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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5736872B2 (ja) * 2011-03-17 2015-06-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP5835561B2 (ja) * 2011-08-31 2015-12-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
JP2013235987A (ja) 2012-05-09 2013-11-21 Seiko Epson Corp 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
JP6020190B2 (ja) 2013-01-21 2016-11-02 セイコーエプソン株式会社 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
DE102013103601A1 (de) 2013-04-10 2014-10-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102015104665B4 (de) 2015-03-26 2025-10-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
DE102017208523A1 (de) * 2017-05-19 2018-11-22 Sicoya Gmbh Photonisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102020112969B4 (de) 2020-05-13 2024-02-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender halbleiterchip, rücklicht für ein kraftfahrzeug und kraftfahrzeug
DE102020134202A1 (de) 2020-12-18 2022-06-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE102021100534A1 (de) 2021-01-13 2022-07-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
US11774688B2 (en) 2021-01-29 2023-10-03 Sicoya Gmbh Photonic component and method for production thereof

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6040590A (en) * 1996-12-12 2000-03-21 California Institute Of Technology Semiconductor device with electrostatic control
JP2001135895A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置
US6803604B2 (en) * 2001-03-13 2004-10-12 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device
US6696311B2 (en) * 2001-05-03 2004-02-24 Spectra-Physics Semicond. Lasers, In Increasing the yield of precise wavelength lasers
JP4761426B2 (ja) * 2003-07-25 2011-08-31 三菱電機株式会社 光デバイスおよび半導体レーザ発振器
US7369583B2 (en) * 2004-06-07 2008-05-06 Innolume Gmbh Electrooptically wavelength-tunable resonant cavity optoelectronic device for high-speed data transfer
JP5267778B2 (ja) * 2008-04-25 2013-08-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP5088498B2 (ja) 2008-06-19 2012-12-05 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP5088499B2 (ja) * 2008-07-03 2012-12-05 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP4962743B2 (ja) * 2008-12-19 2012-06-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP5196179B2 (ja) * 2009-01-29 2013-05-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP2010219307A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクター
JP2010245469A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Sharp Corp 半導体レーザ素子、それを用いた半導体レーザモジュール、および、半導体レーザ素子の製造方法
JP2010278131A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Panasonic Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP5428822B2 (ja) * 2009-12-14 2014-02-26 セイコーエプソン株式会社 照明装置およびプロジェクター
JP2011155103A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Panasonic Corp 半導体発光素子
JP5679117B2 (ja) * 2011-03-09 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置、照射装置、およびプロジェクター
JP5681002B2 (ja) * 2011-03-09 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP5736872B2 (ja) * 2011-03-17 2015-06-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2013235987A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Seiko Epson Corp 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター

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