JP2013125867A - 光学半導体装置用基台及びその製造方法、並びに光学半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップを搭載するための複数のチップ搭載部2と、前記搭載される半導体チップと電気的に接続し、外部に対して電極部を提供する複数の信号接続部3とを有する光学半導体装置用基台1の製造方法であって、複数のチップ搭載部2と、複数のチップ搭載部2の厚さより薄い厚さの部分を有する信号接続部3とが形成された金属フレーム4を準備する工程と、複数のチップ搭載部2の表裏面が共に露出し、信号接続部3の少なくとも片面が露出するように、金属フレーム4に形成された複数のチップ搭載部2と信号接続部3とを除外する部分を樹脂5で埋め込んで板状に形成して光学半導体装置用基台1を製造する工程とを有する。
【選択図】図1
Description
例えば、耐紫外線性かつ耐熱性を向上するために、半導体チップを搭載する接続キャリアの材質に、繊維強化材を有したシリコーン材を用いることが知られている(特許文献1参照)。
特に、大量の熱を発生する高出力の光学半導体装置において、高耐熱性であると同時に、放熱性を高める構造を有することが重要である。
このようにすれば、金属プレートを低コストで容易に準備できる。
このような工程を有することで、光学半導体装置用基台の表面にリフレクターやレンズ等の樹脂成型部を形成でき、より耐久性が向上された高機能の光学半導体装置用基台を製造できる。
このようにすれば、光学半導体装置用基台の表面にリフレクターやレンズ等の樹脂成型部を形成する際に、各信号接続部の表面に樹脂バリが発生するのを抑制できる。
このようにすれば、金属フレームに形成された複数のチップ搭載部と信号接続部とを除外する部分を樹脂で確実に埋め込んで、強度が向上された光学半導体装置用基台を確実に製造できる。
埋め込む樹脂としてこのような材質のものを用いれば、耐熱性及び強度により優れた光学半導体装置用基台を製造できる。
このようにすれば、高品質な光学半導体装置用基台を製造できる。
このように光学半導体装置用基台の表面上にリフレクターやレンズ等の樹脂成型部を有するものであれば、光学半導体装置用基台の高機能化が計れるとともに耐久性をより向上できるものとなる。
このようなものであれば、光学半導体装置用基台の表面にリフレクターやレンズ等の樹脂成型部を形成する際に、各信号接続部の表面に樹脂バリが発生するのを抑制できるものとなる。
樹脂母体部がこのような材質のものであれば、耐熱性及び強度により優れた光学半導体装置用基台を製造できるものとなる。
このような光学半導体装置は、機械的に安定し、かつ高耐久性、高放熱性のものであり、大量の熱を発生する半導体チップを用いる場合や、高温高湿環境下で用いられる場合に適したものである。
従来、特に高温環境で光学半導体装置を用いる場合、反射率が低下してしまったり、光束値が使用時間の経過と共に大幅に低下してしまったりするという問題があった。
そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。従来、耐熱性を向上するために、半導体チップを搭載する部分の材質に繊維強化材を有したシリコーン材を用いることが知られている。しかし、特に、半導体チップの光出力が高く、大量の熱を発生する光学半導体装置においては、これだけでは不十分であり、半導体チップから発生する熱を効率的に放出させることが重要である。このことは、例えば自動車のエンジンとその周辺のヘッドライトなどのような温度が上昇する環境において光学半導体装置を用いる場合も同様である。
図1に示すように、光学半導体装置用基台1には、半導体チップを搭載するための複数のチップ搭載部2と、搭載される半導体チップと電気的に接続し、外部に対して電極部を提供する複数の信号接続部3とを有している。
図1に示すように、それぞれのチップ搭載部2及び信号接続部3は金属フレーム4に形成される。
光学半導体装置用基台1はこの複数のチップ搭載部2と信号接続部3とを有した金属フレーム4と、複数のチップ搭載部2と信号接続部3とを除外する部分に埋め込まれた樹脂母体部5とから構成され、板状に形成されたものである。
図2(A)(B)に示すように、この部分には1つのチップ搭載部2とここに搭載される半導体チップと電気的に接続する2つの信号接続部3とを有している。この信号接続部3の少なくとも片面が露出することで、外部に対して電極部を提供する。ここで、信号接続部3の片面が全て露出する必要はなく、一部分が露出すれば良い。信号接続部3は半導体チップに接続されている金ワイヤーを、例えばはんだ付け又はAu−Snによって取り付けることができるように構成することができる。
チップ搭載部2には半導体チップを支持するための図示しないダイパットが設けられている。
また、チップ搭載部2の露出した裏面、すなわち半導体チップを搭載する表面とは反対の表面を外部電極として利用することもできる。
また、樹脂母体部5は信号接続部3に入出する電気的信号の絶縁体としての役割も果たす。
また、信号接続部3は、図3(A)(C)に示すように、表裏両面に露出したチップ搭載部2の厚さより薄い厚さの部分を有していれば良く、上記した樹脂母体部5を埋め込んで機械的強度及び耐熱性を向上する効果を奏することができる。もちろん、図2(B)、図3(D)のように、信号接続部3の全てが表裏両面に露出したチップ搭載部2の厚さより薄いようにすることもできる。
本発明の光学半導体装置用基台は、図4(A)に示すように、半導体チップを搭載する側の表面上に樹脂成型部を有さず、チップオンボード(COB)対応の基台として使用することもできるし、図4(B)に示すように、半導体チップを搭載する側の表面上に、例えばリフレクターなどの樹脂成型部7を形成して使用することもできる。
この樹脂成型部7を形成する場合、図3(D)に示すように、外部に提供する電極部も半導体チップを搭載する側の表面上に設けるために、信号接続部3の一部に樹脂成型部を形成せず露出させるようにすることができる。
また、上記したチップ搭載部にあるダイパッドの周辺の一部を樹脂成型部で覆うようにしても良い。
このようなものであれば、光学半導体装置用基台の表面にリフレクターやレンズ等の樹脂成型部を形成する際に、各信号接続部の表面に樹脂バリが発生するのを抑制できるものとなる。これによりブラスト処理やウォータジェット処理を行わずに露出する金属表面を高品質に保つことができる。
まず、図5に示すような、複数のチップ搭載部2と信号接続部3とを有する、信号接続部3がチップ搭載部2の厚さより薄い厚さの部分を有するように形成された金属フレーム4を準備する。この金属フレーム4の複数のチップ搭載部2と信号接続部3は、例えば、金属プレートをエッチングすることによって形成することができる。すなわち、チップ搭載部2の部分はエッチングせずに信号接続部3となる部分をハーフエッチングし、チップ搭載部2と信号接続部3との間の部分を連結部8を除いてフルエッチングすることによって、複数のチップ搭載部2と信号接続部3を形成する。このようにすれば、金属プレートを低コストで容易に準備できる。なお、金属フレーム4の各チップ搭載部2間、及び各信号接続部3にはそれぞれを連結するための連結部8を設けることができる。
樹脂を埋め込む方法としては、例えば、熱圧着、印刷塗布、又は金型成型による方法がある。ここで、熱圧着による方法について図6を参照して説明する。
なお、必要に応じて金属フレーム4のチップ搭載部2と信号接続部3の表面にポリイミドテープ等の樹脂テープを貼り付けておくで樹脂を埋め込む際に発生する樹脂バリを抑えることができる。
繊維強化材を含んだ樹脂を用いる場合には、例えば、厚さ50〜70μm程度の繊維強化材を樹脂と添加物質を溶かした溶剤内に浸漬させた後、余分な溶剤を取り除いてシート状に形成する。繊維強化材を含めない樹脂を用いる場合には、PTFE樹脂フィルムのようなフッ素系フィルムの上に樹脂と添加物質を溶かした溶剤をスキージやスプレーを用いて均一に塗布しシート状に形成する。
次に、金属フレームに嵌合又は貼り合わせたプリプレグシートと金属フレームとを熱圧着させ、板状に形成する(図6(e))。このように熱圧着により樹脂を埋め込むことで、プリプレグシートが軟化、溶融し、樹脂を金属フレームの隙間の細部にまで確実に埋め込むことができる。その後、樹脂を熱圧着により埋め込んだ金属フレームを冷却し、必要に応じて表面に貼った樹脂テープを剥がし、表面に研磨処理、レジスト塗布処理などを施す。このようにして光学半導体装置用基台を完成させる。
事前に必要に応じて金属フレーム4のチップ搭載部2と信号接続部3の表面にポリイミドテープ等の樹脂テープを貼り付けておく。
まず、液状の樹脂を金属フレームの樹脂を埋め込む部分に塗布する。この際、位置決めした基準位置や認識マークには塗布しないようにする。
次に、塗布済みの金属フレームを熱硬化させた後冷却し、必要に応じて表面に貼った樹脂テープを剥がし、表面に研磨処理、レジスト塗布処理などを施す。このようにして光学半導体装置用基台を完成させる。
さらに、光学半導体装置用基台をより小さな個別のユニットに分割するための切断工程を設けることもできる。
このようにすることで、光学半導体装置用基台の表面にリフレクターやレンズ等の樹脂成型部を形成でき、より耐久性が向上された高機能の光学半導体装置用基台を製造できる。
光学半導体装置用基台の表面への樹脂成型部の接着性を高めるために、樹脂成形する前にArプラズマ処理又はUVオゾン処理などを光学半導体装置用基台の表面に施しておくことが好ましい。
このようにすれば、光学半導体装置用基台の表面にリフレクターやレンズ等の樹脂成型部を形成する際に、金型によりクランプするときの圧力が高まり、各信号接続部の表面に樹脂バリが発生するのを抑制できる。
本発明の光学半導体装置は上記した本発明の製造方法によって製造された光学半導体装置用基台の複数のチップ搭載部にそれぞれ半導体チップが搭載され、ダイシングによって分割されたものである。
図7(A)(B)に本発明の光学半導体装置の一例を示す。図7(A)(B)に示すように、本発明の光学半導体装置10は、金属製のチップ搭載部に半導体チップ11が搭載され、チップ搭載部に、例えば、金バンプ、Au―Sn、はんだ、ダイボンド材のような接着促進材により接着される。半導体チップ11と2つの信号接続部3とがボンディングワイヤ12を介して電気的に接続される。図7(B)に示すように、半導体チップ11が搭載されている側には封止部13が形成されており、信号接続部3は光学半導体装置10の下面側に露出して電極部が形成されている。封止部には例えばシリコーン樹脂を用いることができ、添加物質を加えることもできる。
このように、本発明の光学半導体装置は、機械的に安定し、かつ高耐久性、高放熱性の光学半導体装置である。
なお、封止部13には例えばガラス材を用いることもできる。また、図9に示すように、半導体チップと封止部との間に空間を設け、その空間に空気、アルゴン、窒素などの気体を満たすことができる。
図1に示すような、本発明の光学半導体装置用基台を本発明の光学半導体装置用基台の製造方法に従って製造した。
金属フレームとして、Fe入り銅合金(TAMAC194、三菱伸銅社製)を用い、樹脂母体部として、チタン酸化物を添加物質として含んだシリコーン樹脂を用いた。樹脂母体部には繊維強化材としてガラス繊維を含めた。
次に、金属フレームに樹脂を埋め込むために、プリプレグシートを作製した。厚さ70μm程度のガラス繊維をシリコーン樹脂とチタン酸化物の添加物質を溶かした溶剤内に浸漬させ、その後余分な溶剤を取り除き、シート状に形成した。これとは別に、ガラス繊維を含まないプリプレグシートをフッ素系フィルム(PTFE樹脂フィルム)を用いて作製した。
次に、作製したプリプレグシートを金属フレームの形状に合わせてカットし、エッチングで出来た金属フレームの貫通部に嵌合又は信号接続部の下面側の窪みに貼り合わせした。この際、ガラス繊維入りのプリプレグシートを3枚積層させ、その上下にガラス繊維を含まないプリプレグシートを積層させた。ここで、ガラス繊維入りのプリプレグシートを3枚積層させる際、真ん中のプリプレグシートのガラス繊維層が上下のプリプレグシートのガラス繊維層と90°の角度を成すように積層させた。
このようにして製造した光学半導体装置用基台のチップ搭載部における基台厚さ方向の熱伝導率をJIS A 1412−2に準拠した方法で測定して評価した。
その結果を表2に示す。表2に示すように、初期反射率は高い値であり、初期反射率と試験後の反射率との差がほとんどなく、高反射率を保っていた。一方、後述する比較例では、AlN基板の初期反射率、試験後の反射率は共に低く、FR−4(エポキシ含浸ガラス繊維基板)の初期反射率は高いものの、試験後の反射率は大幅に低下してしまった。
その結果を表3に示す。表3に示すように、高温高湿環境での試験後の光束値の初期光束値からの低下は非常に少なく、後述する比較例におけるセラミックであるAlN基板と同等以上の光束値を維持できていることが分かった。
(比較例)
本発明の金属フレームと樹脂の複合基台構造を有さない、一般的なAlN(窒化アルミニウム)基板とFR−4基板(ガラス繊維の布にエポキシ樹脂を染み込ませ熱硬化処理した基板)を製造し、実施例と同様に熱伝導率、反射率、光束値について評価した。
熱伝導率の結果を表1に示す。表1に示すように、実施例と比べて熱伝導率は低く、半導体チップから発生する熱の放出効率が悪化してしまうことが分かった。
反射率の結果を表2に示す。表2に示すように、AlN基板では、初期反射率値、試験後の反射率共に悪く、FR−4基板では、初期反射率値は実施例と同等であるものの、試験後には大幅に低下してしまった。
光束値の結果を表3に示す。表3に示すように、実施例ではセラミックであるAlN基板と同等以上の光束値を維持できている。FR−4基板では、時間の経過と共に光束値が大幅に悪化してしまった。
4…金属フレーム、 5…樹脂母体部、 6…繊維強化材、
7…樹脂成型部、 8…連結部、
10…光学半導体装置、 11…半導体チップ、 12…ボンディングワイヤ、
13…封止部、14…リフレクター。
Claims (16)
- 半導体チップを搭載するための複数のチップ搭載部と、前記搭載される半導体チップと電気的に接続し、外部に対して電極部を提供する複数の信号接続部とを有する光学半導体装置用基台の製造方法であって、
前記複数のチップ搭載部と、該複数のチップ搭載部の厚さより薄い厚さの部分を有する前記信号接続部とが形成された金属フレームを準備する工程と、前記複数のチップ搭載部の表裏面が共に露出し、前記信号接続部の少なくとも片面が露出するように、前記金属フレームに形成された前記複数のチップ搭載部と信号接続部とを除外する部分を樹脂で埋め込んで板状に形成して前記光学半導体装置用基台を製造する工程とを有することを特徴とする光学半導体装置用基台の製造方法。 - 前記金属フレームを準備する工程において、金属プレートをエッチングすることによって前記複数のチップ搭載部と信号接続部とを形成することを特徴とする請求項1に記載の光学半導体装置用基台の製造方法。
- 前記複数の信号接続部の電極部と前記複数のチップ搭載部の露出した部分を除いた前記光学半導体装置用基台の前記半導体チップを搭載する側の表面上に樹脂成型する工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学半導体装置用基台の製造方法。
- 前記樹脂で埋め込んで前記光学半導体装置用基台を板状に形成する工程において、前記光学半導体装置用基台の前記各信号接続部が形成された部分の厚さが前記各チップ搭載部の厚さより厚くなるように前記樹脂を埋め込むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の光学半導体装置用基台の製造方法。
- 前記樹脂で埋め込んで前記光学半導体装置用基台を板状に形成する工程において、前記樹脂を熱圧着、印刷塗布、又は金型成型によって埋め込むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の光学半導体装置用基台の製造方法。
- 前記埋め込む樹脂の材質を熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂とすることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の光学半導体装置用基台の製造方法。
- 前記埋め込む樹脂に繊維強化材を含めることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の光学半導体装置用基台の製造方法。
- 前記埋め込む樹脂に含める繊維強化材としてガラス繊維を用いることを特徴とする請求項7に記載の光学半導体装置用基台の製造方法。
- 前記樹脂で埋め込んで板状に形成して前記光学半導体装置用基台を製造する工程の後工程において、前記基台表面を研磨及び/又はレジスト塗布の表面処理を実施することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の光学半導体装置用基台の製造方法。
- 半導体チップを搭載するための複数のチップ搭載部と、前記搭載される半導体チップと電気的に接続し、外部に対して電極部を提供する複数の信号接続部とを有する光学半導体装置用基台であって、
前記複数のチップ搭載部と、該複数のチップ搭載部の厚さより薄い厚さの部分を有する前記信号接続部とが形成された金属フレームと、前記複数のチップ搭載部の表裏面が共に露出し、前記信号接続部の少なくとも片面が露出するように、前記金属フレームに形成された前記複数のチップ搭載部と信号接続部とを除外する部分に埋め込まれた樹脂母体部とから構成され、板状に形成されたものであることを特徴とする光学半導体装置用基台。 - 前記複数の信号接続部の電極部と前記複数のチップ搭載部の露出した部分を除いた前記光学半導体装置用基台の前記半導体チップを搭載する側の表面上に樹脂成型部を有するものであることを特徴とする請求項10に記載の光学半導体装置用基台。
- 前記光学半導体装置用基台の前記各信号接続部が形成された部分の厚さが前記各チップ搭載部の厚さより厚くなるように前記樹脂母体部が埋め込まれたものであることを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の光学半導体装置用基台。
- 前記樹脂母体部の材質が熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項10乃至請求項12のいずれか1項に記載の光学半導体装置用基台。
- 前記樹脂母体部は繊維強化材を含むものであることを特徴とする請求項10乃至請求項13のいずれか1項に記載の光学半導体装置用基台。
- 前記樹脂母体部が含む繊維強化材はガラス繊維であることを特徴とする請求項14に記載の光学半導体装置用基台。
- 光学半導体装置であって、
請求項10乃至請求項15のいずれか1項に記載の光学半導体装置用基台の前記複数のチップ搭載部にそれぞれ半導体チップが搭載され、ダイシングによって分割されたものであることを特徴とする光学半導体装置。
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