JP2013070375A - アクティブインダクタ - Google Patents
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- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000013515 script Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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Abstract
【解決手段】ソース、ドレイン、及びゲートを含むpMOSトランジスタであって、前記pMOSトランジスタの前記ソースが電源Vddと接続し、抵抗Rの一端が前記pMOSトランジスタの前記ゲートに接続し、前記抵抗Rの他端が前記pMOSトランジスタの前記ドレインに接続している回路において、電源からの直流バイアスの略フルレンジに対して、インダクテイブインピーダンスを生成し、インダクタの特性を有する。
【選択図】図3
Description
Claims (12)
- ソース、ドレイン、及びゲートを含むpMOSトランジスタであって、前記pMOSトランジスタの前記ソースが電源と接続している、pMOSトランジスタと;
一端と他端とを含む抵抗であって、前記抵抗の前記一端が前記pMOSトランジスタの前記ゲートに接続し、前記抵抗の前記他端が前記pMOSトランジスタの前記ドレインに接続している、抵抗と;
を有する回路。 - 前記回路は、インダクタの特性を有し、かつインダクティブインピーダンスを生成する、請求項1記載の回路。
- 一端と他端とを含む電流源であって、前記電流源の前記一端が前記pMOSトランジスタの前記ゲート及び前記抵抗の前記一端に接続し、かつ前記電流源の前記他端がグラウンドに接続している、電流源、を更に有する請求項1記載の回路。
- 前記回路は、直流バイアスの略フルレンジに渡って動作するインダクティブインピーダンスを生成する、請求項3記載の回路。
- 前記直流バイアスは、0ボルトと前記電源の電圧との間である、請求項4記載の回路。
- ソース、ドレイン、及びゲートを含むnMOSトランジスタであって、前記nMOSトランジスタの前記ドレインがグラウンドに接続している、nMOSトランジスタと;
一端と他端とを含む抵抗であって、前記抵抗の前記一端が前記nMOSトランジスタの前記ゲートに接続し、前記抵抗の前記他端が前記nMOSトランジスタの前記ソースに接続している、抵抗と;
一端と他端とを含む電流源であって、前記電流源の前記一端が前記nMOSトランジスタの前記ゲート及び前記抵抗の前記一端に接続している、電流源と;
を有する回路。 - 前記回路は、インダクタの特性を有し、かつインダクティブインピーダンスを生成する、請求項6記載の回路。
- 前記回路は、直流バイアスの略フルレンジに渡って動作するインダクティブインピーダンスを生成する、請求項6記載の回路。
- ソース、ドレイン、及びゲートを含むpMOSトランジスタであって、前記pMOSトランジスタの前記ソースが電源と接続している、pMOSトランジスタと;
ソース、ドレイン、及びゲートを含むnMOSトランジスタであって、前記nMOSトランジスタの前記ソースが、前記pMOSトランジスタの前記ドレインと接続し、前記nMOSトランジスタの前記ゲートが、前記pMOSトランジスタの前記ゲートと接続し、かつ前記nMOSトランジスタの前記ドレインがグラウンドに接続している、nMOSトランジスタと;
一端と他端とを含む抵抗であって、前記抵抗の前記一端が前記pMOSトランジスタの前記ゲート及び前記nMOSトランジスタの前記ゲートと接続し、かつ前記抵抗の前記他端が前記pMOSトランジスタの前記ドレイン及び前記nMOSトランジスタの前記ソースに接続している、抵抗と;
を有する回路。 - 前記回路は、インダクタの特性を有し、かつインダクティブインピーダンスを生成する、請求項9記載の回路。
- 前記回路は、直流バイアスの略フルレンジに渡って動作するインダクティブインピーダンスを生成する、請求項9記載の回路。
- 前記直流バイアスは、0ボルトと前記電源の電圧との間である、請求項11記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/239,240 | 2011-09-21 | ||
US13/239,240 US8766746B2 (en) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | Active inductor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013070375A true JP2013070375A (ja) | 2013-04-18 |
JP5974765B2 JP5974765B2 (ja) | 2016-08-23 |
Family
ID=47879866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012207217A Active JP5974765B2 (ja) | 2011-09-21 | 2012-09-20 | アクティブインダクタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8766746B2 (ja) |
JP (1) | JP5974765B2 (ja) |
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US11456023B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-09-27 | Kioxia Corporation | Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device |
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US20130069165A1 (en) | 2013-03-21 |
JP5974765B2 (ja) | 2016-08-23 |
US8766746B2 (en) | 2014-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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