JP2013119645A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013119645A5 JP2013119645A5 JP2011267271A JP2011267271A JP2013119645A5 JP 2013119645 A5 JP2013119645 A5 JP 2013119645A5 JP 2011267271 A JP2011267271 A JP 2011267271A JP 2011267271 A JP2011267271 A JP 2011267271A JP 2013119645 A5 JP2013119645 A5 JP 2013119645A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- thin film
- sacrificial layer
- substrate
- mask body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
Description
上記課題を解決するために本発明は、貫通孔を有するマスク本体の前面と前記貫通孔の内周側面に有機薄膜から成る第一の犠牲層が形成された第一のマスクの背面に第一の基板を配置し、真空雰囲気中で、薄膜を形成するための第一の粒子に前記第一のマスクの貫通孔を通過させ、前記第一の基板の表面に到着させて前記第一の基板の表面にパターニングされた第一の薄膜を形成し、前記第一のマスクに付着した前記第一の粒子によって形成された付着膜は、前記第一の犠牲層をクリーニングガスのプラズマによってエッチング除去して前記マスク本体から剥離させ、前記マスク本体の前記前面と前記内周側面とを露出させ、前記マスク本体に犠牲層用粒子を到達させ、前記マスク本体の前記前面と前記内周側面とに第二の犠牲層を形成して第二のマスクを構成させ、前記第二のマスクの前記背面に第二の基板を配置して、第二の粒子に前記第二のマスクの貫通孔を通過させ、パターニングされた第二の薄膜を前記第二の基板の表面に形成する薄膜製造方法である。
本発明は薄膜製造方法であって、前記第一、第二の粒子と前記犠牲層用粒子とを、同じ放出装置から放出させて、前記基板と前記マスク本体に、前記第一、第二の薄膜と、前記第二の犠牲層とをそれぞれ形成する薄膜製造方法である。
本発明は薄膜製造方法であって、前記第二の犠牲層は、前記マスク本体の裏面に冷却板を配置し、前記マスク本体に前記冷却板を密着させた状態で形成する薄膜製造方法である。
本発明は薄膜製造方法であって、前記クリーニングガスの前記プラズマは、前記第一のマスクの裏面に前記冷却板を配置し、前記第一のマスクに前記冷却板を密着させた状態で形成する薄膜製造方法である。
本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置された放出装置と、前記真空槽内でマスク本体を保持するマスクホルダと、前記真空槽内で基板を保持する基板ホルダと、基板表面に形成する薄膜の原料の粒子を前記放出装置に供給する薄膜蒸気供給装置と、前記マスク本体の表面に形成する犠牲層の原料の粒子を前記放出装置に供給する犠牲層蒸気供給装置と、前記真空槽内に前記犠牲層と反応可能なクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給装置と、前記放出装置に電圧を印加し、前記クリーニングガスのプラズマを形成するプラズマ電源と、を有し、前記放出装置と前記基板は、前記マスク本体を間にして対面できるようにされた薄膜製造装置である。
本発明は薄膜製造方法であって、前記第一、第二の粒子と前記犠牲層用粒子とを、同じ放出装置から放出させて、前記基板と前記マスク本体に、前記第一、第二の薄膜と、前記第二の犠牲層とをそれぞれ形成する薄膜製造方法である。
本発明は薄膜製造方法であって、前記第二の犠牲層は、前記マスク本体の裏面に冷却板を配置し、前記マスク本体に前記冷却板を密着させた状態で形成する薄膜製造方法である。
本発明は薄膜製造方法であって、前記クリーニングガスの前記プラズマは、前記第一のマスクの裏面に前記冷却板を配置し、前記第一のマスクに前記冷却板を密着させた状態で形成する薄膜製造方法である。
本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置された放出装置と、前記真空槽内でマスク本体を保持するマスクホルダと、前記真空槽内で基板を保持する基板ホルダと、基板表面に形成する薄膜の原料の粒子を前記放出装置に供給する薄膜蒸気供給装置と、前記マスク本体の表面に形成する犠牲層の原料の粒子を前記放出装置に供給する犠牲層蒸気供給装置と、前記真空槽内に前記犠牲層と反応可能なクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給装置と、前記放出装置に電圧を印加し、前記クリーニングガスのプラズマを形成するプラズマ電源と、を有し、前記放出装置と前記基板は、前記マスク本体を間にして対面できるようにされた薄膜製造装置である。
Claims (5)
- 貫通孔を有するマスク本体の前面と前記貫通孔の内周側面に有機薄膜から成る第一の犠牲層が形成された第一のマスクの背面に第一の基板を配置し、真空雰囲気中で、薄膜を形成するための第一の粒子に前記第一のマスクの貫通孔を通過させ、前記第一の基板の表面に到着させて前記第一の基板の表面にパターニングされた第一の薄膜を形成し、
前記第一のマスクに付着した前記第一の粒子によって形成された付着膜は、前記第一の犠牲層をクリーニングガスのプラズマによってエッチング除去して前記マスク本体から剥離させ、前記マスク本体の前記前面と前記内周側面とを露出させ、
前記マスク本体に犠牲層用粒子を到達させ、前記マスク本体の前記前面と前記内周側面とに第二の犠牲層を形成して第二のマスクを構成させ、前記第二のマスクの前記背面に第二の基板を配置して、第二の粒子に前記第二のマスクの貫通孔を通過させ、パターニングされた第二の薄膜を前記第二の基板の表面に形成する薄膜製造方法。 - 前記第一、第二の粒子と前記犠牲層用粒子とを、同じ放出装置から放出させて、前記基板と前記マスク本体に、前記第一、第二の薄膜と、前記第二の犠牲層とをそれぞれ形成する請求項1記載の薄膜製造方法。
- 前記第二の犠牲層は、前記マスク本体の裏面に冷却板を配置し、前記マスク本体に前記冷却板を密着させた状態で形成する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の薄膜製造方法。
- 前記クリーニングガスの前記プラズマは、前記第一のマスクの裏面に前記冷却板を配置し、前記第一のマスクに前記冷却板を密着させた状態で形成する請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の薄膜製造方法。
- 真空槽と、
前記真空槽内に配置された放出装置と、
前記真空槽内でマスク本体を保持するマスクホルダと、
前記真空槽内で基板を保持する基板ホルダと、
基板表面に形成する薄膜の原料の粒子を前記放出装置に供給する薄膜蒸気供給装置と、
前記マスク本体の表面に形成する犠牲層の原料の粒子を前記放出装置に供給する犠牲層蒸気供給装置と、
前記真空槽内に前記犠牲層と反応可能なクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給装置と、
前記放出装置に電圧を印加し、前記クリーニングガスのプラズマを形成するプラズマ電源と、
を有し、
前記放出装置と前記基板は、前記マスク本体を間にして対面できるようにされた薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011267271A JP5816067B2 (ja) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011267271A JP5816067B2 (ja) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013119645A JP2013119645A (ja) | 2013-06-17 |
JP2013119645A5 true JP2013119645A5 (ja) | 2014-12-18 |
JP5816067B2 JP5816067B2 (ja) | 2015-11-17 |
Family
ID=48772444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011267271A Active JP5816067B2 (ja) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5816067B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6583446B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2019-10-02 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
-
2011
- 2011-12-06 JP JP2011267271A patent/JP5816067B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018129539A (ja) | 静電チャック及び静電チャックの製造方法 | |
JP2010013676A5 (ja) | ||
JP2010537867A5 (ja) | ||
WO2009031566A1 (ja) | 静電チャック装置におけるガス供給構造の製造方法及び静電チャック装置ガス供給構造並びに静電チャック装置 | |
WO2006050482A3 (en) | High-power dielectric seasoning for stable wafer-to-wafer thickness uniformity of dielectric cvd films | |
JP2013510442A5 (ja) | ||
WO2009051087A1 (ja) | プラズマ成膜装置 | |
JP2008218802A (ja) | 基板載置台及び基板処理装置 | |
JP2013099880A5 (ja) | ||
WO2008117482A1 (ja) | 真空成膜装置用部品及び真空成膜装置 | |
JP2011505262A5 (ja) | ||
JP2011205077A5 (ja) | 微結晶半導体膜の作製方法 | |
TW201735102A (zh) | 電子元件的製造方法及積層體 | |
JP2011119246A5 (ja) | 発光装置の作製方法、および発光装置 | |
TW200644312A (en) | Method for manufacturing organic EL device and organic EL device manufacturing apparatus | |
JP2013019053A5 (ja) | ||
JP2013119645A5 (ja) | ||
JP2014225582A5 (ja) | ||
JP5570900B2 (ja) | 基板載置面に樹脂突起物層を形成する方法及び樹脂突起物層転写部材 | |
JP2009099957A (ja) | 表示用基板の製造方法および真空処理装置 | |
TW201305355A (zh) | 蒸鍍裝置及蒸鍍方法 | |
JP5390657B2 (ja) | 基板載置台及び基板処理装置 | |
WO2012121040A1 (ja) | 機能性フィルムの製造方法 | |
JP2011109076A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2005129299A (ja) | 有機el素子製造装置 |