JP2013126718A - 積層体および導電パターンフィルム製造方法 - Google Patents
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【解決手段】積層体10は、基材フィルム11と、基材フィルム11の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層22と、基材フィルム11の他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層32と、を備えている。また、第1遮光導電層の一方の側または第2遮光導電層の他方の側の少なくともいずれか一方には、アモルファス状態の導電性酸化物材料から構成されるアモルファス層23,33が設けられている。
【選択図】図1
Description
図1に示すように、積層体10は、基材フィルム11と、基材フィルム11の一方の側の面上に設けられた第1透明導電層21と、第1透明導電層21の一方の側の面上に設けられた第1遮光導電層22と、第1遮光導電層22の一方の側の面上に設けられた第1アモルファス層23と、基材フィルム11の他方の側の面上に設けられた第2透明導電層31と、第2透明導電層31の他方の側の面上に設けられた第2遮光導電層32と、第2遮光導電層32の他方の側の面上に設けられた第2アモルファス層33と、を備えている。
はじめに基材フィルム11について説明する。基材フィルム11は、積層体10を製造する際のベースとなるものであり、図1に示すように合成樹脂層12を有している。合成樹脂層12の材料としては、透明性および可撓性を有する材料が用いられ、例えば合成樹脂(プラスチック)が用いられる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー(COP)、環状オレフィン・コポリマー(COC)、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)、トリアセチルセルロース(TAC)または(ポリメチルメタクリレート(PMMA)などの可撓性及び透明性を有する樹脂が用いられる。合成樹脂層12の厚みは、例えば25〜200μmの範囲内となっている。
透明導電層21,31は、透光性および導電性を有するよう構成された層である。透明導電層21,31を構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す透明導電性材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。透明導電層21,31の厚みは、例えば18〜50nmの範囲内となっている。好ましくは、透明導電層21,31は、結晶状態の透明導電性材料から構成されている。
遮光導電層22,32は、遮光性および導電性を有するよう構成された層である。遮光導電層22,32を構成する材料としては、透明導電層21,31を構成する透明導電性材料よりも高い導電性を有する材料が用いられ、例えば、銀、銅若しくはアルミニウム、またはこれらの合金の少なくとも1種類からなる金属材料が用いられる。このうち銀合金は、従来の一般的なタッチパネルセンサにおいて導電パターンの材料として用いられているモリブデン合金などよりも比抵抗が小さく、このため遮光導電層22,32の材料として好ましい。このような銀合金の一例として、銀、パラジウム、銅を含んでなるAPC合金を挙げることができる。遮光導電層22,32の厚みは、例えば100〜400nmの範囲内となっている。
アモルファス層23,33は、導電性を有するとともに、アモルファス状態となっている導電性酸化物材料から構成された層である。アモルファス層23,33を構成する導電性酸化物材料としては、透明導電層21,31の透明導電性材料の場合と同様に、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。アモルファス層23,33の厚みは、例えば1〜30nmの範囲内となっており、例えば約5nmとなっている。
図2は、積層体10を製造する積層体製造装置40を示す図である。図2に示すように、積層体製造装置40は、基材フィルム11を巻き出す巻出装置50と、基材フィルム11上に各層21,22,23,31,32,33を設けて基材フィルム11を形成する成膜装置60と、積層体10を巻き取る巻取装置70と、を備えている。図3乃至図5は、図2の巻出装置50,成膜装置60および巻取装置70をそれぞれ拡大して示す図である。
はじめに図2に示すように、巻出装置50において、基材フィルム11が巻回されたシャフト51を準備し、次に、成膜装置60に向けて基材フィルム11を巻き出す。このとき、ヒーター53を含む加熱機構52によって基材フィルム11を80〜120℃で加熱するとともに、排気手段54によって巻出装置50内の気体を外部に排出する。これによって、基材フィルム11に付着している水分や油分などの不純物が取り除かれる。
次に、成膜装置60によって、基材フィルム11の一方の側に所望の層を設ける第1成膜工程を実施する。成膜装置60による成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、CVDやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について説明する。
その後、巻取装置70において、その一方の側に第1透明導電層21,第1遮光導電層22および第1アモルファス層23が設けられた基材フィルム11が、シャフト71によって巻き取られる。
その後、その一方の側に第1透明導電層21,第1遮光導電層22および第1アモルファス層23が設けられた基材フィルム11を巻出装置50内に再び搬入し、次に、成膜装置60に向けて基材フィルム11を巻き出す。この際、基材フィルム11の他方の側、すなわち層がまだ設けられていない側が外方に向いた状態で基材フィルム11が搬送ドラム68に巻き付けられるよう、基材フィルム11を成膜装置60に向けて巻き出す。
次に、成膜装置60によって、基材フィルム11の他方の側に所望の層を設ける第2成膜工程を実施する。第2成膜工程においては、はじめに、基材フィルム11が搬送ドラム68に巻き付けられる。次に、各ターゲット61a,62a,63aを構成する原子をスパッタリングによって基材フィルム11の他方の側に付着させる。これによって、基材フィルム11の他方の側の面上に、第2透明導電層31,第2遮光導電層32および第2アモルファス層33が順に設けられる。具体的な方法は、上述の第1成膜工程の場合と同様であるので、詳細な説明を省略する。
その後、巻取装置70において、基材フィルム11と、基材フィルム11の一方の側に設けられた第1透明導電層21,第1遮光導電層22および第1アモルファス層23と、基材フィルム11の他方の側に設けられた第2透明導電層31,第2遮光導電層32および第2アモルファス層33と、を備えた積層体10が、シャフト71によってロール状に巻き取られる。
次に図6乃至図8を参照して、積層体10からタッチパネルセンサ80を作製する方法について説明する。
はじめに図6(a)(b)を参照して、作製されるタッチパネルセンサ80について説明する。図6(a)は、タッチパネルセンサ80の一例を示す平面図であり、図6(b)は、図6(a)のVIa−VIa線に沿った断面図である。
はじめに積層体10を準備する(工程S11)。次に図8(a)に示すように、積層体10の一方の側の面上に第1感光層29aを設け、積層体10の他方の側の面上に第2感光層39aを設ける(工程S12)。感光層29a,39aは、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光層29a,39aの具体的な感光特性が特に限られることはない。例えば、感光層29a,39aとして、光硬化型の感光材が用いられてもよく、若しくは、光溶解型の感光材が用いられてもよい。ここでは、感光層29a,39aとして光硬化型の感光材が用いられる例を説明する。
次に、図8(b)に示すように、第1感光層29a上に第1露光マスク28aを配置するとともに第2感光層39a上に第2露光マスク38aを配置する。マスク28a,38aは各々、後に形成される透明導電パターン81,86,遮光導電パターン82,87および端子部83,88に対応したパターンで露光光を透過させる開口部と、露光光を遮蔽する遮光部と、を含んでいる。その後、露光光を、マスク28a,38aを介して感光層29a,39aに照射する(工程S13)。この結果、第1感光層29aおよび第2感光層39aが互いに異なるパターンで同時に露光される。
次に、露光された第1感光層29aおよび第2感光層39aを現像する(工程S14)。具体的には、第1感光層29aおよび第2感光層39aに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層29a,39aを現像する。これにより、図8(c)に示すように、感光層29a,39aのうち露光光が照射されていない部分が除去され、この結果、感光層29a,39aが所定のパターンにパターニングされる。
その後、パターニングされた第1感光層29aをマスクとして、第1アモルファス層23,第1遮光導電層22および第1透明導電層21をエッチングする。また、パターニングされた第2感光層39aをマスクとして、第2アモルファス層33,第2遮光導電層32および第2透明導電層31をエッチングする。このエッチングにより、図8(d)に示すように、第1アモルファス層23,第1遮光導電層22および第1透明導電層21が、第1感光層29aのパターンと略同一のパターンにパターニングされる。また、第2アモルファス層33,第2遮光導電層32および第2透明導電層31が、第2感光層39aのパターンと略同一のパターンにパターニングされる(工程S15)。なお、このようなエッチングを実施するための具体的な方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、アモルファス層23,33、遮光導電層22,32および透明導電層21,31の各々を選択的にエッチングするエッチング液をそれぞれ用いて、アモルファス層23,33、遮光導電層22,32および透明導電層21,31を順次エッチングしてもよい。若しくは、アモルファス層23,33、遮光導電層22,32および透明導電層21,31のうち2種以上の層を侵食することができるエッチング液を用いて、アモルファス層23,33、遮光導電層22,32および透明導電層21,31のうち2種以上の層を同時にエッチングしてもよい。エッチング後、アモルファス層23,33上に残留している感光層29a,39aを除去する(工程S16)。
次に、図8(e)に示すように、第1アモルファス層23のうち後に形成される第1遮光導電パターン82および第1端子部83に対応する部分に第3感光層29bを設ける。また、第2アモルファス層23のうち後に形成される第2遮光導電パターン87および第2端子部88に対応する部分に第4感光層39bを設ける。具体的には、上述の工程S12〜S14の場合と同様に、はじめに積層体10上に感光層29b,39bを設け(工程S17)、次に、感光層29b,39bを所定パターンで同時に露光し(工程S18)、その後、感光層29b,39bを現像する(工程S19)。
その後、図8(f)に示すように、エッチングによって、感光層29b,39bによって被覆されていない遮光導電層22,32およびアモルファス層23,33を除去する(工程S20)。この際、エッチング液として、遮光導電層22,32に対する浸食性を有するとともに、結晶状態の透明導電性材料からなる透明導電層21,31に対する浸食性を有さない若しくは弱い浸食性のみを有するエッチング液が用いられてもよい。このようなエッチング液としては、例えば燐硝酢酸系のエッチング液が挙げられる。
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。
本実施の形態において、はじめに、積層体製造装置40において基材フィルム11を一方向に流すことによって、基材フィルム11の一方の側に複数の層が設けられ、次に、当該基材フィルム11を再び積層体製造装置40において一方向に流すことによって、基材フィルム11の他方の側に複数の層が形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図9に示すように、ロール・トゥ・ロールで基材フィルム11を往復させる間に基材フィルム11の一方の側および他方の側のそれぞれに複数の層を設けることができる成膜装置60Aを用いて積層体を製造してもよい。
また本実施の形態において、第1遮光導電層22の一方の側および第2遮光導電層32の他方の側のいずれにも、アモルファス層23,33が設けられている例を示した。すなわち、積層体10の一方の側の最外面および他方の側の最外面のいずれにもアモルファス層が位置している例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第1遮光導電層22の一方の側および第2遮光導電層32の他方の側の少なくともいずれか一方にアモルファス層が設けられて入ればよい。例えば図10に示すように、第1遮光導電層22の一方の側の面上にのみ第1アモルファス層23が設けられ、第2遮光導電層32の他方の側の面上にはアモルファス層が設けられていなくてもよい。この場合であっても、成膜処理またはアニール処理の後、積層体10が巻き取られるまでの間に、第1アモルファス層23によって、第1遮光導電層22の一方の側の面の温度を十分に低くすることができる。これによって、ブロッキング現象が生じることを抑制することができる。
11 基材フィルム
12 合成樹脂層
13 第1ハードコート層
14 第2ハードコート層
21 第1透明導電層
22 第1遮光導電層
23 第1アモルファス層
24 第1インデックスマッチング層
25 第1高屈折率層
26 第1低屈折率層
27 第1中間層
31 第2透明導電層
32 第2遮光導電層
33 第2アモルファス層
34 第2インデックスマッチング層
35 第2高屈折率層
36 第2低屈折率層
37 第2中間層
40 積層体製造装置
50 巻出装置
60 成膜装置
70 巻取装置
80 タッチパネルセンサ
81 第1透明導電パターン
82 第1遮光導電パターン
83 第1端子部
84 第1オーバーコート層
86 第2透明導電パターン
87 第2遮光導電パターン
88 第2端子部
89 第2オーバーコート層
Claims (9)
- 基材フィルムと、
前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、
前記基材フィルムの他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層と、
第1遮光導電層の一方の側または第2遮光導電層の他方の側の少なくともいずれか一方に設けられ、アモルファス状態の導電性酸化物材料から構成されるアモルファス層と、を備えたことを特徴とする積層体。 - 前記アモルファス層が、第1遮光導電層の一方の側および第2遮光導電層の他方の側のいずれにも設けられていることを特徴とする請求項1に記載の積層体。
- 前記基材フィルムと前記第1遮光導電層との間、または、前記基材フィルムと前記第2遮光導電層との間の少なくともいずれか一方に、透光性および導電性を有する透明導電層が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の積層体。
- 前記アモルファス層は、前記透明導電層上の前記第1遮光導電層または前記第2遮光導電層を、所定のエッチング液を用いて部分的に除去する際、同時に除去されるよう構成されていることを特徴とする請求項3に記載の積層体。
- 前記透明導電層および前記アモルファス層はいずれも、インジウムを含む導電性酸化物材料から構成されることを特徴とする請求項3または4に記載の積層体。
- 前記第1遮光導電層および前記第2遮光導電層は、銀、銅若しくはアルミニウム、またはこれらの合金の少なくとも1種類から構成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の積層体。
- 基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、前記基材フィルムの他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層と、第1遮光導電層の一方の側に設けられ、アモルファス状態の導電性酸化物材料から構成される第1アモルファス層と、を有する積層体の一方の側に感光性を有する第1感光層を形成し、前記積層体の他方の側の面上に感光性を有する第2感光層を形成する工程と、
前記第1感光層上に第1マスクを配置するとともに前記第2感光層上に第2マスクを配置した状態で、前記第1感光層および前記第2感光層を互いに異なるパターンで露光する工程と、
前記第1感光層および前記第2感光層を現像してパターニングする工程と、
パターニングされた前記第1感光層をマスクとして前記第1アモルファス層および前記第1遮光導電層をエッチングし、パターニングされた前記第2感光層をマスクとして前記第2遮光導電層をエッチングする第1パターニング工程と、
前記パターニングされた前記第1感光層および前記第2感光層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする導電パターンフィルムの製造方法。 - 前記積層体は、前記基材フィルムと前記第1遮光導電層との間に設けられ、透光性および導電性を有する第1透明導電層と、前記基材フィルムと前記第2遮光導電層との間に設けられ、透光性および導電性を有する第2透明導電層と、をさらに有し、
第1パターニング工程において、パターニングされた前記第1感光層をマスクとして前記第1透明導電層がさらにエッチングされ、かつ、パターニングされた前記第2感光層をマスクとして前記第2透明導電層がさらにエッチングされ、
前記タッチパネルセンサの製造方法は、前記第1パターニング工程の後、所定のエッチング液を用いて、前記第1透明導電層上の前記第1遮光導電層を部分的に除去するとともに前記第1遮光導電層上の第1アモルファス層を除去する第2パターニング工程をさらに備えたことを特徴とする請求項7に記載の導電パターンフィルムの製造方法。 - 積層体は、請求項7または8に記載の製造方法で導電パターンフィルムを作製するために用いられる積層体であることを特徴とする、請求項1に記載の積層体。
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