップＳ２０１の信号読み込み処理にて作動口５５への入賞が確認された場合に格納される。

遊技球が作動口５５に入賞したと判定すると、続くステップＳ３０２において、第１特定ランプ部６３及び図柄表示装置６１の作動保留球数Ｎが上限値（本実施の形態では４）未満であるか否かを判定する。作動口５５への入賞があり、且つ作動保留球数Ｎ＜４であることを条件にステップＳ３０３に進み、作動保留球数Ｎを１加算する。なお、ステップＳ３０３の処理後に作動口フラグを消去する。続くステップＳ３０４では、抽選カウンタ用バッファ２１３ａに格納されている大当たり乱数カウンタＣ１、大当たり種別カウンタＣ２及びリーチ乱数カウンタＣ３の各値を、ＲＡＭ２１３の保留球格納エリア２１３ｂの空きエリアのうち最初のエリアに格納する。

そして、始動入賞処理の後、ＭＰＵ２１１は本タイマ割込み処理を一旦終了する。

＜メイン処理＞
次に、電源投入時のリセットに伴い起動されるメイン処理について、図１８のフローチャートを用いて説明する。

先ずステップＳ４０１では、電源投入に伴う立ち上げ処理を実行する。具体的には、従側の制御基板が動作可能な状態になるのを待つために例えば５００ｍｓｅｃ程度待機する。

続くステップＳ４０２では、ステップＳ４０１の立ち上げ処理後から許可禁止用期間である１ｓｅｃが経過したか否かを判定する。１ｓｅｃ経過していない場合にはステップＳ４０２の処理を再度実行する。この時間の測定は、ステップＳ４０２の処理回数をカウントすることにより行われる。例えば、ステップＳ４０２にて否定判定してから再度ステップＳ４０２の処理を実行するまでに要する時間が０．１ｍｓｅｃである場合には、カウント値が１００００回となることで、ステップＳ４０１の立ち上げ処理後から１ｓｅｃ経過したと判定する。なお、時間の測定の具体的な構成は任意であり、例えばリアルタイムクロックを用いて時間の測定を行うようにしてもよい。ステップＳ４０２にて１ｓｅｃ経過したと判定した場合には、ステップＳ４０３に進む。

ステップＳ４０３では、ＲＡＭ２１３のアクセスを許可する。その後、ステップＳ４０４では、電源及び発射制御装置１６３に設けたＲＡＭ消去スイッチ１６６がオンされているか否かを判定し、続くステップＳ４０５ではＲＡＭ２１３に停電フラグが格納されているか否かを判定する。また、ステップＳ４０６ではＲＡＭ判定値を算出し、続くステップＳ４０７では、そのＲＡＭ判定値が電源遮断時に保存したＲＡＭ判定値と一致するか否か、すなわち記憶保持されたデータの有効性を判定する。ＲＡＭ判定値は、例えばＲＡＭ２１３の作業領域アドレスにおけるチェックサム値である。なお、ＲＡＭ２１３の所定のエリアに書き込まれたキーワードが正しく保存されているか否かにより記憶保持されたデータの有効性を判断することも可能である。

上述したように、本パチンコ機１０では、例えばホールの営業開始時など、電源投入時にＲＡＭデータを初期化する場合にはＲＡＭ消去スイッチ１６６を押しながら電源が投入される。したがって、ＲＡＭ消去スイッチ１６６が押されていれば、ステップＳ４０８〜Ｓ４０９の処理に移行する。また、電源遮断の発生情報が設定されていない場合や、ＲＡＭ判定値（チェックサム値等）により記憶保持されたデータの異常が確認された場合も同様にステップＳ４０８〜Ｓ４０９の処理に移行する。

ステップＳ４０８では、ＲＡＭ２１３の使用領域を０にクリアし（初期化し）、ステップＳ４０９ではＲＡＭ２１３の初期化処理を実行する。その後、ステップＳ４１０にて磁気センサ動作確認処理を実行して、ステップＳ４１１にて割込み許可を設定し、通常処理に移行する。

一方、ＲＡＭ消去スイッチ１６６が押されていない場合には、停電フラグが格納されていること、及びＲＡＭ判定値（チェックサム値等）が正常であることを条件に、ステップＳ４１２にてＲＡＭ２１３から停電フラグを消去するとともに、ステップＳ４１３にてＲＡＭ２１３に記憶されているＲＡＭ判定値を消去する。その後、ステップＳ４１０にて磁気センサ動作確認処理を実行して、ステップＳ４１１にて割込み許可を設定し、通常処理に移行する。電源遮断前の状態に復帰する。

＜磁気センサ動作確認処理について＞
磁気センサ動作確認処理について図１９のフローチャートを用いて説明する。磁気センサ動作確認処理では、磁気センサユニット８１、検知回路２２０、バイアス回路２３０及び電流可変回路２５０からなる磁気検知システムが正常に動作していることを確認するとともに、リードスイッチ９０の感度の調整を行う。

具体的には、先ずステップＳ５０１にて初期電流値設定処理を実行する。具体的には、コイル１０１に流れる電流値Ｉを設定可能な電流値のうち最小の電流値に対応する第１段階に設定する（Ｉ＝Ｉ１）。

その後、ステップＳ５０２にて磁界印加処理を実行する。当該処理では、バイアス回路２３０をアクティブにするために必要な電圧＋１２Ｖをバイアス回路２３０へ向けて印加するとともに、電流方向を決定するデジタル信号を出力する。これにより、バイアス回路２３０がアクティブとなり、リードスイッチ９０に対して磁界が印加されることとなる。

続くステップＳ５０３では、リードスイッチ９０が動作しているか否かを判定する。具体的には、磁気検知信号が入力されているか否かを判定する。詳細には、検知回路２２０からＬＯＷレベル信号が入力されているか否かを判定する。

リードスイッチ９０が動作していないと判定された場合には、ステップＳ５０４に進む。ステップＳ５０４では、印加されている磁界の強さが最大であるか否かを判定する処理を実行する。具体的には、電流値Ｉが第７段階になっているか否かを判定する。現時点において電流値Ｉは第１段階に設定されているため、当該判定処理では否定判定がなされ、ステップＳ５０５にて電流値変更処理を実行する。

電流値変更処理では、電流値Ｉを１段階上げる処理を実行する。具体的には、電流値Ｉが第１段階である場合には、電流値Ｉを第１段階から第２段階に変更する。

その後、ステップＳ５０３に戻り、再びリードスイッチ９０が動作するか否かを判定するとともに、リードスイッチ９０が動作しなかった場合には磁界の強さが最大になっているか否かを判定する。

すなわち、リードスイッチ９０が動作するか、又は磁界の強さが最大になっているかのどちらかの条件が成立するまで、コイル１０１に流れる電流値Ｉを段階的に大きくする。これにより、リードスイッチ９０が動作するまで、リードスイッチ９０に印加される磁界の強さが段階的に大きくなる。すなわち、コイル１０１に流れる電流値Ｉを段階的に大きくしながら、リードスイッチ９０が動作するかを検査しているといえる。かかる処理が行われている状態を検査状態という。

Ｉ７は、リードスイッチ９０が動作する契機として設定した基準動作電流値であるＩ５よりも大きい電流であるため、Ｉ７の電流が流れている場合には、リードスイッチ９０は動作するように設計されている。このため、リードスイッチ９０が動作しないと判定され（ステップＳ５０３：ＮＯ判定）、さらに印加磁界の強さが最大であると判定された場合（ステップＳ５０４：ＹＥＳ判定）、磁気検知システムが正常に動作していないことを意味する。この場合、ステップＳ５０６にて異常報知処理を実行し、本処理を終了する。異常報知処理では、外部端子板１４３を介して、磁気検知システムに異常がある旨の信号を管理制御装置へ向けて送信する。管理者は、当該信号が入力されたことに基づいて、磁気検知システムに異常があることを容易に確認することができる。

ここで、磁気センサ動作確認処理は、パチンコ機１０の電源投入の際に実行されるメイン処理において実行する処理であるため、パチンコ機１０の電源投入の際に自動的に磁気検知システムに異常があるか否かの確認が行われることとなる。これにより、パチンコ機１０毎に磁石を近づける等の確認処理を実行することなく、磁気検知システムの動作確認をすることができる。よって、パチンコ機１０の動作確認を行う際の作業負担を軽減することができる。

特に、磁石等を用いた不正行為抑制の観点から磁気検知システムを設けた場合、当該不正行為を行う前段階として、当該磁気検知システムを無効化する不正行為が考えられる。このため、磁気検知システムは不正行為の対象となり易い。しかしながら、パチンコ機１０毎に磁気検知システムが正常に動作していることを確認するために、パチンコ機１０毎に磁石を近づける等の確認作業を行うとなると、管理者の作業負担の点で好ましくない。

これに対して、本実施形態によれば、パチンコ機１０が電源投入された場合に自動的に磁気検知システムの動作確認が行われるため、磁気検知システムの動作点検に伴う作業負担を軽減することができる。また、遊技が行われる前段階で、磁気検知システムに異常があるか否かの判定処理を行うため、磁気検知システムに異常がある状況にも関わらず、遊技が行われるといった不都合を回避することができる。

ステップＳ５０３にて、リードスイッチ９０が動作したと判定された場合、ステップＳ５０７〜ステップＳ５１２にて、当該リードスイッチ９０の感度が正常であるか否かを判定するとともに、感度が異常である場合には当該感度が正常な値になるように、コイル１０１への定常電流値Ｉｓを設定する。

具体的には、先ず、ステップＳ５０７にて動作電流値記憶処理を実行する。当該処理では、リードスイッチ９０のオンオフ動作の契機となった動作電流値Ｉａを記憶する。詳細には、ＲＡＭ２１３の各種カウンタエリア２１３ｄにおける契機段階カウンタＶＣに、現時点の電流値Ｉの段階に対応した情報を格納する。

その後、ステップＳ５０８に進み、動作電流値Ｉａが基準動作電流値Ｉ５であるか否かを判定する処理を実行する。具体的には、契機段階カウンタＶＣに格納されている情報が第５段階に対応した情報であるか否かを判定する。動作電流値Ｉａが基準動作電流値Ｉ５である場合、当該リードスイッチ９０の感度が正常であることを意味する。かかる場合には、ステップＳ５０９に進み、定常電流値設定処理を実行し、本処理を終了する。

定常電流値設定処理では、予備印加状態となるようにコイル１０１に流れる定常電流値Ｉｓを設定する処理を実行する。具体的には、定常電流値Ｉｓを第２段階に設定し（Ｉｓ＝Ｉ２）、電源ＯＮ状態である期間に亘って定常電流±Ｉｓをコイル１０１に流し続ける。この場合、リードスイッチ９０には当該リードスイッチ９０がオン状態となる強さよりも弱い予備磁界±Ｈｓが印加される。よって、第１リード片９２及び第２リード片９３は互いに接触しない状態で近づく。したがって、リードスイッチ９０の感度が向上する。また、パチンコ機１０が電源ＯＮである期間に亘って予備印加状態は維持される。これにより、感度が高められている状態が維持される。

すなわち、リードスイッチ９０に対して当該リードスイッチ９０が動作可能な磁界±Ｈａが印加されるようにコイル１０１に流れる電流値Ｉを設定する処理を実行することによって、磁気検知システムに異常がないか否かを確認することができる。そして、当該処理を実行し、磁気検知システムに異常がないことが確認された場合には、リードスイッチ９０に対して当該リードスイッチ９０がオン状態となる強さよりも弱い予備磁界±Ｈｓが印加されるようにコイル１０１に流れる電流値Ｉを設定し、当該設定状態を維持することによって、リードスイッチ９０の感度が高い状態を維持することができる。これにより、パチンコ機１０の電源投入の際には磁気検知システムの動作確認を行いつつ、遊技が行われている状況において磁石等を用いた不正行為を好適に抑制することができる。

換言すれば、パチンコ機１０に電源が投入されることに基づいて、初期状態から検査状態へ移行することによって、磁気検知システムに異常がないか否かを判定し、当該磁気検知システムに異常がないと判定された場合には、検査状態から予備印加状態へ移行することによって、リードスイッチ９０の感度を高めることが可能となる。

ここで、定常電流値設定処理は、パチンコ機１０の電源投入の際に実行されるメイン処理において実行する処理であるため、遊技を開始する際には既にコイル１０１に定常電流±Ｉｓが流れている。これにより、遊技が開始されているにも関わらず、リードスイッチ９０の感度が高められていないという不都合を回避することができる。

一方、動作電流値Ｉａが基準動作電流値Ｉ５と異なっている場合には、リードスイッチ９０の感度が正常でないことを意味する。かかる場合、ステップＳ５１０に進み、動作電流値Ｉａと基準動作電流値Ｉ５との比較処理を実行する。具体的には、動作電流値Ｉａが基準動作電流値Ｉ５よりも大きいか否かを判定する。

動作電流値Ｉａが基準動作電流値Ｉ５よりも大きい場合（Ｉａ＞Ｉ５）には、予め定めたリードスイッチ９０の感度よりも、実際のリードスイッチ９０の感度が低いことを意味する。この場合、ステップＳ５１１にて第１定常電流値変更処理を実行する。具体的には、定常電流値Ｉｓを第２段階よりも大きな電流が流れる第３段階に設定する（Ｉｓ＝Ｉ３）。これにより、定常電流値ＩｓがＩ２に設定される場合と比較して、予備磁界の強さＨｓが大きくなる。

また、動作電流値Ｉａが基準動作電流値Ｉ５よりも小さい場合（Ｉａ＜Ｉ５）には、予め定めたリードスイッチ９０の感度よりも、実際のリードスイッチ９０の感度が高いことを意味する。この場合、ステップＳ５１２に進み、第２定常電流値変更処理を実行する。具体的には、定常電流値Ｉｓを第２段階よりも小さな電流が流れる第１段階に設定する（Ｉｓ＝Ｉ１）。これにより、定常電流値ＩｓがＩ２に設定される場合と比較して、予備磁界の強さＨｓが小さくなる。

以上のことから、予備磁界±Ｈｓが印加されている状況においてリードスイッチ９０の感度が所定の感度に近づくようになっている。換言すれば、予備印加状態において所定の感度に近づくように定常電流値Ｉｓが設定されている。これにより、仮にリードスイッチ９０毎に感度のばらつきがある場合には当該ばらつきを抑制することできるとともに、仮に経年劣化によって感度が変化した場合には当該変化に関わらず所定の感度になるようにすることができる。

ここで、リードスイッチ９０の個体差によって、パチンコ機１０毎にリードスイッチ９０の感動値にばらつきが生じている場合がある。また、単一のリードスイッチ９０においても、経年劣化などの影響によって感度が変動する場合がある。

これに対して、本実施形態によれば、リードスイッチ９０において基準感度に対する感度差が小さくなるように定常電流値Ｉｓが設定されているため、リードスイッチ９０の感度のばらつきを抑制することができる。

＜通常処理＞
次に、通常処理について、図２０のフローチャートを参照して説明する。通常処理は、４ｍｓｅｃ周期で起動されるように構成されている。

先ず、ステップＳ６０１では磁気センサ監視処理を実行する。

＜磁気センサ監視処理について＞
磁気センサ監視処理について図２１のフローチャートを用いて説明すると、先ず、ステップＳ７０１にて磁気検知信号が入力されているか否かを判定する。具体的には、検知回路２２０からＬＯＷレベル信号が入力されているか否かを判定する。

磁気検知信号が入力されている場合には、ステップＳ７０２に進み、検知期間を計測する検知カウンタＴＣの更新処理を実行する。具体的には、ＲＡＭ２１３の各種カウンタエリア２１３ｄにおける検知カウンタＴＣの値を１加算する処理を実行する。

続くステップＳ７０３では、検知カウンタＴＣの値が「４９」であるか否かを判定する。検知カウンタＴＣの値が「４９」でない場合には、そのまま本処理を終了する一方、検知カウンタＴＣが「４９」である場合には、ステップＳ７０４に進む。

その後、ステップＳ７０４では、検知カウンタＴＣのクリア処理を実行する。具体的には、検知カウンタＴＣの値を「０」に設定する。続くステップＳ７０５では、磁気検知報知処理を実行する。当該処理では、外部端子板１４３を介して、磁気を検知した旨の信号を遊技ホール側の管理制御装置へ向けて出力する。これにより、管理者は磁気を検知したことを確認することができる。

ここで、磁気センサ監視処理は、通常処理の一部であり、４ｍｓｅｃ周期で実行される。これにより、検知カウンタＴＣの値が「４９」になっていることは、磁気検知信号が入力されている状態が０．２ｓｅｃ継続していることを意味する。つまり、磁気検知報知処理は、磁気検知信号が入力されている場合に直ちに実行されるのではなく、所定の検知期間（０．２ｓｅｃ）だけ磁気検知信号が入力されている状態が継続した場合に実行されるようになっている。よって、リードスイッチ９０の感度向上から生じ得る磁気の誤検知が抑制されている。

すなわち、一般的にノイズの影響によってリードスイッチ９０が瞬間的に反応することがある。当該瞬間的な反応は、リードスイッチ９０の感度が高くなるほど起き易い。これに対して、磁気検知信号の入力状態が所定の検知期間（０．２ｓｅｃ）だけ経過している場合に磁気検知報知処理を実行するため、ノイズによる瞬間的な反応によって磁気検知報知処理が実行されることが抑制されている。これにより、リードスイッチ９０の感度向上から生じ得る磁気の誤検知が抑制されている。

ここで、磁石等を用いた遊技球の不正誘導を行う場合、所定の期間に亘って磁界を印加する必要があるため、所定の検知期間だけ経過している場合に磁気検知報知処理を実行する構成とした場合であっても、不正行為の検知が阻害されることはない。これにより、磁石等による不正行為を抑制しつつ、リードスイッチ９０の感度向上によって生じ得る磁気の誤検知を抑制することができる。

なお、磁気検知信号が入力されている状態が０．２ｓｅｃ継続しなかった場合には、検知カウンタＴＣの値は累積された状態で保持される。これにより、断続的に磁界を印加する不正行為を検知することが可能となっている。

ステップＳ７０１にて、磁気検知信号が入力されていない場合にはステップＳ７０６に進み、ＲＡＭ２１３の各種カウンタエリア２１３ｄにおける切替カウンタＣＣを更新する処理を実行する。具体的には、切替カウンタＣＣの値を１減算する。切替カウンタＣＣは、コイル１０１に流れる電流方向を切り替える期間を規定しているタイマカウンタである。

その後、ステップＳ７０７にて、切替カウンタＣＣの値が「０」となっているか否かを判定する処理を実行する。当該判定処理にて、切替カウンタＣＣの値が「０」となっていないと判定された場合には、そのまま本処理を終了する一方、切替カウンタＣＣの値が「０」となっていると判定された場合には、ステップＳ７０８にて切替カウンタＣＣに「１２４９」を格納する。

続くステップＳ７０９では、電流方向切替処理を実行する。具体的には、ＭＰＵ２１１からバイアス回路２３０の制御回路２４１に向けて出力している信号を反転させる。これにより、コイル１０１に流れる電流方向が切り替わる。

当該切替に基づく磁気センサユニット８１の態様について図２２のタイミングチャートを用いて詳細に説明する。図２２（ａ）はＭＰＵ２１１からバイアス回路２３０への出力状態の推移を示し、図２２（ｂ）はコイル１０１を流れる電流の推移を示し、図２２（ｃ）はコイル１０１から発生する磁界の推移を示している。なお、コイル１０１に流れる電流が切り替わる場合に生じ得る過渡現象の遅延期間は電流方向の切替期間（５ｓｅｃ）に対して十分に小さく、当該過渡現象による磁界の変化の影響は十分に小さいため、図２０においては図示を省略する。

ＭＰＵ２１１からＬＯＷレベル信号が出力されている場合、コイル１０１には＋Ｉｓの定常電流が流れており、当該定常電流＋Ｉｓによって＋Ｈｓの予備磁界が発生している。その後、切替カウンタＣＣが「０」になった場合、切替カウンタＣＣに「１２４９」を設定するとともに、ＭＰＵ２１１からの出力を反転させる。

すると、コイル１０１を流れる電流の向きが反転し、コイル１０１には−Ｉｓの定常電流が流れ、当該定常電流−Ｉｓによって−Ｈｓの予備磁界が発生する。これにより、リードスイッチ９０に印加される予備磁界の方向が切り替わる。当該状態は、磁気検知信号が入力されないことを条件として、切替カウンタＣＣが「０」になるまで維持される。

切替カウンタＣＣは、磁気検知信号が入力されないことを条件として通常処理が実行される毎に１ずつ減算されるため、切替カウンタＣＣは５ｓｅｃ周期で「０」になる。すなわち、電流方向切替処理は５ｓｅｃの周期で定期的に実行されるものであり、コイル１０１を流れる電流方向は５ｓｅｃ毎に交互に切り替わるように設定されている。なお、切り替わりの際の過渡現象に着目すれば、当該切り換わりの際に電流の大きさが変化しているともいえる。

ここで、コイル１０１によって形成された予備磁界が印加されている状況では、リードスイッチ９０は当該予備磁界の向きと同一の向きの磁界に対しては敏感に反応する。一方、コイル１０１によって形成された予備磁界の向きと反対方向の磁界が印加された場合には、両者が打ち消しあうため、結果としてリードスイッチ９０がオン状態とならない。これにより、磁界が印加されているにも関わらず、当該磁界を検知できないという不都合が生じる。

これに対して、本実施の形態によれば、電流方向が交互に切り替わるため、リードスイッチ９０に予め印加されている予備磁界の向きが交互に切り替わる。これにより、ＭＰＵ２１１からＨＩレベル信号が出力されている期間及びＬＯＷレベル信号が出力されている期間を合わせた期間を単位期間とすれば、単位期間内においてリードスイッチ９０は双方向の磁界の向きに対して敏感に反応する。よって、どちらの磁界が印加されている場合であっても、磁気を検知することができる。したがって、上記不都合を回避することができる。

また、磁気検知信号が入力されている場合には、切替カウンタＣＣの更新処理は行われない。これにより、磁気検知信号が入力されている期間に亘って電流方向の切替は実行されない。よって、磁気を検知している検知結果が示されている状況において電流方向の切り替えが行われ、結果として磁気が検知されない検知結果となる検知漏れの発生が抑制されている。

通常処理（図２０）の説明に戻り、ステップＳ６０２では、変動種別カウンタＣＳの更新を実行する。続くステップＳ６０３では、第１特定ランプ部６３に表示される色の切り替えを行うための第１特定ランプ部制御処理を実行する。第１特定ランプ部制御処理では、大当たり判定や第１特定ランプ部６３に配設されたＬＥＤランプの光源スイッチのオンオフ制御などが行われる。また、第１特定ランプ部制御処理において、図柄表示装置６１による第１図柄の変動表示の設定も行われる。

具体的には、大当たり乱数カウンタＣ１の値に基づいて大当たりか否かを判定する。より詳細には、大当たり乱数カウンタＣ１の値が予め定めた大当たり当選となる当選値と一致しているか否かを判定する。また、大当たり種別カウンタＣ２の値に基づいて大当たりの種類を決定する（いわゆる、確変大当たりか否かを決定する）。また、リーチ乱数カウンタＣ３の値及び変動種別カウンタＣＳの値に基づいて、第１特定ランプ部６３に表示される色の切替表示時間、及び第１図柄の変動表示時間を決定する。なお、当該第１特定ランプ部制御処理にて第１特定ランプ部６３のオンオフ制御が開始される毎に作動保留球数Ｎが１減算され、作動保留球数Ｎが０の場合にはオンオフ制御が開始されない。

第１特定ランプ部制御処理の後は、ステップＳ６０４にて大入賞口開閉処理を実行する。大入賞口開閉処理では、大当たり状態である場合において可変入賞装置５４の大入賞口を開放又は閉鎖する。すなわち、大当たり状態のラウンド毎に大入賞口を開放し、大入賞口の最大開放時間が経過したか、又は大入賞口に遊技球が規定数だけ入賞したかを判定する。この規定数だけ入賞したか否かの判定は、ＲＡＭ２１３の各種カウンタエリア２１３ｄにおける大入賞口用カウンタを確認することにより行われる。そして、これら何れかの条件が成立すると大入賞口を閉鎖する。

その後、ステップＳ６０５では、第２特定ランプ部６４に表示される色の切り替え処理を行うための第２特定ランプ部制御処理を実行する。第２特定ランプ部制御処理では、スルーゲート５６に遊技球が入賞したことを条件に第２特定ランプ部６４における表示色の切り換えを開始する。この際、表示色の切り換え時間も設定する。また、スルーゲート５６に遊技球が入賞した際に取得された第２特定ランプ乱数カウンタの値に基づいて停止表示する色を設定する。この停止表示される色として所定の色が設定された場合には、その色の停止表示後に、作動口５５に付随する電動役物が所定時間開放される。

ステップＳ６０５の後は、ステップＳ６０６にて、遊技球発射制御処理を実行する。遊技球発射制御処理では、電源及び発射制御装置１６３から発射許可信号を入力していることを条件として、所定期間（例えば、０．６ｓｅｃ）に１回、遊技球が遊技領域Ｚに向けて打ち出されるように、遊技球発射機構を駆動させる。詳細には、ＭＰＵ２１１は所定期間経過毎に電源及び発射制御装置１６３に発射パルス信号を出力する。電源及び発射制御装置１６３は、発射パルス信号が入力されたことに基づいて、当該発射パルス信号の電圧を増幅させた駆動信号（駆動電圧）を遊技球発射機構に搭載されているソレノイドへ向けて出力し、ソレノイドの出力軸を発射位置と収容位置とに移動させることで、遊技球の発射を制御する。

その後、ステップＳ６０７にて、ＲＡＭ２１３に停電フラグが格納されているか否かを判定する。停電フラグが格納されていない場合には、ステップＳ６０８に進み、次の通常処理の実行タイミングに至ったか否か、すなわち前回の通常処理の開始からタイマ割込み処理が複数回数として予め設定された割込み基準回数（具体的には、２回）発生したか否かを判定する。このタイマ割込みの回数の把握として具体的には、ＲＡＭ２１３の各種カウンタエリア２１３ｄにおける割込み回数カウンタの値を、タイマ割込みが起動される度に１加算するとともに、ステップＳ６０１の処理が実行される直前のタイミングで当該カウンタの値が０クリアする（初期化される）。タイマ割込み処理が割込み基準回数発生していない場合には、ステップＳ６０９に進む。

ステップＳ６０９では、乱数初期値カウンタＣＩＮＩの更新を実行する。具体的には、乱数初期値カウンタＣＩＮＩを１加算すると共に、そのカウンタ値が最大値に達した際０にクリアする（初期化する）。そして、乱数初期値カウンタＣＩＮＩの更新値を、ＲＡＭ２１３の抽選カウンタ用バッファ２１３ａに格納する。また、ステップＳ６１０では、変動種別カウンタＣＳの更新を実行する。具体的には、変動種別カウンタＣＳを１加算すると共に、それらのカウンタ値が最大値に達した際それぞれ０にクリアする（初期化する）。そして、変動種別カウンタＣＳの更新値を、ＲＡＭ２１３の抽選カウンタ用バッファ２１３ａに格納する。

その後、ステップＳ６０７に進む。その後、前回の通常処理の開始からタイマ割込み処理が割込み基準回数発生するまで上述した処理を繰り返し、割込み基準回数に達した場合にはステップＳ６０１の処理に戻る。つまり、停電フラグが格納されていない場合には、ステップＳ６０１〜ステップＳ６０６の処理が４ｍｓｅｃ周期で繰り返し実行されることとなる。なお、当該周期は、遊技の進行を良好に制御することができるのであれば、４ｍｓｅｃに限定されない。

停電フラグが格納されている場合には、ステップＳ６１１以降の停電時処理を実行する。つまり、ステップＳ６１１では、タイマ割込み処理の発生を禁止し、その後、ステップＳ６１２にてＲＡＭ判定値を算出、保存し、ステップＳ６１３にてＲＡＭ２１３のアクセスを禁止した後に、電源が完全に遮断して処理が実行できなくなるまで無限ループを継続する。

以上詳述した本実施の形態によれば以下の優れた効果を奏する。

リードスイッチ９０及び当該リードスイッチ９０に対して所定の間隔Ｌ２を隔てた位置にコイル１０１を有する磁気センサユニット８１を設けるとともに、コイル１０１への通電を行うバイアス回路２３０を設けた。そして、パチンコ機１０が電源投入されることに基づいて、リードスイッチ９０に対して当該リードスイッチ９０が動作可能な磁界±Ｈａが印加されるようにコイル１０１を通電する確認処理を実行する構成とした。これにより、ＭＰＵ２１１に対して磁気検知信号が入力されるか否かを判定することによって、磁気センサユニット８１、検知回路２２０、バイアス回路２３０及び電流可変回路２５０からなる磁気検知システムに異常がないか否かの確認をすることができる。よって、磁気検知システムの動作確認に伴う管理者の作業負担を軽減することができる。

また、パチンコ機１０が電源投入された場合に上記確認処理を実行することによって、遊技が行われる前段階にて磁気検知システムの異常の有無を確認することができる。これにより、磁気検知システムに異常があるにも関わらず、遊技が行われるといった不都合を回避することができる。

さらに、リードスイッチ９０の動作の契機となる強さよりも弱い強さの予備磁界±Ｈｓが定常的にリードスイッチ９０に印加されるように、コイル１０１への定常電流値Ｉｓを設定した。これにより、パチンコ機１０が電源投入された場合には、磁気検知システムの動作確認を行う一方、遊技が行われている状況においてはリードスイッチ９０の感度が高められている。よって、初期状態と比較して、リードスイッチ９０の検知可能領域が大きくなるため、磁石等を用いた不正行為を検知し易い。したがって、磁気検知システムの動作確認を行うとともに、磁石等を用いた不正行為を好適に抑制することができる。

特に、図６に示すように、作動口５５への遊技球の直接的な不正誘導を抑制する観点から初期状態における検知可能領域に作動口５５が含まれるようにリードスイッチ９０が配置されている状況においては、予備印加状態となることによって作動口５５を含めた広範な領域がリードスイッチ９０の検知可能領域となる。これにより、作動口５５だけでなく、そこへ遊技球が誘導される部分をもリードスイッチ９０の検知可能領域に含まれるため、作動口５５への遊技球の間接的な不正誘導をも抑制することができる。

また、リードスイッチ９０の検知可能領域が大きくなるに伴い、リードスイッチ９０の検知可能領域内には、作動口５５だけでなく複数の一般入賞口５３、可変入賞装置５４及びスルーゲート５６が含まれることとなる。これにより、リードスイッチ９０はこれら周辺の磁気を検知することが可能となっているため、磁石等を用いたこれらへの遊技球の直接的な不正誘導を抑制することができる。

ここで、磁石を用いた不正行為は遊技盤５０の前方から磁石を近づけることによって行われることが多い。この点、図４に示すように、予備印加状態おけるリードスイッチ９０の検知可能領域は遊技盤５０の前方にも拡張している。これにより、磁石を用いた不正行為を検知し易くなる。

また、リードスイッチ９０の検知可能領域は長手方向における両端側からそれぞれ形成されている。このため、例えばリードスイッチ９０の長手方向が遊技盤５０の盤面に沿った方向と直交するようにリードスイッチ９０を配置した場合、遊技領域Ｚにおける検知可能領域はリードスイッチ９０の一端側から形成されている検知可能領域のみとなる。

これに対して、本実施の形態によれば、リードスイッチ９０の長手方向が遊技盤５０の盤面に沿うようにリードスイッチ９０が配置されているため、遊技領域Ｚにおける検知可能領域はリードスイッチ９０の両端側からそれぞれ形成されている検知可能領域を合わせた領域となる。これにより、遊技領域Ｚに占める検知可能領域の割合が大きくなるため、より広域の領域に亘って磁気を検知することが可能となっている。よって、より好適に磁石等を用いた不正行為を抑制することができる。

また、パチンコ機１０が電源投入された場合、コイル１０１に流れる電流値Ｉを段階的に大きく設定することによってリードスイッチ９０のオンオフ動作の契機となる動作電流値Ｉａを把握し、当該動作電流値Ｉａに基づいて定常電流値Ｉｓを設定するようにした。これにより、動作電流値Ｉａの変化に対応させて定常電流値Ｉｓを決定することによってリードスイッチ９０の感度の変化を補償することができる。よって、例えばリードスイッチ９０毎に動作電流値Ｉａにばらつきが生じている場合には、当該ばらつきに対応させて定常電流値Ｉｓを決定することによってリードスイッチ９０の感度のばらつきを抑制することができる。

電流可変回路２５０は、コイル１０１の通電経路として３つの通電経路２５１、２５２、２５３を備え、当該通電経路２５１、２５２、２５３それぞれに、互いに異なる抵抗値を有する抵抗２５１ａ、２５２ａ、２５３ａを設けるとともに、各通電経路２５１、２５２、２５３に流れる電流の有無を制御するスイッチング素子としてｎＭＯＳ２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂを設けた。これにより、各ｎＭＯＳ２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂのオンオフ制御を行うことによって電流可変回路２５０における合成抵抗値Ｒｖを制御することができるため、コイル１０１に流れる電流値Ｉを制御することができる。

予備印加状態において、リードスイッチ９０はコイル１０１によって形成された磁界の向きと同一の向きの磁界に対して敏感に反応する。一方、コイル１０１によって形成された磁界の向きと反対の向きの磁界が印加された場合には、両者が打ち消しあうため、結果としてリードスイッチ９０が反応しないという不都合が生じる。

これに対して、本実施形態では、コイル１０１に流れる電流の向きを交互に切り替えるように設定した。これにより、正電流が流れている期間及び負電流が流れている期間を合わせた期間を単位期間として着目すれば、リードスイッチ９０は双方向の磁界に対して敏感に反応することとなる。よって、上記不都合を回避することができる。

さらに、コイル１０１に流れる電流の向きの切り替わりに関わらず、同一方向の電流が流れる経路上に電流可変回路２５０を設けた。これにより、電流可変回路２５０は電流方向の切り替わりに対応する必要がないため、電流可変回路２５０の構成の簡素化を図ることができる。

パチンコ機１０が電源投入される際に行われるメイン処理において、コイル１０１に定常電流±Ｉｓを流し始めるとともに、外部電源からパチンコ機１０に対して電力が供給されている状態（電源ＯＮ状態）において、コイル１０１に定常電流±Ｉｓが流れている状態（予備印加状態）を維持するように設定した。これにより、遊技が行われる状況においては確実にリードスイッチ９０の感度が高められた状態が維持されている。よって、リードスイッチ９０の感度が高められていない状況での遊技球の不正誘導を抑制することができる。

バイアス回路２３０は、コイル１０１を通電するとともに、当該電流の向きを切替可能な駆動用回路としてのｐＭＯＳ２３２ａ、２３２ｂ並びにｎＭＯＳ２３３ａ、２３３ｂを備えているとともに、ＭＰＵ２１１からの信号に基づいて、コイル１０１に流れる電流方向が切り替わるように当該駆動用回路を制御する制御用回路としてのｎＭＯＳ２４４ａ、２４４ｂ、２４５ａ、２４５ｂ並びにシュミットインバータ２４３を備えている。これにより、ＭＰＵ２１１からの信号に基づいて電流方向の切り替えが行われるため、当該切替の制御を行うことができる。つまり、信号制御によって電流方向制御が可能となっている。

磁気検知信号が所定の検知期間だけ継続して出力されている場合に、磁気検知報知処理を実行する構成とした。これにより、ノイズによってリードスイッチ９０が瞬間的に反応した場合であっても磁気検知報知処理は実行されない。これにより、リードスイッチ９０の感度の向上に伴って生じ易くなるノイズによる磁気の誤検知が抑制されている。

ここで、一般に磁石を用いた不正誘導に要する期間はノイズによって反応した反応期間よりも十分に長期間であるため、検知期間を不正誘導に要する期間と反応期間との間に設定することによって、不正誘導の検知を行いつつ、リードスイッチ９０の感度が向上することによって生じ得る磁気の誤検知を抑制することができる。

また、所定の期間が電流方向の切替間隔よりも短くなるように設定した。これにより、磁気を検知している検知結果が示されている状況において電流方向の切り替えが行われ、結果として磁気が検知されない検知結果となる検知漏れの発生が抑制されている。

さらに、磁気検知信号が入力されている場合、切替カウンタＣＣの更新処理を実行しないようにした。これにより、磁気検知信号が入力されている期間に亘って、電流方向の切替は実行されない。よって、上記検知漏れを確実に防止することができる。

＜第２の実施形態＞
本実施形態では、電流可変回路２５０に関する構成が第１の実施形態と異なっており、当該相違点について図２３及び図２４を用いて説明する。図２３は、駆動回路２３１の回路図であり、図２４は本実施形態における電流可変回路２５０の回路図である。なお、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付すとともに、説明を省略する。

図２３に示すように、電流可変回路２５０は駆動回路２３１の上流側に設けられている。具体的には、駆動回路２３１に対して＋１２Ｖの電圧を供給する経路上に電流可変回路２５０が設けられている。詳細には、電流可変回路２５０は各ｐＭＯＳ２３２ａ、２３２ｂのソース及びゲートに接続されている。駆動回路２３１には、電流可変回路２５０を介して＋１２Ｖの電圧が印加されている。

電流可変回路２５０は、図２４に示すように、差動増幅手段としてのオペアンプ３０１を備えている。オペアンプ３０１は、上述した通り、２つの入力端子（＋端子、−端子）及び出力端子を備えている。電流可変回路２５０には、電圧電流変換手段としての変換回路３０２が設けられており、上記出力端子には変換回路３０２が接続されている。

変換回路３０２は、駆動回路２３１と接続されているとともに、＋１２Ｖの電圧供給を受けている。すなわち、変換回路３０２は、駆動回路２３１に対して＋１２Ｖの電圧を供給する供給経路上に設けられている。換言すれば、変換回路３０２はコイル１０１の通電経路上に設けられている。変換回路３０２は、出力端子から入力される電圧に応じた電流を駆動回路２３１に向けて流すように構成されている。

具体的には、変換回路３０２は、ＮＰＮトランジスタ３０２ａ及び抵抗３０２ｂを備えている。ＮＰＮトランジスタ３０２ａのコレクタには＋１２Ｖの電圧が印加されており、エミッタは駆動回路２３１に接続されている。これにより、＋１２Ｖの電圧はＮＰＮトランジスタ３０２ａを介して駆動回路２３１に入力されている。

ＮＰＮトランジスタ３０２ａのベースはオペアンプ３０１の出力端子と接続されており、当該ＮＰＮトランジスタ３０２ａのベースとオペアンプ３０１の出力端子とを接続する経路上に抵抗３０２ｂが直列に接続されている。

かかる構成によれば、オペアンプ３０１からＮＰＮトランジスタ３０２ａの閾値電圧よりも大きい電圧が出力された場合、ＮＰＮトランジスタ３０２ａがオン状態となり、＋１２Ｖの電圧（ＮＰＮトランジスタ３０２ａの電圧降下分は無視する）が駆動回路２３１に向けて印加されることとなる。この場合、駆動回路２３１に向けて流れる電流値、すなわちコイル１０１に流れる電流値Ｉは、エミッタ−コレクタ間を流れる電流（以下、コレクタ電流という）となる。

ここで、電流に着目すれば、オペアンプ３０１からの出力電圧Ｖｏｕｔは抵抗３０２ｂによってベース電流に変換されており、当該ベース電流が入力されることによってＮＰＮトランジスタ３０２ａがオン状態となるといえる。コレクタ電流は上記ベース電流に対してリニアに依存する。ベース電流はオペアンプ３０１から出力される電圧に対してリニアに依存する。これにより、オペアンプ３０１からの出力電圧Ｖｏｕｔに応じてコイル１０１に流れる電流値Ｉが変化する。

なお、一般的にトランジスタにおいて、コレクタ電流はベースに対する入力電圧の変化に対して指数関数的に変化する一方、ベース電流の変化に対してリニアに変化する。そのため、ベース電流による制御の方がベースに対する入力電圧に基づく制御よりも安定したコレクタ電流の供給を実現することができる。よって、コイル１０１に流れる電流値Ｉの安定化を図ることができるとともに、リードスイッチ９０に印加される磁界の強さの安定化を図ることができる。

また、ＮＰＮトランジスタ３０２ａのエミッタと駆動回路２３１とを接続する経路上にはバイパスコンデンサ３０３が設けられており、当該バイパスコンデンサ３０３によって駆動回路２３１へ向かう電圧の揺らぎが抑制されている。

オペアンプ３０１の出力端子から出力される出力電圧Ｖｏｕｔは、＋端子に入力される入力電圧Ｖｖと−端子に入力される入力電圧Ｖｒｅｆとの差に依存している。具体的には、出力電圧Ｖｏｕｔは、Ａ×（Ｖｖ−Ｖｒｅｆ）（Ａ：増幅率）となっている。

ここで、Ｖｒｅｆは定電圧になるように構成されている。具体的には、電流可変回路２５０には、定電圧Ｖｒｅｆを生成するとともに、−端子に当該定電圧Ｖｒｅｆを出力する帰還回路３０４が設けられている。帰還回路３０４は、変換回路３０２と駆動回路２３１とを接続する経路上に接続されているとともに、−端子に接続されている。これにより、変換回路３０２及び帰還回路３０４を介して、オペアンプ３０１の出力端子から−端子までが接続されている。帰還回路３０４は−端子に定電圧Ｖｒｅｆを出力するとともに、オペアンプ３０１の増幅率Ａを決定している。

具体的には、帰還回路３０４は、２つの負帰還抵抗３０４ａ、３０４ｂからなり、両者は互いに直列に接続されている。詳細には、負帰還抵抗３０４ａの一端が負帰還抵抗３０４ｂの一端と接続されている。負帰還抵抗３０４ｂの他端は接地されている。負帰還抵抗３０４ａの他端はエミッタと駆動回路２３１とを接続する経路に接続されている。負帰還抵抗３０４ａ、３０４ｂを接続している経路と、オペアンプ３０１の−端子が接続されている。

かかる構成によれば、−端子に入力される入力電圧Ｖｒｅｆは、負帰還抵抗３０４ａ、３０４ｂによって分圧された電圧となっている。そして、オペアンプ３０１の増幅率Ａは負帰還抵抗３０４ａ、３０４ｂの抵抗値の比で決まる。

以上のことから、帰還回路３０４によって、入力電圧Ｖｒｅｆは定電圧となっているとともに、オペアンプ３０１の増幅率Ａが決定されている。換言すれば、帰還回路３０４は、−端子に向けて定電圧Ｖｒｅｆを出力するとともに、増幅率Ａを決定するものといえる。

電流可変回路２５０は、＋端子に入力される入力電圧Ｖｖを可変制御する電圧制御回路３０５を備えている。電圧制御回路３０５は＋端子に接続されているとともに、ＭＰＵ２１１と接続されている。電圧制御回路３０５は＋１２Ｖの電圧供給を受けている。＋端子への入力電圧Ｖｖは、電圧制御回路３０５によって生成されている。電圧制御回路３０５は、ＭＰＵ２１１からの信号に応じて入力電圧Ｖｖを可変制御する。

具体的には、電圧制御回路３０５は、基準抵抗３１１と、基準抵抗３１１に対して直列に接続された抵抗可変回路３１２と、を備えている。基準抵抗３１１は＋１２Ｖの電圧供給を受けている。基準抵抗３１１は抵抗可変回路３１２を介して接地されている。基準抵抗３１１と抵抗可変回路３１２とを接続する経路に＋端子が接続されている。これにより、抵抗可変回路３１２と基準抵抗３１１とによって分圧された電圧が入力電圧Ｖｖとして＋端子に入力されることとなる。すなわち、基準抵抗３１１の抵抗値をＲとし、抵抗可変回路３１２の抵抗値をＲ’とすると、入力電圧Ｖｖは、Ｒ’／（Ｒ＋Ｒ’）×１２Ｖとなる。

ここで、抵抗可変回路３１２はＭＰＵ２１１と接続されており、ＭＰＵ２１１からの信号に応じてＲ’が変化するように構成されている。これにより、ＭＰＵ２１１からの信号に応じて入力電圧Ｖｖが変化することとなる。

具体的には、抵抗可変回路３１２は、基準抵抗３１１と接地とを接続する４つの通電経路３２１、３２２、３２３、３２４を備えている。各通電経路３２１、３２２、３２３、３２４は互いに並列に接続されている。通電経路３２１上には分圧抵抗３２１ａが設けられている。通電経路３２２、３２３、３２４に設けられている構成は、第１の実施形態で示した通電経路２５１、２５２、２５３の構成と同一であるため、説明を省略する。

かかる構成によれば、ＭＰＵ２１１からの信号に応じてＲ’が変化する。具体的には、Ｒ’は、分圧抵抗３２１ａの抵抗値と、各抵抗３２２ａ、３２３ａ、３２４ａのうち通電している抵抗（オン状態となっているｎＭＯＳに対応した抵抗）の抵抗値と、からなる合成抵抗値であるため、各ｎＭＯＳ３２２ｂ、３２３ｂ、３２４ｂのオンオフに応じて、Ｒ’は変化する。詳細には、オン状態であるｎＭＯＳが少なくなるとＲ’が大きくなり、＋端子への入力電圧Ｖｖが大きくなる。これにより、ＭＰＵ２１１から各ｎＭＯＳ３２２ｂ、３２３ｂ、３２４ｂのゲートへの信号状態に応じて、＋端子への入力電圧Ｖｖが変化する。

以上のことから、ＭＰＵ２１１から各ｎＭＯＳ３２２ｂ、３２３ｂ、３２４ｂへの信号制御を行うことによって、＋端子への入力電圧Ｖｖの可変制御が可能となる。換言すれば、電圧制御回路３０５は、ＭＰＵ２１１からの信号に応じて可変制御可能な可変電圧Ｖｖを＋端子に向けて出力するものであるといえる。これにより、オペアンプ３０１からの出力電圧Ｖｏｕｔの制御が可能となり、コレクタ電流の制御が可能となる。よって、ＭＰＵ２１１から各ｎＭＯＳ３２２ｂ、３２３ｂ、３２４ｂへの信号を制御することによって、コイル１０１に流れる電流値Ｉの制御が可能となる。

なお、各ｎＭＯＳ３２２ｂ、３２３ｂ、３２４ｂが全てオフ状態である場合の＋端子への入力電圧Ｖｖ、すなわち最小入力電圧Ｖｍｉｎは−端子の入力電圧Ｖｒｅｆよりも大きく設定されている。これにより、ベース電流が負電流になり、ＮＰＮトランジスタ３０２ａが動作しないことが抑制されている。

また、＋端子への入力電圧Ｖｖが基準抵抗３１１及び抵抗可変回路３１２によって分圧された電圧であることに着目すれば、電圧制御回路３０５は、入力された電圧を分圧するとともに、当該分圧された電圧を＋端子に対して出力する分圧回路を備え、ＭＰＵ２１１からの信号に応じて分圧比を可変制御することによって、入力電圧Ｖｖを制御するものであるといえる。

以上詳述した本実施形態によれば、電圧電流変換手段として抵抗３０２ｂ及びＮＰＮトランジスタ３０２ａからなる変換回路３０２と、差動増幅手段として２つの入力端子並びに１つの出力端子を有し、２つの入力端子それぞれに入力される電圧の差に応じた電圧を出力端子から出力するオペアンプ３０１とを設け、オペアンプ３０１の出力端子をＮＰＮトランジスタ３０２ａのベースに接続し、一方の入力端子に定電圧Ｖｒｅｆを入力する一方、他方の入力端子には変更可能な可変電圧Ｖｖが入力されるようにした。これにより、＋端子への入力電圧Ｖｖが変化すると、オペアンプ３０１からの出力電圧Ｖｏｕｔが変化する。よって、ベース電流が変化し、コレクタ電流が変化するため、コイル１０１に流れる電流値Ｉが変化することとなる。したがって、＋端子への入力電圧Ｖｖを制御することによって、コイル１０１に流れる電流値Ｉを制御することができる。

ここで、コレクタ電流はベースに入力される電圧（以下、ベース電圧という）の変化に対して指数関数的に変化するため、ベース電圧に基づいてコレクタ電流を制御する構成のほうが、電圧変化により敏感に反応することができる点で好ましい。しかしながら、かかる構成の場合、ベース電圧の揺らぎによってコレクタ電流が大きく変化するため、コレクタ電流の安定性という観点から好ましくない。

これに対して、本実施形態によれば、オペアンプ３０１の出力端子とＮＰＮトランジスタ３０２ａとを接続する経路上に抵抗３０２ｂが設けられている。これにより、コレクタ電流は、ベース電圧ではなくベース電流に基づいて制御される。この場合、コレクタ電流はベース電流の変化に対してリニアに変化する。よって、オペアンプ３０１の出力端子から出力される電圧の変化に追従しつつ、コレクタ電流の揺らぎが抑制されている。したがって、オペアンプ３０１の出力端子から出力される電圧変化の追従性と、コレクタ電流の安定性とが確保されている。

電流可変回路２５０に、ＭＰＵ２１１からの信号状態に応じて、＋端子への入力電圧Ｖｖを変化させる電圧制御回路３０５を設けた。具体的には、電圧制御回路３０５は、基準抵抗３１１と、基準抵抗３１１に直列に接続され、ＭＰＵ２１１からの信号に応じて抵抗値が変化する抵抗可変回路３１２と、を備え、＋端子に入力される入力電圧Ｖｖは基準抵抗３１１と抵抗可変回路３１２とによって分圧された電圧となるように構成した。これにより、ＭＰＵ２１１からの信号を制御することによって、＋端子への入力電圧Ｖｖを制御し、コイル１０１を流れる電流値Ｉを制御することが可能となる。

抵抗可変回路３１２は、複数の抵抗３２２ａ、３２３ａ、３２４ａ及びこれら抵抗３２２ａ、３２３ａ、３２４ａの通電を許可又は禁止するｎＭＯＳ３２２ｂ、３２３ｂ、３２４ｂを備えており、各ｎＭＯＳ３２２ｂ、３２３ｂ、３２４ｂは、ＭＰＵ２１１からの信号に基づいて、オン状態又はオフ状態となるように構成した。これにより、各ｎＭＯＳ３２２ｂ、３２３ｂ、３２４ｂのオンオフ制御を行うことによって、各抵抗３２２ａ、３２３ａ、３２４ａの通電制御が行われ、抵抗可変回路３１２の抵抗値の制御が実現されている。よって、デジタル制御によって抵抗可変回路３１２の抵抗値の制御が実現されている。

＜その他の実施形態＞
なお、上述した実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施してもよい。ちなみに、以下の各構成を単独で上記実施形態の構成に適用してもよく、所定の組み合わせで上記実施形態の構成に適用してもよい。また、以下の各構成を、その構成の適用対象として例示していない実施形態に適用してもよい。

（１）上記各実施形態では、磁気検知システムの動作確認を行う構成としたが、これに限られず、例えば一方向の信号伝達システムの動作確認を行う構成としてもよい。一方向の信号伝達システムの具体的構成としては、例えば主制御基板２０１と外部端子板１４３とはフォトカプラを介して接続されている構成が考えられる。詳細には、フォトカプラは、主制御基板２０１に設けられ、通電されることによって発光する発光素子としての発光ダイオードと、外部端子板１４３に設けられ、上記発光ダイオードからの光を照射されることによって、導通状態となる受光素子としてのフォトトランジスタと、を備えている。かかる構成によれば、主制御基板２０１からフォトカプラに信号が入力される（発光ダイオードが通電される）と、フォトカプラがオン状態（フォトトランジスタが導通状態）となり、その信号が外部端子板１４３に向けて出力されることとなる。

フォトカプラは、発光ダイオードの発光に伴いフォトトランジスタが動作する構成であるため、発光ダイオードが設けられている入力側と、フォトトランジスタが設けられている出力側とは、電気的に絶縁されている。これにより、順方向（入力側から出力側）への信号伝達は行われるが、逆方向（出力側から入力側）への信号伝達は行われない。すなわち、主制御基板２０１から外部端子板１４３側に向けて信号が出力されると、その信号はフォトカプラを介して伝達される一方、外部端子板１４３側から主制御基板２０１に向けて信号が出力されても、フォトカプラによって主制御基板２０１へのその信号の入力は規制される。よって、一方向の信号伝達システムが実現されている。

かかる構成において、一方向の信号伝達システムの動作確認処理として、パチンコ機１０が電源投入されたことに基づいて、フォトカプラに信号を入力させる（発光ダイオードを通電させる）処理を実行するとよい。これにより、一方向の信号伝達システムが正常に動作している場合には、外部端子板１４３を介して管理制御装置に主制御基板２０１からの信号が伝達される一方、一方向の信号伝達システムに異常がある場合には、外部端子板１４３を介して管理制御装置に主制御基板２０１からの信号が伝達されない。よって、管理者は信号伝達システムが正常に動作しているか否かを容易に確認することができる。

（２）上記各実施形態では、磁気検知手段としてリードスイッチ９０を用いたが、これに限られず、例えばリードスイッチ９０に代えて磁気抵抗素子を用いる構成としてもよい。この場合、磁気抵抗素子と基準抵抗とを直列に接続するとともに、これら磁気抵抗素子と基準抵抗とによって分圧された電圧が検知回路２２０のコンパレータ２２１における＋端子に入力される構成とするとよい。これにより、磁気抵抗素子の抵抗値に応じた電圧が＋端子に入力される。当該磁気抵抗素子の抵抗値は外部から印加される磁界の強さに依存する。よって、外部磁界が印加された場合には、磁気抵抗素子の抵抗値が変化することによって、＋端子への入力電圧Ｖｖが変化する。これにより、ＭＰＵ２１１に入力される信号が変化するため、磁気を検知していることを認識することができる。

この場合であっても、ＭＰＵ２１１に入力される信号が変化する契機となる閾値抵抗値に近づくように予め磁界を印加することによって、磁気を検知する感度を高めることができる。

なお、磁気検知手段として磁気抵抗素子を用いる場合には、磁気抵抗素子を流れる電流値の変化に基づいて、外部から磁界が印加されているか否かを判定する構成としてもよい。

また、磁気抵抗素子に代えて、例えばホール素子を用いる構成としてもよいし、磁気光学素子を用いる構成としてもよい。要は、外部から磁界が印加された場合に、何らかの物理量が変化するものであればよい。

（３）上記各実施形態では、コイル１０１に流れる電流値Ｉを制御することによって、リードスイッチ９０に印加される磁界の強さを制御する構成としたが、これに限られず、例えばコイル１０１に代えて、永久磁石を設け、当該永久磁石とリードスイッチ９０との間隔を調整することによって、リードスイッチ９０に印加される磁界の強さを制御する構成としてもよい。この場合、永久磁石とリードスイッチ９０との間隔が可変となるように、ＭＰＵ２１１からの信号に基づいて変位するアクチュエータ等を設ける必要がある。

この場合、磁界の向きの切り替えを行う際には、永久磁石を回転させ、永久磁石の向きを切り替える必要があるため、当該切替を実現する機構を設ける必要がある。これに対して、上記各実施形態では、電流の向きを切り替えるだけでよいため、構成の簡素化の点において上記各実施形態のほうが優れている。

（４）上記各実施形態では、コイル１０１に流れる電流値Ｉを段階的に変化させるため、コイル１０１の通電経路として３つの通電経路２５１、２５２、２５３を設ける構成としたが、当該通電経路の数は３つに限られず、例えば２つでもよく、４つ、５つとしてもよい。通電経路の数が増加するほど、コイル１０１に流れる電流値Ｉの設定可能な段階数が増加するため、高精度な電流値制御が可能となる。

（５）上記各実施形態では、各抵抗２５１ａ、２５２ａ、２５３ａの抵抗値は互いに異なっているように設定したが、これに限られず、同一の抵抗値であってもよい。この場合であっても、各抵抗２５１ａ、２５２ａ、２５３ａを並列に組み合わせることによって、合成抵抗値Ｒｖが変化するため、コイル１０１に流れる電流値Ｉを可変制御することが可能となる。但し、各抵抗２５１ａ、２５２ａ、２５３ａの抵抗値が互いに異なる構成の方が、同一の通電経路の数においてコイル１０１に流れる電流値Ｉの設定可能な階段数が多いため、より多段階に制御できる点で優れている。

（６）上記各実施形態では、電流値Ｉを第７段階に設定した状態でリードスイッチ９０が動作しなかった場合には、磁気検知システムに異常があるとして異常報知処理を実行する構成としたが、これに限られず、例えば電流値Ｉを第６段階に設定した状態でリードスイッチ９０が動作しなかった場合に、異常報知処理を実行する構成としてもよい。これにより、磁気検知システムの初期段階の故障を早期に発見することができる。

また、第１段階又は第２段階に設定されている状態でリードスイッチ９０が動作した場合に、異常報知処理を実行する構成としてもよい。これにより、誤検知が起き易いリードスイッチ９０を特定することができる。

（７）上記各実施形態では、コイル１０１に流れる電流値Ｉは、ＭＰＵ２１１からの出力信号に基づいて、段階的に制御する構成としたが、これに限られず、例えばコイル１０１に流れる電流値Ｉを連続的に制御する構成としてもよい。具体的には、コイル１０１に流れる電流値Ｉを計測する計測回路と、コイル１０１に流れる通電経路上に可変抵抗を設け、当該計測回路にて計測された電流値に基づいて、可変抵抗の抵抗値を変化させる構成としてもよい。

この場合、リードスイッチ９０のオンオフ動作の契機となった動作電流値Ｉａと、コイル１０１に流す定常電流値Ｉｓとの差が一定になるように、定常電流値Ｉｓを設定する構成とするとよい。これにより、リードスイッチ９０毎に感度のばらつきがある場合であっても、一定の感度にすることができる。

（８）上記各実施形態では、磁気センサ動作確認処理はメイン処理において実行される構成としたが、これに限られず、例えば通常処理において実行する構成としてもよいし、通常処理における磁気センサ監視処理において実行する構成としてもよい。但し、メイン処理で実行する構成の方が、遊技が行われる前段階で行うことによって磁気検知システムに異常がある状態での遊技が行われない点において優れている。

また、上記各実施形態では、磁気センサ監視処理は通常処理で実行される構成としたが、これに限られず、例えばタイマ割込み処理にて実行する構成としてもよい。また、ＮＭＩ割込み処理において実行する構成としてもよい。要は、磁気センサ監視処理は所定の頻度で行われるように設定されていればよい。

（９）上記第１の実施形態における電流可変回路２５０を、図２３に示すように、コイル１０１の通電経路の上流側に設ける構成としてもよい。当該変形例について、図２５を用いて説明する。図２５は、電流可変回路２５０の変形例を示す回路図である。なお、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付すとともに、説明を省略する。

電流可変回路２５０は、駆動回路２３１に対して＋１２Ｖの電圧を印加する３つの通電経路４０１、４０２、４０３を備えている。通電経路４０１には抵抗４０１ａとｐＭＯＳ４０１ｂとの直列接続体が設けられており、通電経路４０２には抵抗４０２ａとｐＭＯＳ４０２ｂとの直列接続体が設けられており、通電経路４０３には抵抗４０３ａとｐＭＯＳ４０３ｂとの直列接続体が設けられている。各抵抗４０１ａ、４０２ａ、４０３ａは互いに異なる抵抗値を有している。各ｐＭＯＳ４０１ｂ、４０２ｂ、４０３ｂのソース及びゲートには＋１２Ｖの電圧が印加されている。

かかる構成によれば、各ｐＭＯＳ４０１ｂ、４０２ｂ、４０３ｂがオン状態となることによって、各ｐＭＯＳ４０１ｂ、４０２ｂ、４０３ｂに対応した抵抗４０１ａ、４０２ａ、４０３ａの通電が行われる。これにより、各ｐＭＯＳ４０１ｂ、４０２ｂ、４０３ｂの状態に応じて、コイル１０１の通電経路における抵抗値が変化するため、コイル１０１に流れる電流値Ｉが変化する。

ここで、電流可変回路２５０には、各ｐＭＯＳ４０１ｂ、４０２ｂ、４０３ｂのスイッチング制御を行うｎＭＯＳ４１１、４１２、４１３が設けられている。各ｎＭＯＳ４１１、４１２、４１３のソースは接地されている。各ｎＭＯＳ４１１、４１２、４１３のゲートはそれぞれ別の配線を介してＭＰＵ２１１に接続されている。ｎＭＯＳ４１１のドレインはｐＭＯＳ４０１ｂのゲートに接続されており、ｎＭＯＳ４１２のドレインはｐＭＯＳ４０２ｂのゲートに接続されており、ｎＭＯＳ４１３のドレインはｐＭＯＳ４０３ｂのゲートに接続されている。

かかる構成によれば、第１の実施形態と同様に、ＭＰＵ２１１から各ｎＭＯＳ４１１、４１２、４１３への信号の組み合わせに応じて、コイル１０１の通電経路の抵抗値が変化する。これにより、コイル１０１に流れる電流値Ｉが変化する。よって、ＭＰＵ２１１から各ｎＭＯＳ４１１、４１２、４１３への信号を制御することによって、コイル１０１に流れる電流値Ｉを制御することが可能となっている。

（１０）上記第２の実施形態では、オペアンプ３０１の＋端子への入力電圧Ｖｖを可変制御することによって、コイル１０１に流れる電流値Ｉを制御する構成としたが、これに限られず、例えば駆動回路２３１の各ｎＭＯＳ２３３ｂ、２３３ａ並びに各ｐＭＯＳ２３２ｂ、２３２ａのゲート電圧を制御することによって、コイル１０１に流れる電流を制御する構成としてもよい。一般的に、ｎＭＯＳ又はｐＭＯＳのソース−ドレイン間を流れる電流（以下、単にドレイン電流という）はゲート電圧に依存する。詳細には、ドレイン電流は飽和領域においてゲート電圧に依存する。そして、コイル１０１に流れる電流値Ｉは上記ドレイン電流に依存する。これにより、ゲート電圧を制御することによってドレイン電流を制御することができ、その結果、コイル１０１に流れる電流値Ｉを制御することが可能となる。

なお、ゲート電圧を制御する構成としては、電圧制御回路３０５のように、抵抗と可変抵抗とを直列に接続し、上記２つの抵抗によって分圧された電圧をゲート電圧として用いる構成とするとともに、ＭＰＵ２１１からの信号に応じて上記可変抵抗の抵抗値を変化させる構成が考えられる。

（１１）上記各実施形態では、コイル１０１に流れる電流値Ｉを制御するために抵抗を設ける構成としたが、これに限られず、電気的抵抗を有するものであれば任意である。

（１２）上記各実施形態では、パチンコ機１０に電源投入されている状況においてコイル１０１の通電状態が維持されている構成としたが、これに限らず、例えば所定の条件が成立している場合にはコイル１０１への通電を一旦停止させる構成としてもよい。これにより、例えば所定の条件として、遊技球発射ハンドル４１の操作が行われていない期間が所定の期間だけ経過した場合とすることによって、遊技球が遊技領域Ｚに存在しない状況においてコイル１０１への通電が停止されることとなる。よって、必要な状況においてリードスイッチ９０の感度を高めることができる一方、不必要な状況におけるコイル１０１の通電を行わないことによって消費電力の低減を図ることができる。但し、上記構成の場合、定期的に所定の条件が成立しているか否かの判断処理をする必要が生じるため、パチンコ機１０に電源投入されている状況においてコイル１０１の通電状態が維持されている構成のほうが処理負荷の点において優れている。

（１３）上記各実施形態では、コイル１０１に流れる電流の向きを切り替えることによって、リードスイッチ９０に印加される磁界の向きを切り替える構成としたが、これに限られない。例えば、図２６（ａ）に示すように、電流が流れる方向が異なる第１コイル５０１及び第２コイル５０２を設け、通電する対象を切り替える構成としてもよい。この場合、例えば第１コイル５０１の通電を制御するｎＭＯＳ５０３を設けるとともに、第２コイル５０２の通電を制御するｎＭＯＳ５０４を設ける。そして、各ｎＭＯＳ５０３、５０４のゲートとＭＰＵ２１１とを接続するとともに、各ｎＭＯＳ５０３、５０４のゲートに入力される信号が異なるように、ｎＭＯＳ５０４のゲートとＭＰＵ２１１とを接続する経路上にのみインバータ５０５を設けるとよい。かかる構成によれば、ＭＰＵ２１１からＬＯＷレベル信号が出力されている場合には第１コイル５０１に電流が流れる一方、ＭＰＵ２１１からＨＩレベル信号が出力されている場合には第２コイル５０２に電流が流れる。これにより、ＭＰＵ２１１からの信号を交互に切り替えることによって、リードスイッチ９０に印加される磁界の向きが交互に切り替わる。よって、上記各実施形態と同様の効果を奏することができるとともに、バイアス回路２３０の構成の簡素化を図ることができる。但し、使用するコイルが２つとなるため、磁気センサユニット８１の構成の簡素化の観点に着目すれば、上記各実施形態のほうが優れている。

また、図２６（ｂ）に示すように、第１リードスイッチ６０１及び第２リードスイッチ６０２を設けるとともに、これらリードスイッチ６０１、６０２をコイル１０１を挟んでリードスイッチ９０の軸線方向に対向配置する構成としてもよい。これにより、コイル１０１が通電された場合、それぞれ磁化する極性が反対になる。よって、Ｎ極、Ｓ極どちらの磁気も検知することができる。

なお、この場合、検知回路２２０においては、各リードスイッチ６０１、６０２それぞれから入力される信号に応じた信号を＋端子に向けて出力するＡＮＤ回路を設けるとよい。この場合、ＡＮＤ回路の入力端子はそれぞれプルアップされているとよい。これにより、各リードスイッチ６０１、６０２がオフ状態である場合には、ＡＮＤ回路からＨＩレベル信号が出力されているため、ＭＰＵ２１１にはＨＩレベル信号が入力される。一方、リードスイッチ６０１、６０２のうち少なくとも一方がオン状態となった場合には、＋端子にＬＯＷレベル信号が入力されるため、ＭＰＵ２１１にはＬＯＷレベル信号が入力される。これにより、電流方向を切り替えることなく、どちらの極性の磁気も検知することが可能となっている。但し、使用するリードスイッチが２つとなるため、磁気センサユニット８１の構成の簡素化の観点に着目すれば、上記各実施形態のほうが優れている。

（１４）上記各実施形態では、リードスイッチ９０は、軸線方向が遊技盤５０の盤面に沿うように配置されている構成としたが、これに限られず、例えば軸線方向が遊技盤５０の盤面と直交するようにリードスイッチ９０を配置してもよい。この場合、リードスイッチ９０が遊技盤５０の盤面に沿うように配置された場合と比較して、リードスイッチ９０の検知可能領域が遊技盤５０の盤面と直交する方向に大きくなる。これにより、遊技盤５０における前方からの磁気を検知し易いとともに、遊技盤５０の盤面の厚さの変化又は遊技領域Ｚの前後方向の変化に容易に対応することができる。但し、軸線方向が遊技盤５０の盤面に沿うようにリードスイッチ９０を配置する構成のほうが、遊技領域Ｚに占める検知可能領域が大きい点において優れている。

（１５）上記各実施形態では、磁気検知信号が入力されている場合、切替カウンタＣＣの更新処理を実行しない構成としたが、これに限られず、磁気検知信号が入力されている場合に切替カウンタＣＣの更新処理を実行する構成としてもよい。この場合であっても、検知期間に対して切替間隔が小さくなっているため、電流方向の切替によって生じ得る検知漏れを抑制することが実現されている。但し、上記各実施形態の方が、確実に電流方向の切替による検知漏れを防止できる点で優れている。

なお、具体的な構成としては、磁気検知信号が入力されているか否かの判定処理の実行前に、切替カウンタＣＣの更新処理を実行する構成とするとよい、
（１６）上記各実施形態によれば、バイアス回路２３０は主制御基板２０１に搭載されており、当該主制御基板２０１は基板ボックス１２３に収容されている構成としたが、これに限られず、例えばバイアス回路２３０が磁気センサユニット８１に収容されている構成としてもよい。但し、バイアス回路２３０に対する不正行為を抑制する観点に着目すれば、基板ボックス１２３内にバイアス回路２３０が搭載されている構成のほうが好ましい。

（１７）上記各実施形態によれば、リードスイッチ９０及びコイル１０１は、所定の間隔Ｌ２を介して対向配置された状態でユニット化されている構成としたが、これに限られず、ユニット化されていなくてもよい。但し、リードスイッチ９０とコイル１０１との間隔Ｌ２が変動すると、リードスイッチ９０に印加される磁界の強さが変動するため、予め想定された磁界を印加できる点に着目すれば、上記各実施形態のほうが優れている。

（１８）上記各実施形態では、リードスイッチ９０は作動口５５の周辺に配置されている構成としたが、これに限られず、例えばリードスイッチ９０を一般入賞口５３周辺に配置してもよい。

（１９）上記各実施形態では、磁気検知信号は主制御装置１２２に入力される構成としたが、これに限られず、例えば音声ランプ制御装置１１３であってもよく、払出制御装置１６２であってもよい。また、磁気検知信号が、外部端子板１４３を介して直接遊技ホールの管理制御装置に向けて出力される構成としてもよい。

（２０）上記各実施形態では、磁気検知信号がＭＰＵ２１１に入力された場合、外部端子板１４３を介して、磁気を検知した旨の信号を遊技ホール側の管理制御装置へ向けて出力する構成としたが、これに限られず、例えば図柄表示装置６１に磁気を検知した旨が表示されるように、音声ランプ制御装置１１３に対してコマンドを送信する構成としてもよい。また、表示に限られず、音声で報知する構成としてもよい。要は、磁気を検知したことを認識することができれば、報知の態様は任意である。

（２１）上記各実施形態では、バイアス回路２３０には、ＭＰＵ２１１からの信号に含まれるノイズを除去するシュミットインバータ２４２を設ける構成としたが、これに限られず、例えばシュミットバッファを用いてもよい。この場合、信号が反転しないため、コイル１０１に流れる電流の向きが逆になる。

また、シュミットインバータ２４２を省略してもよい。但し、上記各実施形態のほうが、ＭＰＵ２１１から出力される信号のノイズによる誤動作を抑制できる点で優れている。

（２２）上記各実施形態では、バイアス回路２３０はＭＰＵ２１１から動作電圧を供給されている構成としたが、これに限られず、例えば電源及び発射制御装置１６３から直接供給されている構成としてもよい。この場合、ＭＰＵ２１１からの信号に基づいて、バイアス回路２３０への動作電圧の供給を許可又は阻止するスイッチング素子を設けるとよい。これにより、当該スイッチング素子のオンオフ制御を行うことによって、バイアス回路２３０の動作を制御することが可能となる。

（２３）主制御基板２０１は電断監視基板２０２を介して電源及び発射制御装置１６３から動作電力が供給されている構成としたが、これに限られず、電断監視基板２０２を省略する構成としてもよい。この場合、電圧を監視する回路を主制御基板２０１に設ける必要がある。

（２４）上記各実施形態では、磁気検知信号が入力されている状態が０．２ｓｅｃ継続しなかった場合には、検知カウンタＴＣの値は累積された状態で保持される構成としたが、これに限られず、磁気検知信号が入力されている状態が０．２ｓｅｃ継続しなかった場合には、検知カウンタＴＣがリセットされる構成としてもよい。この場合、検知カウンタＴＣの値が累積することによって生じ得る誤検知を抑制することができる。

なお、具体的な構成としては、ステップＳ７０１を否定判定した場合に、検知カウンタＴＣをリセットする（「０」を設定する）処理を実行する構成が考えられる。

（２５）上記各実施形態では、自然状態ではオフ状態で磁界が印加されることによってオン状態となるノーマリオフのリードスイッチを用いたが、これに限られず、自然状態ではオン状態で磁界が印加されることによってオフ状態となるノーマリオンのリードスイッチを用いてもよい。この場合、ＨＩ−ＬＯＷが反転する。

（２６）上記各実施形態では、各リード片９２ａ，９２ｂに対して磁界が印加されることによって、各リード片９２ａ，９２ｂの双方が撓む構成としたが、これに限られず、例えば一方のリード片が固定されている構成としてもよい。これにより、接点間隔の制御を容易に行うことができる。

（２７）上記各実施形態とは異なる他のタイプのパチンコ機等、例えば特別装置の特定領域に遊技球が入ると電動役物が所定回数開放するパチンコ機や、特別装置の特定領域に遊技球が入ると権利が発生して大当たりとなるパチンコ機、他の役物を備えたパチンコ機、アレンジボール機、雀球等の遊技機にも本発明を適用できる。

また、弾球式でない遊技機、例えば、複数種の図柄が周方向に付された複数のリールを備え、メダルの投入及びスタートレバーの操作によりリールの回転を開始し、ストップスイッチが操作される又は所定期間が経過することでリールが停止した後に、表示窓から視認できる有効ライン上に特定図柄又は特定図柄の組合せが成立していた場合にはメダルの払い出し等といった特典を遊技者に付与するスロットマシンにも、本発明を適用できる。

また、取込装置を備え、貯留部に貯留されている所定数の遊技球が取込装置により取り込まれた後にスタートレバーが操作されることによりリールの回転を開始する、パチンコ機とスロットマシンとが融合された遊技機にも、本発明を適用できる。

＜上記実施形態から抽出される発明群について＞
以下、上述した実施形態から抽出される発明群の特徴について、必要に応じて効果等を示しつつ説明する。なお以下においては、理解の容易のため、上記実施形態において対応する構成を括弧書き等で適宜示すが、この括弧書き等で示した具体的構成に限定されるものではない。

特徴１．特定のエネルギが所定量以上供給された場合に動作する動作素子（リードスイッチ９０）と、
前記動作素子が動作したことを検知する検知手段（検知回路２２０）と、
前記検知手段によって前記動作素子が動作したことが検知された場合には、所定の信号を出力する出力手段（検知回路２２０）と、
前記動作素子に対して、前記動作素子が動作可能なエネルギを一時的に供給するエネルギ供給手段（コイル１０１）と、
を備えていることを特徴とする遊技機。

特徴１によれば、例えば動作素子がフォトトランジスタである場合、フォトトランジスタに光が照射されると、検知手段によってフォトトランジスタがオン状態となったことが検知され、当該検知に基づいて所定の信号が出力される。これにより、所定の信号を検出することによって、フォトトランジスタに光が照射されていることを認識することができる。よって、例えばＬＥＤ等の発光素子を備えた回路とフォトトランジスタを備えた回路との間で、一方向の信号伝達が可能となる。

また、例えば動作素子がリードスイッチである場合、リードスイッチに対して磁界が印加されると、検知手段によってリードスイッチがオン状態となったことが検知され、当該検知に基づいて所定の信号が出力される。これにより、所定の信号を検出することによって、リードスイッチに磁界が印加されていることを検知することができる。よって、例えば磁石等を用いた不正行為を発見することができる。

ここで、動作素子が正常に動作していない場合、特定のエネルギが所定量以上供給されているにも関わらず出力手段から所定の信号が出力されない不都合が生じる。しかしながら、管理者が自ら動作素子に対してエネルギを供給する作業は、管理者の負担という観点から好ましくない。

これに対して、本特徴によれば、エネルギ供給手段によって、動作素子に対して当該動作素子が動作可能なエネルギが一時的に供給されるため、かかる供給状態において出力手段の出力結果を利用する等、出力を監視することによって、動作素子が正常に動作しているか否かを判定することができる。よって、管理者が自らエネルギを供給する作業が必要ないため、検知手段の動作点検に伴う管理者の負担を軽減することができる。

特徴２．磁気を検知する磁気検知手段（リードスイッチ９０）と、
前記磁気検知手段が磁気を検知した場合に、予め定められた検知信号を出力する第１出力手段（検知回路２２０）と、
前記検知信号が入力される入力手段（ＭＰＵ２１１）と、
前記入力手段に対して前記検知信号が入力された場合に、所定の信号を出力する第２出力手段（ＭＰＵ２１１）と、
前記磁気検知手段に対して、当該磁気検知手段が検知可能な動作磁界を一時的に印加する磁界印加手段（コイル１０１）と、
を備えていることを特徴とする遊技機。

特徴２によれば、磁気検知手段が磁気を検知した場合、第１出力手段によって検知信号が出力される。当該検知信号が入力手段に入力されることによって、所定の信号が出力される。これにより、所定の信号を検出することによって、磁気検知手段が磁気を検知していることを確認することができる。

ここで、磁気検知手段が正常に反応しない場合、磁石を用いた不正行為を検知できないといった不都合が生じる。しかしながら、管理者が自ら磁気検知手段に対して磁石等をかざす作業は、管理者の負担という観点から好ましくない。

これに対して、本特徴によれば、磁界印加手段によって磁気検知手段に対して当該磁気検知手段が検知可能な動作磁界が一時的に印加される。これにより、かかる印加状態における検知信号の有無等を監視することにより磁気検知手段が正常に反応しているか否かを判定することができる。よって、管理者が自ら磁石等をかざす作業が必要ないため、磁気検知手段の動作点検に伴う管理者の負担を軽減することができる。

特徴３．遊技の進行に関する遊技制御を実行する制御手段（ＭＰＵ２１１における各種処理を実行する機能）を更に備え、
前記制御手段は、動作電力が供給された場合に、前記遊技制御に先立って初期化処理を含む特定処理を実行するものであり、
前記磁界印加手段による動作磁界の一時的な印加は、前記特定処理中に行われることを特徴とする特徴２に記載の遊技機。

特徴３によれば、磁気検知手段の動作確認が遊技の進行に関する遊技制御に先立って行われる特定処理中に行われる。これにより、遊技開始前に磁気検知手段の異常の有無を判断することが可能となり、当該異常がある状態で遊技が開始される不都合を抑制し得る。

特徴４．前記磁界印加手段は、
通電されることによって磁界を形成するコイル（コイル１０１）と、
前記磁気検知手段に対して前記動作磁界が一時的に印加されるように前記コイルに流れる電流を制御する電流制御手段（バイアス回路２３０）と、
を備えていることを特徴とする特徴２又は特徴３に記載の遊技機。

特徴４によれば、コイルを通電することによって磁界が形成される。当該磁界の強さは、コイルを流れる電流に依存する。これにより、コイルに流れる電流を制御することによって、磁気検知手段に対して動作磁界が一時的に印加されるようにすることができる。

特徴５．前記第１出力手段は、前記磁気検知手段に対して所定以上の強さの磁界が及んだ場合に、磁気を検知したとして前記検知信号を出力するものであり、
前記電流制御手段は、前記所定の強さの磁界よりも弱い磁界である予備磁界が前記磁気検知手段に対して印加されるように前記コイルに流れる電流を制御可能であることを特徴とする特徴４に記載の遊技機。

特徴５によれば、コイルに流れる電流を制御することによって、磁気検知手段に対して予備磁界を印加することができる。磁気検知手段に予備磁界が印加されている状況下では、検知信号を出力するのに必要な外部磁界の強さが弱くなるため、磁気検知手段の感度が実質的に向上する。これにより、磁気検知手段における磁気の検知可能領域が大きくなるため、磁石等を用いた不正行為を検知し易くなる。よって、コイルに流れる電流を制御することによって、磁気検知手段の動作確認が可能となるとともに、磁石等を用いた不正行為を抑制することができる。

特徴６．前記電流制御手段は、
所定の場合に、前記コイルに流れる電流を前記動作磁界に対応した電流に一時的に設定し、
前記所定の場合以外の場合に、前記コイルに流れる定常電流として前記予備磁界に対応した電流を設定するものであることを特徴とする特徴５に記載の遊技機。

特徴６によれば、所定の場合に、コイルに流れる電流が動作磁界に対応した電流に設定されるため、動作磁界が磁気検知手段に対して印加される。これにより、かかる印加状態における検知信号の有無等を確認することによって、磁気検知手段の動作確認をすることができる。

ここで、所定の場合以外の場合にコイルに流れる定常電流は予備磁界に対応した電流に設定されるため、磁気検知手段には予備磁界が連続的に印加される。これにより、磁気検知手段の感度が高い状態が維持される。よって、磁石等を用いた不正行為を検知し易い状態が維持されるため、磁石等を用いた不正行為を抑制することができる。

なお、特徴３との関係においては、「所定の場合に、」を「前記特定処理中に、」に置き換えるとよい。より好ましくは、「前記コイルに流れる電流を前記動作磁界に対応した電流に一時的に設定する処理と、前記予備磁界に対応した電流を設定する処理とが前記特定処理中に行われる」とよい。これにより、遊技開始前に予備磁界を印加することが可能となるため、磁気検知手段の感度が高められていない状態で遊技が開始される不都合を抑制し得る。

特徴７．前記電流制御手段は、所定の場合に、前記コイルに流す電流を変化させることによって、前記検知信号が出力される契機となる動作電流を把握し、
当該動作電流に基づいて、前記予備磁界を前記磁気検知手段に対して印加する場合の予備電流を決定するものであることを特徴とする特徴５又は特徴６に記載の遊技機。

特徴７によれば、検知信号が出力される契機となった動作電流に基づいて、予備磁界を磁気検知手段に対して印加する場合の予備電流が決定される。これにより、例えば経年劣化などの影響によって動作電流が変化した場合には、当該変化に対応させて予備電流を決定することによって、磁気検知手段の感度の変化を補償することができる。

また、例えば複数の磁気検知手段において、動作電流にばらつきが生じている場合には、当該ばらつきに対応させて予備電流を決定することによって、磁気検知手段の感度のばらつきを抑制することができる。

特徴８．前記電流制御手段は、
前記動作電流と予め定められた基準動作電流とを比較する比較手段（ＭＰＵ２１１におけるステップＳ５０８の処理を実行する機能）を備え、
前記比較手段による比較結果が、前記動作電流が前記基準動作電流よりも大きい比較結果である場合には、前記予備電流を予め定められた基準予備電流よりも大きく設定する一方、
前記比較手段による比較結果が、前記動作電流が前記基準動作電流よりも小さい比較結果である場合には、前記予備電流を前記基準予備電流よりも小さく設定するものであることを特徴とする特徴７に記載の遊技機。

特徴８によれば、動作電流と基準動作電流とが比較される。ここで、動作電流が基準動作電流よりも大きい場合、実際の感度が予め想定している感度よりも低いことを意味する。この場合、予備電流が基準予備電流よりも大きく設定されるため、基準予備電流が流れる場合と比較して、予備磁界の強さが強くなる。

一方、動作電流が予め定められた基準動作電流よりも小さい場合、実際の感度が予め想定している感度よりもよいことを意味する。この場合、予備電流が基準予備電流よりも小さく設定されるため、基準予備電流が流れる場合と比較して、予備磁界の強さが弱くなる。

以上のように動作電流と基準動作電流との比較結果に応じて予備電流を設定することで、予備磁界が印加されている状況における磁気検知手段の感度を所定の感度に近づけることができる。これにより、特徴７の効果を奏することができる。

特徴９．前記電流制御手段は、前記動作電流と前記基準動作電流とのずれ量に応じて、前記予備電流を決定するものであることを特徴とする特徴８に記載の遊技機。

特徴９によれば、動作電流と基準動作電流とのずれ量に応じて、予備電流が決定される。これにより、磁気検知手段の感度を所定の感度に近づけ易くなる。

この場合、「前記ずれ量が予め定められた閾値ずれ量よりも大きい場合に、異常である旨の信号を出力する異常信号出力手段を備える」としてもよい。これにより、磁気検知手段の初期段階の故障を容易に確認することができる。

特徴１０．前記電流制御手段は、
前記コイルに対して予め定められた特定電圧を印加する電圧印加手段（ＭＰＵ２１１）と、
前記電圧印加手段と前記コイルとを接続するものであって、前記電圧印加手段から特定電圧が印加された場合には前記予備磁界に対応した電流が流れる通電経路（通電経路２５１等）と、
前記通電経路に流れる電流が前記予備磁界に対応した電流と前記動作磁界に対応した電流とに切り替わるように前記通電経路の抵抗を変更可能な抵抗可変手段（抵抗２５１ａ、ｎＭＯＳ２５１ｂ等）と、
を備えていることを特徴とする特徴５乃至９のいずれか１に記載の遊技機。

特徴１０によれば、通電経路に流れる電流が予備磁界に対応した電流と動作磁界に対応した電流とに切り替わるように通電経路の抵抗を変更可能な抵抗可変手段を備えているため、抵抗可変手段を制御することによって予備磁界及び動作磁界のいずれの磁界も印加することができる。これにより、予備磁界及び動作磁界それぞれに対応した構成を設ける必要がないため、構成の簡素化を図ることができる。

特徴１１．前記電流制御手段は、
前記コイルに対して電圧を印加する電圧印加手段（ＭＰＵ２１１）と、
前記電圧印加手段と前記コイルとを接続する通電経路と、
前記通電経路上に設けられ、自身に対して電圧が印加された場合、当該印加された電圧に対応した電流を前記通電経路に流す変換手段（変換回路３０２）と、
前記変換手段に入力される電圧を可変制御する電圧制御手段（電圧制御回路３０５）と、
を備え、
前記電圧制御手段は、
前記通電経路に前記予備磁界に対応した電流が流れるように前記変換手段に対して当該電流に対応した予備電圧を印加可能であるとともに、前記通電経路に前記動作磁界に対応した電流が流れるように前記変換手段に対して当該電流に対応した動作電圧を印加可能であることを特徴とする特徴５乃至９のいずれか１に記載の遊技機。

特徴１１によれば、電圧制御手段により予備電圧が変換手段に印加される場合には磁気検知手段には予備磁界が印加される一方、電圧制御手段により動作電圧が変換手段に印加される場合には磁気検知手段に動作磁界が印加される。これにより、電圧制御手段を制御することによって予備磁界及び動作磁界のいずれの磁界も印加することができる。よって、予備電流及び動作電流それぞれに対応した構成を設ける必要がないため、構成の簡素化を図ることができる。

特徴１２．遊技の進行に関する遊技制御を実行する制御手段（主制御基板２０１）と、
当該制御手段を収容するボックス（基板ボックス１２３）と、
を備え、
前記基板ボックス内に、前記入力手段、前記第１出力手段、前記第２出力手段及び前記電流制御手段が収容されていることを特徴とする特徴４乃至１１のいずれか１に記載の遊技機。

特徴１２によれば、遊技の進行に関する制御を行う制御手段を収容するボックス内に、入力手段、第１出力手段、第２出力手段及び電流制御手段が収容されている。当該ボックスは一般的に複数のボックス構成体によって形成され、さらに複数のボックス構成体を固定するとともに、破壊又は除去により当該固定が解除された場合には所定の痕跡を残存させる固定手段が設けられていることが多い。この場合、制御手段に対する不正なアクセスを抑制することができるとともに、入力手段、第１出力手段、第２出力手段及び電流制御手段に対する不正なアクセスを抑制することができる。

特徴１３．前記予備磁界に対応した電流が前記コイルに流れている状況において、前記コイルに流れる電流の向きを交互に切り替える切替手段を備えていることを特徴とする特徴５乃至１２のいずれか１に記載の遊技機。

コイルによって所定の方向の予備磁界が磁気検知手段に対して貫いている状況において、コイルによる磁界の向きに対して反対方向の外部磁界が磁気検知手段に対して印加された場合、両者は互いに打ち消しあうため、結果として磁気が検知されないという不都合が生じる。

これに対して、本特徴によれば、磁気検知手段に対して印加される予備磁界の向きが交互に切り替わるため、いずれの向きの磁界が磁気検知手段に対して印加された場合であっても、当該磁界を検知することができる。これにより、予め予備磁界を印加しておくことによって生じ得る不都合を回避することができる。

上記切替手段のより具体的な構成としては、「前記切替手段は、前記コイルに電流を流すとともに、当該電流方向を切替可能な駆動用回路と、入力される信号に応じて前記コイルに流れる電流方向が切り替わるように当該駆動用回路を制御する制御用回路と、を備えている」という構成が考えられる。これにより、制御用回路に入力する信号を制御することによって、コイルに流れる電流方向を切り替えることが可能となる。

また、「前記電流制御手段は、前記通電経路のうち前記切替手段による切替に関わらず一定の方向を流れている通電経路上に設けられている」とよい。これにより、電流制御手段を電流の向きの変化に応じた構成とする必要がないため、電流制御手段の構成の簡素化を図ることができる。

さらに、特徴１２との関係においては、「前記切替手段は前記ボックス内に収容されている」とよい。これにより、切替手段に対する不正なアクセスを抑制することができる。

特徴１４．前記磁気検知手段及び前記磁界印加手段は互いに相対位置関係を変更しないようにユニット化されていることを特徴とする特徴２乃至１３のいずれか１に記載の遊技機。

磁気検知手段に対して印加される磁界の強さは磁気検知手段及び磁界印加手段間の距離に依存するため、当該距離が変動すると、磁気検知手段に対して印加される磁界の強さも変動する。

これに対して、本特徴によれば、磁気検知手段と磁界印加手段とが互いに相対位置関係を変更しないようにユニット化されているため、磁気検知手段及び磁界印加手段間の距離の変動が抑制されている。これにより、実際に磁気検知手段に印加される磁界の強さを予め想定された強さに設定することができる。よって、例えば動作磁界が印加されている状況において磁気検知手段が当該磁界を検知しない場合に磁気検知手段に異常があると判定する構成の場合には、上記距離の変動により磁気検知手段が正常であるにも関わらず磁気検知手段に異常があると判断される不都合を抑制し得る。

また、例えば予備磁界を印加する構成である場合には、上記距離の変動によって、想定された予備磁界の強さと実際に磁気検知手段に印加される予備磁界の強さとが異なる不都合を抑制し得る。

特徴１５．遊技球が流下する領域であって、球通過部（作動口５５）及び複数の釘が配設された遊技領域が前面側に形成された遊技盤（遊技盤５０）と、
前記球通過部を遊技球が通過することに基づいて、特典を付与する特典付与手段と、
を備え、
前記磁気検知手段は、前記遊技盤の背面側であって、さらに当該磁気検知手段の検知可能領域に前記球通過部が含まれるように配置されていることを特徴とする特徴２乃至１４のいずれか１に記載の遊技機。

特徴１５によれば、磁気検知手段は遊技盤の背面側に設置されているため、遊技球が遊技領域を流れる場合に当該流下が磁気検知手段によって阻害されない。

ここで、球通過部を遊技球が通過することに基づいて特典が付与されるため、磁石等を用いて遊技球を球通過部へ誘導する不正行為が行われる場合がある。これに対して、本特徴によれば、球通過部が磁気検知手段の検知可能領域に含まれるように、磁気検知手段が配置されているため、球通過部への遊技球の直接的な誘導を検知することができる。

特に、特徴５との関係においては、予備磁界を印加していない状況において球通過部が検知可能領域に含まれるように磁気検知手段が配置されていれば、予備磁界を印加することにより球通過部の周囲を含めた広範な領域を磁気検知手段によって検知することが可能となる。この結果、球通過部そのものだけでなくそこへ遊技球が誘導される部分をも磁気検知手段の検知可能領域に含むことが可能となり、球通過部への遊技球の間接的な不正誘導をも抑制することができる。

特徴１６．遊技球が流下する領域であって、複数の球通過部（一般入賞口５３、作動口５５及びスルーゲート５６）及び複数の釘が配設された遊技領域が前面側に形成された遊技盤（遊技盤５０）と、
前記複数の球通過部のいずれかを遊技球が通過することに基づいて、特典を付与する特典付与手段と、
を備え、
前記磁気検知手段は、前記遊技盤の背面側であって、さらに当該磁気検知手段の検知可能領域に所定の複数の球通過部が含まれるように配置されていることを特徴とする特徴２乃至１４のいずれか１に記載の遊技機。

特徴１６によれば、磁気検知手段は遊技盤の背面側に設置されているため、遊技球が遊技領域を流れる場合に当該流下が磁気検知手段によって阻害されない。

ここで、複数の球通過部のいずれかを遊技球が通過することに基づいて、特典が付与されるため、磁石等を用いて遊技球を複数の球通過部のいずれかへ誘導する不正行為が行われる場合がある。これに対して、本特徴によれば、複数の球通過部の全部又は一部が磁気検知手段の検知可能領域に含まれるように、磁気検知手段が配置されているため、少なくとも磁気検知手段が配置されている球通過部への遊技球の直接的な誘導を検知することができる。

また、所定の複数の球通過部を含むことが可能な検知可能領域の大きさにより、球通過部の周囲を含めた広範な領域を磁気検知手段によって検知することができる。この結果、球通過部そのものだけでなくそこへ遊技球が誘導される部分をも磁気検知手段の検知可能領域とすることが可能となり、球通過部への遊技球の間接的な不正誘導をも抑制することができる。

特に、特徴５との関係においては、予備磁界が印加されていることによって、磁気検知手段の実質的な感度が向上している状況においては、磁気検知手段の検知可能領域が大きくなっているため、所定の複数の球通過部を含むことが可能な検知可能領域が容易に形成される。

特徴１７．前記磁気検知手段は、第１磁性体と当該第１磁性体に対して所定の間隔だけ離間した位置に配置された第２磁性体とを有し、磁界が印加された場合には前記第１磁性体及び前記第２磁性体が接触することによって磁気を検知するリードスイッチであり、
前記リードスイッチは、当該リードスイッチの軸線方向が前記遊技盤の盤面に沿った方向となるように配置されていることを特徴とする特徴１５又は特徴１６に記載の遊技機。

リードスイッチにおいては、軸線方向の両端側からそれぞれ検知可能領域が形成されている。このため、リードスイッチの軸線方向が遊技盤の盤面と直交する方向となるようにリードスイッチを配置した場合、遊技領域に占める検知可能領域は一方の端側から形成されている検知可能領域のみとなる。

これに対して、本特徴によれば、リードスイッチの軸線方向が遊技盤の盤面に沿った方向となるようにリードスイッチが配置されている。この場合、遊技領域における検知可能領域は両端側からそれぞれ形成されている検知可能領域を合わせた領域となる。これにより、リードスイッチの軸線方向が遊技盤の盤面に対して直交するようにリードスイッチを配置した場合と比較して、遊技領域における検知可能領域が大きくなる。よって、磁石を用いた不正行為をより検知し易くなる。したがって、磁石を用いた不正行為を好適に抑制することができる。

特徴１８．前記第２出力手段は、前記検知信号が所定の期間だけ出力されている場合に、前記所定の信号を出力するものであることを特徴とする特徴２乃至１７のいずれか１に記載の遊技機。

磁気検知手段は、ノイズによって瞬間的に反応する場合がある。特に、特徴５の構成のように予備磁界が印加されていることによって磁気検知手段の感度が高められている場合、このような現象が発生し易くなると考えられる。一方、磁石等を用いた不正の場合には、ノイズによる場合と比べ比較的長期間磁気検知手段が反応した状態が維持される。

ここで、本特徴によれば、磁気を検知していることを示す検知結果が所定の期間だけ維持されている場合に、所定の信号が出力される。これにより、ノイズなどの影響によって瞬間的に磁気検知手段が反応した場合であっても、所定の信号は出力されない。よって、磁気検知手段の感度向上から生じ得る磁気の誤検知を抑制することができる。

なお、特徴１３との関係においては、「前記切替手段による切替間隔が前記所定の期間よりも長く設定されている」とよい。これにより、磁石等に反応して、磁気を検知している検知結果が示されている状態中に磁界の向きが切り替わることによって、磁気が検知されていない検知結果となり、結果として磁気が検知されていないという検知結果となってしまう不都合を抑制することができる。よって、特徴１３に示した効果を確保しつつ、本特徴の効果を得ることができる。

また、この場合、磁気検知手段の動作確認を行う場合には、動作磁界が印加されている場合の検知信号の有無を確認する構成とするとよい。これにより、所定の信号の出力の有無を確認する構成と比較して、所定の期間分だけ確認処理に要する期間を短縮することができる。

特徴１９．前記所定の信号が出力されたことに基づいて、磁気を検知した旨の報知を実行する報知実行手段を更に備えていることを特徴とする特徴１乃至１８のいずれか１に記載の遊技機。

特徴１９によれば、磁気が検知された場合には、磁気が検知された旨の報知が行われる。これにより、管理者は磁気が検知されたことを容易に確認することができる。

特徴２０．第１部材（第１リード片９２）と、前記第１部材に対して所定の間隔だけ離間した位置に配置された第２部材（第２リード片９３）とを有し、磁界が印加された場合には前記第１部材及び前記第２部材のうち少なくとも一方が変位し、前記第１部材及び前記第２部材が接触することによって、磁気を検知する磁気検知手段（リードスイッチ９０）と、
前記磁気検知手段による検知結果が入力される入力手段（検知回路２２０）と、
前記入力手段に対して入力された検知結果が磁気を検知していることを示す検知結果である場合に、所定の信号を出力する出力手段（検知回路２２０）と、
前記第１部材と前記第２部材との間隔を調整する間隔調整手段と、
を備えていることを特徴とする遊技機。

特徴２０によれば、磁気検知手段に対して磁界が印加された場合、第１部材及び第１部材に対して離間した位置に配置されている第２部材のうち少なくとも一方が変位することによって、第１部材と第２部材とが接触する。これにより、磁気を検知していることを示す検知結果が入力手段に対して入力され、所定の信号が出力される。よって、当該所定の信号を検知することによって、磁気を検知したか否かを確認することができる。

ここで、間隔調整手段によって第１部材と第２部材との間隔が調整されることにより、当該間隔に依存する磁気検知手段の感度が調整される。これにより、誤動作が生じにくい範囲内で第１部材と第２部材との間隔を狭くすることによって感度を向上させることができる。よって、磁気検知手段における磁気の検知可能領域が、間隔を狭くしない場合と比較して大きくなるため、磁石等を用いた不正行為を検知し易い。したがって、磁石等を用いた不正行為を抑制することができる。

特徴２１．第１磁性体（第１リード片９２）と、前記第１磁性体に対して所定の間隔だけ離間した位置に配置された第２磁性体（第２リード片９３）とを有し、前記第１磁性体及び前記第２磁性体が接触又は離間することによって磁気を検知するリードスイッチ（リードスイッチ９０）と、
前記リードスイッチによる検知結果が入力される入力手段（検知回路２２０）と、
前記入力手段に対して入力された検知結果が磁気を検知していることを示す検知結果である場合に、所定の信号を出力する出力手段（検知回路２２０）と、
前記第１磁性体と前記第２磁性体との間隔を調整する間隔調整手段と、
を備えていることを特徴とする遊技機。

特徴２１によれば、間隔調整手段によって第１磁性体と第２磁性体との間隔が調整されることにより、当該間隔に依存するリードスイッチの感度が調整される。これにより、誤動作が生じにくい範囲内で第１部材と第２部材との間隔を狭くすることによって感度を向上させることができる。よって、リードスイッチにおける磁気の検知可能領域が、間隔を狭くしない場合と比較して大きくなるため、磁石等を用いた不正行為を検知し易い。したがって、磁石等を用いた不正行為を抑制することができる。

特徴２２．前記リードスイッチは、所定以上の強さの磁界が及んだ場合に、前記第１磁性体と前記第２磁性体とが接触することによって、磁気を検知している検知結果を示すものであり、
前記間隔調整手段は、前記リードスイッチに対して前記所定の強さよりも弱い磁界である予備磁界を印加する磁界印加手段（コイル１０１）を備えていることを特徴とする特徴２１に記載の遊技機。

特徴２２によれば、予備磁界の印加という非接触方式で間隔を調整することができるため、第１磁性体及び第２磁性体を押圧する等の接触方式で調整する場合と比較して、第１磁性体及び第２磁性体に特別な処理を施す必要がない。これにより、間隔を調整するための機構を有さない既存のリードスイッチの間隔を調整することができる。よって、本発明の手段が適用されるリードスイッチの汎用性を確保することができる。

特徴２３．前記磁界印加手段は、前記予備磁界を連続的に印加するものであることを特徴とする特徴２２に記載の遊技機。

特徴２３によれば、リードスイッチには、予備磁界が連続して印加されているため、リードスイッチの感度が高くなっている状態が維持されている。よって、磁石等を用いた不正行為を検知し易い状態が維持されているため、磁石等を用いた不正行為を好適に抑制することができる。

特徴２４．前記磁界印加手段は、遊技に関する制御を行う制御手段（主制御基板２０１）に動作電力が供給されたことに基づいて、前記予備磁界の印加を開始し、
前記制御手段に動作電力が供給されている状態において、当該予備磁界の印加を継続するものであることを特徴とする特徴２３に記載の遊技機。

特徴２４によれば、制御手段に動作電力が供給されたことに基づいて、予備磁界の印加が開始され、制御手段への動作電力の供給が停止するまで上記予備磁界の印加状態が維持される。これにより、遊技が行われている状況においては、常にリードスイッチの感度が高められている。よって、遊技が行われている状況において磁石を用いた不正行為を抑制することができる。

また、制御手段に対して動作電力が供給されることによって、予備磁界の印加が開始されるため、磁界印加手段を起動させるための人的作業が必要ない。これにより、予備磁界を印加することに伴う管理者の負担を軽減することができる。

さらに、制御手段は、遊技に関する制御を行う前段階として、遊技に関する制御を行う場合に用いられる情報を初期化する処理を実行するものである場合、当該初期化する処理が実行されることに基づいて、予備磁界の印加を開始するものであるとよい。これにより、遊技が行われる前段階にて予備磁界の印加が開始されることとなる。

特徴２５．前記磁界印加手段により印加される予備磁界の向きを交互に切り替える切替手段（バイアス回路２３０）を備えていることを特徴とする特徴２２乃至２４のいずれか１に記載の遊技機。

磁界印加手段によって所定の方向の予備磁界がリードスイッチに対して貫いている状況において、磁界印加手段による予備磁界の向きに対して反対方向の磁界がリードスイッチに対して印加された場合、両者は互いに打ち消しあうため、結果として磁気が検知されないという不都合が生じる。

これに対して、本特徴によれば、リードスイッチに対して印加される予備磁界の向きが交互に切り替わるため、いずれの向きの磁界がリードスイッチに対して印加された場合であっても、当該磁界を検知することができる。これにより、予め予備磁界を印加しておくことによって生じ得る不都合を回避することができる。

上記特徴２０乃至２５の構成については、上記各実施形態の構成及びその他の実施形態における（３）〜（２７）に示した構成を適用してもよく、下記に示す構成を適用してもよい。

（２８）リードスイッチ９０の接点間隔を調整する手段として磁気印加手段を用いたが、これに限られず、例えば磁界印加手段に代えて、電磁アクチュエータ又は圧電アクチュエータ等を用いて第１リード片９２及び第２リード片９３を互いに近づける接触式の間隔調整機構を設けてもよい。この場合であっても、両者を互いに接触しない状態で近づけることによってリードスイッチ９０の感度を向上させることができる。但し、接触式の間隔調整機構の場合、予めリードスイッチ９０に間隔調整機構を設ける必要がある。これに対して、磁界の印加という非接触式の間隔調整のほうがリードスイッチ９０に対して予め処理を施しておく必要がないため、汎用性の観点から優れている。

（２９）磁気検知手段としてリードスイッチ９０を用いたが、これに限られず、例えばリレー回路を用いてもよい。この場合であっても、リレー回路が動作するのに必要な磁界よりも弱い予備磁界±Ｈｓを印加することによって、リレー回路の接点間隔が狭くなるため、上記各実施形態と同様の効果を奏することができる。

特徴２６．磁気を検知する磁気検知手段（リードスイッチ９０）と、
前記磁気検知手段に対して所定以上の強さの磁界が及んだ場合に、予め定められた検知信号を出力する第１出力手段（検知回路２２０）と、
前記検知信号が入力される入力手段（ＭＰＵ２１１）と、
前記入力手段に対して前記検知信号が入力されたことに基づいて、所定の信号を出力する第２出力手段（ＭＰＵ２１１）と、
前記磁気検知手段に対して、前記所定の強さよりも弱い磁界である予備磁界を印加する磁界印加手段（コイル１０１）と、
を備えている遊技機。

特徴２６によれば、磁気検知手段に対して所定以上の強さの磁界が及んだ場合、検知信号が出力され、当該検知信号が入力手段に対して入力されたことに基づいて、所定の信号が出力される。これにより、所定の信号を確認することによって、磁気を検知したことを確認することができる。

ここで、磁界印加手段によって、検知信号が出力される契機となる所定の強さよりも弱い磁界である予備磁界が磁気検知手段に対して予め印加されることにより、所定の強さとなるのに必要な外部からの磁界の強さが弱くなる。これにより、実質的に磁気検知手段の感度が向上する。よって、磁気検知手段が磁気を検知できる領域が大きくなるため、磁石を用いた不正行為が検知し易い。したがって、磁石等を用いた不正行為を抑制することができる。

以下に、以上の各特徴を適用し得る各種遊技機の基本構成を示す。

パチンコ遊技機：遊技者が操作する操作手段と、その操作手段の操作に基づいて遊技球を発射する遊技球発射手段と、その発射された遊技球を所定の遊技領域に導く球通路と、遊技領域内に配置された各遊技部品とを備え、それら各遊技部品のうち所定の通過部を遊技球が通過した場合に遊技者に特典を付与する遊技機。

スロットマシン等の回胴式遊技機：複数の絵柄を可変表示させる絵柄表示装置を備え、始動操作手段の操作に起因して前記複数の絵柄の可変表示が開始され、停止操作手段の操作に起因して前記複数の絵柄の可変表示が停止され、その停止後の絵柄に応じて遊技者に特典を付与する遊技機。

１０…遊技機としてのパチンコ機、８１…磁気センサユニット、９０…リードスイッチ、１０１…コイル、１２２…主制御装置、２０１…主制御基板、２１１…ＭＰＵ、２２０…検知回路、２３０…バイアス回路、２３１…駆動回路、２４１…制御回路、２５０…電流可変回路、２５１…通電経路、２５２…通電経路、２５３…通電経路。

Claims (1)

1. 磁気を検知する磁気検知手段と、
   前記磁気検知手段が磁気を検知した場合に、予め定められた検知信号を出力する第１出力手段と、
   前記検知信号が入力される入力手段と、
   前記入力手段に対して前記検知信号が入力された場合に、所定の信号を出力する第２出力手段と、
   前記磁気検知手段に対して、当該磁気検知手段が検知可能な動作磁界を一時的に印加する磁界印加手段と、
   を備え、
   前記第１出力手段は、前記磁気検知手段に対して所定以上の強さの磁界が及んだ場合に、磁気を検知したとして前記検知信号を出力するものであり、
   前記磁界印加手段は、
   通電されることによって磁界を形成するコイルと、
   前記磁気検知手段に対して前記動作磁界が一時的に印加されるように前記コイルに流れる電流を制御するものであって、前記所定の強さの磁界よりも弱い磁界である予備磁界が前記磁気検知手段に対して印加されるように前記コイルに流れる電流を制御可能な、電流制御手段と、
   を備え、
   前記電流制御手段は、
   所定の場合に、前記コイルに流す電流を変化させることによって、前記検知信号が出力される契機となる動作電流を把握し、当該動作電流に基づいて、前記予備磁界を前記磁気検知手段に対して印加する場合の予備電流を決定するものであり、
   前記動作電流と予め定められた基準動作電流とを比較する比較手段を備え、
   前記比較手段による比較結果が、前記動作電流が前記基準動作電流よりも大きい比較結果である場合には、前記予備電流を予め定められた基準予備電流よりも大きく設定する一方、
   前記比較手段による比較結果が、前記動作電流が前記基準動作電流よりも小さい比較結果である場合には、前記予備電流を前記基準予備電流よりも小さく設定するものであることを特徴とする遊技機。

Images