JP2013098479A - 処理液供給方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置 - Google Patents

処理液供給方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置 Download PDF

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Abstract

【課題】簡易な処理液供給装置を用いて処理液中の異物を低減し、基板の欠陥を低減する。
【解決手段】レジスト液供給装置100は、レジスト液を貯留するレジスト液供給源101と、レジスト液供給源101から塗布ノズル32にレジスト液を供給する供給管102と、供給管102に設けられ、レジスト液を一旦貯留させるキッドエンドタンク103と、供給管102に設けられ、レジスト液を流通させるポンプ104と、供給管102に設けられ、レジスト液中の異物を捕集して離脱させないフィルタ105と、供給管102に設けられ、レジスト液の流通を遮断するトラップ106と、供給管102に設けられたバルブ107と、供給管102内を流通するレジスト液をフィルタ105に少なくとも1回往復通過させて、当該レジスト液を塗布ノズル32に供給するようにポンプ104を制御する制御部200と、を有している。
【選択図】図3

Description

本発明は、基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、及び前記処理液供給方法を実行するための処理液供給装置に関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。
上述したレジスト塗布処理では、例えば塗布ノズルからウェハ上にレジスト液を吐出すると共に、ウェハを回転させて、レジスト液をウェハ表面に拡散させる方法、いわゆるスピンコーティング法が広く用いられている。また、塗布ノズルには、内部にレジスト液を貯留したレジスト液供給源から供給管を介してレジスト液が供給される。
ところで、上記レジスト液供給源に貯留されるレジスト液には、元々異物が混入している場合がある。また、レジスト液供給源内にレジスト液を貯留していると、レジスト液のポリマー系化合物が経時的に凝集してゲル状の不溶解物が発生する場合がある。このような異物がレジスト液と共にウェハ上に供給されると、その後形成されるレジスト膜に異物が残存して、レジストパターンを適切に形成することができず、ウェハの欠陥となってしまう。このため、従来、レジスト液供給源と塗布ノズルを接続する供給管にフィルタを設け、レジスト液をこのフィルタを通過させることによって、レジスト液中の異物を除去している。
しかしながら、上述の方法では、レジスト液はフィルタを1回通過しただけで塗布ノズルに供給されるため、レジスト液中の異物を十分に除去できない場合があった。特に近年の半導体デバイスのさらなる高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が求められており、異物による欠陥の問題は顕在化している。
そこで、レジスト液を塗布ノズルに供給する前に、循環路にレジスト液を循環させて、当該レジスト液を循環路に設けられたフィルタに複数回通過させ、レジスト液中の異物を除去することが提案されている(特許文献1)。
特開2008−305980号公報
しかしながら、特許文献1に記載された方法を用いてレジスト液中の異物を除去する場合、レジスト液を循環させる循環路を設ける必要があるため、レジスト液を供給する装置が大型化してしまう。
また、例えば循環路にレジスト液が循環中に、新たなレジスト液が供給されると、循環中のレジスト液と新たに供給されたレジスト液が混合してしまい、レジスト液がフィルタを通過する回数を制御できなくなる。その結果、レジスト液中の異物を十分に除去できない場合があり、異物による欠陥が生じてしまう。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、簡易な処理液供給装置を用いて処理液中の異物を低減し、基板の欠陥を低減することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給方法であって、前記処理液供給部に接続された供給管には、処理液中の異物を捕集して離脱させないフィルタが設けられ、前記供給管内を流通する処理液を前記フィルタに少なくとも1回往復通過させて、当該処理液を前記処理液供給部に供給することを特徴としている。
本発明によれば、供給管内を流通する処理液をフィルタに少なくとも1回往復通過させており、すなわち処理液をフィルタに複数回通過させることができるので、処理液中の異物を十分に除去することができる。この際、フィルタは捕集した異物を離脱させないので、処理液を往復させても当該処理液中に異物が再混入されることはない。また、例えば供給管内で処理液を往復移動させるためのポンプの駆動を制御することによって、処理液がフィルタを通過する回数を容易に制御することができる。そうすると、処理液中の異物をより確実に除去することができる。そして、このように異物が除去された処理液が処理液供給部を介して基板に供給されるので、基板の欠陥を低減することができる。しかも、処理液をフィルタに往復通過させているので、従来のように別途循環路を設ける必要がない。このため、簡易な構成の処理液供給装置を用いて、処理液中の異物を除去することができる。したがって、装置の製造コストを低廉化することができ、また装置の占有面積も小さくすることができる。
前記フィルタの上流側における処理液の流路と下流側における処理液の流路は、それぞれ前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を一時的に貯留可能に構成されていてもよい。なお、フィルタの上流側と下流側とは、それぞれ処理液供給部へレジスト液が流れる方向に対する上流側と下流側をいう。また、処理液の流路には、処理液の供給管、供給管に設けられたトラップやタンク、ポンプ等を含む。したがって、処理液の流路において所定の供給量の処理液を貯留可能にするため、供給管が所定の供給量の処理液を貯留可能な長さを有していてもよいし、供給管に設けられたトラップ、タンク又はポンプが所定の供給量の処理液を貯留可能であってもよい。さらに、所定の供給量とは、処理液供給部から基板に供給される1回の処理液の供給量をいう。
前記供給管には、当該供給管内で処理液を流通させるためのポンプが設けられ、前記ポンプの駆動に基づいて、処理液が前記フィルタを往復通過する回数を制御してもよい。
前記フィルタは複数段に設けられ、処理液は前記複数段のフィルタを往復通過してもよい。
前記フィルタは、当該フィルタの表層に処理液中の異物を吸着して捕集してもよい。
前記フィルタは、当該フィルタの内部に形成された複数の孔によって処理液中の異物を物理的に捕集してもよい。
別な観点による本発明によれば、前記処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるために、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
さらに別な観点による本発明は、基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給装置であって、内部に処理液を貯留する処理液供給源と、前記処理液供給源から前記処理液供給部に処理液を供給するための供給管と、前記供給管に設けられ、処理液中の異物を捕集して離脱させないフィルタと、前記供給管に設けられ、処理液を流通させるためのポンプと、前記供給管内を流通する処理液を前記フィルタに少なくとも1回往復通過させて、当該処理液を前記処理液供給部に供給するように前記ポンプを制御する制御部と、を有することを特徴としている。
前記フィルタの上流側における処理液の流路と下流側における処理液の流路は、それぞれ前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を一時的に貯留可能に構成されていてもよい。
前記制御部は、前記ポンプの駆動に基づいて、処理液が前記フィルタを往復通過する回数を制御してもよい。
前記フィルタは複数段に設けられていてもよい。
前記フィルタは、当該フィルタの表層に処理液中の異物を吸着して捕集してもよい。
前記フィルタは、当該フィルタの内部に形成された複数の孔によって処理液中の異物を物理的に捕集してもよい。
前記フィルタは、前記ポンプの上流側に設けられていてもよい。
前記フィルタは、前記ポンプの下流側に設けられ、前記フィルタの下流側の供給管には、処理液の流通を遮断可能な遮断機構が設けられていてもよい。
本発明によれば、簡易な処理液供給装置を用いて処理液中の異物を低減し、基板の欠陥を低減することができる。
本実施の形態にかかるレジスト液供給装置からレジスト液が供給されるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施の形態にかかるレジスト液供給装置からレジスト液が供給されるレジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。 本実施の形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態では、基板としてのウェハに処理液としてのレジスト液を供給する形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる処理液供給装置としてのレジスト液供給装置からレジスト液が供給されるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。図2は、レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
レジスト塗布装置1は、図1に示すように内部を閉鎖可能な処理容器10を有している。処理容器10のウェハWの搬送アーム(図示せず)の搬入領域に臨む側面には、図2に示すようにウェハWの搬入出口11が形成され、搬入出口11には開閉シャッタ12が設けられている。
処理容器10内の中央部には、図1に示すようにウェハWを保持して回転させるスピンチャック20が設けられている。スピンチャック20は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック20上に吸着保持できる。
スピンチャック20は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構21を有し、そのチャック駆動機構21により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構21には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック20は上下動可能である。
スピンチャック20の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ22が設けられている。カップ22の下面には、回収した液体を排出する排出管23と、カップ22内の雰囲気を排気する排気管24が接続されている。
図2に示すようにカップ22のX方向負方向(図2の下方向)側には、Y方向(図2の左右方向)に沿って延伸するレール30が形成されている。レール30は、例えばカップ22のY方向負方向(図2の左方向)側の外方からY方向正方向(図2の右方向)側の外方まで形成されている。レール30には、アーム31が取り付けられている。
アーム31には、図1及び図2に示すようにレジスト液を吐出する処理液供給部としての塗布ノズル32が支持されている。アーム31は、図2に示すノズル駆動部33により、レール30上を移動自在である。これにより、塗布ノズル32は、カップ22のY方向正方向側の外方に設置された待機部34からカップ22内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム31は、ノズル駆動部33によって昇降自在であり、塗布ノズル32の高さを調節できる。塗布ノズル32は、図1に示すようにレジスト液を供給するレジスト液供給装置100に接続されている。
次に、レジスト塗布装置1内の塗布ノズル32に対してレジスト液を供給するレジスト液供給装置100の構成について説明する。図3は、レジスト液供給装置100の構成の概略を示す説明図である。
レジスト液供給装置100は、内部にレジスト液を貯留する処理液供給源としてのレジスト液供給源101を有している。レジスト液供給源101の上部には、塗布ノズル32にレジスト液を供給するための供給管102が設けられている。すなわち、供給管102は、レジスト液供給源101と塗布ノズル32を接続して設けられている。
レジスト液供給源101の下流側の供給管102には、レジスト液を一旦貯留させておくリキッドエンドタンク103が設けられている。リキッドエンドタンク103は、バッファタンクとしての役割を果たしており、レジスト液供給源101から供給されるレジスト液が無くなった場合でも、リキッドエンドタンク103内に貯留されているレジスト液を塗布ノズル32に供給することができる。なお、リキッドエンドタンク103の上部には、リキッドエンドタンク103内の雰囲気を排気する排気管(図示せず)が設けられている。
リキッドエンドタンク103の下流側の供給管102には、ポンプ104が設けられている。ポンプ104は、レジスト液供給源101から塗布ノズル32にレジスト液を送液する。また、ポンプ104は、後述するようにレジスト液をフィルタ105に少なくとも1回往復通過させるように当該レジスト液を送液する。なお、ポンプ104の駆動動作は、例えば後述する制御部200によって制御されている。
ポンプ104の下流側の供給管102には、レジスト液中の異物を捕集して離脱させないフィルタ105が設けられている。フィルタ105には、異物を捕集して離脱させなければ、種々の種類のフィルタが用いられる。例えばフィルタ105には、その表層にレジスト液中の異物を吸着して捕集するフィルタ(以下、「表層フィルタ」という。)、例えばナイロンのフィルタを用いてもよい。また、例えばフィルタ105には、内部に形成された複数の孔によってレジスト液中の異物を物理的に捕集するフィルタ(以下、「深層フィルタ」という。)、すなわちフィルタ105には、例えばメンブレンタイプのフィルタを用いてもよい。フィルタ105に表層フィルタ又は深層フィルタのいずれを用いた場合でも、レジスト液中の異物はフィルタ105に捕集されて離脱することはない。なお、フィルタ105の上部には、フィルタ105で発生する気体(気泡)を排気する排気管(図示せず)が設けられている。
フィルタ105の下流側の供給管102には、レジスト液の流通を遮断する遮断機構としてのトラップ106が設けられている。トラップ106は、その容積を可変に構成されている。
なお、フィルタ105の上流側におけるレジスト液の流路、すなわちポンプ104とフィルタ105の間の供給管102は、レジスト塗布装置1において塗布ノズル32から一のウェハWに対して供給される所定の供給量のレジスト液、つまり1回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有している。また、フィルタ105の下流側におけるレジスト液の流路、すなわちフィルタ105とトラップ106の間の供給管102も、1回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有している。
トラップ106の下流側の供給管102には、バルブ107が設けられている。バルブ107は、例えばエアオペレーションバルブが用いられる。なお、バルブ107の開閉動作は、後述する制御部200の制御によって制御され、ポンプ104から塗布ノズル32のレジスト液の供給を開始又は停止させることができる。
なお、リキッドエンドタンク103とポンプ104との間、すなわちポンプ104の吸い込み側にはバルブ108が設けられている。このバルブ108の開閉動作も、後述する制御部200によって制御される。
上述したポンプ104の駆動動作やバルブ107、108の開閉動作等は、制御部200により制御されている。制御部200は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、レジスト液供給装置100によるレジスト液の供給やレジスト塗布装置1におけるレジスト塗布処理を実現できる。なお、レジスト液供給装置100によるレジスト液の供給やレジスト塗布装置1におけるレジスト塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどの記憶媒体(図示せず)に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御部200にインストールされたものが用いられている。
次に、以上のように構成されたレジスト液供給装置100で行われる塗布ノズル32へのレジスト液の供給及びレジスト塗布装置1で行われる塗布処理プロセスについて説明する。
先ず、制御部200によってバルブ107を開き、バルブ108を閉じると共にポンプ104を駆動させる。そして、レジスト塗布装置1内に搬入されたウェハWに対して、ポンプ104と塗布ノズル32の間に貯留されていたレジスト液を所定量供給する。
その後、バルブ107を閉じ、バルブ108を開くと共に、ポンプ104を駆動させる。そうすると、レジスト液供給源101からリキッドエンドタンク103にレジスト液が送液される。レジスト液は一旦リキッドエンドタンク103に貯留される。リキッドエンドタンク103内に所定量のレジスト液が貯留されると、その後レジスト液供給源101からリキッドエンドタンク103に流入するレジスト液によって、レジスト液がリキッドエンドタンク103から塗布ノズル32側に流出する。
リキッドエンドタンク103から塗布ノズル32側には、レジスト塗布装置1において塗布ノズル32から一のウェハWに対して供給される所定の供給量のレジスト液が流出する。すなわち、ポンプ104を駆動させることによって、塗布ノズル32からウェハWに供給される1回分の供給量のレジスト液が供給される。このレジスト液は、ポンプ104に補充される。
その後、バルブ107とバルブ108をそれぞれ閉じた状態で、ポンプ104を駆動させる。そうすると、ポンプ104からフィルタ105を介してトラップ106に、所定量のレジスト液が送液される。この際、レジスト液は、フィルタ105を通過して、異物が捕集されて除去される。この異物には、例えばレジスト液のポリマー系化合物が経時的に凝集したゲル状の不溶解物、いわゆるレジストゲル等が含まれる。フィルタ105を通過したレジスト液は、フィルタ105の下流側の供給管102を介してトラップ106に流入する。なおこのとき、バルブ107が閉じられているので、レジスト液が塗布ノズル32から吐出されることはない。
その後、バルブ107とバルブ108をそれぞれ閉じた状態で、ポンプ104を駆動させて吸液動作が行われる。そうすると、トラップ106のレジスト液が、フィルタ105を介してポンプ104に送液されて、当該ポンプ104内にレジスト液が補充される。この際、フィルタ105は捕集した異物を離脱させないので、レジスト液をフィルタ105に再び通過させてもフィルタ105に補足された異物は再飛散することがなく、レジスト液中に異物が再び混入されることはない。
このようにリキッドエンドタンク103から流出したレジスト液は、ポンプ104とトラップ106の間において、フィルタ105を往復通過する。その結果、レジスト液中の異物を十分に除去することができる。なお、レジスト液をフィルタ105に1回往復通過させてもよいし、複数回通過させてもよい。レジスト液をフィルタ105に複数回通過させる場合には、ポンプ104とトラップ106の間における供給管102内でレジスト液を往復移動させるためのポンプ104の駆動を制御することによって、レジスト液がフィルタ105を通過する回数を制御することができる。
その後、バルブ107を開くと共に、ポンプ104を駆動させる。そして、異物が十分に除去されたレジスト液は、塗布ノズル32に供給される。なおこのとき、レジスト塗布装置1内にはウェハWが搬入される。
塗布ノズル32にレジスト液が供給されると、レジスト塗布装置1において、スピンチャック20に吸着されたウェハWをチャック駆動機構21によって回転させると共に、塗布ノズル32からウェハWの中心部にレジスト液を滴下する。ウェハWに塗布されたレジスト液は、ウェハWの回転により生じる遠心力によってウェハWの表面の全体に拡散し、ウェハWの表面にレジスト膜が形成される。その後ウェハWの回転が停止されて、スピンチャック20上からウェハWが搬出されて、一連のレジスト塗布処理が終了する。
以上の実施の形態によれば、ポンプ104とトラップ106の間において、供給管102内を流通するレジスト液をフィルタ105に往復通過させているので、レジスト液中の異物を十分に除去することができる。この際、フィルタ105は捕集した異物を離脱させないので、レジスト液を往復させても当該レジスト液中に異物が再混入されることはない。そして、このように異物が除去されたレジスト液が塗布ノズル32を介してウェハWに供給されるので、ウェハWのレジストパターンの欠陥を低減することができる。しかも、レジスト液をフィルタ105に往復通過させているので、従来のように別途循環路を設ける必要がない。このため、簡易な構成のレジスト液供給装置100を用いて、レジスト液中の異物を除去することができる。したがって、装置の製造コストを低廉化することができ、また装置の占有面積も小さくすることができる。
また、フィルタ105の上流側の供給管102と下流側の供給管102は、それぞれ塗布ノズル32から一のウェハWに対して供給される1回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有しているので、レジスト液をフィルタ105に確実に往復通過させることができる。
また、フィルタ105の下流側の供給管102に設けられたトラップ106を設けているので、レジスト液の流通を遮断することができる。これによって、塗布ノズル32にレジスト液を供給していない待機時間に、レジスト液をフィルタ105に往復通過させることができる。
また、供給管102内でレジスト液を往復移動させるためのポンプ104の駆動を制御することによって、レジスト液がフィルタ105を通過する回数を容易に制御することができる。したがって、レジスト液中の異物をより確実に除去することができる。
以上の実施の形態では、フィルタ105の上流側の供給管102と下流側の供給管102が、塗布ノズル32から一のウェハWに対して供給される1回分の供給量のレジスト液を貯留していたが、フィルタ105の上流側におけるレジスト液の流路と下流側におけるレジスト液の流路が、それぞれ1回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていればよい。例えばフィルタ105の上流側のポンプ104が1回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていてもよく、フィルタ105の下流側のトラップ106が1回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていてもよい。いずれの場合でも、レジスト液をフィルタ105に確実に往復通過させることができる。
以上の実施の形態では、レジスト液をフィルタ105に往復通過させるために、フィルタ105の下流側の供給管102に設けられたトラップ106を遮断機構として用いたが、遮断機構には他の種々の機構を用いることができる。例えばトラップ106を省略してバルブ107を遮断機構として用いてもよい。また、例えばトラップ106に代えてタンク(図示せず)を設け、当該タンクを遮断機構として用いてもよい。或いは、例えばトラップ106を省略し、供給管102を鉛直上方に立ち上げることによって当該鉛直上方に立ち上げられた供給管102を遮断機構として用いてもよい。いずれの場合でも、フィルタ105の下流側の供給管102においてレジスト液の流通を遮断することができ、レジスト液をフィルタ105に往復通過させることができる。
以上の実施の形態のレジスト液供給装置100には、図4に示すようにポンプ104とトラップ106の間の供給管102においてフィルタ105が複数段に設けられていてもよい。なお、図示の例においてはフィルタ105が2段に設けられているが、3段以上設けてもよい。
かかる場合、供給管102内にレジスト液を流通させるとフィルタ105を2回通過することになるので、レジスト液中の異物をより確実に除去することができる。特に本実施の形態のようにレジスト液をフィルタ105に往復通過させる際、レジスト液を流通させる度にフィルタ105を2回通過するので、異物を除去する効果はより大きくなる。
なお、図4に図示したレジスト液供給装置100において、2段のフィルタ105、105間の供給管102が、塗布ノズル32から一のウェハWに対して供給される1回分の供給量のレジスト液を貯留するようにしてもよい。かかる場合、レジスト液をフィルタ105に確実に往復通過させることができる。
また、上流側のフィルタ105と下流側のフィルタ105で異なる種類のフィルタを用いてもよい。例えば上流側のフィルタ105には、複数の孔が形成されたふるい状のフィルタであって、当該複数の孔によってレジスト液中の異物が直接捕集されるフィルタを用いてもよい。また例えば下流側のフィルタ105には、表層フィルタ又は深層フィルタを用いてもよい。かかる場合、上流側のフィルタ105では捕集された異物が再飛散するおそれがあるが、下流側のフィルタ105では捕集された異物が再飛散しないので、レジスト液中の異物を適切に除去することができる。そして、例えば上流側のフィルタ105で大きい径を有する異物を捕集し、下流側のフィルタ105で小さい径を有する異物を捕集して、レジスト液中の異物を確実に除去することができる。
以上の実施の形態では、フィルタ105はポンプ104の下流側に設けられていたが、ポンプ104の上流側に設けられていてもよい。かかる場合、図5に示すようにリキッドエンドタンク103とポンプ104の間の供給管102には、フィルタ105が設けられる。フィルタ105の上流側であって、リキッドエンドタンク103とフィルタ105の間の供給管102には、レジスト液の流通を遮断するバルブ210が設けられる。バルブ210の開閉動作は、後述する制御部200の制御によって制御される。また、フィルタ105の上流側であって、バルブ210とフィルタ105の間の供給管102には、レジスト液の流通を遮断するトラップ211が設けられる。トラップ211は、その容積を可変に構成されている。トラップ211とフィルタ105の間の供給管102は、塗布ノズル32から一のウェハWに対して供給される1回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有している。また、フィルタ105とポンプ104の間の供給管102も、1回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有している。
そして、制御部200によってバルブ210を開くと共に、ポンプ104を駆動させる。そうすると、リキッドエンドタンク103から流出したレジスト液は、下流側の供給管102に流入する。ポンプ104にレジスト液が所定量補充されると、バルブ210を閉じる。そして、トラップ211とポンプ104の間において、ポンプ104の駆動によってレジスト液をフィルタ105に往復通過させる。その後、バルブ107を開くと共にポンプ104を駆動させることにより、フィルタ105を往復通過して異物が除去されたレジスト液は、塗布ノズル32に供給される。
本実施の形態によっても、トラップ211とポンプ104の間において、供給管102内を流通するレジスト液をフィルタ105に往復通過させているので、レジスト液中の異物を十分に除去することができる。そして、このように異物が除去されたレジスト液が塗布ノズル32を介してウェハWに供給されるので、ウェハWのレジストパターンの欠陥を低減することができる。
以上の実施の形態では、フィルタ105の上流側の供給管102と下流側の供給管102が、塗布ノズル32から一のウェハWに対して供給される1回分の供給量のレジスト液を貯留していたが、フィルタ105の上流側におけるレジスト液の流路と下流側におけるレジスト液の流路が、それぞれ1回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていればよい。例えばフィルタ105の下流側にレジスト液を一時的に貯留するタンク(図示せず)を設け、当該タンクが1回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていてもよい。また、フィルタ105の上流側のトラップ211が1回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていてもよい。いずれの場合でも、レジスト液をフィルタ105に確実に往復通過させることができる。
以上の実施の形態では、塗布ノズル32にレジスト液を供給する場合について説明したが、本発明は、レジスト液以外の処理液を供給する場合にも有効である。例えば処理液として、現像液、リンス液(レジスト液の溶剤)、純水、薬液等を供給する場合、すなわちフォトリソグラフィー処理においてウェハW上に各種処理液を供給する場合に有効である。そして、本発明の処理液供給方法(処理液供給装置)を用いて、レジスト液以外の上記他の処理液を供給すると、異物が十分に除去された処理液をウェハW上に供給することができる。したがって、ウェハWの欠陥を低減することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する際に有用である。
1 レジスト塗布装置
32 塗布ノズル
100 レジスト液供給装置
101 レジスト液供給源
102 供給管
103 リキッドエンドタンク
104 ポンプ
105 フィルタ
106 トラップ
107、108 バルブ
200 制御部
210 バルブ
211 トラップ
W ウェハ

Claims (16)

  1. 基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給方法であって、
    前記処理液供給部に接続された供給管には、処理液中の異物を捕集して離脱させないフィルタが設けられ、
    前記供給管内を流通する処理液を前記フィルタに少なくとも1回往復通過させて、当該処理液を前記処理液供給部に供給することを特徴とする、処理液供給方法。
  2. 前記フィルタの上流側における処理液の流路と下流側における処理液の流路は、それぞれ前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を一時的に貯留可能に構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の処理液供給方法。
  3. 前記供給管には、当該供給管内で処理液を流通させるためのポンプが設けられ、
    前記ポンプの駆動に基づいて、処理液が前記フィルタを往復通過する回数を制御することを特徴とする、請求項1又は2に記載の処理液供給方法。
  4. 前記フィルタは複数段に設けられ、
    処理液は前記複数段のフィルタを往復通過することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の処理液供給方法。
  5. 前記フィルタは、当該フィルタの表層に処理液中の異物を吸着して捕集することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の処理液供給方法。
  6. 前記フィルタは、当該フィルタの内部に形成された複数の孔によって処理液中の異物を物理的に捕集することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の処理液供給方法。
  7. 請求項1〜6のいずれかに記載の処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるために、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
  8. 請求項9に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
  9. 基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給装置であって、
    内部に処理液を貯留する処理液供給源と、
    前記処理液供給源から前記処理液供給部に処理液を供給するための供給管と、
    前記供給管に設けられ、処理液中の異物を捕集して離脱させないフィルタと、
    前記供給管に設けられ、処理液を流通させるためのポンプと、
    前記供給管内を流通する処理液を前記フィルタに少なくとも1回往復通過させて、当該処理液を前記処理液供給部に供給するように前記ポンプを制御する制御部と、を有することを特徴とする、処理液供給装置。
  10. 前記フィルタの上流側における処理液の流路と下流側における処理液の流路は、それぞれ前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を一時的に貯留可能に構成されていることを特徴とする、請求項9に記載の処理液供給装置。
  11. 前記制御部は、前記ポンプの駆動に基づいて、処理液が前記フィルタを往復通過する回数を制御することを特徴とする、請求項9又は10に記載の処理液供給装置。
  12. 前記フィルタは複数段に設けられていることを特徴とする、請求項9〜11のいずれかに記載の処理液供給装置。
  13. 前記フィルタは、当該フィルタの表層に処理液中の異物を吸着して捕集することを特徴とする、請求項9〜12のいずれかに記載の処理液供給装置。
  14. 前記フィルタは、当該フィルタの内部に形成された複数の孔によって処理液中の異物を物理的に捕集することを特徴とする、請求項9〜12のいずれかに記載の処理液供給装置。
  15. 前記フィルタは、前記ポンプの上流側に設けられていることを特徴とする、請求項9〜14のいずれかに記載の処理液供給装置。
  16. 前記フィルタは、前記ポンプの下流側に設けられ、
    前記フィルタの下流側の供給管には、処理液の流通を遮断可能な遮断機構が設けられていることを特徴とする、請求項9〜14のいずれかに記載の処理液供給装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072985A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP2016063205A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 塗布装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5967045B2 (ja) 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
US9837290B2 (en) * 2014-01-24 2017-12-05 Tokyo Electron Limited Processing liquid nozzle
US9817315B2 (en) 2014-03-13 2017-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for supplying and dispensing bubble-free photolithography chemical solutions

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0248171U (ja) * 1988-09-30 1990-04-03
JPH10172881A (ja) * 1996-12-06 1998-06-26 Sony Corp フォトレジスト塗布装置
JP2008305980A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Tokyo Electron Ltd 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体
JP2009279540A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Jsr Corp ろ過器及び電子材料用組成物の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4011210B2 (ja) * 1998-10-13 2007-11-21 株式会社コガネイ 薬液供給方法および薬液供給装置
US20080264443A1 (en) * 2002-02-05 2008-10-30 Novellus Systems, Inc. Apparatus and methods for increasing the rate of solute concentration evolution in a supercritical process chamber
NL1028247C2 (nl) * 2005-02-10 2006-08-11 Fluxxion B V Inrichting en werkwijze voor het filtreren van vloeistof.
US20090057210A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-05 Kenneth Charles Barrett In-line filtration systems

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0248171U (ja) * 1988-09-30 1990-04-03
JPH10172881A (ja) * 1996-12-06 1998-06-26 Sony Corp フォトレジスト塗布装置
JP2008305980A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Tokyo Electron Ltd 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体
JP2009279540A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Jsr Corp ろ過器及び電子材料用組成物の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072985A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP2016063205A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 塗布装置
US10600647B2 (en) 2014-09-22 2020-03-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Coating apparatus

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