JP2014122372A - Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】取扱いが困難な金属ナトリウムを用いることなく、ナトリウムが均一に分布されたNa含有Cu−Gaスパッタリングターゲットの製造方法、及び、この製造方法により得られるNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ナトリウムを含有したナトリウム化合物及びCu−Ga合金粉末を原料に用い、ナトリウム化合物を水に溶解し、ナトリウム化合物の水溶液にCu−Ga合金粉末を投入し撹拌した後、そのCu−Ga合金粉末を焼結する。
【選択図】なし
【解決手段】ナトリウムを含有したナトリウム化合物及びCu−Ga合金粉末を原料に用い、ナトリウム化合物を水に溶解し、ナトリウム化合物の水溶液にCu−Ga合金粉末を投入し撹拌した後、そのCu−Ga合金粉末を焼結する。
【選択図】なし
Description
本発明は、例えば太陽電池の光吸収層を形成する際に使用されるNaを含有したCu−Ga合金スパッタリングターゲット及び製造方法に関するものである。
近年、クリーンエネルギーの一つとして太陽光発電が注目されており、その中でも結晶系Siが主流となっているが、供給面やコストの問題から、薄膜系太陽電池でも特に変換効率の高いCIGS系太陽電池が注目されている。このCIGS系太陽電池の構造は、ソーダライムガラス基板の上に裏面電極となるMo電極層を形成し、このMo電極層の上に光吸収層となるCu−In−Ga−Se四元系合金膜を形成し、このCu−In−Ga−Se四元系合金膜からなる光吸収層の上にバッファ層としてZnS、CdSなどが形成され、このバッファ層の上に透明電極が形成された基本構造を有している。
Cu−In−Ga−Se四元系合金膜からなる光吸収層の形成方法として、蒸着法が知られているが、成膜時間を要してしまうことから、スパッタ法によって形成する方法が提案されている。
このCu−In−Ga−Se四元系合金膜をスパッタ法により成膜する方法としては、まず、Inターゲットを使用してスパッタによりIn膜を成膜し、このIn膜の上にCu−Ga二元系合金ターゲットを使用してスパッタすることによりCu−Ga二元系合金膜を成膜する。次に、得られたIn膜及びCu−Ga二元系合金膜からなる積層膜をSe雰囲気中で熱処理してCu−In−Ga−Se四元系合金膜を形成する方法が提案されている。
このCu−In−Ga−Se薄膜太陽電池を高性能化するためには、光吸収層にアルカリ金属が用いられ、特にNaが添加されている。
一般に、ソーダ石灰を主成分とするソーダ石灰ガラス等を基板に用いる場合には、基板に含まれるアルカリ金属が光吸収層に拡散するため、意図的にアルカリ金属を添加する必要は無い。
一方、耐熱性に優れた無アルカリガラスや低アルカリガラスを基板に用いようとする場合、あるいはフレキシブル太陽電池を作製する目的で金属基板やプラスチック基板を用いようとする場合には、基板からのアルカリ金属の拡散が期待できないためにアルカリプリカーサを用いることによって、アルカリ金属を光吸収層に拡散させる必要がある。
この方法は、アルカリプリカーサを形成し、そこから光吸収層にアルカリ金属を拡散させる。しかし、アルカリプリカーサを設けるために、工程数が増えてしまい、産業的にはデメリットである。また、このようにアルカリ金属を光吸収層に拡散させる方法では、アルカリ金属の添加量を細かく制御することは困難である。更に、この方法は、光吸収層の厚さ方向で考えると、アルカリ金属源に近いほうがアルカリ金属の濃度が濃くなり、反対にアルカリ金属源と反対側はアルカリ金属の濃度が薄くなる傾向がある。このことは太陽電池の高性能化を計る上では良い手段であるとはいえない。
そこで、Cu−In−Ga−Se光吸収層を作製する際に使用する成膜材料、つまりスパッタリングターゲットや蒸着材料にNaを添加すれば、Cu−In−Ga−Se光吸収層にアルカリ金属を添加することができる。
しかしながら、金属Naは消防法の第3類に属する物質であり、化学的に極めて活性なため、空気中の酸素と容易に反応し、水と爆発的に反応する物質である。そのため、保管する場合には、油中若しくは不活性雰囲気である必要がある。また、工業的においては比較的に沸点が低いことから沸点以上の高温処理、例えば溶解にて溶解原料として用いると容易に気化する。気化したNaは、反応性に富んでいるため危険であることから、Naの取扱いは非常に困難である。
これに関して、特許文献1〜3では、Naを安定的に含有させる方法として金属Naを投入するのではなく、Na2S、NaFなどの安定な状態であるNa化合物を添加している。特許文献1〜3では、Na化合物とCu−Ga合金粉末を混合した混合粉末を焼結することで、Naを含有するCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法が提案されている。
しかしながら、これらの方法は、Na化合物とCu−Ga合金粉末及びCu粉末を混合させて焼結するが、Na化合物とCu−Ga合金粉末及びCu粉末とでは比重差が大きいため混合時には容易に偏析が発生してしまう。そのため、これらの方法では、焼結後でもNa化合物は偏析した状態となる。その結果、これらの方法で得られるスパッタリングターゲット中のNa化合物は不均一に分布するため、膜特性も不均一となる。更にスパッタリングターゲット中におけるNa化合物の不均一な分布により、絶縁物であるNa化合物の影響により異常放電が発生することから量産が困難になるという問題がある。
そこで、本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、取扱いが困難な金属ナトリウムを用いることなく、ナトリウムが均一に分布されたNa含有Cu−Gaスパッタリングターゲットの製造方法、及び、この製造方法により得られるNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
上述した目的を達成する本発明に係るNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法は、ナトリウムが0.01〜5質量%、ガリウムが1〜45質量%含有され、残部が銅と不可避的不純物からなるナトリウムを含有したNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法であり、ナトリウムを含有したナトリウム化合物及びCu−Ga合金粉末を原料に用い、ナトリウム化合物を水に溶解し、ナトリウム化合物の水溶液にCu−Ga合金粉末を投入し撹拌した後、そのCu−Ga合金粉末を焼結することを特徴とする。
また、上述した目的を達成する本発明に係るNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットは、上記Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明では、ナトリウム化合物の水溶液にCu−Ga合金粉末を投入することで、Cu−Ga合金粉末の表面に均一にナトリウム化合物が付着し、そのナトリウム化合物が均一に付着したCu−Ga合金粉末を焼結することでナトリウムが均一に分布したスパッタリングターゲットを製造することができる。したがって、本発明では、取扱いが困難な金属ナトリウムを用いることなく、ナトリウムが均一に分布したCu−Ga合金スパッタリングを製造することができる。
以下に、本発明を適用したNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法について以下の順序で詳細に説明する。なお、本発明は、特に限定がない限り、以下の詳細な説明に限定されるものではない。
1.Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法
1−1.Na化合物水溶液作製工程
1−2.Cu−Ga合金粉末作製工程
1−3.Na化合物が付着したCu−Ga合金粉末製造工程
1−4.焼結工程
1−5.スパッタリングターゲット製造工程
2.Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲット
1.Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法
1−1.Na化合物水溶液作製工程
1−2.Cu−Ga合金粉末作製工程
1−3.Na化合物が付着したCu−Ga合金粉末製造工程
1−4.焼結工程
1−5.スパッタリングターゲット製造工程
2.Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲット
本発明を適用したNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法では、ナトリウムを含有したナトリウム化合物を水に溶解し、得られたNa化合物水溶液中にCu−Ga合金粉末を投入して攪拌、乾燥することでCu−Ga合金粉末の表面にナトリウム化合物を均一に付着させ、ナトリウム化合物が均一に付着したCu−Ga合金粉末を焼結することで、ナトリウムが均一に分布したNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲット(以下、単にターゲットともいう。)を得る。
<1.Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法>
Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法では、取扱いが困難な金属Naを用いることなく、均一にナトリウムが分布したCu−Ga合金スパッタリングターゲットを製造することができる。
Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法では、取扱いが困難な金属Naを用いることなく、均一にナトリウムが分布したCu−Ga合金スパッタリングターゲットを製造することができる。
具体的にNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法は、例えば、Na化合物水溶液作製工程と、Cu−Ga合金粉末作製工程と、Na化合物が付着したCuGa合金粉末製造工程と、焼結工程と、スパッタリングターゲット製造工程とを有する。
<1−1.Na化合物水溶液作製工程>
Na化合物水溶液作製工程では、原料にナトリウム(Na)を含有したナトリウム化合物(Na化合物)を用いる。Na化合物は水に対して可溶である必要がある。Na化合物水溶液作製工程では、水に可溶なNa化合物を水に均一に溶解させる。後にNa化合物水溶液に投入されるCu−Ga合金粉末の表面にNa化合物を均一に付着させ、Cu−Ga合金粉末がNa化合物で均一に覆われるようにするためである。一方、Na化合物が不溶である場合には、水中で溶解せずに残存してしまうため、Na化合物がCu−Ga合金粉末の表面に不均一に付着してしまう。そのようなCu−Ga合金粉末を用いて作製したスパッタリングターゲットでスパッタリングするとその膜特性が不均一となってしまう。
Na化合物水溶液作製工程では、原料にナトリウム(Na)を含有したナトリウム化合物(Na化合物)を用いる。Na化合物は水に対して可溶である必要がある。Na化合物水溶液作製工程では、水に可溶なNa化合物を水に均一に溶解させる。後にNa化合物水溶液に投入されるCu−Ga合金粉末の表面にNa化合物を均一に付着させ、Cu−Ga合金粉末がNa化合物で均一に覆われるようにするためである。一方、Na化合物が不溶である場合には、水中で溶解せずに残存してしまうため、Na化合物がCu−Ga合金粉末の表面に不均一に付着してしまう。そのようなCu−Ga合金粉末を用いて作製したスパッタリングターゲットでスパッタリングするとその膜特性が不均一となってしまう。
Na化合物は、有機化合物ではなく無機化合物であることが好ましく、このこと以外は特に限定されない。有機化合物では、特にH基、C基、O基を多く含んだNa化合物を用いてスパッタリングターゲットを製造すると、スパッタリング時に有機化合物の成分の影響により異常放電を発生する可能性があるからである。ただし、有機化合物の成分を残存させないように、焼結工程の前に有機化合物の成分を揮発させて除去すればスパッタリング時の異常放電は回避される。
Na化合物としては、特に硫酸ナトリウム(Na2SO4)が好ましい。Na2SO4は、水に可溶である無機化合物であり、H基、C基、O基の含有が少ないため、スパッタリング時の異常放電が抑制される。また、SO4 2−のSは、焼結工程時でも揮発されずにわずかに残存するが、SはCu−Ga合金粉の粒界に析出するため、Sの存在によりCu−Ga合金粉の結晶粒が粗大化することが抑制され、結晶粒が保持されて微細となるため高密度なものが得られる。また、SO4 2−は、水に溶けやすく混ざり合い易いため均一なものが得られることからNa2SO4は好ましい。
Na化合物の粒度は、特に限定されないが塊ではなく粉末であることが好ましく、粒度は細かい方が好ましい。Na化合物を水に均一に溶解させるが塊だと水に溶け難く均一に溶解させるのに時間を要するほか、均一に溶解しなかった場合Cu−Ga合金粉末の表層に均一にNa化合物が形成されないからである。
Na化合物水溶液作製工程では、水にNa化合物を投入し、均一になるように攪拌してNa化合物が溶解したNa化合物水溶液を作製する。攪拌条件は、特に限定されないが、水にNa化合物の溶け残りが無いように十分に攪拌する。
Na化合物は、Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの組成に応じて水に溶解させる。具体的には、ターゲット中において重量比にてNaが0.01〜5質量%含有される量のNa化合物を水に溶解させる。
Naは、例えば太陽電池の特性を向上させる効果を有するが、ターゲット中のNaの含有量が0.01質量%未満だとその目的の効果が得られないため適切ではない。一方で、5質量%より多く含有すると焼結後の密度が著しく低下するため、強度が低下し割れやすくなるほか、ターゲットを製造してスパッタリングすると異常放電が発生するため適切ではない。
<1−2.Cu−Ga合金粉末作製工程>
Cu−Ga合金粉末作製工程では、Na化合物を含有した水溶液中に含有させるCu−Ga合金粉末を作製する。Cu−Ga合金粉末作製工程では、ターゲットの組成においてNa0.01〜5質量%、Ga1〜45質量%を含み、残部がCuと不可避不純物となるように、原料となるGaとCuを配合する。
Cu−Ga合金粉末作製工程では、Na化合物を含有した水溶液中に含有させるCu−Ga合金粉末を作製する。Cu−Ga合金粉末作製工程では、ターゲットの組成においてNa0.01〜5質量%、Ga1〜45質量%を含み、残部がCuと不可避不純物となるように、原料となるGaとCuを配合する。
Ga量が45質量%よりも多い場合には、焼結工程時にGaの染み出しが発生し、また、Ga量が多いほど脆弱な化合物が形成され、ターゲットが割れやすくなることから好ましくない。
Cu−Ga合金粉末作製工程では、所定の配合となるように用意したCu、Ga原料を用いてCu−Ga合金粉末を作製する。Cu−Ga合金粉末の作製方法は、例えば、先ずCu、Ga原料を溶解炉を用いて溶解する。溶解雰囲気は、Ar雰囲気が好ましい。また、鋳造温度は、組成によって異なり、Cu−Ga二元系状態図に示される融点よりも100〜200℃高い温度に設定する。
次に、原料を溶融して得られたCu−Ga合金の鋳塊から粉末を作製する。粉末の作製方法は、特に限定しないが、例えばスタンプミルで鋳塊を粉砕してCu−Ga合金粉末を作製する。
Cu−Ga合金時の粉末の粒度は、特に限定されないが、1μm〜200μmが好ましい。1μm未満の場合、例えばホットプレスで焼結する場合において、黒鉛型の隙間から粉漏れすることから好ましくない。また、200μmより大きくなると焼結密度が低下することから好ましくない。
<1−3.Na化合物を付着したCu−Ga合金粉末製造工程>
Na化合物を付着したCu−Ga合金粉末製造工程では、Cu−Ga合金粉末の表面にNa化合物を均一に付着させ、Cu−Ga合金粉末をNa化合物で均一に覆うようにする。この工程では、先ず、上述のCu−Ga合金粉末をNa化合物を含有したNa化合物水溶液中に投入し攪拌する。
Na化合物を付着したCu−Ga合金粉末製造工程では、Cu−Ga合金粉末の表面にNa化合物を均一に付着させ、Cu−Ga合金粉末をNa化合物で均一に覆うようにする。この工程では、先ず、上述のCu−Ga合金粉末をNa化合物を含有したNa化合物水溶液中に投入し攪拌する。
攪拌の条件は、50rpm以上であることが好ましい。50rpmよりも遅い場合では、Cu−Ga合金粉末が十分に分散されずNa化合物がCu−Ga合金粉末の表面に均一に付着されないことから好ましくない。攪拌時間については30分以上であることが好ましい。30分より短いとCu−Ga合金粉末が十分に分散されずNa化合物がCu−Ga合金粉末の表面に均一に付着しないことから好ましくない。
次に、Na化合物水溶液中で攪拌したCu−Ga合金粉末の余分な溶媒成分を除去するために乾燥を行う。乾燥温度は、50〜150℃であることが好ましい。50℃より低いと乾燥が十分ではなく溶媒成分がCu−Ga合金粉末の表面に残存し、焼結後のスパッタリングターゲット中に含有されることで、余分な溶媒成分により、特に酸素(O)の影響で異常放電が発生するため好ましくない。また、150℃より高い温度で乾燥すると、Cu−Ga合金粉末が酸化するため好ましくない。
Na化合物として有機化合物を用いる場合には、H基、C基、O基を多く含んでいるので揮発させる必要がある。揮発させる方法としては、Na化合物が表層に形成されたCu−Ga合金粉末を例えば加熱炉にて加熱することで除去することができる。加熱の条件としては、Ar雰囲気にて350〜550℃で3hr〜5hrであることが好ましい。
以上のようにして、Na化合物を付着したCu−Ga合金粉末製造工程では、Na化合物が溶解した水溶液中でCu−Ga合金粉末を分散されることで、Cu−Ga合金粉末の表面にNa化合物を均一に付着させ、Cu−Ga合金粉末の表面全体をNa化合物で覆うことができる。
<1−4.焼結工程>
焼結工程では、Na化合物で表面全体が覆われたCu−Ga合金粉末を焼結する。焼結方法は、常圧焼結、ホットプレス、熱間等方圧加圧法(HIP)のどれでも良いが、ホットプレス及びHIPであることが好ましい。加圧での焼結により高密度のものが得られるからである。また、焼結の前にプレス成形、冷間静水圧加圧(CIP)を処理してもよく、処理することで焼結時に更に高密度のものが得られる。
焼結工程では、Na化合物で表面全体が覆われたCu−Ga合金粉末を焼結する。焼結方法は、常圧焼結、ホットプレス、熱間等方圧加圧法(HIP)のどれでも良いが、ホットプレス及びHIPであることが好ましい。加圧での焼結により高密度のものが得られるからである。また、焼結の前にプレス成形、冷間静水圧加圧(CIP)を処理してもよく、処理することで焼結時に更に高密度のものが得られる。
焼結雰囲気について、焼結時は真空中でも不活性ガス雰囲気中でも良いが、不活性ガスの場合には特にArを用いることが好ましい。焼結温度は、組成にもよるが、Cu−Ga合金の状態図に基づいて、Ga1〜20質量%においては600〜850℃、21〜30質量%においては550℃〜800℃、31〜37質量%においては450〜700℃、38〜45質量%においては250〜480℃であることが好ましい。また、ホットプレス、HIPといった加圧での焼結においては、その圧力は20〜130MPaであることが好ましい。
以上のようにして、焼結体を作製することができる。得られた焼結体は、原料にNa化合物が表面に均一に付着したCu−Ga合金粉末を用いているため、Naが均一に分布している。図1は、Na化合物に硫酸ナトリウムを用いた場合の焼結体の電子プローブマイクロアナライザーによるマッピング分析結果である。図1は、Cu、Ga、Na、S、及びOの各元素の特定X線像を示す。図1において、Cu−Ga合金粉末及び硫酸ナトリウムの成分であるCu、Ga、Na、S、及びOの各元素が検出され、Cu、Ga元素は同一部位で見られることから当該部位はCu−Ga合金粉末である。そして、Cu−Ga合金粉末の表面にNaが検出されている。したがって、図1から焼結体中にNaが均一に分布していることがわかる。
<1−5.スパッタリングターゲット製造工程>
スパッタリングターゲット製造工程では、以上のようにして得られたNa化合物を含有した焼結体からスパッタリングターゲットを製造する。ターゲットの製造方法としては、焼結体に対して例えば平面研削により厚さ方向の加工を行い、周囲加工においては例えばワイヤーカットにて任意寸法の板材を製造することができる。
スパッタリングターゲット製造工程では、以上のようにして得られたNa化合物を含有した焼結体からスパッタリングターゲットを製造する。ターゲットの製造方法としては、焼結体に対して例えば平面研削により厚さ方向の加工を行い、周囲加工においては例えばワイヤーカットにて任意寸法の板材を製造することができる。
得られた板材は、スパッタリングの冶具であるバッキングプレートにロウ材を用いて貼付けることでCu−Ga合金スパッタリングターゲットとすることができる。
以上のようなNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法では、取扱いが困難である金属Naを用いることなく、Na化合物を水に溶解したNa化合物水溶液にCu−Ga合金粉末を投入し、Cu−Ga合金粉末の表面にNa化合物を均一に付着させる。この製造方法では、Na化合物が均一に付着したCu−Ga合金粉末を焼結して焼結体を形成するため、Naが均一に分布したスパッタリングターゲットを得ることができる。このようなスパッタリングターゲットの製造方法では、Naを含む太陽電池の光吸収層を容易に作製することができるターゲットを容易に製造することができる。また、上述のスパッタリングターゲットの製造方法では、Naを光吸収層に拡散させるためのアルカリプリカーサを設ける必要が無く、産業的にも有利である。
<2.Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲット>
以上のようなNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法により製造されたターゲットは、ナトリウムを0.01〜5質量%、ガリウムを1〜45質量%含有し、残部が銅と不可避的不純物からなり、Naが均一に分布している。このようなターゲットを用いた場合には、ターゲット中にNaが均一に分布しているため、スパッタにより成膜した膜においてもNaが均一含有されるようになり、膜特性にばらつきが生じることを防止できる。例えば太陽電池の光吸収層の特定が安定し、安定した太陽電池特性を得ることができる。
以上のようなNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法により製造されたターゲットは、ナトリウムを0.01〜5質量%、ガリウムを1〜45質量%含有し、残部が銅と不可避的不純物からなり、Naが均一に分布している。このようなターゲットを用いた場合には、ターゲット中にNaが均一に分布しているため、スパッタにより成膜した膜においてもNaが均一含有されるようになり、膜特性にばらつきが生じることを防止できる。例えば太陽電池の光吸収層の特定が安定し、安定した太陽電池特性を得ることができる。
以下、本発明を適用した具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
実施例1では、Na化合物が付着したCu−Ga合金粉末を作製するために金属Cu、金属Gaを出発原料として990g用意し、Gaが30質量%、残部がCuとなるように秤量した。Naに関してはNa化合物として硫酸ナトリウムを用い、Na化合物が付着したCu−Ga合金粉末の時にNaの含有量が1質量%となるように秤量し、30.6g用意した。
実施例1では、Na化合物が付着したCu−Ga合金粉末を作製するために金属Cu、金属Gaを出発原料として990g用意し、Gaが30質量%、残部がCuとなるように秤量した。Naに関してはNa化合物として硫酸ナトリウムを用い、Na化合物が付着したCu−Ga合金粉末の時にNaの含有量が1質量%となるように秤量し、30.6g用意した。
次に、Na化合物水溶液を作製するためにガラス容器に水を200mL入れて、その中に秤量した硫酸ナトリウムを投入して攪拌して水溶液を作製した。
次に、Na化合物水溶液に投入するCu−Ga合金粉末は、秤量したCu,Ga原料を高周波誘導真空溶解炉(富士電波工業株式会社製)でAr雰囲気にて950℃に加熱して溶解し、鉄製の鋳型に鋳造した。得られたCu−Ga鋳塊はスタンプミルを用いて粒径が106μm以下となるように粉砕し、Cu−Ga合金粉末を得た。
次に、Na化合物水溶液にCu−Ga合金粉末を投入し、簡易式のミキサーを用いて100rpmで60minの条件で攪拌した。その後、90℃で乾燥し、余分な水分を除去してNa化合物が表面に付着したCu−Ga合金粉末を得た。
そして、Na化合物が付着したCu−Ga合金粉末を電子プローブマイクロアナライザー(EPMA)(JXA−8100)(日本電子(株)社製)により加速電圧15Vでマッピング分析を行った。結果を図2に示す。図2は、Cu−Ga合金粉末及び硫酸ナトリウムの成分であるCu、Ga、Na、S、及びOの各元素の特定X線像を示す。図2において、Cu、Ga元素は同一部位で見られることから当該部位はCu−Ga合金粉末である。一方で、上記Cu−Ga合金粉末の表層では硫酸ナトリウム成分のNa、S、Oが検出されていることから当該部位はNa化合物の硫酸ナトリウムである。この結果よりCu−Ga合金粉末の表面全面にNa化合物が付着していることが明らかである。
次に、Na化合物が表面全面に付着したCu−Ga合金粉末を用いて、ホットプレス用黒鉛型に充填し、Ar雰囲気で焼結温度700℃、面圧30MPaの条件にてプレスした。得られた焼結体を平面研削にて加工し、ワイヤーカットでφ75mm×7mmtに加工した後、Inをロウ材に用いてボンディングすることでNaを含有したNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットを得た。
(実施例2)
実施例2では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNa化合物原料としてラウリル硫酸Naを用い、Naを含有するCu−Ga合金粉末の時のNaが1質量%となるように秤量し、124.0g用意した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製した。その後、脱脂するために脱バイ炉にてAr雰囲気で450℃、5hrの条件で脱脂した。得られた脱バイ体については実施例1と同様にして焼結してスパッタリングターゲットを得た。
実施例2では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNa化合物原料としてラウリル硫酸Naを用い、Naを含有するCu−Ga合金粉末の時のNaが1質量%となるように秤量し、124.0g用意した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製した。その後、脱脂するために脱バイ炉にてAr雰囲気で450℃、5hrの条件で脱脂した。得られた脱バイ体については実施例1と同様にして焼結してスパッタリングターゲットを得た。
(実施例3)
実施例3では、Cu、Gaの出発原料として990g用意し、Gaを10質量%、残部がCuとなるように秤量した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製し、スパッタリングターゲットを得た。
実施例3では、Cu、Gaの出発原料として990g用意し、Gaを10質量%、残部がCuとなるように秤量した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製し、スパッタリングターゲットを得た。
(実施例4)
実施例4では、Cu、Gaの出発原料として990g用意し、Gaを40質量%、残部がCuとなるように秤量した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製し、スパッタリングターゲットを得た。
実施例4では、Cu、Gaの出発原料として990g用意し、Gaを40質量%、残部がCuとなるように秤量した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製し、スパッタリングターゲットを得た。
(実施例5)
実施例5では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNaを含有するCu−Ga合金粉末の時のNaが4.5質量%となるように秤量し、137.5g用意した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製し、スパッタリングターゲットを得た。
実施例5では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNaを含有するCu−Ga合金粉末の時のNaが4.5質量%となるように秤量し、137.5g用意した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製し、スパッタリングターゲットを得た。
(比較例1)
比較例1では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNa化合物としてラウリル硫酸ナトリウムの粉末を用い、Naを含有するCu−Ga合金粉末の時のNaが1質量%となるように秤量し、124.0g用意した。秤量したラウリル硫酸ナトリウムの粉末をCu−Ga合金粉末と混合するため、三次元混合機にて100rpmで1時間混合することで混合粉末を得た。次に、混合粉末を脱脂するために脱バイ炉にてAr雰囲気で450℃、5hrの条件で脱脂した。得られた脱バイ体については実施例1と同様にして焼結してスパッタリングターゲットを得た。
比較例1では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNa化合物としてラウリル硫酸ナトリウムの粉末を用い、Naを含有するCu−Ga合金粉末の時のNaが1質量%となるように秤量し、124.0g用意した。秤量したラウリル硫酸ナトリウムの粉末をCu−Ga合金粉末と混合するため、三次元混合機にて100rpmで1時間混合することで混合粉末を得た。次に、混合粉末を脱脂するために脱バイ炉にてAr雰囲気で450℃、5hrの条件で脱脂した。得られた脱バイ体については実施例1と同様にして焼結してスパッタリングターゲットを得た。
(比較例2)
比較例2では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNa化合物としてフッ化ナトリウム(NaF)粉末を用い、Naが付着したCu−Ga合金粉末の時のNaが1質量%となるように秤量し、18.1g用意した。秤量したNaF粉末をCu−Ga合金粉末と混合するため、三次元混合機にて100rpmで1時間混合することで混合粉末を得た。得られた混合粉末については実施例1と同様にして焼結してスパッタリングターゲットを得た。
比較例2では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNa化合物としてフッ化ナトリウム(NaF)粉末を用い、Naが付着したCu−Ga合金粉末の時のNaが1質量%となるように秤量し、18.1g用意した。秤量したNaF粉末をCu−Ga合金粉末と混合するため、三次元混合機にて100rpmで1時間混合することで混合粉末を得た。得られた混合粉末については実施例1と同様にして焼結してスパッタリングターゲットを得た。
(比較例3)
比較例3では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNa化合物として硫化ナトリウム(Na2S)粉末を用い、Naが付着したCu−Ga合金粉末の時のNaが1質量%となるように秤量し、16.8g用意した。秤量したNa2S粉末をCu−Ga合金粉末と混合するため、三次元混合機にて100rpmで1時間混合することで混合粉末を得た。得られた混合粉末については実施例1と同様にして焼結してスパッタリングターゲットを得た。
比較例3では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNa化合物として硫化ナトリウム(Na2S)粉末を用い、Naが付着したCu−Ga合金粉末の時のNaが1質量%となるように秤量し、16.8g用意した。秤量したNa2S粉末をCu−Ga合金粉末と混合するため、三次元混合機にて100rpmで1時間混合することで混合粉末を得た。得られた混合粉末については実施例1と同様にして焼結してスパッタリングターゲットを得た。
(比較例4)
比較例4では、Cu、Gaの出発原料として990g用意し、Gaが50質量%、残部がCuとなるように秤量した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製し、スパッタリングターゲットを得た。
比較例4では、Cu、Gaの出発原料として990g用意し、Gaが50質量%、残部がCuとなるように秤量した。このこと以外は、実施例1と同様にしてNa化合物がCu−Ga合金の表面に付着した粉末を作製し、スパッタリングターゲットを得た。
(比較例5)
比較例5では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNaを含有するCu−Ga合金粉末の時のNaが7.0質量%となるように秤量し、213.9g用意した。このこと以外は、実施例1と同様にして作製し、スパッタリングターゲットを得た。
比較例5では、Cu、Gaの出発原料を実施例1と同様にして秤量して、Naに関してはNaを含有するCu−Ga合金粉末の時のNaが7.0質量%となるように秤量し、213.9g用意した。このこと以外は、実施例1と同様にして作製し、スパッタリングターゲットを得た。
実施例1〜5、比較例1〜5の条件等をまとめたものを表1に示す。
表1において、ターゲット時の不具合については、実施例1〜5、比較例1〜5において、スパッタリングターゲット作製時に割れやチッピングなどの不具合が発生しなかった場合を○とし、不具合が発生した場合を×として評価した。
また、表1において、Na濃度の均一性については、スパッタリングターゲット中におけるNa濃度の均一性を評価するため、焼結体の断面について電子プローブマイクロアナライザー(EPMA)のライン分析によりビーム径を50μmとして表面からもう一方の表面まで走査してNa濃度を測定した。この間でNa濃度の最大値と最小値との差が1質量%未満であれば○とし、1質量%以上であれば×とした。
表1に示す結果から、比較例1〜3では、Cu−Ga合金スパッタリングターゲット作製時には不具合は発生しなかった。しかしながら、Na濃度の均一性を確認するため、焼結体断面のNa濃度を確認したところNa濃度の最大値、最小値の差は1質量%以上あった。これはCu−Ga合金とNa化合物の混合時に比重差に伴う偏析が発生したことにより焼結後においてNa濃度が不均一となったからである。
比較例4では、Cu−Ga合金スパッタリングターゲット作製時に不具合(割れ)が発生した。これは、Ga量が多いため脆弱な化合物が多量に形成され、割れやすくなったからである。
比較例5では、Cu−Ga合金スパッタリングターゲット作製時に不具合(割れ)が発生した。これは、Na量が多いため、焼結後の密度が著しく低下したことから強度が低下し、割れやすくなったからである。
一方、実施例1〜5では、Na濃度の均一性においても最大値と最小値の差は1質量%未満であり、Na濃度は均一に分布していた。これは、Na化合物を水に溶解した水溶液中にCu−Ga合金粉末を投入し、攪拌、乾燥することでCu−Ga合金粉末の表面に均一にNa化合物が付着したことにより、焼結後においてもNa濃度は均一になったからである。また、実施例1〜実施例5では、製造時の不具合が発生しなかった。これは、Naを含有したCu−Ga合金中におけるGa量及びNa量を制御して加工したからである。
以上のように、Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法では、取扱いが困難は金属Naを用いることなく、Na化合物を用いることで安全にターゲットを作製することが可能である。また、Na含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法では、Na化合物を水に溶解したNa化合物水溶液にCu−Ga合金粉末を投入することでCu−Ga合金粉末の表面に均一にNa化合物を付着させ、Na化合物が均一に付着したCu−Ga合金粉末を焼結することで均一にNaが分布したCu−Ga合金スパッタリングターゲットを作製することができる。
Claims (4)
- ナトリウムが0.01〜5質量%、ガリウムが1〜45質量%含有され、残部が銅と不可避的不純物からなるナトリウムを含有したNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法において、
上記ナトリウムを含有したナトリウム化合物及びCu−Ga合金粉末を原料に用い、
上記ナトリウム化合物を水に溶解し、
上記ナトリウム化合物の水溶液にCu−Ga合金粉末を投入し撹拌した後、そのCu−Ga合金粉末を焼結することを特徴とするNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法。 - 上記ナトリウム化合物は、水に可溶な無機化合物であることを特徴とする請求項1記載のNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記ナトリウム化合物は、硫酸ナトリウムであることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法にて製造されたことを特徴とするNa含有Cu−Ga合金スパッタリングターゲット。
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CN106282941A (zh) * | 2015-05-21 | 2017-01-04 | 中国钢铁股份有限公司 | 铜镓合金复合钠元素靶材的制造方法 |
WO2017138565A1 (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
TWI718246B (zh) * | 2016-02-08 | 2021-02-11 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 濺鍍靶及濺鍍靶之製造方法 |
-
2012
- 2012-12-20 JP JP2012277906A patent/JP2014122372A/ja active Pending
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