JP2013098514A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2013098514A
JP2013098514A JP2011243132A JP2011243132A JP2013098514A JP 2013098514 A JP2013098514 A JP 2013098514A JP 2011243132 A JP2011243132 A JP 2011243132A JP 2011243132 A JP2011243132 A JP 2011243132A JP 2013098514 A JP2013098514 A JP 2013098514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
electrode
bump
semiconductor device
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011243132A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013098514A5 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
Hideo Imai
英生 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2011243132A priority Critical patent/JP2013098514A/ja
Publication of JP2013098514A publication Critical patent/JP2013098514A/ja
Publication of JP2013098514A5 publication Critical patent/JP2013098514A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
JP2011243132A 2011-11-07 2011-11-07 半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器 Withdrawn JP2013098514A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011243132A JP2013098514A (ja) 2011-11-07 2011-11-07 半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011243132A JP2013098514A (ja) 2011-11-07 2011-11-07 半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013098514A true JP2013098514A (ja) 2013-05-20
JP2013098514A5 JP2013098514A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2014-12-11

Family

ID=48620122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011243132A Withdrawn JP2013098514A (ja) 2011-11-07 2011-11-07 半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013098514A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104716120A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 南茂科技股份有限公司 半导体结构及其制造方法
WO2018151066A1 (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 学校法人慶應義塾 積層半導体集積回路装置
WO2022176563A1 (ja) * 2021-02-19 2022-08-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子機器
JP2023510170A (ja) * 2019-12-28 2023-03-13 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光素子およびそれを有するｌｅｄディスプレイ装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004153579A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2006506237A (ja) * 2002-11-14 2006-02-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 集積構造体およびその製造方法
JP2006522461A (ja) * 2002-12-20 2006-09-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ３次元デバイスの製造方法
JP2007020073A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2007318143A (ja) * 2006-05-22 2007-12-06 Samsung Electronics Co Ltd 半導体構造体及びその製造方法
WO2010019889A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Qualcomm Incorporated Corrosion control of stacked integrated circuits
JP2010045370A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Samsung Electronics Co Ltd 集積回路構造、そのスタック構造及びこれらの製造方法
JP2010161367A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd ダイ、スタック構造、及びシステム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004153579A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2006506237A (ja) * 2002-11-14 2006-02-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 集積構造体およびその製造方法
JP2006522461A (ja) * 2002-12-20 2006-09-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ３次元デバイスの製造方法
JP2007020073A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2007318143A (ja) * 2006-05-22 2007-12-06 Samsung Electronics Co Ltd 半導体構造体及びその製造方法
JP2010045370A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Samsung Electronics Co Ltd 集積回路構造、そのスタック構造及びこれらの製造方法
WO2010019889A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Qualcomm Incorporated Corrosion control of stacked integrated circuits
JP2010161367A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd ダイ、スタック構造、及びシステム

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104716120A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 南茂科技股份有限公司 半导体结构及其制造方法
JP2015115596A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 チップモス テクノロジーズ インコーポレイテッドＣｈｉｐｍｏｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｉｎｃ． 半導体構造およびその製造方法
WO2018151066A1 (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 学校法人慶應義塾 積層半導体集積回路装置
JPWO2018151066A1 (ja) * 2017-02-16 2020-01-16 学校法人慶應義塾 積層半導体集積回路装置
JP2023510170A (ja) * 2019-12-28 2023-03-13 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光素子およびそれを有するｌｅｄディスプレイ装置
JP7651578B2 (ja) 2019-12-28 2025-03-26 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光素子およびそれを有するｌｅｄディスプレイ装置
WO2022176563A1 (ja) * 2021-02-19 2022-08-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8399963B2 (en) Chip package and fabrication method thereof
US8748949B2 (en) Chip package with heavily doped region and fabrication method thereof
TWI652780B (zh) 封裝結構及其製造方法
US20160221819A1 (en) Mems-cmos device that minimizes outgassing and methods of manufacture
US9972554B2 (en) Wafer level chip scale package having continuous through hole via configuration and fabrication method thereof
JP5423572B2 (ja) 配線基板、圧電発振器、ジャイロセンサー、配線基板の製造方法
US20140154840A1 (en) Chip package and method for forming the same
JPWO2004068096A1 (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
JP5615122B2 (ja) 電子部品装置及びその製造方法
TW201349414A (zh) 具微機電元件之封裝結構及其製法
JP5026025B2 (ja) 半導体装置
JP2013098514A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器
JP2012033718A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2001144125A (ja) 半導体装置および半導体装置の形成方法
JP2007036060A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US9663349B2 (en) MEMS device with electrodes permeable to outgassing species
JP5248179B2 (ja) 電子装置の製造方法
JP4840385B2 (ja) 半導体パッケージ
JP5112659B2 (ja) 加速度センサならびにセンサチップおよびその製造方法
US20140374853A1 (en) Component including means for reducing assembly-related mechanical stresses and methods for manufacturing same
JP2008010778A (ja) 半導体装置
JP5408995B2 (ja) 半導体パッケージ
JP4837328B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2008187021A (ja) 半導体装置及び電子デバイス、並びに、それらの製造方法
JP2013130401A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体装置、センサー及び電子デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141021

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141021

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150811

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150813

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20151002