JP2013128178A - 光変調装置及び光変調方法 - Google Patents

Abstract

【課題】起動時の光出力の急峻な変化又はリンギングの発生を抑制することができる光変調装置及び光変調方法を提供する。
【解決手段】光変調装置１００において、位相変調部１０３には第１の駆動信号及び第１のバイアス信号が印加され、位相変調部１０４には第２の駆動信号及び第２のバイアス信号が印加され、π／２位相シフト部１０５には第３のバイアス信号が印加される。制御部１１２は、第１の調整期間において、第３のバイアス信号を調整し、第１の調整期間の次の第２の調整期間において、第１の駆動信号及び第１のバイアス信号を調整し、第２の調整期間の次の第３の調整期間において、第２の駆動信号及び第２のバイアス信号を調整する。制御部１１２は、第１の調整期間における、調整基準信号の現在値と目標値との乖離が収束する前に、第２の調整期間を開始させ、第２の調整期間における乖離が収束する前に、第３の調整期間を開始させる。
【選択図】図８

Description

本発明は、光変調装置及び光変調方法に関する。

今般、基幹系のDWDM（Dense Wavelength Division Multiplex)光通信システムでは、光伝送路上に中継用の光アンプが使用されている。その光アンプの過渡応答特性の制約上、光アンプへの光入力源となる光送信器には、起動時に光出力を一定時間かけてゆっくり増加させる仕様が一般的に要求される。

図１は、光送信器に要求される光出力立上げ仕様の一例を示す図である。

図１（１）にあるように、光送信器の光源の設定信号がＯＦＦからＯＮになると、図１（２）にあるように、Pmin以上の光出力では、光出力を仕様範囲内の傾斜(0〜1mW/sec)でゆっくりと立ち上げる。ここで、Pmin以下の光出力の場合には、伝送路にある光アンプが反応しないので、Pmin以下の光出力の場合には、制御は不要としている。Pminより光出力が大きくなると、光アンプが応答を始めるので、光出力を徐々に大きくするように制御する。

図２は、光出力が徐々に増加する間に行なわれる制御の内容の説明に供する図である。

従来では、光送信器の発光素子（ＬＤ：Laser Diode)への注入電流を制御し、ＬＤ光出力を一定時間をかけて、例えば、直線的に規定値まで大きくすることによって、光出力立上げの傾斜を緩やかにしている。また、例えば、特許文献１に示されるように、光送信器がＬＤと位相変調器とによって構成されている場合、その位相変調器を駆動する電気信号のバイアス電圧又は振幅を最適値に制御（ＡＢＣ制御：Auto Bias Control)される。その制御は、位相変調器への光入力（ＬＤ光出力)がPminに達してから開始される。なお、ＡＢＣ制御においては、光信号に低周波数のパイロット周波数が重畳され、この成分の検出値に基づいて、制御が行なわれる。

位相変調器が複数のステージで構成される場合、各ステージのＡＢＣ制御は一般的に時分割で行なわれる。ここでは、DP-QPSK（Dual Polarization Quadrature Phase Shift Keying)変調方式の場合のＡＢＣ制御について記載する。複数のステージのＡＢＣ制御を時分割で行なう場合、例えば、図２に示すように、Ｉ〜ＶＩの区間に対応する６つの調整期間が設けられる。図２では、１２秒の時間区間が６つの調整期間に分割され、各調整期間において異なるＡＢＣ制御が行なわれる。そして、この６つの調整期間は、ＬＤの光出力が規定値に達するまで繰り返し設定される。すなわち、６つの調整期間に対応する制御が繰り返し行なわれる。

詳細には、区間Ｉにおいては、Ｘ側ＱＰＳＫ変調器のπ／２Shiftのバイアス制御が行なわれる。区間ＩＩにおいては、Ｘ側ＱＰＳＫ変調器における、Ｉ信号の変調振幅に対する制御と、Ｉ信号のバイアス制御とが行なわれる。区間ＩＩＩにおいては、Ｘ側ＱＰＳＫ変調器における、Ｑ信号の変調振幅に対する制御と、Ｑ信号のバイアス制御とが行なわれる。区間ＩＶにおいては、Ｙ側ＱＰＳＫ変調器における、π／２Shiftのバイアス制御が行なわれる。区間Ｖにおいては、Ｙ側ＱＰＳＫ変調器のＩ信号の変調振幅に対する制御と、Ｉ信号のバイアス制御とが行なわれる。区間ＶＩにおいては、Ｙ側ＱＰＳＫ変調器における、Ｑ信号の変調振幅に対する制御と、Ｑ信号のバイアス制御とが行なわれる。ここでは、例として、各調整期間は、それぞれ２秒ずつとされている。

なお、区間ＩＩ、ＩＩＩ、Ｖ、ＶＩにおける、バイアス制御と振幅制御とでは、異なる２種類のパイロット周波数が用いられる。具体的には、光信号に重畳された２種類のパイロット周波数を検出し、検出値に基づいて、バイアス制御と振幅制御とが行なわれる。

こうして、従来、ＤＱＰＳＫ，ＱＰＳＫ等の光位相変調器にかかる、駆動信号振幅、ＤＣバイアス、移相器の制御が行なわれている。

特開２００８−９２１７２号公報

ところで、従来の位相変調器のＡＢＣ制御では、制御（特にバイアス電圧と振幅の制御）の開始直後に、次の変動が生じる。
a）ＡＢＣ制御が収束点(最適点)に向かって大きく動くことで、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する。
b)位相変調器とその駆動回路とは、高周波特性上、近くに実装されるのが一般的である。よって、駆動回路の出力振幅が増加すると、駆動回路の消費電力が増加し発熱が増え、この熱のあおりを受けて位相変調器の温度上昇が発生する。この影響で位相変調器の光透過特性（印加電圧 vs 光パワーロス)が短時間でシフトするため、バイアス電圧の制御をしていない区間（電圧が保持されている区間）に位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する。

図３及び図４は、ＡＢＣ制御が収束点(最適点)に向かって大きく動くことで、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する現象を説明する図である。

図３は、横軸に位相変調器の印加電圧（位相変調器の変調電極に印加する変調電圧であり、あるいは、駆動電圧とも呼ぶ）を、縦軸に位相変調器の光パワーロス（光送信器の光出力）をとったグラフである。変調電圧あるいは駆動電圧は、変調のための電圧が変化する変調振幅とその変化の中心電圧であるバイアス電圧によって制御される。

ここでの位相変調器の光パワーロス（光送信器の光出力）は、ＬＤの光出力が最大である場合に、位相変調器が有する印加電圧の変化時の光出力の変化を示している。

図３では、サインカーブの特性を持つ位相変調器の光パワーロス特性が示されており、ここに、横軸の下の図で示される印加電圧の様子が示されている。印加電圧の振幅の中央の点はバイアス点という。ＡＢＣ制御によって、バイアス点が大きく動くことがある。図３において、バイアス点は黒い点で示されている。位相変調器の場合、バイアス点の最適位置は、光出力が最小となる点である。

図３では、加電圧が（１）から（２）のように動くとき、印加電圧が（１）のときの光出力が（３）で表されており、印加電圧が（２）のときの光出力が（４）で表されている。光出力（３）と（４）とを比較すると分かるように、光出力のパワーロス（光出力）が大きく動いている。

図４は、横軸に位相変調器の印加電圧を、縦軸に位相変調器の光パワーロス（光送信器の光出力）をとったグラフである。図４では、最初、印加電圧が（１）であったものが、ＡＢＣ制御により(２)のように、印加電圧の振幅が急に大きくなった場合を示している。印加電圧が（１）のときの光出力が（３）で、印加電圧が（２）のときの光出力が（４）である。光出力（３）と（４）を比較すると分かるように、光出力が大きく変動している。

図５は、位相変調器の光透過特性が温度上昇によりシフトした場合に、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する現象を説明する図である。図５は、横軸に位相変調器の印加電圧を、縦軸に位相変調器の光パワーロス（光送信器の光出力）をとったグラフである。図５においては、サインカーブとして示されている位相変調器の光透過特性が、急激な温度上昇により右側にシフトしている。印加電圧は変動していないが、光出力が（１）から（２）へと変動していることが理解される。

図６は、従来の問題点を説明する図である。

上記a),b)の結果、光送信器の光出力立上り傾斜が図６のように急峻になったり、負になってしまうケースが発生し、光出力を仕様範囲内の傾斜で立上げられないことになる。なお、図６は、模式的な図であり、図６において示されるように、区間ＩＩ、ＩＩＩ、Ｖ、ＶＩで傾斜が急峻になったり、負になったりすることを厳密に示すものではない。しかし、区間Ｉ〜ＶＩのＡＢＣ制御が行なわれることにより、これらの区間のいずれかで、光出力の傾斜が急峻になったり、負になったりすることが発生しうる。

本現象により、DWDM光通信システムの伝送路上に中継器として設置されている光アンプへの光入力レベルが急激に変化したり、増減（リンギング）したりする。光アンプの利得制御（ＡＧＣ：Automatic Gain Control）の応答時間は遅いため、この光入力レベルの急激な変化・リンギングに追従できず、光アンプからの光出力レベルが過渡的に変化する。この光出力レベルの変動は、伝送品質の劣化を引き起こす。

図７は、DWDM光通信システムにおける伝送品質劣化の発生の様子を説明する図である。

光送信器１〜Ｎから各波長の光信号が出力されており、光送信器１からの光出力に急峻な変化、あるいは、リンギングが発生したとする。光送信器１〜Ｎの各波長の光信号は、ＭＵＸ３０において波長多重されて送出される。ＭＵＸ３０で波長多重された波長多重光信号は、光アンプ３１において、多重されたまま増幅される。ここで、光送信器１からの光出力に急峻な変化、あるいは、リンギングが発生したことにより、波長多重光信号全体にも急峻な変化、あるいは、リンギングが発生する。しかし、光アンプ３１のＡＧＣ制御の応答時間が遅いため、これに追従できず、光アンプ３１からの光出力が急峻な変化、あるいは、リンギングとは違った変化を示すことになる。追従できていれば、リンギングが発生した波長の光信号以外の波長の光信号は一定に保たれるが、追従できていないので、他の波長の光信号にも光出力の変化が発生してしまう。

したがって、このような波長多重光信号をＤｅＭＵＸ３２で波長分離し、各光受信器１〜Ｎで受信すると、全ての波長の光信号で光出力に変化が発生してしまう。この光出力の変化は、受信側での伝送品質の劣化となる。

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、起動時の光出力の急峻な変化又はリンギングの発生を抑制することができる光変調装置及び光変調方法を提供することを目的とする。

本願の開示する光変調装置は、一つの態様において、第１の駆動信号及び第１のバイアス信号に基づいて光を変調することにより、第１の光変調信号を形成する第１の変調部と、第２の駆動信号及び第２のバイアス信号に基づいて光を変調することにより、第２の光変調信号を形成する第２の変調部と、第３のバイアス信号に基づいて前記第１の光変調信号の位相を前記第２の光変調信号に対してシフトすることにより、前記第１の光変調信号と前記第２の光変調信号との位相差をπ／２に近づける位相シフト部とを有する変調ユニットと、前記位相シフト部において位相シフトされた、前記第１の光変調信号と前記第２の光変調信号とが合わせられた合成信号に基づいて、調整基準信号を形成する形成部と、前記調整基準信号の現在値と目標値との乖離に基づいて、前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号の振幅、並びに、前記第１のバイアス信号、前記第２のバイアス信号、及び前記第３のバイアス信号の電圧を調整する制御部と、を具備し、前記制御部は、複数の調整期間において調整を行い、第１の調整期間における前記乖離が収束する前に、前記第１の調整期間の次の第２の調整期間を開始させる。

本願の開示する光変調装置及び光変調方法の一つの態様によれば、起動時の光出力の急峻な変化又はリンギングの発生を抑制することができる。

図１は、光送信器に要求される光出力立上げ仕様の一例を示す図である。 図２は、光出力が徐々に増加する間に行われる制御の内容の説明に供する図である。 図３は、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する現象を説明する図である。 図４は、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する現象を説明する図である。 図５は、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する現象を説明する図である。 図６は、従来の問題点を説明する図である。 図７は、DWDM光通信システムにおける伝送品質劣化の発生の様子を説明する図である。 図８は、実施の形態１に係る光変調装置の構成例を示すブロック図である。 図９は、調整基準信号形成部の構成例を示すブロック図である。 図１０は、制御部の構成例を示すブロック図である。 図１１は、実施の形態１に係る光変調装置の動作説明に供する図である。 図１２は、従来のＡＢＣ制御の説明に供する図である。 図１３は、実施の形態２に係る光変調装置の構成例を示すブロック図である。 図１４は、実施の形態２に係る光変調装置の動作説明に供する図である。 図１５は、他のＡＢＣ制御方法の説明に供する図である。 図１６は、実施の形態３に係る光変調装置の構成例を示すブロック図である。 図１７は、制御部の構成例を示すブロック図である。 図１８は、第３のバイアス信号に対する調整処理の説明に供するフローチャートである。 図１９は、第３のバイアス信号に対する調整処理の説明に供する図である。 図２０は、第１のバイアス信号又は第２のバイアス信号に対する調整処理の説明に供する図である。 図２１は、第１の駆動信号又は第２の駆動信号に対する調整処理の説明に供するフローチャートである。 図２２は、第１の駆動信号又は第２の駆動信号に対する調整処理の説明に供する図である。 図２３は、光変調装置の回路構成例を示す図である。

以下に、本願の開示する光変調装置及び光変調方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により本願の開示する光変調装置及び光変調方法が限定されるものではない。また、実施形態において同一の機能を有する構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

［実施の形態１］
［光変調装置１００の構成］
図８は、実施の形態１に係る光変調装置１００の構成例を示すブロック図である。図８において、光変調装置１００は、光源１０１と、変調ユニット１０２と、ＭＵＸ（multiplexer）１０６と、駆動回路１０７，１０８と、ＰＤ（Photo Diode）モニタ１０９と、電力モニタ１１０と、調整基準信号形成部１１１と、制御部１１２とを有する。また、変調ユニット１０２は、位相変調部１０３，１０４と、π／２位相シフト部１０５とを有する。変調ユニット１０２は、例えば、DQPSK(Differential Quadrature Phase Shift Keying;差動四相位相偏移変調方式)、又は、DP-QPSK(Dual Polarization Quadrature Phase Shift Keying;偏波多重4位相偏移変調方式)のＬＮ(LiNbO3)変調器に相当する。

光源１０１は、連続光を発生し、変調ユニット１０２へ出力する。光源１０１は、例えば、発光素子（ＬＤ：Laser Diode）である。光源１０１から出力された光は、分岐で分けられて、それぞれ位相変調部１０３及び位相変調部１０４に入力される。

位相変調部１０３は、駆動回路１０７から出力された第１の駆動信号及び制御部１１２から出力された第１のバイアス信号に基づいて、入力された光を変調することにより、第１の光変調信号を出力する。ここで、第１の駆動信号には、第１の周波数（ｆ０）を持つ第１のパイロットが重畳されている。また、第１のバイアス信号には、第２の周波数（ｆ１）を持つ第２のパイロットが重畳されている。

具体的には、位相変調部１０３は、第１の駆動信号に基づいて光を変調することにより第１の光変調信号を形成し、第１のバイアス信号に基づいて第１の光変調信号の位相をシフトする。ここでは、位相変調部１０３を１つの機能ブロックとして説明しているが、これに限定されるものではなく、変調ブロックと位相シフトブロックの２つに分けてもよい。

位相変調部１０４は、駆動回路１０８から出力された第２の駆動信号及び制御部１１２から出力された第２のバイアス信号に基づいて、入力された光を変調することにより、第２の光変調信号を出力する。ここで、第２の駆動信号には、第１の周波数（ｆ０）を持つ第１のパイロットが重畳されている。また、第２のバイアス信号には、第２の周波数（ｆ１）を持つ第２のパイロットが重畳されている。

具体的には、位相変調部１０４は、第２の駆動信号に基づいて光を変調することにより第２の光変調信号を形成し、第２のバイアス信号に基づいて第２の光変調信号の位相をシフトする。ここでは、位相変調部１０４を１つの機能ブロックとして説明しているが、これに限定されるものではなく、変調ブロックと位相シフトブロックの２つに分けてもよい。

例えば、位相変調部１０３は、Ｉ成分の変調信号を形成し、位相変調部１０４は、Ｑ成分の変調信号を形成する。

π／２位相シフト部１０５は、第３のバイアス信号に基づいて第１の光変調信号の位相を第２の光変調信号に対してシフトすることにより、第１の光変調信号と第２の光変調信号との位相差をπ／２に近づける。こうして位相シフトされた第１の光変調信号と第２の光変調信号とは結合器（図示せず）において合わせられて、合成信号として後段に出力される。ここで、第３のバイアス信号には、第３のパイロットが重畳されている。ここでは、一例として、第３のパイロットが第２のパイロットと同じく第２の周波数（ｆ１）を持つものとして説明する。

ＭＵＸ１０６は、パラレルなデータ信号を駆動回路１０７及び駆動回路１０８へ出力する。

駆動回路１０７は、制御部１１２から出力された振幅制御信号に応じたドライバ電圧が印加され、入力データ信号を印加電圧に応じた振幅に増幅して第１の駆動信号を形成し、位相変調部１０３へ出力する。すなわち、振幅制御信号に基づいて、第１の駆動信号の振幅が調整される。

駆動回路１０８は、制御部１１２から出力された振幅制御信号に応じたドライバ電圧が印加され、入力データ信号を印加電圧に応じた振幅に増幅して第２の駆動信号を形成し、位相変調部１０４へ出力する。すなわち、振幅制御信号に基づいて、第２の駆動信号の振幅が調整される。

ＰＤモニタ１０９は、光変調装置１００の光出力を検出し、光出力を電気信号に変換する。

電力モニタ１１０は、ＰＤモニタ１０９から出力される電気信号の電力を検出する。電力モニタ１１０において検出される電力値は、光出力に応じた値となる。

調整基準信号形成部１１１は、合成信号に基づいて、調整基準信号を形成する。具体的には、調整基準信号形成部１１１は、ＰＤモニタ１０９から出力される電気信号及び電力モニタ１１０から出力される電力値を入力とする。そして、調整基準信号形成部１１１は、ＰＤモニタ１０９から出力される電気信号及び電力モニタ１１０から出力される電力値に基づいて、調整基準信号を形成し、制御部１１２へ出力する。なお、調整基準信号形成部１１１については、後に詳しく説明する。

制御部１１２は、調整基準信号形成部１１１から受け取る調整基準信号の現在値と目標値との乖離に基づいて、第１の駆動信号及び第２の駆動信号の振幅、並びに、第１のバイアス信号、第２のバイアス信号、及び第３のバイアス信号の電圧を調整する。

具体的には、制御部１１２は、第１の調整期間において、第３のバイアス信号を調整する。そして、制御部１１２は、第１の調整期間の次の第２の調整期間において、第１の駆動信号及び第１のバイアス信号を調整する。そして、制御部１１２は、第２の調整期間の次の第３の調整期間において、第２の駆動信号及び第２のバイアス信号を調整する。

また、制御部１１２は、調整期間を制御する。具体的には、制御部１１２は、第１の調整期間における、調整基準信号の現在値と目標値との乖離が収束する前に、第２の調整期間を開始させ、第２の調整期間における乖離が収束する前に、第３の調整期間を開始させる。なお、制御部１１２については、後に詳しく説明する。

図９は、調整基準信号形成部１１１の構成例を示すブロック図である。図９において、調整基準信号形成部１１１は、セレクタ１２１と、選択制御部１２２と、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１２３，１２４とを有する。

選択制御部１２２は、調整期間に応じた選択制御信号をセレクタ１２１へ出力する。具体的には、選択制御部１２２は、第１の調整期間に対応する期間には、第１の選択制御信号を出力する。この第１の選択制御信号は、セレクタ１２１に対して、ＰＤモニタ１０９から出力される電気信号及び電力モニタ１１０から出力される電力値のうち、電力モニタ１１０から出力される電力値を選択して出力することを命じる信号である。また、選択制御部１２２は、第２の調整期間及び第３の調整期間に対応する期間には、第２の選択制御信号を出力する。この第２の選択制御信号は、セレクタ１２１に対して、ＰＤモニタ１０９から出力される電気信号及び電力モニタ１１０から出力される電力値のうち、ＰＤモニタ１０９から出力される電気信号を選択して出力することを命じる信号である。

セレクタ１２１は、選択制御部１２２から受け取る選択制御信号に応じた入力信号を選択し、ＢＰＦ１２３及びＢＰＦ１２４へ出力する。

ＢＰＦ１２３は、セレクタ１２１の出力信号から、第２の周波数（ｆ１）に対応する信号成分を抽出し、制御部１１２へ出力する。

ＢＰＦ１２４は、セレクタ１２１の出力信号から、第１の周波数（ｆ０）に対応する信号成分を抽出し、制御部１１２へ出力する。

図１０は、制御部１１２の構成例を示すブロック図である。図１０において、制御部１１２は、パイロット生成部１３１，１３７と、同期検波部１３２，１３８と、バイアス調整部１３３，１３４と、バイアス供給回路１３５，１３６と、振幅調整部１３９と、調整期間制御部１４０とを有する。

パイロット生成部１３１は、第２の周波数（ｆ１）を持つ第２のパイロットを生成し、同期検波部１３２、バイアス供給回路１３５、及びバイアス供給回路１３６へ出力する。

同期検波部１３２は、ＢＰＦ１２３から出力された信号から、第２の周波数（ｆ１）を持つ成分を検波する。この検波結果は、調整基準信号（ここでは、第２の周波数（ｆ１）を持つ成分）の現在値と目標値との乖離を示し、第１のバイアス信号、第２のバイアス信号又は第３のバイアス信号が最適に調整されているときに、最小値となる。

この検波結果は、バイアス調整部１３３及びバイアス調整部１３４へ出力される。

バイアス調整部１３３は、第１の調整期間において、検波結果に基づいて第３のバイアス信号を調整するバイアス調整信号を生成し、バイアス供給回路１３５へ出力する。

バイアス供給回路１３５は、第１の調整期間において、バイアス調整部１３３から受け取るバイアス調整信号に基づいて第３のバイアス信号を生成し、生成した第３のバイアス信号に、パイロット生成部１３１によって生成されたパイロットを重畳してπ／２位相シフト部１０５へ出力する。

バイアス調整部１３４は、第２の調整期間において、検波結果に基づいて第１のバイアス信号を調整するバイアス調整信号を生成し、バイアス供給回路１３６へ出力する。また、バイアス調整部１３４は、第３の調整期間において、検波結果に基づいて第２のバイアス信号を調整するバイアス調整信号を生成し、バイアス供給回路１３６へ出力する。

バイアス供給回路１３６は、第２の調整期間において、バイアス調整部１３４から受け取るバイアス調整信号に基づいて第１のバイアス信号を生成し、生成した第１のバイアス信号に、パイロット生成部１３１によって生成されたパイロットを重畳して位相変調部１０３へ出力する。また、バイアス供給回路１３６は、第３の調整期間において、バイアス調整部１３４から受け取るバイアス調整信号に基づいて第２のバイアス信号を生成し、生成した第２のバイアス信号に、パイロット生成部１３１によって生成されたパイロットを重畳して位相変調部１０４へ出力する。

パイロット生成部１３７は、第１の周波数（ｆ０）を持つ第１のパイロットを生成し、同期検波部１３８、駆動回路１０７、及び駆動回路１０８へ出力する。

同期検波部１３８は、ＢＰＦ１２４から出力された信号から、第１の周波数（ｆ０）を持つ成分を検波する。この検波結果は、調整基準信号（ここでは、第１の周波数（ｆ０）を持つ成分）の現在値と目標値との乖離を示し、第１の駆動信号又は第２の駆動信号が最適に調整されているときに、最小値となる。この検波結果は、振幅調整部１３９へ出力される。

振幅調整部１３９は、第２の調整期間において、検波結果に基づいて第１の駆動信号を調整する振幅制御信号を生成し、駆動回路１０７へ出力する。また、振幅調整部１３９は、第３の調整期間において、検波結果に基づいて第２の駆動信号を調整する振幅制御信号を生成し、駆動回路１０８へ出力する。

調整期間制御部１４０は、調整期間を制御する。具体的には、制御部１１２は、第１の調整期間における、調整基準信号の現在値と目標値との乖離が収束する前に、第２の調整期間を開始させ、第２の調整期間における乖離が収束する前に、第３の調整期間を開始させる。

詳細には、調整期間制御部１４０は、第１の調整期間の長さを、第３のパイロットの１周期以上であり且つ第３のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御する。また、調整期間制御部１４０は、第２の調整期間の長さを、第１のパイロットの１周期以上であり且つ第１の駆動信号及び第１のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御する。さらに、調整期間制御部１４０は、第３の調整期間の長さを、第２のパイロットの１周期以上であり且つ第２の駆動信号及び第２のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御する。

［光変調装置１００の動作］
以上の構成を有する光変調装置１００の動作について説明する。図１１は、光変調装置１００の動作説明に供する図である。

第１の調整期間において、制御部１１２は、第３のバイアス信号の調整、つまり、π／２位相シフト部１０５の調整を実行する。第１の調整期間の長さは、第３のパイロットの１周期以上であり且つ第３のバイアス信号を調整したときの時定数以下である。すなわち、第１の調整期間は、第１の調整期間における、調整基準信号の現在値と目標値との乖離が収束する前に終了する。これにより、第１の調整期間を短くすることができる。

第１の調整期間に続く第２の調整期間において、制御部１１２は、第１の駆動信号及び第１のバイアス信号の調整、つまり、位相変調部１０３の調整を実行する。制御部１１２は、第１の調整期間における、調整基準信号の現在値と目標値との乖離が収束する前に、第２の調整期間を開始させる。すなわち、第２の調整期間は、第１の調整期間の制御が掛かりきる前に開始する。これにより、第１の調整期間の調整に起因した光変調装置１００の損失変動（つまり、上記したリンギング）を少なくすることができる。

第２の調整期間の長さは、第１のパイロットの１周期以上であり且つ第１の駆動信号及び第１のバイアス信号を調整したときの時定数以下である。これにより、第２の調整期間を短くすることができる。

第２の調整期間に続く第３の調整期間において、制御部１１２は、第２の駆動信号及び第２のバイアス信号の調整、つまり、位相変調部１０４の調整を実行する。制御部１１２は、第２の調整期間における、調整基準信号の現在値と目標値との乖離が収束する前に、第３の調整期間を開始させる。すなわち、第３の調整期間は、第２の調整期間の制御が掛かりきる前に開始する。これにより、第２の調整期間の調整に起因した光変調装置１００の損失変動（つまり、上記したリンギング）を少なくすることができる。

第３の調整期間の長さは、第２のパイロットの１周期以上であり且つ第２の駆動信号及び第２のバイアス信号を調整したときの時定数以下である。これにより、第３の調整期間を短くすることができる。

これに対して、図１２に示すように、各調整期間を調整基準信号の現在値と目標値との乖離が収束した後に終了させる場合、各調整期間の調整に起因した光変調装置１００の損失変動（つまり、上記したリンギング）が顕著に現れる。

以上のように、本実施の形態によれば、光変調装置１００において、制御部１１２は、第１の調整期間における、調整基準信号の現在値と目標値との乖離が収束する前に、第２の調整期間を開始させ、第２の調整期間における乖離が収束する前に、第３の調整期間を開始させる。

これにより、前の調整期間の調整に起因した、現調整期間における光変調装置１００の損失変動（つまり、上記したリンギング）を少なくすることができる。

具体的には、制御部１１２は、第１の調整期間の長さを、第３のパイロットの１周期以上であり且つ第３のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御する。そして、制御部１１２は、第２の調整期間の長さを、第１のパイロットの１周期以上であり且つ第１の駆動信号及び第１のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御する。さらに、制御部１１２は、第３の調整期間の長さを、第２のパイロットの１周期以上であり且つ第２の駆動信号及び第２のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御する。

［実施の形態２］
実施の形態２は、複数の変調ユニットを有する光変調装置に関する。

［光変調装置２００の構成］
図１３は、実施の形態２に係る光変調装置２００の構成例を示すブロック図である。図１３において、光変調装置２００は、変調ユニット２０１と、９０度偏光回転子２０５と、ＭＵＸ２０６と、駆動回路２０７と、駆動回路２０８と、ＰＤモニタ２０９と、電力モニタ２１０と、調整基準信号形成部２１１と、制御部２１２とを有する。変調ユニット２０１は、位相変調部２０２と、位相変調部２０３と、π／２位相シフト部２０４とを有する。変調ユニット１０２及び変調ユニット２０１は、例えば、DP-QPSK(Dual Polarization Quadrature Phase Shift Keying;偏波多重4位相偏移変調方式)のＬＮ(LiNbO3)変調器に相当する。そして、例えば、変調ユニット１０２は、Ｘ偏波によって送信される変調信号を形成し、変調ユニット２０１は、Ｙ偏波によって送信される変調信号を形成する。

位相変調部２０２は、駆動回路２０７から出力された第３の駆動信号及び制御部１１２から出力された第４のバイアス信号に基づいて、入力された光を変調することにより、第３の光変調信号を出力する。ここで、第３の駆動信号には、第１の周波数（ｆ０）を持つ第１のパイロットが重畳されている。また、第４のバイアス信号には、第２の周波数（ｆ１）を持つ第２のパイロットが重畳されている。

具体的には、位相変調部２０２は、第３の駆動信号に基づいて光を変調することにより第３の光変調信号を形成し、第４のバイアス信号に基づいて第３の光変調信号の位相をシフトする。ここでは、位相変調部２０２を１つの機能ブロックとして説明しているが、これに限定されるものではなく、変調ブロックと位相シフトブロックの２つに分けてもよい。

位相変調部２０３は、駆動回路２０８から出力された第４の駆動信号及び制御部１１２から出力された第５のバイアス信号に基づいて、入力された光を変調することにより、第４の光変調信号を出力する。ここで、第４の駆動信号には、第１の周波数（ｆ０）を持つ第１のパイロットが重畳されている。また、第５のバイアス信号には、第２の周波数（ｆ１）を持つ第２のパイロットが重畳されている。

具体的には、位相変調部２０３は、第４の駆動信号に基づいて光を変調することにより第４の光変調信号を形成し、第５のバイアス信号に基づいて第４の光変調信号の位相をシフトする。ここでは、位相変調部２０３を１つの機能ブロックとして説明しているが、これに限定されるものではなく、変調ブロックと位相シフトブロックの２つに分けてもよい。

例えば、位相変調部２０３は、Ｙ偏波で送信される、Ｉ成分の変調信号を形成し、位相変調部１０４は、Ｙ偏波で送信される、Ｑ成分の変調信号を形成する。

π／２位相シフト部２０４は、第６のバイアス信号に基づいて第３の光変調信号の位相を第４の光変調信号に対してシフトすることにより、第３の光変調信号と第４の光変調信号との位相差をπ／２に近づける。こうして位相シフトされた第３の光変調信号と第４の光変調信号とは結合器（図示せず）において合わせられて、第２の合成信号として後段に出力される。ここで、第６のバイアス信号には、第３のパイロットが重畳されている。

９０度偏光回転子２０５は、第２の合成信号の偏波を、変調ユニット１０２に対応する第１の合成信号に対して９０度回転させる。第１の合成信号と９０度偏光回転された第２の合成信号とは合わせられて第３の合成信号として光変調装置２００から出力される。

ＭＵＸ２０６は、パラレルなデータ信号を駆動回路１０７、駆動回路１０８、駆動回路２０７、及び駆動回路２０８へ出力する。

駆動回路２０７は、制御部１１２から出力された振幅制御信号に応じたドライバ電圧が印加され、入力データ信号を印加電圧に応じた振幅に増幅して第３の駆動信号を形成し、位相変調部２０２へ出力する。すなわち、振幅制御信号に基づいて、第３の駆動信号の振幅が調整される。

駆動回路２０８は、制御部１１２から出力された振幅制御信号に応じたドライバ電圧が印加され、入力データ信号を印加電圧に応じた振幅に増幅して第４の駆動信号を形成し、位相変調部２０３へ出力する。すなわち、振幅制御信号に基づいて、第４の駆動信号の振幅が調整される。

ＰＤモニタ２０９は、第２の合成信号を検出し、第２の合成信号を電気信号に変換する。

電力モニタ２１０は、ＰＤモニタ２０９から出力される電気信号の電力を検出する。電力モニタ２１０において検出される電力値は、光出力に応じた値となる。

調整基準信号形成部２１１は、第２の合成信号に基づいて、調整基準信号を形成する。具体的には、調整基準信号形成部２１１は、ＰＤモニタ２０９から出力される電気信号及び電力モニタ２１０から出力される電力値を入力する。そして、調整基準信号形成部２１１は、ＰＤモニタ２０９から出力される電気信号及び電力モニタ２１０から出力される電力値に基づいて、調整基準信号を形成し、制御部２１２へ出力する。このように、調整基準信号形成部１１１と並列的に調整基準信号形成部２１１を設けたことにより、変調ユニット１０２の調整と変調ユニット２０１の調整とを並列的に実行することができる。

制御部２１２は、実施の形態１の制御部１１２と同様の調整処理を、変調ユニット１０２と変調ユニット２０１とに対して並列的に実行する。

［光変調装置２００の動作］
以上の構成を有する光変調装置２００の動作について説明する。図１４は、光変調装置２００の動作説明に供する図である。

第１の調整期間において、制御部１１２は、第３のバイアス信号の調整と第６のバイアス信号の調整とを並列的に実行する。すなわち、制御部１１２は、π／２位相シフト部１０５の調整とπ／２位相シフト部２０４の調整とを並列的に実行する。

第２の調整期間において、制御部１１２は、第１の駆動信号及び第１のバイアス信号の調整と、第３の駆動信号及び第４のバイアス信号の調整の調整とを並列的に実行する。すなわち、制御部１１２は、位相変調部１０３の調整と位相変調部２０２の調整とを並列的に実行する。

第３の調整期間において、制御部１１２は、第２の駆動信号及び第２のバイアス信号の調整と、第４の駆動信号及び第５のバイアス信号の調整の調整とを並列的に実行する。すなわち、制御部１１２は、位相変調部１０３の調整と位相変調部２０２の調整とを並列的に実行する。

これに対して、図１５に示すように、変調ユニット１０２に対する調整と、変調ユニット２０１に対する調整とを時分割で実行することもできる。

しかしながら、図１４に示すように、変調ユニット１０２に対する調整と、変調ユニット２０１に対する調整とを並列的に実行することにより、光変調装置２００におけるＡＢＣ制御の全体に掛かる時間を短くすることができる。

以上のように本実施の形態によれば、光変調装置２００において、調整基準信号形成部１１１と調整基準信号形成部２１１とが並列に設けられ、制御部１１２は、変調ユニット１０２に対する調整と、変調ユニット２０１に対する調整とを並列的に実行する。

これにより、光変調装置２００におけるＡＢＣ制御の全体に掛かる時間を短くすることができる。

［実施の形態３］
実施の形態３では、変調ユニットに対する調整を光源が発光する前に開始する。これに伴い、駆動信号及びバイアス信号に対してリミットを設ける。

［光変調装置３００の構成］
図１６は、実施の形態３に係る光変調装置３００の構成例を示すブロック図である。図１６において、光変調装置３００は、制御部３０１を有する。制御部３０１は、図１７に示すように、バイアス調整部３１１，３１２と、振幅調整部３１３と、調整期間制御部３１４とを有する。

制御部３０１は、変調ユニット１０２に対する調整の開始タイミングを制御する。具体的には、制御部３０１の調整期間制御部３１４は、光源１０１が発光する前に第１の調整期間を開始させる。

また、制御部３０１のバイアス調整部３１１は、第３のバイアス信号の目標電圧値の許容範囲（以下では、「第１の許容範囲」と呼ばれる）を設定する。そして、バイアス調整部３１１は、第１の調整期間において第３のバイアス信号の目標電圧値が第１の許容範囲を外れる場合、第１の許容範囲内の所定値に第３のバイアス信号の目標電圧値を変更する。ここで、第１の許容範囲内の所定値は、例えば、ゼロ値である。

また、制御部３０１のバイアス調整部３１２は、第１のバイアス信号及び第２のバイアス信号の目標電圧値の許容範囲（以下では、「第２の許容範囲」と呼ばれる）を設定する。そして、バイアス調整部３１２は、第２の調整期間において第１のバイアス信号の目標電圧値が第２の許容範囲を外れる場合、第２の許容範囲内の所定値に第１のバイアス信号の目標電圧値を変更する。バイアス調整部３１２は、第３の調整期間において第２のバイアス信号の目標電圧値が第２の許容範囲を外れる場合、第２の許容範囲内の所定値に第２のバイアス信号の目標電圧値を変更する。ここで、第２の許容範囲内の所定値は、例えば、ゼロ値である。

また、制御部３０１の振幅調整部３１３は、第１の駆動信号及び第２の駆動信号の目標電圧値の許容範囲（以下では、「第３の許容範囲」と呼ばれる）を設定する。そして、振幅調整部３１３は、第２の調整期間又は第３の調整期間において第１の駆動信号又は第２の駆動信号の目標電圧値が第３の許容範囲を外れる場合、第１の駆動信号又は第２の駆動信号の目標電圧値を第３の許容範囲の最小値に変更する。

［光変調装置３００の動作］
以上の構成を有する光変調装置３００の動作について説明する。

<第３のバイアス信号の調整>
図１８は、制御部３０１による第３のバイアス信号に対する調整処理の説明に供するフローチャートである。図１９は、制御部３０１による第３のバイアス信号に対する調整処理の説明に供する図である。図１９において、横軸は、バイアス調整信号の電圧値を表し、縦軸は、光変調装置３００のパワーロス（つまり、光変調装置３００の光出力）を表す。すなわち、図１９において、横軸方向に光パワーの増減が繰り返される曲線は、バイアス調整信号に対する光変調装置３００の光出力特性を表している。

第１の調整期間が開始すると、図１８に示される処理がスタートする。

ステップＳ４０１においてバイアス調整部３１１は、バイアス調整信号を算出する。具体的には、次の式（１）に基づいてバイアス調整信号が算出される。
OUT(z)＝a*IN(z)＋b*IN(z−1)＋c*OUT(z−1)・・・（１）

ここで、IN(z)は、今回入力された検波結果であり、IN(z-1)は、前回入力された検波結果であり、OUT(z-1)は、前回算出されたバイアス調整信号の値である。a,b,cは、各パラメータに掛け合わされる係数である。

ステップＳ４０２においてバイアス調整部３１１は、ＲＥＡＤＹ判定を行う。すなわち、バイアス調整部３１１は、光変調装置３００の光出力が規定値に達しているか否かを判定する。

規定値に達していないと判定された場合（ステップＳ４０２否定）、ステップＳ４０３においてバイアス調整部３１１は、リミット判定を行う。すなわち、バイアス調整部３１１は、ステップＳ４０１で算出されたバイアス調整信号の値が第１の許容範囲の範囲内にあるか否かを判定する。

第１の許容範囲外にあると判定された場合（ステップＳ４０３否定）、ステップＳ４０４においてバイアス調整部３１１は、バイアス調整信号の算出値を所定値に変更する。すなわち、図１９においてリミット値−Ａ＋オフセット，Ａ＋オフセットにより規定される第１の許容範囲を外れた場合、バイアス調整信号の算出値がゼロ値にされる。

図１８に戻り、バイアス調整部３１１は、ステップＳ４０５において、バイアス調整信号の算出値又は変更値にオフセット値を加算したバイアス調整信号を算出し、ステップＳ４０６において、算出されたバイアス調整信号をバイアス供給回路１３５へ出力する。

ステップＳ４０７においてバイアス調整部３１１は、第１の調整期間が終了したか否かを判定する。

第１の調整期間が終了していないと判定された場合（ステップＳ４０７否定）、調整処理は、ステップＳ４０２へ戻る。

第１の調整期間が終了したと判定された場合（ステップＳ４０７肯定）、調整処理は終了する。

<第１のバイアス信号又は第２のバイアス信号の調整>
図２０は、制御部３０１による第１のバイアス信号又は第２のバイアス信号に対する調整処理の説明に供する図である。なお、この調整処理は、第３のバイアス信号に対する調整処理と同様であるので、図１８のフローチャートを援用して説明する。また、第２の調整期間における第１のバイアス信号に対する調整処理と、第３の調整期間における第２のバイアス信号に対する調整処理とは同様であるので、ここでは、第２の調整期間における調整処理についてのみ説明する。

第２の調整期間が開始すると、図１８に示される処理がスタートする。

ステップＳ４０１においてバイアス調整部３１２は、バイアス調整信号を算出する。

ステップＳ４０２においてバイアス調整部３１２は、ＲＥＡＤＹ判定を行う。

規定値に達していないと判定された場合（ステップＳ４０２否定）、ステップＳ４０３においてバイアス調整部３１２は、リミット判定を行う。すなわち、バイアス調整部３１２は、ステップＳ４０１で算出されたバイアス調整信号の値が第２の許容範囲の範囲内にあるか否かを判定する。

第２の許容範囲外にあると判定された場合（ステップＳ４０３否定）、ステップＳ４０４においてバイアス調整部３１２は、バイアス調整信号の算出値を所定値に変更する。すなわち、図２０においてリミット値−Ｂ＋オフセット，Ｂ＋オフセットにより規定される第２の許容範囲を外れた場合、バイアス調整信号の算出値がゼロ値にされる。

図１８に戻り、バイアス調整部３１２は、ステップＳ４０５において、バイアス調整信号の算出値又は変更値にオフセット値を加算したバイアス調整信号を算出し、ステップＳ４０６において、算出されたバイアス調整信号をバイアス供給回路１３６へ出力する。

ステップＳ４０７においてバイアス調整部３１２は、第２の調整期間が終了したか否かを判定する。

<第１の駆動信号又は第２の駆動信号の調整>
図２１は、制御部３０１による第１の駆動信号又は第２の駆動信号に対する調整処理の説明に供するフローチャートである。図２２は、制御部３０１による第１の駆動信号又は第２の駆動信号に対する調整処理の説明に供する図である。図２２において、横軸は、振幅制御信号の電圧値を表し、縦軸は、光変調装置３００のパワーロス（つまり、光変調装置３００の光出力）を表す。第２の調整期間における第１の駆動信号に対する調整処理と、第３の調整期間における第２の駆動信号に対する調整処理とは同様であるので、ここでは、第２の調整期間における調整処理についてのみ説明する。

第２の調整期間が開始すると、図２１に示される処理がスタートする。

ステップＳ５０１において振幅調整部３１３は、振幅制御信号を算出する。

ステップＳ５０２において振幅調整部３１３は、ＲＥＡＤＹ判定を行う。

規定値に達していないと判定された場合（ステップＳ５０２否定）、ステップＳ５０３において振幅調整部３１３は、リミット判定を行う。すなわち、振幅調整部３１３は、ステップＳ５０１で算出された振幅制御信号の値が第３の許容範囲の範囲内にあるか否かを判定する。

第３の許容範囲外にあると判定された場合（ステップＳ５０３否定）、ステップＳ５０４において振幅調整部３１３は、振幅制御信号の算出値を、第３の許容範囲の最大値に変更する。すなわち、図２２においてリミット値Ｃ以上で規定される第３の許容範囲を外れた場合、振幅制御信号の算出値がリミット値Ｃにホールドされる。

図２１に戻り、振幅調整部３１３は、ステップＳ５０５において、振幅制御信号の算出値又は変更値（つまり、リミット値Ｃ）を駆動回路１０７へ出力する。

ステップＳ５０６において振幅調整部３１３は、第２の調整期間が終了したか否かを判定する。

以上のように本実施の形態によれば、光変調装置３００において、制御部３０１は、第１の調整期間を光源１０１から光が発光される前に開始させる。

これにより、光変調装置３００におけるＡＢＣ制御の全体に掛かる時間を短くすることができる。

また、制御部３０１は、第３のバイアス信号の目標電圧値（つまり、バイアス調整信号の電圧値）が許容範囲から外れる場合、許容範囲内の所定値に目標電圧値を変更する。

これにより、光が発光される前に第３のバイアス信号に対する調整期間を開始させることにより起こりうる、ＡＢＣ制御が０Ｖ近傍の動作点に収束しない現象が発生することを防止できる。

また、制御部３０１は、第１のバイアス信号の目標電圧値（つまり、バイアス調整信号の電圧値）が許容範囲から外れる場合、許容範囲内の所定値に目標電圧値を変更する。

これにより、光が発光される前に第１のバイアス信号に対する調整期間を開始させることにより起こりうる、ＡＢＣ制御が０Ｖ近傍の動作点に収束しない現象が発生することを防止できる。

また、制御部３０１は、第１の駆動信号の目標電圧値（つまり、振幅制御信号の電圧値）が許容範囲から外れる場合、許容範囲の最小値に目標電圧値を変更する。

これにより、光が発光される前に第１の駆動信号に対する調整期間を開始させることにより起こりうる、ＡＢＣ制御が０Ｖ近傍の動作点に収束しない現象が発生することを防止できる。

［実施の形態４］
実施の形態４は、具体的な回路構成例に関する。図２３は、光変調装置の回路構成例を示す図である。図２３に示される回路構成例は、図１３の光変調装置２００に対応する。

図２３におけるＴ−ＬＤ（Laser Diode）６０１は、光源１０１に対応する。ブロック６０２は、変調ユニット１０２，２０１と、ＰＤモニタ１０９，２０９と、９０度偏光回転子２０５とに対応する。ＭＵＸ６０３は、ＭＵＸ２０６に対応し、ＬＮ−ＤＲＶ６０４は、駆動回路１０７，１０８，２０７，２０８に対応する。

ブロック６０５、ブロック６０９、ＣＰＬＤ（Complex Programmable Logic Device）６１０、及びＤＡＣ（digital to analog converter）６１１は、電力モニタ１１０と、調整基準信号形成部１１１とに対応する。特に、ＣＰＬＤ６１０は、選択制御部１２２に対応する。

ブロック６０６、ブロック６０９、ＣＰＬＤ６１０、及びＤＡＣ６１１は、電力モニタ２１０と、調整基準信号形成部２１１とに対応する。

ＡＤＣ（analog to digital converter）６０７、ＤＳＰ（Digital Signal Processing）６０８、及びＤＡＣ６１２，６１３は、制御部２１２に対応する。特に、ＡＤＣ６０７は、パイロット生成部１３１，１３７と、同期検波部１３２，１３８とに対応する。ＤＳＰ６０８は、バイアス調整部１３３，１３４と、振幅調整部１３９と、調整期間制御部１４０とに対応する。ＤＡＣ６１２は、バイアス供給回路１３５に対応し、ＤＡＣ６１３は、バイアス供給回路１３６に対応する。

１００，２００，３００ 光変調装置
１０１ 光源
１０２，２０１ 変調ユニット
１０３，１０４，２０２，２０３ 位相変調部
１０５，２０４ π／２位相シフト部
１０７，１０８，２０７，２０８ 駆動回路
１０９，２０９ ＰＤモニタ
１１０，２１０ 電力モニタ
１１１，２１１ 調整基準信号形成部
１１２，２１２，３０１ 制御部
１２１ セレクタ
１２２ 選択制御部
１３１，１３７ パイロット生成部
１３２，１３８ 同期検波部
１３３，１３４，３１１，３１２ バイアス調整部
１３５，１３６ バイアス供給回路
１３９，３１３ 振幅調整部
１４０，３１４ 調整期間制御部
２０５ ９０度偏光回転子

Claims (9)

1. 第１の駆動信号及び第１のバイアス信号に基づいて光を変調することにより、第１の光変調信号を形成する第１の変調部と、第２の駆動信号及び第２のバイアス信号に基づいて光を変調することにより、第２の光変調信号を形成する第２の変調部と、第３のバイアス信号に基づいて前記第１の光変調信号の位相を前記第２の光変調信号に対してシフトすることにより、前記第１の光変調信号と前記第２の光変調信号との位相差をπ／２に近づける位相シフト部とを有する変調ユニットと、
   前記位相シフト部において位相シフトされた、前記第１の光変調信号と前記第２の光変調信号とが合わせられた合成信号に基づいて、調整基準信号を形成する形成部と、
   前記調整基準信号の現在値と目標値との乖離に基づいて、前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号の振幅、並びに、前記第１のバイアス信号、前記第２のバイアス信号、及び前記第３のバイアス信号の電圧を調整する制御部と、
   を具備し、
   前記制御部は、複数の調整期間において調整を行い、第１の調整期間における前記乖離が収束する前に、前記第１の調整期間の次の第２の調整期間を開始させる、
   光変調装置。
2. 前記制御部は、
   前記第１の調整期間において、前記第３のバイアス信号を調整し、
   前記第２の調整期間において、前記第１の駆動信号及び前記第１のバイアス信号を調整し、
   前記第２の調整期間の次の第３の調整期間において、前記第２の駆動信号及び前記第２のバイアス信号を調整する、
   請求項１に記載の光変調装置。
3. 前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号は、第１の周波数を持つ第１のパイロットが重畳され、
   前記第１のバイアス信号及び前記第２のバイアス信号は、第２の周波数を持つ第２のパイロットが重畳され、
   前記第３のバイアス信号は、第３のパイロットが重畳され、
   前記制御部は、
   前記第１の調整期間の長さを、前記第３のパイロットの１周期以上であり且つ前記第３のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御し、
   前記第２の調整期間の長さを、前記第１のパイロットの１周期以上であり且つ前記第１の駆動信号及び前記第１のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御し、
   前記第３の調整期間の長さを、前記第２のパイロットの１周期以上であり且つ前記第２の駆動信号及び前記第２のバイアス信号を調整したときの時定数以下に制御する、
   請求項２に記載の光変調装置。
4. 第１の前記変調ユニットと、
   第３の駆動信号及び第４のバイアス信号に基づいて光を変調することにより、第３の光変調信号を形成する第３の変調部と、第４の駆動信号及び第５のバイアス信号に基づいて光を変調することにより、第４の光変調信号を形成する第４の変調部と、第６のバイアス信号に基づいて前記第３の光変調信号の位相を前記第４の光変調信号に対してシフトすることにより、前記第３の光変調信号と前記第４の光変調信号との位相差をπ／２に近づける第２の位相シフト部とを有する第２の変調ユニットと、
   前記第２の位相シフト部において位相シフトされた、前記第３の光変調信号と前記第４の光変調信号とが合わせられた第２の合成信号に基づいて、第２の調整基準信号を形成する第２の形成部と、
   をさらに具備し、
   前記制御部は、第１の前記調整基準信号に基づく調整処理と、前記第２の調整基準信号に基づく調整処理とを並列に実行する、
   請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光変調装置。
5. 前記制御部は、前記第１の調整期間を前記光が発光される前に開始させる、
   請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光変調装置。
6. 前記制御部は、前記第３のバイアス信号の目標電圧値が許容範囲から外れる場合、前記許容範囲内の所定値に前記目標電圧値を変更する、
   請求項５に記載の光変調装置。
7. 前記制御部は、前記第１のバイアス信号の目標電圧値が許容範囲から外れる場合、前記許容範囲内の所定値に前記目標電圧値を変更する、
   請求項５に記載の光変調装置。
8. 前記制御部は、前記第１の駆動信号の目標電圧値が許容範囲から外れる場合、前記許容範囲の最小値に前記目標電圧値を変更する、
   請求項５に記載の光変調装置。
9. 第１の駆動信号及び第１のバイアス信号に基づいて光を変調することにより、第１の光変調信号を形成し、
   第２の駆動信号及び第２のバイアス信号に基づいて光を変調することにより、第２の光変調信号を形成し、
   第３のバイアス信号に基づいて前記第１の光変調信号の位相を前記第２の光変調信号に対してシフトすることにより、前記第１の光変調信号と前記第２の光変調信号との位相差をπ／２に近づけ、
   位相シフトされた前記第１の光変調信号と前記第２の光変調信号とが合わせられた合成信号に基づいて、調整基準信号を形成し、
   前記調整基準信号の現在値と目標値との乖離に基づいて、前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号の振幅、並びに、前記第１のバイアス信号、前記第２のバイアス信号、及び前記第３のバイアス信号の電圧を調整し、
   前記調整では、複数の調整期間において調整され、第１の調整期間における前記乖離が収束する前に、前記第１の調整期間の次の第２の調整期間を開始される、
   光変調方法。

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