JP2013114873A - 非接触スイッチ - Google Patents

Abstract

【課題】部品点数を削減して組立性を高めることができる非接触スイッチを提供すること。
【解決手段】バイアス磁界を発生するバイアス磁石４と、該バイアス磁石４が発生するバイアス磁界内に配置されてバイアス磁界の変化を電気信号に変換するホール素子（半導体磁気素子）３と、該ホール素子３が電気的に接続される基板５と、該基板５が電気的に接続されるターミナル８と、該ターミナル８を一体的に保持する樹脂製のターミナルベース６を備え、磁性体から成る被検出物の接近に伴う前記バイアス磁界の変化を検出して電気信号を前記ターミナル８から出力する非接触スイッチ１において、前記ターミナルベース６に、前記ホール素子３を保持する素子保持部６Ａと、前記バイアス磁石４を保持する磁石保持部６Ｂと、前記基板５を保持する基板保持部６Ｃを形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁性体から成る被検出物の位置をバイアス磁界の変化によって検出する非接触スイッチに関するものである。

例えば、自動車のトランスミッションのニュートラル位置とバック位置を検出するための位置検出スイッチとして有接点の機械式スイッチが知られているが、この機械式スイッチでは操作感が重くなり、耐久回数に制限がある等の問題がある。

そこで、磁性体から成る被検出物の位置をバイアス磁界の変化によって検出する無接点の非接触スイッチを用いることが考えられる。尚、特許文献１には、ホール効果を応用して回転体の回転を非接触で検出する回転検出装置が開示されている。

非接触スイッチによる被検出物の検出方法として、固定したバイアス磁石が発生するバイアス磁界内に、ホール電圧を検出するホール素子や抵抗変化を検出する磁気抵抗素子等の半導体磁気素子を配置し、磁性体である被検出物の接近によってバイアス磁界に生じた変化を半導体磁気素子によって検出する方法がある。

斯かる検出方法を用いた非接触スイッチに関して、例えば特許文献１には、半導体磁気素子（ホールＩＣ）とバイアス磁石を樹脂モールドする構成が開示されている。

又、特許文献２には、磁気抵抗素子と被検出物（磁性体ロータ）との間のエアギャップの管理を容易化するために、外部端子（ターミナル）に折曲部を形成し、磁気抵抗素子を保持する素子保持部材（モールド材）を外部端子の前記折曲部によってバイアス磁石の貫通孔を通して被検出物に向けて付勢し、該素子保持部材の先端を非磁性材料より成るキャップに当接させる構成が提案されている。

特開平８−３３８８５０号公報 特許第３１７０９１６号公報

しかしながら、特許文献１に開示されているように半導体磁気素子とバイアス磁石を樹脂モールドすると、半導体磁気素子とバイアス磁石との位置調整が難しい他、電子部品を実装した基板を配設していないために半導体磁気素子からの電気信号をスイッチ以外で増幅する必要があるという問題がある。

又、特許文献２において提案された構成では、部品の組み立てが容易でなく、外部端子に折曲部を形成する必要がある等の問題がある。

本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、部品点数を削減して組立性を高めることができる非接触スイッチを提供することにある。

上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、バイアス磁界を発生するバイアス磁石と、該バイアス磁石が発生するバイアス磁界内に配置されてバイアス磁界の変化を電気信号に変換する半導体磁気素子と、該半導体磁気素子が電気的に接続される基板と、該基板が電気的に接続されるターミナルと、該ターミナルを一体的に保持する樹脂製のターミナルベースを備え、磁性体から成る被検出物の接近に伴う前記バイアス磁界の変化を検出して電気信号を前記ターミナルから出力する非接触スイッチにおいて、
前記ターミナルベースに、前記半導体磁気素子を保持する素子保持部と、前記バイアス磁石を保持する磁石保持部と、前記基板を保持する基板保持部を形成したことを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記ターミナルベースの前記素子保持部に前記半導体磁気素子を位置決めする素子位置決め部を形成し、前記磁石保持部に前記バイアス磁石を位置決めする磁石位置決め部を形成したことを特徴とする。

請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記バイアス磁石の前記半導体磁気素子と対向する前面に凹部を形成し、該凹部に前記ターミナルベースの前記磁石位置決め部を嵌合させるとともに、前記ターミナルベースの前記素子位置決め部を、前記ターミナルベースに組み付けられた前記バイアス磁石の前記凹部の内部に配設したことを特徴とする。

請求項４記載の発明は、請求項１〜３の何れかに記載の発明において、前記ターミナルベースに保持された前記半導体素子と前記バイアス磁石及び前記基板を充填材によって覆ったことを特徴とする。

請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記ターミナルベースに保持された前記半導体磁気素子と前記バイアス磁石及び前記基板を収容するスイッチボディを設け、前記充填材を前記スイッチボディと前記ターミナルベースによって囲まれた空間に貫通孔を通じて充填したことを特徴とする。

請求項６記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記貫通孔を前記スイッチボディに形成するとともに、前記ターミナルベースに係合部を形成し、前記貫通孔を貫通する係合部材を前記ターミナルベースの前記係合部に係合させることによって前記スイッチボディと前記ターミナルベースを組み付けることを特徴とする。

請求項１記載の発明によれば、電気信号を出力するターミナルを一体的に保持するターミナルベースに半導体磁気素子とバイアス磁石及び基板をそれぞれ保持する素子保持部と磁石保持部及び基板保持部を形成したため、部品点数を削減して組立性を高めることができる。又、基板を非接触スイッチの長手軸方向に沿った方向に配置してその面積を大きく取ることができるため、上位ＥＣＵや出力側機器の仕様に合わせて回路を容易に変更することができる。更に、ターミナルベースは樹脂製であるため、複雑な構造であっても容易に成形することができる。

請求項２記載の発明によれば、ターミナルベースに磁石位置決め部と素子位置決め部を形成したため、バイアス磁石と半導体磁気素子をターミナルベースに組み付けることによってこれらのバイアス磁石と半導体磁気素子をターミナルベースに対して正確に位置決めすることができ、両者の煩雑な位置調整作業が不要となって組立性が高められる。

請求項３記載の発明によれば、ターミナルベースの磁石位置決め部をバイアス磁石の凹部に嵌合させるとともに、バイアス磁石がターミナルベースに組み付いた状態で素子位置決め部がバイアス磁石の凹部の内部に配設されるよう構成したため、バイアス磁石を半導体磁気素子に対してより正確に位置決めした状態で確実に固定することができる。

請求項４記載の発明によれば、ターミナルベースに保持された半導体磁気素子とバイアス磁石及び基板を充填材によって覆ったため、非接触スイッチ内に水や粉塵が侵入しても、半導体磁気素子や基板の電子部品等が水や粉塵等によって悪影響を受けることがない。

請求項５記載の発明によれば、スイッチボディとターミナルベースによって囲まれた空間に充填された充填材によって、スイッチボディ内に収容されたターミナルベースに保持されたバイアス磁石と半導体磁気素子及び基板を所定の取付位置に位置決め固定することができるとともに、スイッチボディとターミナルベースの組付状態を維持することができる。

請求項６記載の発明によれば、スイッチボディとターミナルベースとを係合部材によって離脱不能に強固に組み付けることができる。

本発明に係る非接触スイッチの分解斜視図である。 本発明に係る非接触スイッチの平面図である。 図２のＡ−Ａ線断面図である。 図３のＢ−Ｂ線断面図である。 本発明に係る非接触スイッチのバイアス磁石の平面図である。 （ａ）〜（ｅ）は本発明に係る非接触スイッチに使用されるバイアス磁石の種々の形態を示す平面図である。 本発明に係る非接触スイッチの検出原理を説明する模式図である。

以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。

図１は本発明に係る非接触スイッチの分解斜視図、図２は同非接触スイッチの平面図、図３は図２のＡ−Ａ線断面図、図４は図３のＢ−Ｂ線断面図、図５はバイアス磁石の平面図である。

本発明に係る非接触スイッチ１は、図３及び図４に示すように、スイッチボディ２内に、半導体磁気素子であるホール素子３とその背面側に配されたバイアス磁石４及び基板５を保持するターミナルベース６の一部をスイッチボディ２の後端開口部から嵌め込んで固定することによって構成されている。尚、非接触スイッチ１においては、図２〜図４の左方を前方、右方を後方とする。

上記スイッチボディ２は、亜鉛ダイキャスト等によって六角ナット状に一体成形されており、その一端部には、当該非接触スイッチ１を車両に取り付けるためのネジ状の車両固定部２ａが形成されている。そして、スイッチボディ２の六角ボルト状の本体部２Ａの前端左右は貫通孔２ｂ（図１には一方のみ図示）が形成されている。

又、スイッチボディ２の前面側内部には有底筒状の樹脂製のキャップ７がインサート成形によって一体に装着されている。そして、スイッチボディ２の前端開口部はキャップ７によって閉塞されている。このようにスイッチボディ２のホール素子３と対向する前端開口部をキャップ７によって閉塞することによって、スイッチボディ２内への水や粉塵等の侵入が防がれるとともに、バイアス磁石４が発生するバイアス磁界がスイッチボディ２によって遮られることがない。又、金属製のスイッチボディ２の内部に樹脂製のキャップ７をインサート成形によって装着したため、組立工数を削減することができる。

前記ターミナルベース６は、樹脂にて一体成形され、これには前方から素子保持部６Ａ、磁石保持部６Ｂ、基板保持部６Ｃ及びカプラ部６Ｄが一体に形成されている。ここで、ターミナルベース６の前端部には多角柱状のブロック体である磁石位置決め部６ａが形成されており、この磁石位置決め部６ａの前端面には前記素子保持部６Ａの矩形凹状の素子位置決め部６ｂが形成されている。

又、ターミナルベース６の前端部には、下方と両側部が開口する前記磁石保持部６Ｂが形成されており、図１に示すように、磁石保持部６Ｂの後壁を構成する円形の縦壁６ｃの下部には横方向に長い矩形の貫通孔６ｄが形成されている。そして、ターミナルベース６の前記磁石位置決め部６ａの下面には左右一対の圧入ピン６ｅが下方に向かって一体に突設されている。

更に、ターミナルベース６の前記磁石保持部６Ｂの後方の左右には係合ブロック６Ｅが形成されておりており、これらの係合ブロック６Ｅからは縦板状の側板６ｆがそれぞれ後方に向かって平行にカプラ部６Ｄまで一体に延びている。そして、左右の係合ブロック６Ｅには係合孔６ｇがそれぞれ形成されている。

又、ターミナルベース６の上記左右の側板６ｆの間には磁石保持部６Ｂとカプラ部６Ｄによって囲まれる略矩形の空間Ｓが形成されており、左右の側板６ｆの長手方向中央には弾性変形可能な前記基板保持部６Ｃが形成されており、これらの基板保持部６Ｃの各下端には係合爪６ｈがそれぞれ形成されている。

そして、ターミナルベース６のカプラ部６Ｄには、図３及び図４に示すように、基板５が発する電気信号を外部機器に出力するための左右３本のターミナル８が設けられている。ここで、各ターミナル８はクランク状に屈曲した状態でターミナルベース６に収容されており、各ターミナル８の一端は、基板５の後端部に横方向に適当な間隔で形成された３つの貫通孔５ａ（図１参照）に差し込まれて基板５と電気的に接続されている。又、ターミナル８の他端は、ターミナルベース６のカプラ部６Ｄ内へと突出している。

ここで、基板５は略矩形プレート状に成形されており、その前端部には３つの貫通孔５ｂが横方向に適当な間隔で形成されており、該基板５の両側部の前後方向中間部には切欠き状の係合溝５ｃが形成されている。

而して、基板５は、ターミナルベース６の左右の側板６ｆと前後の磁石保持部６Ｂとカプラ部６Ｄとで形成された略矩形の空間Ｓに下方から嵌め込まれ、その左右に形成された係合溝５ｃにターミナルベース６の左右の基板保持部６Ｃの係合爪６ｈを係合させることによって、図３及び図４に示すようにターミナルベース６に水平に保持固定され、その後端に形成された３つの貫通孔５ａの各々に３つの各ターミナル８の前端部が上方から差し込まれて前述のように両者が電気的に接続される。

ところで、図１に示すように、前記ホール素子３からは３本のターミナル９が導出しているが、これらのターミナル９は、ホール素子３から下方に延びた後に後方に向かって直角に折り曲げられている。

而して、ホール素子３は、図３及び図４に示すようにターミナルベース６の磁石位置決め部６ａの前面に形成された素子保持部６Ａの素子位置決め部６ｂに嵌め込まれ、このホール素子３から延びる３本のターミナル９は、ターミナルベース６の縦壁６ｃに形成された前記貫通孔６ｄを通過してその後方へと延びている。そして、３本のターミナル９は、図３に示すように、基板５の前端部に形成された３つの貫通孔５ｂのそれぞれに下方から差し込まれることによって基板５と電気的に接続されている。

又、前記バイアス磁石４はバイアス磁界を発生する磁石であって、そのホール素子３と対向する前面にはターミナルベース６の磁石位置決め部６ａの外形形状に沿った凹部４Ａが形成されている。ここで、図５に示すように、バイアス磁石４に形成された凹部４Ａの相対向する内壁面の底面に近い部分はテーパ面４ａとされている。尚、バイアス磁石４に形成される凹部４Ａの形状には図６（ａ）〜（ｅ）に示すようなものを採用することができる。即ち、図６（ａ）に示す矩形状の溝のコーナー部に円弧状曲面を形成したもの、図６（ｂ）に示す長円形のもの、図６（ｃ）に示す半円状のもの、図６（ｄ）に示す多角形状のもの、図６（ｅ）に示す三角状のもの等を採用することができる。

而して、バイアス磁石４は、その凹部４Ａをターミナルベース６の磁石位置決め部６ａに嵌合させた状態でターミナルベース６の磁石保持部６Ｂに下方から嵌め込まれ、下面の凹部４Ａ周縁にターミナルベース６の磁石位置決め部６ａに形成された不図示の係合爪を係合させることによってターミナルベース６に仮保持される。そして、このバイアス磁石４は、ホール素子３と共に図１に示すリッド１０によってターミナルベース６に保持される。ここで、図１に示すように、リッド１０の幅方向中央にはホール素子３から延びる３本のターミナル９を通すための凹溝１０ａが形成されており、該リッド１０の前端部の左右には圧入溝１０ｂが形成され、後端部の左右には係合突起１０ｃが後方に向かって一体に突設されている。又、バイアス磁石４がターミナルベース６に組み付いた状態において、素子位置決め部６ｂは図４に示すようにバイアス磁石４の凹部４Ａの内部に配設されている。

而して、リッド１０は、その後端部の左右に突設された係合突起１０ｃをターミナルベース６の縦壁６ｃに形成された貫通孔６ｄ（図１参照）に嵌め込み、前端部の左右に形成された圧入溝１０ｂにターミナルベース６の磁石位置決め部６ａに突設された左右２本の圧入ピン６ｅを圧入することによって図３に示すようにターミナルベース６の磁石保持部６Ｂに取り付けられ、このリッド１０によってホール素子３とバイアス磁石４がターミナルベース６に保持されて該ターミナルベース６からの脱落が防がれる。

ところで、実際の組み付けにおいては、以上のようにターミナルベース６にホール素子３とバイアス磁石４及び基板５が取り付けられてこれらかサブ組みされた状態で、ターミナルベース６をスイッチボディ２の後端開口部から内部に差し込み、該ターミナルベース６とスイッチボディ２によって囲まれた空間に充填材をスイッチボディ２の貫通孔２ｂから充填し、ターミナルベース６に保持されたホール素子３とバイアス磁石４及び基板５を充填材によって覆う。

その後、ターミナルベース６の左右の係合ブロック６Ｅに形成された係合孔６ｇを図４に示すようにスイッチボディ２の貫通孔２ｂに合わせ、各貫通孔２ｂと係合孔６ｇに係合部材であるピン１１を係合させることによって、図２〜図４に示すようにスイッチボディ２とターミナルベース６が組み付けられる。

次に、以上のように構成された非接触スイッチ１による被検出物１２の検出原理を図７に示す模式図に基づいて以下に説明する。

本発明に係る非接触スイッチ１においては、バイアス磁石４のホール素子３と対向する前面に凹部４Ａを形成し、この凹部４Ａ内にホール素子３をバイアス磁石４の前面から突出しないよう配置したため、バイアス磁石４の前面はホール素子３の背面から該ホール素子３の厚さ距離分ｂだけ前方に突出するとともに、ホール素子３の後方には図示の距離分ａのスペースが形成される。

ところで、ホール素子３にはバイアス磁石４によってバイアス磁界が印加されており、バイアス磁石４が発生するバイアス磁界内に配置されたホール素子３は、磁性体から成る被検出物１２が図７に実線にて示すように離れているときと鎖線にて示すように接近したときのバイアス磁界の変化を検出し、検出された磁束密度と予め設定された磁束密度の閾値とを比較してＯＮ／ＯＦＦのスイッチング動作を行う。

而して、本実施の形態では、ターミナルベース６の素子位置決め部６ｂによってホール素子３がバイアス磁石４と離間するよう保持され、両者の間に図７に示すように一定の距離ａが確保されるようにしたため、被検出物１２が接近していない図７に示す状態でホール素子３に印加されるバイアス磁界の磁束密度を低減させることができる。このため、被検出物１２が図７に実線にて示すように離れたときと鎖線にて示すように接近したときにホール素子３に印加される磁束密度の差が顕著となり、当該非接触スイッチ１のスイッチングのための磁束密度の閾値を容易に設定することができる。

そして、本発明に係る非接触スイッチ１においては、ターミナルベース６の素子位置決め部６ｂをバイアス磁石４の前面よりも内側の凹部４Ａ内に配設したため、従来と比較して、ホール素子３の厚さ距離分ｂだけ被検出物１２をバイアス磁石４に近づけることができる。このため、被検出物１２が図７に鎖線にて示すように接近した際にホール素子３に印加される磁束密度をより大きくすることができ、被検出物１２が図７に実線にて示すようにホール素子３から離れている状態と鎖線にて示すように接近した状態においてホール素子３に印加される磁束密度の差が顕著となり、このことによっても当該非接触スイッチ１のスイッチングのための磁束密度の閾値の設定が容易となる。

又、本実施の形態では、図５に示すようにバイアス磁石４のホール素子３と対向する前面に形成された凹部４Ａの内壁面をテーパ面４ａとしたため、磁束密度が同強度のエリアがバイアス磁石４の前面に対して平行に分布する。このため、バイアス磁石４に対するホール素子３の位置がラジアル方向（非接触スイッチ１の長手軸方向をＺ軸とするとＸＹ軸方向）に多少ばらついても磁界成分に大きな変化がなく、ホール素子３に高い取付精度が求められないために該ホール素子３の組付性が高められる。

以上において、本発明に係る非接触スイッチ１によれば、電気信号を出力するターミナル８を一体的に保持するターミナルベース６にホール素子３とバイアス磁石４及び基板５をそれぞれ保持する素子保持部６Ａと磁石保持部６Ｂ及び基板保持部６Ｃを形成したため、部品点数を削減して組立性を高めることができる。そして、基板５を非接触スイッチ１の長手軸方向に沿った方向に配置してその面積を大きく取ることができるため、不図示の上位ＥＣＵや出力側機器の仕様に合わせて回路を容易に変更することができる。又、ターミナルベース６は樹脂製であるため、複雑な構造であっても容易に成形することができる。

更に、本発明に係る非接触スイッチ１によれば、ターミナルベース６に磁石位置決め部６ａと素子位置決め部６ｂを形成したため、バイアス磁石４とホール素子３をターミナルベース６に組み付けることによってこれらのバイアス磁石４とホール素子３をターミナルベース６に対して正確に位置決めすることができ、両者の煩雑な位置調整作業が不要となって組立性が高められる。

又、本発明に係る非接触スイッチ１によれば、ターミナルベース６の磁石位置決め部６ａをバイアス磁石４の凹部４Ａに嵌合させるとともに、バイアス磁石４がターミナルベース６に組み付いた状態で素子位置決め部６ｂがバイアス磁石４の凹部４Ａの内部に配設されるよう構成したため、バイアス磁石４をホール素子３に対してより正確に位置決めした状態で確実に固定することができる。

そして、ターミナルベース６に保持されたホール素子３とバイアス磁石４及び基板５を充填材によって覆ったため、非接触スイッチ１内に水や粉塵が侵入しても、ホール素子３や基板５の電子部品等が水や粉塵等によって悪影響を受けることがない。又、スイッチボディ２とターミナルベース６によって囲まれた空間に充填された充填材によって、スイッチボディ２内に収容されたターミナルベース６に保持されたホール素子３とバイアス磁石４及び基板５を所定の取付位置に位置決め固定することができるとともに、スイッチボディ２とターミナルベース６の組付状態を維持することができる。そして、スイッチボディ２とターミナルベース６とを係合部材であるピン１１によって離脱不能に強固に組み付けることができる。

尚、充填剤として低圧モールド材（例えば、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂等）を用い、ホール素子３とバイアス磁石４及び基板５が組み付けられたターミナルベース６を金型は入れて低圧モールド材で覆うように成形し、その後、硬化した低圧モールド材によって覆われたターミナルベース６をスイッチボディ２内に圧入してピン止めすることによって非接触スイッチ１を組み立てる方法を用いても良い。

１ 非接触スイッチ
２ スイッチボディ
２Ａ スイッチボディの本体部
２ａ スイッチボディの車両固定部
２ｂ スイッチボディの貫通孔
３ ホール素子（半導体磁気素子）
４ バイアス磁石
４Ａ バイアス磁石の凹部
４ａ バイアス磁石の凹部のテーパ面
５ 基板
５ａ，５ｂ 基板の貫通孔
５ｃ 基板の係合溝
６ ターミナルベース
６Ａ ターミナルベースの素子保持部
６Ｂ ターミナルベースの磁石保持部
６Ｃ ターミナルベースの基板保持部
６Ｄ ターミナルベースのカプラ部
６Ｅ ターミナルベースの係合ブロック
６ａ ターミナルベースの磁石位置決め部
６ｂ ターミナルベースの素子位置決め部
６ｃ ターミナルベースの縦壁
６ｄ ターミナルベースの貫通孔
６ｅ ターミナルベースの圧入ピン
６ｆ ターミナルベースの側板
６ｇ ターミナルベースの係合孔
６ｈ ターミナルベースの係合爪
７ キャップ
８，９ ターミナル
１０ リッド
１０ａ リッドの凹溝
１０ｂ リッドの圧入溝
１０ｃ リッドの係合突起
１１ ピン（係合部材）
１２ 被検出物
Ｓ 空間

Claims (6)

1. バイアス磁界を発生するバイアス磁石と、該バイアス磁石が発生するバイアス磁界内に配置されてバイアス磁界の変化を電気信号に変換する半導体磁気素子と、該半導体磁気素子が電気的に接続される基板と、該基板が電気的に接続されるターミナルと、該ターミナルを一体的に保持する樹脂製のターミナルベースを備え、磁性体から成る被検出物の接近に伴う前記バイアス磁界の変化を検出して電気信号を前記ターミナルから出力する非接触スイッチにおいて、
   前記ターミナルベースに、前記半導体磁気素子を保持する素子保持部と、前記バイアス磁石を保持する磁石保持部と、前記基板を保持する基板保持部を形成したことを特徴とする非接触スイッチ。
2. 前記ターミナルベースの前記素子保持部に前記半導体磁気素子を位置決めする素子位置決め部を形成し、前記保持部材に、前記磁石保持部に前記バイアス磁石を位置決めする磁石位置決め部を形成したことを特徴とする請求項１記載の非接触スイッチ。
3. 前記バイアス磁石の前記半導体磁気素子と対向する前面に凹部を形成し、該凹部に前記ターミナルベースの前記磁石位置決め部を嵌合させるとともに、前記ターミナルベースの前記素子位置決め部を、前記ターミナルベースに組み付けられた前記バイアス磁石の前記凹部の内部に配設したことを特徴とする請求項２記載の非接触スイッチ。
4. 前記ターミナルベースに保持された前記半導体素子と前記バイアス磁石及び前記基板を充填材によって覆ったことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の非接触スイッチ。
5. 前記ターミナルベースに保持された前記半導体磁気素子と前記バイアス磁石及び前記基板を収容するスイッチボディを設け、前記充填材を前記スイッチボディと前記ターミナルベースによって囲まれた空間に貫通孔を通じて充填したことを特徴とする請求項４記載の非接触スイッチ。
6. 前記貫通孔を前記スイッチボディに形成するとともに、前記ターミナルベースに係合部を形成し、前記貫通孔を貫通する係合部材を前記ターミナルベースの前記係合部に係合させることによって前記スイッチボディと前記ターミナルベースを組み付けることを特徴とする請求項５記載の非接触スイッチ。
   

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