JP2013026442A - 窒化物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体層30と、窒化物半導体層30上に配置された第1の絶縁膜41と、第1の絶縁膜41上に配置された第2の絶縁膜42と、窒化物半導体層30上に互いに離間して配置された第1及び第2の主電極51,52と、第1及び第2の主電極51,52間で第2の絶縁膜42上に配置され、第1及び第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して窒化物半導体層に接続するフィールドプレート60とを備える窒化物半導体装置であって、開口部において、窒化物半導体層30の表面と第1の絶縁膜41の側面とのなす第1の傾斜角が、窒化物半導体層30の表面と第2の絶縁膜42の側面を延長した線とのなす第2の傾斜角よりも小さく形成されている。
【選択図】図1
Description
図12に示すように、制御電極53と第2の主電極52間に、窒化物半導体層30上にフィールドプレート60Sを配置してもよい。フィールドプレート60Sと第1の主電極51は電気的に接続される。
図13に、ショットキーバリアダイオード(SBD)として窒化物半導体装置1を形成した例を示す。図13に示した窒化物半導体装置1では、HEMTの場合と同様に、例えばGaN膜からなるキャリア走行層31とAlGaN膜からなるキャリア供給層32とによって、窒化物半導体層30が構成されている。そして、窒化物半導体層30上に第1の主電極であるアノード電極71と第2の主電極であるカソード電極72が互いに離間して配置されている。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
10…基板
20…バッファ層
30…窒化物半導体層
31…キャリア走行層
32…キャリア供給層
33…二次元キャリアガス層
40…層間絶縁膜
41…第1の絶縁膜
42…第2の絶縁膜
51…第1の主電極
52…第2の主電極
53…制御電極
60…フィールドプレート
60S…フィールドプレート
90…フォトレジスト膜
400…開口部
410…側面
420…側面
Claims (6)
- 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に配置された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に配置された第2の絶縁膜と、
前記窒化物半導体層上に互いに離間して配置された第1及び第2の主電極と、
前記第1及び第2の主電極間で前記第2の絶縁膜上に配置され、前記第1及び第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記窒化物半導体層に接続するフィールドプレートと
を備え、
前記開口部において、前記窒化物半導体層の表面と前記第1の絶縁膜の側面とのなす第1の傾斜角が、前記窒化物半導体層の表面と前記第2の絶縁膜の側面を延長した線とのなす第2の傾斜角よりも小さいことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 前記第1の絶縁膜のエッチングレートが前記第2の絶縁膜のエッチングレートよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1の主電極と前記第2の主電極間で前記窒化物半導体層上に配置された制御電極を更に備え、前記制御電極と連結して前記フィールドプレートが前記制御電極と前記第2の主電極間に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1の主電極と前記第2の主電極間で前記窒化物半導体層上に配置された制御電極を更に備え、前記フィールドプレートが前記制御電極と前記第2の主電極間で前記窒化物半導体層上に配置され、且つ、前記フィールドプレートが前記第1の主電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1の主電極と前記第2の主電極のいずれか一方と前記フィールドプレートが連結されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置。
- 主面上に第1及び第2の主電極を有する窒化物半導体装置の製造方法であって、
窒化物半導体層上に第1の絶縁膜を形成するステップと、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成するステップと、
前記窒化物半導体層の表面の一部が露出するまで前記第1及び第2の絶縁膜の一部をそれぞれ選択的にエッチング除去して、前記窒化物半導体層の表面と前記第1の絶縁膜の側面とのなす第1の傾斜角が前記窒化物半導体層の表面と前記第2の絶縁膜の側面を延長した線とのなす第2の傾斜角よりも小さいように開口部を形成するステップと、
前記第1及び第2の主電極間で前記第2の絶縁膜上にフィールドプレートを形成し、前記開口部を介して前記窒化物半導体層と前記フィールドプレートとを接続させるステップと
を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
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