JP2013067607A - 成膜材料、それを用いた封止膜、及びその用途 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも一つのケイ素原子に直結した二級炭素水素基を有し、ケイ素原子1に対し、酸素原子が0.5以下の原子比を有する有機ケイ素化合物、例えば下記一般式(1)を原料として用い、CVDにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる膜を封止膜としてガスバリア部材、FPDデバイス、半導体デバイス等に用いる。
(式中、R1,R2は炭素数1〜20の炭化水素基を表す。R1,R2は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R3,R4は炭素数1〜20の炭化水素基または水素原子を表す。)
【選択図】なし
Description
で示されるジシロキサン化合物、
下記一般式(2)
で示されるシラン化合物、
下記一般式(3)
で示される環状シラン化合物であることが好ましい。
のケイ素原子に直結した水素原子を有するジシロキサン化合物が特に好ましく、ガスバリア性が極めて高い封止膜を高成膜速度に形成することができる場合がある。
1,3−ジイソプロピルジシロキサン、
1,3−ジイソプロピル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジフェニルジシロキサン、
1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラビニルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトライソブチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、
1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジsec−ブチルジシロキサン、
1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,1,3,3,3−ヘキサイソプロピルジシロキサン、
1,3−ジsec−ブチルジシロキサン、
1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラsec−ブチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジフェニルジシロキサン、
1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラビニルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトライソブチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、
1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラsec−ブチルイソプロピル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,1,3,3,3−ヘキサsec−ブチルジシロキサン、
1,3−ジシクロペンチルジシロキサン、
1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジフェニルジシロキサン、
1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラビニルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトライソブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、
1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジsec−ブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,1,3,3,3−ヘキサシクロペンチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニルジシロキサン、
1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジフェニルジシロキサン、
1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラビニルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトライソブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、
1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジsec−ブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,1,3,3,3−ヘキサシクロペンタジエニルジシロキサン、
1,3−ジシクロヘキシルジシロキサン、
1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジフェニルジシロキサン、
1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラビニルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトライソブチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシロキサン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、
1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジビニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジn−プロピルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジn−ブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジイソブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジsec−ブチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,1,3,3,3−ヘキサシクロヘキシルジシロキサン、
等が例示できる。
で示される有機化合物と、有機リチウム又は金属リチウム粒子とを反応させて製造した、二級炭化水素基及び/又はアルケニル基とリチウム原子とが直結した化合物を製造し、この化合物と下記一般式(6)
で示されるハロゲン化アルコキシシラン類とを反応させることにより、下記一般式(7)
で表される加水分解可能な有機シラン化合物を製造する。
ジクロロシラン、ジブロモシラン、ジヨードシラン、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、
メチルジクロロシラン、メチルジブロモシラン、メチルジヨードシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、
エチルジクロロシラン、エチルジブロモシラン、エチルジヨードシラン、エチルジメトキシシラン、エチルジエトキシシラン、
n−プロピルジクロロシラン、n−プロピルジブロモシラン、n−プロピルジヨードシラン、n−プロピルジメトキシシラン、n−プロピルジエトキシシラン、イソプロピルジクロロシラン、イソプロピルジブロモシラン、イソプロピルジヨードシラン、イソプロピルジメトキシシラン、イソプロピルジエトキシシラン、
n−ブチルジクロロシラン、n−ブチルジブロモシラン、n−ブチルジヨードシラン、n−ブチルジメトキシシラン、n−ブチルジエトキシシラン、イソブチルジクロロシラン、イソブチルジブロモシラン、イソブチルジヨードシラン、イソブチルジメトキシシラン、イソブチルジエトキシシラン、sec−ブチルジクロロシラン、sec−ブチルジブロモシラン、sec−ブチルジヨードシラン、sec−ブチルジメトキシシラン、sec−ブチルジエトキシシラン、tert.−ブチルジクロロシラン、tert.−ブチルジブロモシラン、tert.−ブチルジヨードシラン、tert.−ブチルジメトキシシラン、tert.−ブチルジエトキシシラン等が挙げられる。
ジエチルジクロロシラン、ジエチルジブロモシラン、ジエチルジヨードシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、
ジn−プロピルジクロロシラン、ジn−プロピルジブロモシラン、ジn−プロピルジヨードシラン、ジn−プロピルジメトキシシラン、ジn−プロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジクロロシラン、ジイソプロピルジブロモシラン、ジイソプロピルジヨードシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピルジエトキシシラン、
ジn−ブチルジクロロシラン、ジn−ブチルジブロモシラン、ジn−ブチルジヨードシラン、ジn−ブチルジメトキシシラン、ジn−ブチルジエトキシシラン、ジイソブチルジクロロシラン、ジイソブチルジブロモシラン、ジイソブチルジヨードシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、ジイソブチルジエトキシシラン、ジsec−ブチルジクロロシラン、sec−ブチルジブロモシラン、ジsec−ブチルジヨードシラン、ジsec−ブチルジメトキシシラン、ジsec−ブチルジエトキシシラン、ジtert.−ブチルジクロロシラン、ジtert.−ブチルジブロモシラン、ジtert.−ブチルジヨードシラン、ジtert.−ブチルジメトキシシラン、ジtert.−ブチルジエトキシシラン、
ジビニルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジメトキシシラン等が挙げられる。
イソプロピルシラン、イソプロピルメチルシラン、イソプロピルエチルシラン、イソプロピルn−プロピルシラン、イソプロピルn−ブチルシラン、イソプロピルイソブチルシラン、イソプロピルsec−ブチルシラン、イソプロピルsec−ブチルシラン、イソプロピルn−ヘキシルシラン、イソプロピルシクロヘキシルシラン、イソプロピルシクロペンチルシラン、イソプロピルシクロペンタジエニルシラン、イソプロピルフェニルシラン、
イソプロピルジメチルシラン、イソプロピルジエチルシラン、イソプロピルジエチルシラン、イソプロピルジn−プロピルシラン、イソプロピルジn−ブチルシラン、イソプロピルジイソブチルシラン、イソプロピルジsec−ブチルシラン、イソプロピルジn−ヘキシルシラン、イソプロピルジシクロヘキシルシラン、イソプロピルジシクロペンチルシラン、イソプロピルジシクロペンタジエニルシラン、イソプロピルジフェニルシラン、
ジイソプロピルシラン、ジイソプロピルメチルシラン、ジイソプロピルエチルシラン、ジイソプロピルn−プロピルシラン、ジイソプロピルn−ブチルシラン、ジイソプロピルsec−ブチルシラン、ジイソプロピルsec−ブチルシラン、ジイソプロピルn−ヘキシルシラン、ジイソプロピルシクロヘキシルシラン、ジイソプロピルシクロペンチルシラン、ジイソプロピルシクロペンタジエニルシラン、ジイソプロピルフェニルシラン、
トリイソプロピルシラン、トリイソプロピルメチルシラン、トリイソプロピルエチルシラン、トリイソプロピルn−プロピルシラン、トリイソプロピルn−ブチルシラン、トリイソプロピルイソブチルシラン、トリイソプロピルsec.−ブチルシラン、トリイソプロピルn−ヘキシルシラン、トリイソプロピルシクロヘキシルシラン、トリイソプロピルシクロペンチルシラン、トリイソプロピルシクロペンタジエニルシラン、トリイソプロピルフェニルシラン、テトライソプロピルシラン
sec.−ブチルシラン、sec.−ブチルメチルシラン、sec.−ブチルエチルシラン、sec.−ブチルn−プロピルシラン、sec.−ブチルn−ブチルシラン、sec.−ブチルイソブチルシラン、sec.−ブチルsec−ブチルシラン、sec.−ブチルsec−ブチルシラン、sec.−ブチルn−ヘキシルシラン、sec.−ブチルシクロヘキシルシラン、sec.−ブチルシクロペンチルシラン、sec.−ブチルシクロペンタジエニルシラン、sec.−ブチルフェニルシラン、
sec.−ブチルジメチルシラン、sec.−ブチルジエチルシラン、sec.−ブチルジエチルシラン、sec.−ブチルジn−プロピルシラン、sec.−ブチルジn−ブチルシラン、sec.−ブチルジイソブチルシラン、sec.−ブチルジsec−ブチルシラン、sec.−ブチルジn−ヘキシルシラン、sec.−ブチルジシクロヘキシルシラン、sec.−ブチルジシクロペンチルシラン、sec.−ブチルジシクロペンタジエニルシラン、sec.−ブチルジフェニルシラン、
ジsec.−ブチルシラン、ジsec.−ブチルメチルシラン、ジsec.−ブチルエチルシラン、ジsec.−ブチルn−プロピルシラン、ジsec.−ブチルn−ブチルシラン、ジsec.−ブチルジイソブチルシラン、ジsec.−ブチルsec−ブチルシラン、ジsec.−ブチルn−ヘキシルシラン、ジsec.−ブチルシクロヘキシルシラン、ジsec.−ブチルシクロペンチルシラン、ジsec.−ブチルシクロペンタジエニルシラン、ジsec.−ブチルフェニルシラン、
トリsec.−ブチルシラン、トリsec.−ブチルメチルシラン、トリsec.−ブチルエチルシラン、トリsec.−ブチルn−プロピルシラン、トリsec.−ブチルn−ブチルシラン、トリsec.−ブチルイソブチルシラン、トリsec.−ブチルn−ヘキシルシラン、トリsec.−ブチルシクロヘキシルシラン、トリsec.−ブチルシクロペンチルシラン、トリsec.−ブチルシクロペンタジエニルシラン、トリsec.−ブチルフェニルシラン、テトラsec.−ブチルシラン
シクロペンチルシラン、シクロペンチルメチルシラン、シクロペンチルエチルシラン、シクロペンチルn−プロピルシラン、シクロペンチルn−ブチルシラン、シクロペンチルイソブチルシラン、シクロペンチルsec−ブチルシラン、シクロペンチルsec−ブチルシラン、シクロペンチルn−ヘキシルシラン、シクロペンチルシクロヘキシルシラン、、シクロペンチルシクロペンタジエニルシラン、シクロペンチルフェニルシラン、
シクロペンチルジメチルシラン、シクロペンチルジエチルシラン、シクロペンチルジエチルシラン、シクロペンチルジn−プロピルシラン、シクロペンチルジn−ブチルシラン、シクロペンチルジイソブチルシラン、シクロペンチルジsec−ブチルシラン、シクロペンチルジn−ヘキシルシラン、シクロペンチルジシクロヘキシルシラン、シクロペンチルジシクロペンチルシラン、シクロペンチルジシクロペンタジエニルシラン、シクロペンチルジフェニルシラン、
ジシクロペンチルシラン、ジシクロペンチルメチルシラン、ジシクロペンチルエチルシラン、ジシクロペンチルn−プロピルシラン、ジシクロペンチルn−ブチルシラン、ジシクロペンチルジイソブチルシラン、ジシクロペンチルsec−ブチルシラン、ジシクロペンチルsec−ブチルシラン、ジシクロペンチルn−ヘキシルシラン、ジシクロペンチルシクロヘキシルシラン、ジシクロペンチルシクロペンタジエニルシラン、ジシクロペンチルフェニルシラン、
トリシクロペンチルシラン、トリシクロペンチルメチルシラン、トリシクロペンチルエチルシラン、トリシクロペンチルn−プロピルシラン、トリシクロペンチルn−ブチルシラン、トリシクロペンチルイソブチルシラン、トリシクロペンチルsec.−ブチルシラン、トリシクロペンチルn−ヘキシルシラン、トリシクロペンチルシクロヘキシルシラン、トリシクロペンチルシクロペンタジエニルシラン、トリシクロペンチルフェニルシラン、テトラシクロペンチルシラン
シクロペンタジエニルシラン、シクロペンタジエニルメチルシラン、シクロペンタジエニルエチルシラン、シクロペンタジエニルn−プロピルシラン、シクロペンタジエニルn−ブチルシラン、シクロペンタジエニルイソブチルシラン、シクロペンタジエニルsec−ブチルシラン、シクロペンタジエニルsec−ブチルシラン、シクロペンタジエニルn−ヘキシルシラン、シクロペンタジエニルシクロヘキシルシラン、シクロペンタジエニルシクロペンチルシラン、シクロペンタジエニルフェニルシラン、
シクロペンタジエニルジメチルシラン、シクロペンタジエニルジエチルシラン、シクロペンタジエニルジエチルシラン、シクロペンタジエニルジn−プロピルシラン、シクロペンタジエニルジn−ブチルシラン、シクロペンタジエニルジイソブチルシラン、シクロペンタジエニルジsec−ブチルシラン、シクロペンタジエニルジn−ヘキシルシラン、シクロペンタジエニルジシクロヘキシルシラン、シクロペンタジエニルジシクロペンチルシラン、シクロペンタジエニルジフェニルシラン、
ジシクロペンタジエニルシラン、ジシクロペンタジエニルメチルシラン、ジシクロペンタジエニルエチルシラン、ジシクロペンタジエニルn−プロピルシラン、ジシクロペンタジエニルn−ブチルシラン、ジシクロペンタジエニルジイソブチルシラン、ジシクロペンタジエニルsec−ブチルシラン、ジシクロペンタジエニルsec−ブチルシラン、ジシクロペンタジエニルn−ヘキシルシラン、ジシクロペンタジエニルシクロヘキシルシラン、ジシクロペンタジエニルシクロペンチルシラン、ジシクロペンタジエニルフェニルシラン、
トシクロペンタジエニルシラン、トリシクロペンタジエニルメチルシラン、トリシクロペンタジエニルエチルシラン、トリシクロペンタジエニルn−プロピルシラン、トリシクロペンタジエニルn−ブチルシラン、トリシクロペンタジエニルイソブチルシラン、トリシクロペンタジエニルsec.−ブチルシラン、トリシクロペンタジエニルn−ヘキシルシラン、トリシクロペンタジエニルシクロヘキシルシラン、トリシクロペンタジエニルシクロペンチルシラン、トリシクロペンタジエニルフェニルシラン、
テトラシクロペンタジエニルシラン
シクロヘキシルシラン、シクロヘキシルメチルシラン、シクロヘキシルエチルシラン、シクロヘキシルn−プロピルシラン、シクロヘキシルn−ブチルシラン、シクロヘキシルイソブチルシラン、シクロヘキシルsec−ブチルシラン、シクロヘキシルsec−ブチルシラン、シクロヘキシルn−ヘキシルシラン、シクロヘキシルシクロヘキシルシラン、シクロヘキシルシクロペンチルシラン、シクロヘキシルシクロペンタジエニルシラン、
シクロヘキシルフェニルシラン、
シクロヘキシルジメチルシラン、シクロヘキシルジエチルシラン、シクロヘキシルジエチルシラン、シクロヘキシルジn−プロピルシラン、シクロヘキシルジn−ブチルシラン、シクロヘキシルジイソブチルシラン、シクロヘキシルジsec−ブチルシラン、シクロヘキシルジn−ヘキシルシラン、シクロヘキシルジシクロペンチルシラン、シクロヘキシルジシクロペンタジエニルシラン、シクロヘキシルジフェニルシラン、
ジシクロヘキシルシラン、ジシクロヘキシルメチルシラン、ジシクロヘキシルエチルシラン、ジシクロヘキシルn−プロピルシラン、ジシクロヘキシルn−ブチルシラン、ジシクロヘキシルジイソブチルシラン、ジシクロヘキシルsec−ブチルシラン、ジシクロヘキシルn−ヘキシルシラン、ジシクロヘキシルシクロペンチルシラン、ジシクヘキシルシクロペンタジエニルシラン、ジシクロヘキシルフェニルシラン、
トリシクロヘキシルシラン、トリシクロヘキシルメチルシラン、トリシクロヘキシルエチルシラン、トリシクロヘキシルn−プロピルシラン、トリシクロヘキシルn−ブチルシラン、トリシクロヘキシルイソブチルシラン、トリシクロヘキシルsec.−ブチルシラン、トリシクロヘキシルn−ヘキシルシラン、トリシクロヘキシルシクロペンチルシラン、トリシクロヘキシルシクロペンタジエニルシラン、トリシクロヘキシルフェニルシラン、
テトラシクロヘキシルシラン
等のモノシラン類、
1,3−ジイソプロピルジシラン、
1,3−ジイソプロピル−1,3−ジメチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジエチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジビニルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジsec.−ブチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジフェニルジシラン、
1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラエチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラビニルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトライソブチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシラン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラフェニルジシラン、
1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジメチルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジエチルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジビニルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジsec−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジフェニルジシラン、1,1,1,3,3,3−ヘキサイソプロピルジシラン、
1,3−ジsec−ブチルジシラン、
1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジメチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジエチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジビニルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジsec.−ブチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジフェニルジシラン、
1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラメチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラエチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラビニルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトライソブチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシラン、1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラフェニルジシラン、
1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジメチルジシラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジエチルジシラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジビニルジシラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチルイソプロピル−1,3−ジn−プロピルジラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジsec−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトラsec−ブチル−1,3−ジフェニルジシラン、1,1,1,3,3,3−ヘキサsec−ブチルジシラン、
1,3−ジシクロペンチルジシラン、
1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジメチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジエチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジビニルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジsec.−ブチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,3−ジフェニルジシラン、
1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラメチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラエチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラビニルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトライソブチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシラン、1,3−ジシクロペンチル−1,1,3,3−テトラフェニルジシラン、
1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジメチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジエチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジビニルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジsec−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンチル−1,3−ジフェニルジシラン、1,1,1,3,3,3−ヘキサシクロペンチルジシラン、
1,3−ジシクロペンタジエニルジシラン、
1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジメチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジエチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジビニルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジsec.−ブチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,3−ジフェニルジシラン、
1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラメチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラエチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラビニルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトライソブチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシラン、1,3−ジシクロペンタジエニル−1,1,3,3−テトラフェニルジシラン、
1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジメチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジエチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジビニルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジsec−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロペンタジエニル−1,3−ジフェニルジシラン、1,1,1,3,3,3−ヘキサシクロペンタジエニルジシラン、
1,3−ジシクロヘキシルジシラン、
1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジメチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジエチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジビニルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジsec.−ブチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,3−ジフェニルジシラン、
1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラメチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラエチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラビニルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラn−プロピルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラn−ブチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトライソブチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラsec.−ブチルジシラン、1,3−ジシクロヘキシル−1,1,3,3−テトラフェニルジシラン、
1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジメチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジエチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジビニルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジn−プロピルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジn−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジsec−ブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジイソブチルジシラン、1,1,3,3−テトラシクロヘキシル−1,3−ジフェニルジシラン、1,1,1,3,3,3−ヘキサシクロヘキシルジシラン、
等のジシラン類をあげることができる。
1,2,3−トリsec−ブチルトリシラン、1,1,2,2,3,3−ヘキサsec−ブチルトリシラン、1,2,3,4−テトラsec−ブチルテトラシラン、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタsec−ブチルテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタsec−ブチルペンタシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカsec−ブチルペンタシラン等の鎖状ポリシラン類
を挙げることができる。
1,2,3,4−テトライソプロピルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタイソプロピルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサイソプロピルシクロヘキサシラン、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタイソプロピルシクロテトラシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカイソプロピルシクロペンタシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ウンデカイソプロピルシクロヘキサシラン、1,2,3,4−テトライソプロピル−1,2,3,4−テトラメチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトライソプロピル−1,2,3,4−テトラエチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトライソプロピル−1,2,3,4−テトラフェニルルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタイソプロピル−1,2,3,4,5−ペンタメチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタイソプロピル−1,2,3,4,5−ペンタエチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタイソプロピル−1,2,3,4,5−ペンタフェニルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサイソプロピル−1,2,3,4,5,6−ヘキサメチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサイソプロピル−1,2,3,4,5,6−ヘキサエチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサイソプロピル−1,2,3,4,5,6−ヘキサフェニルシクロヘキサシラン、
1,2,3,4−テトラsec.−ブチルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタsec.−ブチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサsec.−ブチルシクロヘキサシラン、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタsec.−ブチルシクロテトラシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカsec.−ブチルシクロペンタシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ウンデカsec.−ブチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4−テトラsec.−ブチル−1,2,3,4−テトラメチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトラsec.−ブチル−1,2,3,4−テトラエチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトラsec.−ブチル−1,2,3,4−テトラフェニルルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタsec.−ブチル−1,2,3,4,5−ペンタメチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタsec.−ブチル−1,2,3,4,5−ペンタエチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタsec.−ブチル−1,2,3,4,5−ペンタフェニルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサsec.−ブチル−1,2,3,4,5,6−ヘキサメチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサsec.−ブチル−1,2,3,4,5,6−ヘキサエチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサsec.−ブチル−1,2,3,4,5,6−ヘキサフェニルシクロヘキサシラン、
1,2,3,4−テトラシクロペンチルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロペンチルシクロペンチルシクロヘキサシラン、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタシクロペンチルシクロテトラシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカシクロペンチルシクロペンタシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ウンデカシクロペンチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4−テトラシクロペンチル−1,2,3,4−テトラメチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトラシクロペンチル−1,2,3,4−テトラエチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトラシクロペンチル−1,2,3,4−テトラフェニルルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンチル−1,2,3,4,5−ペンタメチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンチル−1,2,3,4,5−ペンタエチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンチル−1,2,3,4,5−ペンタフェニルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロペンチル−1,2,3,4,5,6−ヘキサメチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロペンチル−1,2,3,4,5,6−ヘキサエチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロペンチル−1,2,3,4,5,6−ヘキサフェニルシクロヘキサシラン、
1,2,3,4−テトラシクロペンタジエニルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンタジエニルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロペンチルシクロペンタジエニルシクロヘキサシラン、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタシクロペンタジエニルシクロテトラシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカシクロペンタジエニルシクロペンタシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ウンデカシクロペンタジエニルシクロヘキサシラン、1,2,3,4−テトラシクロペンタジエニル−1,2,3,4−テトラメチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトラシクロペンタジエニル−1,2,3,4−テトラエチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトラシクロペンタジエニル−1,2,3,4−テトラフェニルルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンタジエニル−1,2,3,4,5−ペンタメチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンタジエニル−1,2,3,4,5−ペンタエチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンタジエニル−1,2,3,4,5−ペンタフェニルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロペンタジエニル−1,2,3,4,5,6−ヘキサメチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロペンタジエニル−1,2,3,4,5,6−ヘキサエチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロペンタジエニル−1,2,3,4,5,6−ヘキサフェニルシクロヘキサシラン、
1,2,3,4−テトラシクロヘキシルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ヘキシシクロペンチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロヘキシルシクロペンチルシクロヘキサシラン、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタシクロヘキシルシクロテトラシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカシクロヘキシルシクロペンタシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ウンデカシクロヘキシルシクロヘキサシラン、1,2,3,4−テトラシクロヘキシル−1,2,3,4−テトラメチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトラシクロヘキシル−1,2,3,4−テトラエチルシクロテトラシラン、1,2,3,4−テトラシクロヘキシル−1,2,3,4−テトラフェニルルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロヘキシル−1,2,3,4,5−ペンタメチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロヘキシル−1,2,3,4,5−ペンタエチルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5−ペンタシクロヘキシル−1,2,3,4,5−ペンタフェニルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロヘキシル−1,2,3,4,5,6−ヘキサメチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロヘキシル−1,2,3,4,5,6−ヘキサエチルシクロヘキサシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサシクロヘキシル−1,2,3,4,5,6−ヘキサフェニルシクロヘキサシラン、
等の環状ポリシラン類
を挙げることができる。
下記一般式(8)
で示される有機化合物と、金属リチウム粒子とを反応させて製造することができる。
図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた1,3−ジイソプロピル−1,3−ジメチルジシロキサンの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、酸素ガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力500W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。
実施例1においてヘリウムガスの流量50sccm、酸素100sccmとしたこと
以外は、実施例1と同様にして封止膜を成膜した。
実施例1においてヘリウムガスの流量50sccm、酸素500sccmとしたこと以外は、実施例1と同様にして封止膜を成膜した。
図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたジイソプロピルメチルシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、酸素ガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力500W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。
図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた1,1,2,2,3,3,4,4−オクタイソプロピルシクロテトラシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、酸素ガスの流量100sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力500W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。
図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたビニルトリメトシキシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧133Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は、膜厚470nmであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Si=31atom%、C=20atom%、O=49atom%であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性1.44cc/m2・day、水透過性1.67g/m2・dayであった。また全光線透過率は86.5%、線膨張係数は30ppm/deg.、表面粗さは10nmであった。
図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラメトシキシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧133Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。
使用したポリエチレンナフタレートフィルム基板のガス透過性、全光線透過率、線膨張係数及び表面粗さを測定したところ、酸素透過性21.0cc/m2・day、水透過性6.70g/m2・dayであった。また全光線透過率は86.9%、線膨張係数は35ppm/deg.、表面粗さは1.4nmであった。
図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたジイソプロピルメチルシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、酸素ガスの流量500sccm、チャンバー内圧100Pa、基板温度室温、RF電源電力1000W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。
2 PECVDチャンバー
3 シャワーヘッドを有する上部電極
4 下部電極
5 薄膜形成用基板
6 マッチング回路
7 RF電源
8 温度制御装置
9 気化器
10 液体流量制御装置
11 気体流量制御装置
12 容器
13 原料化合物
14 不活性ガスを気化器経由でPECVD装置チャンバー内に供給する為の配管
15 不活性ガスにより加圧する配管
16 排気装置
17 アース
18 アース
19 誘導結合型リモートPECVD装置
20 PECVDチャンバー
21 コイル
22 石英管
23 ヒーター部
24 薄膜形成用基板
25 マッチング回路
26 RF電源
27 温度制御装置
28 気化器
29 液体流量制御装置
30 気体流量制御装置
31 シャワーヘッド
32 容器
33 原料化合物
34 不活性ガスを気化器経由でPECVD装置チャンバー内に供給する為の配管
35 不活性ガスにより加圧する配管
36 排気装置
37 アース
38 マイクロ波PECVD装置
39 石英製チャンバー
40 薄膜形成用基板
41 ヒーター部
42 温度制御装置
43 気化器
44 液体流量制御装置
45 気体流量制御装置
46 シャワーヘッド
47 容器
48 原料化合物
49 不活性ガスを気化器経由でPECVD装置チャンバー内に供給する為の配管
50 不活性ガスにより加圧する配管
51 マッチング回路
52 マイクロ波発信器
53 マイクロ波反射板
54 排気装置
Claims (15)
- 少なくとも一つのケイ素原子に直結した二級炭素水素基を有し、ケイ素原子1に対し、酸素原子が0.5以下の原子比を有する有機ケイ素化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。
- 一般式(1)、一般式(2)又は一般式(3)のR1とR2、R5とR6、又はR10とR11が、共にメチルであるか、又はそれぞれメチルとエチルである請求項2乃至4いずれかに記載の成膜材料。
- 有機ケイ素化合物が、1,3−ジイソプロピルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,3−ジメチルジシロキサン、1,3−ジイソプロピル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチルジシロキサン、1,3−ジsec−ブチル−1,3−ジメチルジシロキサン、または1,3−ジsec−ブチル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンである請求項2又は5に記載の成膜材料。
- 有機ケイ素化合物が、イソプロピルシラン、イソプロピルメチルシラン、イソプロピルジメチルシラン、ジイソプロピルシラン、ジイソプロピルメチルシラン、トリイソプロピルシラン、sec−ブチルシラン、sec−ブチルメチルシラン、sec−ブチルジメチルシラン、ジsec−ブチルシラン、ジsec−ブチルメチルシラン、又はトリsec−ブチルシランである請求項3又は5に記載の成膜材料。
- 有機ケイ素化合物が、1,2,3,4−テトライソプロピルシクロテトラシラン、1,2,3,4,5−ペンタイソプロピルシクロペンタシラン、1,2,3,4,5,6−ヘキサイソプロピルシクロヘキサシラン、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタイソプロピルシクロテトラシラン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカイソプロピルシクロペンタシラン、又は1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ウンデカイソプロピルシクロヘキサシランである請求項4又は5に記載の成膜材料。
- 化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、請求項1乃至8のいずれかに記載の成膜材料。
- 化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、請求項1乃至8のいずれかに記載の成膜材料。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の成膜材料を用いて化学気相成長法により成膜した封止膜。
- 請求項11記載の封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする封止膜。
- 請求項11又は12に記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。
- 請求項11又は12に記載の封止膜を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。
- 請求項11又は12に記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012176433A JP6007662B2 (ja) | 2011-09-05 | 2012-08-08 | 成膜材料、それを用いた封止膜、及びその用途 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011192741 | 2011-09-05 | ||
JP2011192741 | 2011-09-05 | ||
JP2012176433A JP6007662B2 (ja) | 2011-09-05 | 2012-08-08 | 成膜材料、それを用いた封止膜、及びその用途 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013067607A true JP2013067607A (ja) | 2013-04-18 |
JP6007662B2 JP6007662B2 (ja) | 2016-10-12 |
Family
ID=47832008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012176433A Active JP6007662B2 (ja) | 2011-09-05 | 2012-08-08 | 成膜材料、それを用いた封止膜、及びその用途 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140219903A1 (ja) |
EP (1) | EP2754731A4 (ja) |
JP (1) | JP6007662B2 (ja) |
KR (1) | KR101754938B1 (ja) |
CN (1) | CN103781937B (ja) |
MY (1) | MY168934A (ja) |
TW (1) | TWI570130B (ja) |
WO (1) | WO2013035558A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11485642B2 (en) | 2016-09-22 | 2022-11-01 | Ddp Specialty Electronic Materials Us 9, Llc | SiH-free vinyldisilanes |
TWI776666B (zh) * | 2019-07-25 | 2022-09-01 | 美商慧盛材料美國責任有限公司 | 含有矽雜環烷的組合物及使用其沉積含矽膜的方法 |
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2012
- 2012-08-08 JP JP2012176433A patent/JP6007662B2/ja active Active
- 2012-08-24 MY MYPI2014700514A patent/MY168934A/en unknown
- 2012-08-24 CN CN201280043228.8A patent/CN103781937B/zh active Active
- 2012-08-24 EP EP12830676.8A patent/EP2754731A4/en not_active Withdrawn
- 2012-08-24 US US14/342,834 patent/US20140219903A1/en not_active Abandoned
- 2012-08-24 KR KR1020147005805A patent/KR101754938B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-24 WO PCT/JP2012/071487 patent/WO2013035558A1/ja active Application Filing
- 2012-09-04 TW TW101132115A patent/TWI570130B/zh active
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- 2016-07-18 US US15/212,895 patent/US9970103B2/en active Active
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JP2007254651A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tosoh Corp | 有機シラン化合物、それを含むSi含有膜形成材料、製造方法および用途 |
JP2008263022A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | National Institute For Materials Science | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
JP2011111635A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Tosoh Corp | 炭素含有酸化ケイ素膜からなる封止膜、及びその用途 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013035558A1 (ja) | 2013-03-14 |
JP6007662B2 (ja) | 2016-10-12 |
EP2754731A1 (en) | 2014-07-16 |
US9970103B2 (en) | 2018-05-15 |
CN103781937B (zh) | 2017-05-31 |
CN103781937A (zh) | 2014-05-07 |
KR20140068047A (ko) | 2014-06-05 |
MY168934A (en) | 2019-01-10 |
TWI570130B (zh) | 2017-02-11 |
KR101754938B1 (ko) | 2017-07-06 |
US20160326642A1 (en) | 2016-11-10 |
US20140219903A1 (en) | 2014-08-07 |
EP2754731A4 (en) | 2015-08-19 |
TW201326188A (zh) | 2013-07-01 |
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