JP2013054385A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013054385A JP2013054385A JP2012266782A JP2012266782A JP2013054385A JP 2013054385 A JP2013054385 A JP 2013054385A JP 2012266782 A JP2012266782 A JP 2012266782A JP 2012266782 A JP2012266782 A JP 2012266782A JP 2013054385 A JP2013054385 A JP 2013054385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- pixel
- signal lines
- scanning signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 6
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 2
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 2
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- OSDXSOSJRPQCHJ-XVNBXDOJSA-N methyl 3-(3,4-dihydroxyphenyl)-3-[(E)-3-(3,4-dihydroxyphenyl)prop-2-enoyl]oxypropanoate Chemical compound C=1C=C(O)C(O)=CC=1C(CC(=O)OC)OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 OSDXSOSJRPQCHJ-XVNBXDOJSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【解決手段】アクティブマトリクス型の液晶表示パネルを有する液晶表示装置であって、1本の走査信号線を挟んで隣接する2つの画素のTFT素子は、それぞれ、ゲートが当該1本の走査信号線に接続しており、かつ、ソースまたはドレインのうちの一方が異なる映像信号線に接続しており、隣接する2本の走査信号線の間には、当該2本の走査信号線のうちの一方の走査信号線にゲートが接続している前記TFT素子を有する画素と、当該2本の走査信号線のうちの他方の走査信号線にゲートが接続している前記TFT素子を有する画素とが、前記映像信号線の延在方向に沿って並んでおり、かつ、当該2つのTFT素子のソースまたはドレインのうちの一方が異なる映像信号線に接続している液晶表示装置。
【選択図】図3(a)
Description
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図1(a)は、液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式ブロック図である。図1(b)は、液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。図1(c)は、図1(b)のA−A’線における液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。
図2(a)は、従来の液晶表示パネルにおける各画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。図2(b)は、対向基板側から見た従来の液晶表示パネルにおける各画素の構成の一例を示す模式平面図である。
なお、図2(a)および図2(b)には、図1(a)および図1(b)に示した表示領域DAの左上の角部における横2画素×縦4画素の8画素分の回路構成を示している。
また、図2(a)および図2(b)を参照した説明において、複数本の走査信号線GLを区別する必要がある場合は、各走査信号線の符号をGLn(nは0,1,2,3,4のいずれか)で示し、複数本の映像信号線DLを区別する必要がある場合は、各映像信号線の符号をDLm(mは1,2,3のいずれか)で示す。
図3(a)は、本実施例の液晶表示パネルにおける各画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。図3(b)は、対向基板側から見た本実施例の液晶表示パネルにおける各画素の構成の一例を示す模式平面図である。
なお、図3(a)および図3(b)には、図1(a)および図1(b)に示した表示領域DAの左上の角部における横2画素×縦4画素の8画素分の回路構成を示している。
また、図3(a)および図3(b)を参照した説明において、複数本の走査信号線GLを区別する必要がある場合は、各走査信号線の符号をGLn(nは1,2のいずれか)で示し、複数本の映像信号線DLを区別する必要がある場合は、各映像信号線の符号をDLm(mは1,2,3,4,5のいずれか)で示す。
図4(a)は、TFT基板における隣接する2本の走査信号線に挟まれた2つの画素の平面レイアウトの一例を示す模式平面図である。図4(b)は、図4(a)のB−B’線における液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。図4(c)は、図4(a)のC−C’線における液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。図4(d)は、図4(a)のD−D’線における液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。
101…TFT基板
102…対向基板
103…シール材
104…下偏光板
105…上偏光板
LC…液晶材料
SUB1,SUB2…絶縁基板
GL,GL0,GL1,GL2,GL3,GL4…走査信号線
DL,DL1,DL2,DL3,DL4,DL5…映像信号線
PAS1…第1の絶縁層
SC…半導体層
SD1…ドレイン電極
SD2…ソース電極
PAS2…第2の絶縁層
PX…画素電極
CT…対向電極
SL…保持容量線
BM…遮光膜
CF…カラーフィルタ
ORI1,ORI2…配向膜
Tr…TFT素子
CLC…画素容量
PB…画素境界
2…データドライバ
3…ゲートドライバ
4…制御回路基板
Claims (8)
- 液晶材料を挟持する第1の基板および第2の基板を有し、
前記第1の基板に、複数本の映像信号線と、複数本の走査信号線と、複数のTFT素子と、当該TFT素子に接続された画素電極と、前記画素電極と前記第1の基板間に配置された対向電極とが形成されている液晶表示装置であって、
前記複数本の映像信号線と、前記複数本の走査信号線は、マトリクス状に形成され、当該映像信号線と走査信号線で囲まれた領域を画素領域とし、
前記各画素領域は、2つのTFT素子と、当該2つのTFT素子のそれぞれに接続される2つの画素電極と、当該2つの画素電極に共通して対応する一つの前記対向電極が形成され、
前記画素領域中の画素電極は複数のスリットを有し、前記スリットは、前記映像信号線と前記走査信号線の何れにも平行でない方向に延在していることを特徴とする液晶表示装置。 - 1つの前記画素領域にある2つのTFT素子は、当該画素領域内で対向して配置されている2本の走査信号線上に、それぞれ1つずつ形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記走査信号線上の、前記映像信号線に挟まれた間には、2つのTFT素子が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記映像信号線に挟まれた間の前記走査信号線上に形成された前記2つのTFT素子のそれぞれは、当該走査信号線を中心にして両側に配置される2つの画素領域の画素電極に分けて接続されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記画素領域の間の映像信号線は、2本形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素領域内の各画素電極のそれぞれは、スリットの延在方向が2方向あることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の基板には遮光膜が形成されており、前記遮光膜は、前記映像信号線および前記走査信号線と重畳する位置に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素領域内の2つの画素電極の隣接辺は、前記画素電極のスリットの延在方向と平行して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012266782A JP5748731B2 (ja) | 2012-12-05 | 2012-12-05 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012266782A JP5748731B2 (ja) | 2012-12-05 | 2012-12-05 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007263030A Division JP2009092912A (ja) | 2007-10-09 | 2007-10-09 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013054385A true JP2013054385A (ja) | 2013-03-21 |
JP5748731B2 JP5748731B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=48131367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012266782A Active JP5748731B2 (ja) | 2012-12-05 | 2012-12-05 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5748731B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015004718A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000035589A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Furontekku:Kk | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびそれに用いる基板 |
JP2002014363A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-01-18 | Hynix Semiconductor Inc | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
JP2002182230A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-06-26 | Hyundai Display Technology Inc | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
JP2003295160A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-10-15 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2004185011A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板 |
JP2005148534A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2005308951A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2005346064A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界液晶表示装置及びその駆動方法 |
JP2006018287A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-19 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
JP2007047797A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板 |
JP2007183628A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 |
-
2012
- 2012-12-05 JP JP2012266782A patent/JP5748731B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000035589A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Furontekku:Kk | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびそれに用いる基板 |
JP2002014363A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-01-18 | Hynix Semiconductor Inc | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
JP2002182230A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-06-26 | Hyundai Display Technology Inc | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
JP2003295160A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-10-15 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2004185011A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板 |
JP2005148534A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2005308951A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2005346064A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界液晶表示装置及びその駆動方法 |
JP2006018287A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-19 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
JP2007047797A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板 |
JP2007183628A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015004718A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法 |
US9406270B2 (en) | 2013-06-19 | 2016-08-02 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5748731B2 (ja) | 2015-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI381231B (zh) | 液晶顯示裝置 | |
US7561239B2 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
JP5024110B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2003344836A (ja) | 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 | |
JP2012108464A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
US20070236621A1 (en) | Systems for displaying images | |
JP2007058007A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
KR20210073807A (ko) | 이형 액정 표시 패널 | |
JP5299224B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2008076800A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP2001281682A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JP4367506B2 (ja) | 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP5748731B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5861740B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
US9117703B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP5534655B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP5678992B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2011180524A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2008180929A (ja) | 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法 | |
JP2007047833A (ja) | 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 | |
JP2016105170A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
CN114609825A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
JP2008064792A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
JP2009080351A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2008026537A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130926 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140523 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140530 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5748731 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |