JP2013098260A - 集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バイアス回路4は、増幅トランジスタM1が増幅を行えるようにバイアス電圧BA1を設定し、静電保護回路2は、増幅トランジスタM1にかかる電圧に基づいて、増幅トランジスタM1がオフするように増幅トランジスタM1のバイアス電圧BA1を設定し、切替回路3は、電源の供給状態に基づいて、増幅トランジスタM1のバイアス電圧BA1を切り替える。
【選択図】 図1
Description
図1は、第1実施形態に係る集積回路の概略構成を示す回路図である。
図1において、この集積回路には、増幅回路1、静電保護回路2、切替回路3およびバイアス回路4が設けられている。また、この集積回路には、静電保護素子として、ダイオードD1〜D8が設けられている。
図2において、増幅回路1およびレギュレータ7は半導体チップ11に搭載されている。レギュレータ7は、電源電圧VDD1を電源電圧VDD2に変換することができる。ここで、レギュレータ7には、コンパレータPAが設けられている。コンパレータPAには、電源電圧VDD1が供給され、電源電圧VDD2を基準電圧refと比較することができる。
図3は、第2実施形態に係る集積回路の概略構成を示す回路図である。
図3において、この集積回路では、図1の集積回路の静電保護回路2の代わりに静電保護回路5が設けられている。静電保護回路5は、増幅トランジスタM1、M2にかかる電圧に基づいて、増幅トランジスタM2がオフするように増幅トランジスタM2のバイアス電圧BA2を設定することができる。ここで、静電保護回路5には、スイッチングトランジスタM3の代わりにスイッチングトランジスタM4が設けられている。なお、スイッチングトランジスタM4は、例えば、Nチャンネル電界効果トランジスタを用いることができる。そして、スイッチングトランジスタM4のドレインは、増幅トランジスタM2のゲートに接続されている。スイッチングトランジスタM4のソースは、接地端子GND_LNAに接続されている。インバータN3の出力はスイッチングトランジスタM4のゲートに接続されている。
図4は、第3実施形態に係る集積回路の概略構成を示す回路図である。
図4において、この集積回路では、図1の集積回路の静電保護回路2の代わりに静電保護回路6が設けられている。
Claims (5)
- 入力信号を増幅する第1の増幅トランジスタと、
前記第1の増幅トランジスタに直列に接続された第2の増幅トランジスタと、
バイアストランジスタのカレントミラー動作に基づいて、前記第1および第2の増幅トランジスタが増幅を行えるようにバイアス電圧を設定するバイアス回路と、
前記第1の増幅トランジスタのゲートとソースとの間をオン/オフする第1のスイッチングトランジスタと、
前記第2の増幅トランジスタのゲートとソースとの間をオン/オフする第2のスイッチングトランジスタと、
前記バイアストランジスタのゲートとソースとの間をオン/オフする第3のスイッチングトランジスタと、
前記バイアス回路の電源にかかる電圧を検出する抵抗と、
前記抵抗を介して検出された電圧に基づいて、前記第1、第2および第3のスイッチングトランジスタがオンするように前記第1、第2および第3のスイッチングトランジスタのゲートを駆動するインバータと、
電源の供給状態に基づいて、前記第1、第2および第3のスイッチングトランジスタがオフするように前記インバータを介して前記第1、第2および第3のスイッチングトランジスタのゲートを駆動する切替回路を備えることを特徴とする集積回路。 - 入力信号を増幅する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタが増幅を行えるようにバイアス電圧を設定するバイアス回路と、
前記増幅トランジスタにかかる電圧に基づいて、前記増幅トランジスタがオフするように前記増幅トランジスタのバイアス電圧を設定する静電保護回路と、
電源の供給状態に基づいて、前記増幅トランジスタのバイアス電圧を切り替える切替回路とを備えることを特徴とする集積回路。 - 前記静電保護回路は、
前記増幅トランジスタのゲートとソースとの間をオン/オフするスイッチングトランジスタと、
前記バイアス回路の電源にかかる電圧を検出する抵抗と、
前記抵抗を介して検出された電圧に基づいて、前記スイッチングトランジスタがオンするように前記スイッチングトランジスタのゲートを駆動するインバータとを備え、
前記切替回路は、電源の供給状態に基づいて、前記スイッチングトランジスタがオフするように前記インバータを介して前記スイッチングトランジスタのゲートを駆動することを特徴とする請求項2に記載の集積回路。 - 前記バイアス回路は、
カレントミラー動作を行う第1のバイアストランジスタと、
前記第1のバイアストランジスタのカレントミラー動作に基づいて、前記バイアス回路の電源にかかる電圧をインピーダンス分割する第2のバイアストランジスタとを備え、
前記静電保護回路は、
前記第1のバイアストランジスタのゲートとソースとの間をオン/オフするスイッチングトランジスタと、
前記バイアス回路の電源にかかる電圧を検出する抵抗と、
前記抵抗を介して検出された電圧に基づいて、前記スイッチングトランジスタがオンするように前記スイッチングトランジスタのゲートを駆動するインバータとを備え、
前記切替回路は、電源の供給状態に基づいて、前記スイッチングトランジスタがオフするように前記インバータを介して前記スイッチングトランジスタのゲートを駆動することを特徴とする請求項2に記載の集積回路。 - 前記増幅トランジスタは、
入力信号を増幅する第1の増幅トランジスタと、
前記第1の増幅トランジスタに直列に接続された第2の増幅トランジスタとを備えることを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の集積回路。
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