JP2013105885A - Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Cu−Ga合金粉末と、ナトリウム及びカルコゲン元素からなるナトリウム化合物の粉末の混合粉末をホットプレス焼結し、Cu−Ga合金中にナトリウム化合物粒を島状に含有させる。
【選択図】図1
Description
先ず、Cu−Ga合金スパッタリングターゲットについて説明する。なお、Cu−Ga合金スパッタリングターゲットは、平面研削やボンディング等のターゲット仕上げ工程前のターゲット材(焼結体)の状態も含むものである。Cu−Ga合金スパッタリングターゲットは、後述するようにCu−Ga合金粉末を原料として粉末焼結法により製造することができる。
Ga濃度={Ga含有量/(Cu含有量+Ga含有量)}×100 ・・・(1)式
Na濃度={Na含有量/(Cu含有量+Ga含有量+Na含有量)}×100 ・・・(2)式
Cu−Ga合金スパッタリングターゲットは、Cu−Ga合金粉末と無水硫酸ナトリウム粉末の混合粉末をホットプレス焼結することで製造できる。このCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法では、アルカリ金属を使用することなく、製造することができる。
実施例1では、先ず、平均粒径21μmの無水硫酸ナトリウム粉末(純度99.0%以上)と平均粒径100μmのCu−10質量%Ga合金粉末を用意した。Cu−Ga合金粉末は、Cu粉末とGaとをAr中で200℃に加熱しながら混合して直接に合金粉末を作製したものである。
実施例2では、Cu−25質量%Ga合金粉末を使用し、無負荷加熱温度及びホットプレス焼結温度を800℃とした以外は実施例1と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は1.0質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は22μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電は1回だけであった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.6質量%であった。
実施例3では、Cu−35質量%Ga合金粉末を使用し、無負荷加熱温度及びホットプレス焼結温度を700℃とした以外は実施例1と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は1.0質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は19μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電は発生しなかった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.6質量%であった。
実施例4では、Cu−45質量%Ga合金粉末を使用し、無負荷加熱温度及びホットプレス焼結温度を250℃、ホットプレス圧力を5MPaとした以外は実施例1と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は1.0質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は20μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電は発生しなかった。スパッタ膜にスパラッシュなどによる異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.6質量%であった。
実施例5では、無水硫酸ナトリウム粉末を0.6gとした以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は0.1質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は21μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電は発生しなかった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.1質量%であった。
実施例6では、無水硫酸ナトリウム粉末を2.5gとした以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は0.4質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は19μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電は発生しなかった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.3質量%であった。
実施例7では、無水硫酸ナトリウム粉末を36.5gとした以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は4.9質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は、0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は19μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電の発生は3回だけであった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は3.4質量%であった。
実施例8では、平均粒径1μmの無水硫酸ナトリウム粉末を用いた以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は1.0質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は1μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電は発生しなかった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.6質量%であった。
実施例9では、平均粒径200μmの無水硫酸ナトリウム粉末を用いた以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は1.1質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は190μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電の発生は1回だけであった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.6質量%であった。
実施例10では、Cu−35質量%Ga合金粉末を3750g、無水硫酸ナトリウム粉末を120gとし、2軸遊星混合機(小平製作所製)を用いた以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は1.0質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は21μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電の発生は1回だけであった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.6質量%であった。
実施例11は、V型混合機(筒井理化学器械製)を用いた以外は実施例10と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は0.9質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は20μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電の発生は1回だけであった。スパッタ膜にスパラッシュ等による異物は認められなかった。膜のNa濃度は0.6質量%であった。
比較例1では、平均粒径400μmの無水硫酸ナトリウム粉末を用いた以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体に割れや欠けは生じなかった。焼結体のNa濃度は1.0質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であった。焼結体中に硫酸ナトリウム粒が島状に孤立して分散した状態であり、平均粒径は280μmであった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削しても割れや欠けは生じなかった。この焼結体からターゲットを作製し、実施例1と同様にスパッタを実施した結果、アーク放電は197回と多数発生した。またスパッタ膜にスパラッシュなどによる異物が多数認められた。膜のNa濃度は0.6質量%であった。
比較例2では、無水硫酸ナトリウム粉末を50gとした以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体を取り出したところ一部欠けが生じていた。焼結体のNa濃度は6.5質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であったが、焼結体中に硫酸ナトリウム粒が繋がって連続した分布状態であった。平均粒径は、粒子が連続しているため求めることができなかった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削したところ割れてしまい、ターゲットを作製することができなった。このためスパッタ特性は測定できなかった。
比較例3では、平均粒径0.3μmの無水硫酸ナトリウム粉末を用いた以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結体を作製した。焼結体を取り出したところ一部欠けが生じていた。焼結体のNa濃度は1.0質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は0.01面積%未満であり緻密であったが、焼結体中に硫酸ナトリウム粒が繋がって連続した分布状態であった。平均粒径は、粒子が連続しているため求めることができなかった。焼結体の熱分析から重量減は0.01質量%未満であったので硫酸ナトリウムは無水であった。この焼結体を、水を使いながら平面研削したところ割れてしまい、ターゲットを作製することができなった。このためスパッタ特性は測定できなかった。
比較例4では、Cu−45質量%Ga合金粉末を使用し、ホットプレス焼結の無負荷加熱温度及び加圧加熱温度を200℃とした以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結した。焼結体を取り出したところ一部欠けが生じていた。焼結体のNa濃度は1.0質量%であった。実施例1と同様にして求めた焼結体の空隙率は8面積%未満であり緻密ではなかった。焼結体断面に空隙が多量に存在したため、硫酸ナトリウム粒を特定することが困難となり、分布状態を確認できず、また平均粒径を求めることができなかった。焼結体の熱重量測定は実施していない。この焼結体を、水を使いながら平面研削したところ割れてしまい、ターゲットを作製することができなった。このためスパッタ特性は測定できなかった。
比較例5では、Cu−10質量%Ga合金粉末を使用し、ホットプレス焼結の無負荷加熱温度及び加圧加熱温度を1000℃とした以外は実施例3と同様にしてホットプレス焼結した。比較例5では、黒鉛型とともに焼結体が割れていた。これは硫酸ナトリウムが融解して黒鉛に固着したため、熱膨張差や圧力不均一などが生じて割れたと考えられる。
Claims (8)
- Cu−Ga合金中にナトリウム化合物粒を島状に含有し、該ナトリウム化合物粒は、ナトリウム以外の元素がカルコゲン元素であることを特徴とするCu−Ga合金スパッタリングターゲット。
- 上記ナトリウム化合物粒は、無水硫酸ナトリウムであることを特徴とする請求項1記載のCu−Ga合金スパッタリングターゲット。
- 上記ナトリウム化合物粒の平均粒径は、1〜200μmであることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のCu−Ga合金スパッタリングターゲット。
- 上記ナトリウム化合物粒を除いた当該Cu−Ga合金スパッタリングターゲット中のGa濃度が10〜45質量%であり、
上記カルコゲン元素を除いた当該Cu−Ga合金スパッタリングターゲット中のNa濃度が0.1〜5質量%であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のCu−Ga合金スパッタリングターゲット。 - Cu−Ga合金粉末と、ナトリウム及びカルコゲン元素からなるナトリウム化合物の粉末の混合粉末をホットプレス焼結して製造することを特徴とするCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記ナトリウム化合物の平均粒径は、1〜200μmであることを特徴とする請求項5記載のCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記ホットプレス焼結が、真空又は不活性雰囲気中で、温度250〜880℃、圧力0〜50MPaの条件で行うことを特徴とする請求項5又は請求項6記載のCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記ナトリウム化合物は、無水硫酸ナトリウムであることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか1項記載のCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法。
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