JP2013026327A - 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 - Google Patents
洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013026327A JP2013026327A JP2011157955A JP2011157955A JP2013026327A JP 2013026327 A JP2013026327 A JP 2013026327A JP 2011157955 A JP2011157955 A JP 2011157955A JP 2011157955 A JP2011157955 A JP 2011157955A JP 2013026327 A JP2013026327 A JP 2013026327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- cleaning
- chamber
- wafer
- gas cluster
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 94
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 91
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 58
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 11
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 227
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 50
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 abstract description 25
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 166
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000009471 action Effects 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 8
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- -1 may be used Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】ウエハWに対して前処理としてフッ化水素の蒸気の供給を行い、ウエハWの表面の自然酸化膜11を溶解させることにより、前記自然酸化膜11の表面に付着している付着物10について、ウエハWの表面からいわば浮いた状態となるようにする。その後、ウエハWの置かれる雰囲気よりも圧力の高い領域から下地膜12に対して反応性を持たない二酸化炭素ガスを供給し、断熱膨張により当該ガスを凝縮温度以下に冷却してガスクラスターを発生させる。そして、このガスクラスターを非イオン化の状態でウエハWに照射して、付着物10を除去する。
【選択図】図4
Description
付着物の付着した被処理体の表面から付着物を除去する洗浄方法において、
被処理体の表面及び付着物の少なくとも一方に対して、エッチング処理を含む前処理を行う工程と、
被処理体の置かれる処理雰囲気よりも圧力の高い領域から、前記被処理体の表面に露出している膜に対して反応性を持たない洗浄用ガスを処理雰囲気に吐出し、断熱膨張により前記洗浄用ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成させる工程と、
前記前処理の行われた被処理体の表面に、洗浄用ガスのガスクラスターを照射して、付着物を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
前記前処理を行う工程と前記付着物を除去する工程とは、同時に行われても良い。
前記前処理は、前記エッチング処理を行うためにガスクラスターを照射する工程を含んでいても良い。
前記洗浄用ガスのガスクラスターを照射して、付着物を除去する工程及び前記エッチング処理を行うためにガスクラスターを照射する工程は、ガスクラスターを照射する生成機構を複数配置して、これら生成機構からガスクラスターを照射する工程であっても良い。
前記洗浄用ガスのガスクラスターを照射して、付着物を除去する工程及び前記エッチング処理を行うためにガスクラスターを照射する工程は、ガスクラスターを照射する生成機構における被処理体に対する角度が可変な状態で行われても良い。
付着物の付着した被処理体の表面から付着物を除去する被処理体の処理装置において、
被処理体がその内部に載置される前処理室と、
この前処理室内に載置された被処理体の表面または付着物の少なくとも一方に対してエッチング処理を含む前処理を行うための前処理機構を有する前処理モジュールと、
被処理体がその内部に載置される洗浄処理室と、
この洗浄処理室に設けられ、前記洗浄処理室の内部の処理雰囲気よりも圧力の高い領域から、前記被処理体の表面に露出している膜に対して反応性を持たない洗浄用ガスを処理雰囲気に吐出して、断熱膨張により前記洗浄用ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成させ、前記付着物を除去するために、前処理後の被処理体に供給するガスクラスターノズルと、
前記前処理室及び前記洗浄処理室に対して被処理体の受け渡しを行う搬送機構と、を備えたことを特徴とする。
前記洗浄処理室は、内部が真空雰囲気に保たれた真空処理室であり、真空雰囲気にて被処理体の搬送を行う真空搬送室に気密に接続され、
前記常圧搬送室と前記真空搬送室との間には、内部の雰囲気の切り替えを行うためのロードロック室が設けられ、
前記常圧搬送室及び前記真空搬送室には、前記搬送機構として常圧搬送機構及び真空搬送機構が夫々設けられていても良い。
前記前処理室及び前記洗浄処理室は、内部が各々真空雰囲気に保たれた真空処理室であり、
前記前処理室及び前記洗浄処理室との間には、前記搬送機構が配置された真空搬送室が気密に介在して設けられていても良い。
前記前処理室及び前記洗浄処理室は、共通化されていても良い。
前記真空搬送室には、前記前処理に先立って行われる真空処理あるいは付着物の除去を行った後に続く真空処理を行うための真空処理室が気密に接続されていても良い。
被処理体の洗浄を行う処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、既述の洗浄方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
本発明の洗浄方法の第1の実施の形態について、図1〜図5を参照して説明する。始めに、この洗浄方法が適用されるウエハWの構成及び当該洗浄方法の概略について説明する。このウエハWは、図1に示すように、シリコン(Si)により構成されており、例えば凹部である溝5と凸部であるライン6とからなるパターン7が表面に形成されている。そして、この洗浄方法は、後述するように、前記ライン6の倒れやウエハWの表面の膜荒れといったウエハWに対するダメージの発生を抑制しながら、図2に示すようなウエハW表面の付着物10を容易に除去できるように構成されている。
処理容器42の床面には、当該処理容器42内の雰囲気を排気するための排気口51が例えば複数箇所に形成されており、この排気口51から伸びる排気路52には、バタフライバルブなどの圧力調整部53を介して真空ポンプ54が接続されている。
そして、この処理容器42では、気化器43において蒸発したフッ化水素水溶液の蒸気がキャリアガスにより載置台41上のウエハWに対して供給されると、既述のように自然酸化膜11が溶解する。
続いて、第1の実施の形態の変形例について、図9を参照して説明する。既述の第1の実施の形態では、ウエハWの表面の自然酸化膜11を除去する場合について説明したが、自然酸化膜11は膜厚などの制御が困難であるため、洗浄過程における制御性や再現性が必要である場合には、以下のようにして前処理が行われる。
次いで、本発明の第2の実施の形態について、図13〜図16を参照して説明する。この第2の実施の形態では、ウエハWのシリコン層14の上層側には、図13に示すように、ゲルマニウム(Ge)膜からなる下地膜12が形成されている。そして、この下地膜12の表面には、付着物10が付着している。この場合における付着物10は、前記下地膜12を例えばCVD法などにより形成する時に生成する副生成物などを含んでいる。この第2の実施の形態では、以下の前処理が行われる。
次に、本発明の第3の実施の形態について、図18及び図19を参照して説明する。この実施の形態では、図18に示すように、ウエハWに既述のパターン7を形成するためのフォトレジストマスク16に付着した付着物10を除去する例を示している。即ち、フォトレジストマスク16に対して露光処理及び現像処理を行ってパターニングした後には、当該パターニングによりフォトレジストマスク16から除去された有機成分がフォトレジストマスク16の表面に付着物10として付着するので、この付着物10を以下のようにして除去している。
また、フォトレジストマスク16上の付着物10を除去する場合には、前処理としては、オゾンガスの供給に代えて、図20に示すように、紫外線(UV)を照射しても良い。即ち、紫外線を照射することによって、フォトレジストマスク16の表面が劣化により硬化して脆くなる。そのため、このフォトレジストマスク16に対して二酸化炭素ガスからなるガスクラスターを照射すると、同様に付着物10と共にフォトレジストマスク16の表面における硬化した層が除去される。従って、この例においては、二酸化炭素ガスからなるガスクラスターを照射する工程は、前処理の一部(フォトレジストマスク16の表面のエッチング)を兼ねていると言える。あるいは、前処理として、オゾンガスの供給と紫外線(UV)を照射に同時に行っても良い。この場合、記述の例と同様に、表面のエッチングによって付着物10の付着力が極めて弱くなるので、このウエハWに対して二酸化炭素ガスからなるガスクラスターを照射すると、付着物10は容易に除去される。
以下に、本発明の第4の実施の形態について図22及び図23を参照して説明する。この第4の実施の形態では、ウエハWのシリコン層14に積層した金属膜17あるいは既述の溝5内に埋め込んだ金属膜17上の付着物10を除去する例を示している。この例では、金属膜17は、例えばタングステン(W)により構成されている。即ち、金属膜17をCVD法などにより形成する時に用いられるソースガスには、既述のように有機物が含まれているので、図22に示すように、当該有機物からなる残渣が金属膜17の表面に付着物10として付着する場合がある。そこで、以下のようにしてこの付着物10を除去している。
この場合において前処理に用いられるガスとしては、塩化水素ガスに代えて、フッ化塩素(ClF3)ガスを用いても良い。また、金属膜17としては、タングステン膜に代えて、チタン膜であっても良い。
ここで、本発明の第5の実施の形態について述べる。以上の各例では、前処理としてウエハWの表面をエッチングする例について説明したが、この第5の実施の形態では、ウエハWの表面をエッチングすることに代えて、付着物10の表面をエッチングしている。即ち、付着物10を構成する材質が既知の場合には、あるいは付着物10に含まれている材質の予測が立つ場合には、当該材質をエッチングすることにより、例えば付着物10の下端部は、ウエハW側から見ると上方側に後退することになる。従って、この場合にも付着物10がウエハWから脱離しやすくなり、同様に二酸化炭素ガスからなるガスクラスターにより当該付着物10を容易に除去できる。
また、図26に示すように、ウエハWの表面と付着物10の表面とに同じ材質この例では酸化シリコンが含まれている場合には、付着物10の表面と共にウエハWの表面についてもエッチングできるので、付着物10の付着力を更に低下させることができる。
更に、後述の実施例に示すように、前記非反応性ガスと共に、ウエハWの表面または付着物10の表面をエッチングするエッチングガスによりガスクラスターを発生させ、いわば前処理(エッチング処理)と付着物10の除去処理とを同時に行っても良い。
また、本発明は、付着物10を除去するためのガスクラスターがイオン化していても、例えば解離の程度が弱い状態でイオン化していても権利範囲に含まれる。
比較例
ガスクラスターのガス:アルゴンガス100%
ガスクラスターノズルへの導入ガス圧力:0.899MPaG(ゲージ読み値)
実施例
ガスクラスターのガス:アルゴンガス95%+フッ化水素5%
ガスクラスターノズルへの導入ガス圧力:0.85MPaG(ゲージ読み値)
一方、実施例においてガスクラスターの照射前及び照射後におけるSEM写真を図28の左側及び右側に夫々示すと、ガスクラスターの照射後には、ほぼ全ての粒子が除去できていることが分かる。従って、アルゴンガスのガスクラスターだけでは、粒子とウエハとの付着力に打ち勝つことができなかったが、アルゴンガスと共にフッ化水素ガスによりガスクラスターを発生させることにより、前記粒子を容易に除去できることが分かった。
7 パターン
10 付着物
11 自然酸化膜
12 下地膜
13 酸化膜
14 シリコン層
15 酸化ゲルマニウム膜
16 フォトレジストマスク
17 金属膜
23 ノズル
Claims (16)
- 付着物の付着した被処理体の表面から付着物を除去する洗浄方法において、
被処理体の表面及び付着物の少なくとも一方に対して、エッチング処理を含む前処理を行う工程と、
被処理体の置かれる処理雰囲気よりも圧力の高い領域から、前記被処理体の表面に露出している膜に対して反応性を持たない洗浄用ガスを処理雰囲気に吐出し、断熱膨張により前記洗浄用ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成させる工程と、
前記前処理の行われた被処理体の表面に、洗浄用ガスのガスクラスターを照射して、付着物を除去する工程と、を含むことを特徴とする洗浄方法。 - 前記前処理は、被処理体の表面及び付着物の少なくとも一方に対する改質処理と、この改質処理により改質された改質層に対するエッチング処理とを含むことを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。
- 前記前処理を行う工程と前記付着物を除去する工程とは、同時に行われることを特徴とする請求項1または2に記載の洗浄方法。
- 前記前処理は、前記エッチング処理を行うためにガスクラスターを照射する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の洗浄方法。
- 前記エッチング処理を行うためにガスクラスターを照射する工程は、前記洗浄用ガスのガスクラスターを照射して、付着物を除去する工程においてガスクラスターを照射する生成機構と同一の生成機構を用いて照射する工程であることを特徴とする請求項4に記載の洗浄方法。
- 前記エッチング処理を行うためにガスクラスターを照射する工程は、前記洗浄用ガスのガスクラスターを照射して、付着物を除去する工程においてガスクラスターを照射する生成機構とは異なる生成機構を用いて照射する工程であることを特徴とする請求項4に記載の洗浄方法。
- 前記洗浄用ガスのガスクラスターを照射して、付着物を除去する工程は、ガスクラスターを照射する生成機構を複数配置して、これら生成機構からガスクラスターを照射する工程であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の洗浄方法。
- 前記エッチング処理を行うためにガスクラスターを照射する工程は、ガスクラスターを照射する生成機構を複数配置して、これら生成機構からガスクラスターを照射する工程であることを特徴とする請求項4ないし6のいずれか一つに記載の洗浄方法。
- 前記洗浄用ガスのガスクラスターを照射して、付着物を除去する工程は、ガスクラスターを照射する生成機構における被処理体に対する角度が可変な状態で行われることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の洗浄方法。
- 前記エッチング処理を行うためにガスクラスターを照射する工程は、ガスクラスターを照射する生成機構における被処理体に対する角度が可変な状態で行われることを特徴とする請求項4ないし6または8のいずれか一つに記載の洗浄方法。
- 付着物の付着した被処理体の表面から付着物を除去する被処理体の処理装置において、
被処理体がその内部に載置される前処理室と、
この前処理室内に載置された被処理体の表面または付着物の少なくとも一方に対してエッチング処理を含む前処理を行うための前処理機構を有する前処理モジュールと、
被処理体がその内部に載置される洗浄処理室と、
この洗浄処理室に設けられ、前記洗浄処理室の内部の処理雰囲気よりも圧力の高い領域から、前記被処理体の表面に露出している膜に対して反応性を持たない洗浄用ガスを処理雰囲気に吐出して、断熱膨張により前記洗浄用ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成させ、前記付着物を除去するために、前処理後の被処理体に供給するガスクラスターノズルと、
前記前処理室及び前記洗浄処理室に対して被処理体の受け渡しを行う搬送機構と、を備えたことを特徴とする処理装置。 - 前記前処理室は、内部が常圧雰囲気に保たれた常圧処理室であり、常圧雰囲気にて被処理体の搬送を行う常圧搬送室に接続され、
前記洗浄処理室は、内部が真空雰囲気に保たれた真空処理室であり、真空雰囲気にて被処理体の搬送を行う真空搬送室に気密に接続され、
前記常圧搬送室と前記真空搬送室との間には、内部の雰囲気の切り替えを行うためのロードロック室が設けられ、
前記常圧搬送室及び前記真空搬送室には、前記搬送機構として常圧搬送機構及び真空搬送機構が夫々設けられていることを特徴とする請求項5に記載の処理装置。 - 前記前処理室及び前記洗浄処理室は、内部が各々真空雰囲気に保たれた真空処理室であり、
前記前処理室及び前記洗浄処理室との間には、前記搬送機構が配置された真空搬送室が気密に介在して設けられていることを特徴とする請求項5に記載の処理装置。 - 前記前処理室及び前記洗浄処理室は、共通化されていることを特徴とする請求項7に記載の処理装置。
- 前記真空搬送室には、前記前処理に先立って行われる真空処理あるいは付着物の除去を行った後に続く真空処理を行うための真空処理室が気密に接続されていることを特徴とする請求項5ないし8のいずれか一つに記載の処理装置。
- 被処理体の洗浄を行う処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし11のいずれか一つに記載の洗浄方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011157955A JP5776397B2 (ja) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 |
US14/232,989 US9837260B2 (en) | 2011-07-19 | 2012-07-12 | Cleaning method, processing apparatus, and storage medium |
KR1020147004113A KR101672833B1 (ko) | 2011-07-19 | 2012-07-12 | 세정 방법, 처리 장치 및 기억 매체 |
PCT/JP2012/004521 WO2013011673A1 (ja) | 2011-07-19 | 2012-07-12 | 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 |
CN201280033416.2A CN103650117B (zh) | 2011-07-19 | 2012-07-12 | 清洗方法和处理装置 |
TW101125649A TWI540658B (zh) | 2011-07-19 | 2012-07-17 | Cleaning methods, handling devices and memory media |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011157955A JP5776397B2 (ja) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013026327A true JP2013026327A (ja) | 2013-02-04 |
JP2013026327A5 JP2013026327A5 (ja) | 2014-04-17 |
JP5776397B2 JP5776397B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=47557874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011157955A Active JP5776397B2 (ja) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9837260B2 (ja) |
JP (1) | JP5776397B2 (ja) |
KR (1) | KR101672833B1 (ja) |
CN (1) | CN103650117B (ja) |
TW (1) | TWI540658B (ja) |
WO (1) | WO2013011673A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101429732B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2014-08-12 | 주식회사 엔픽스 | 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법. |
JP2015026745A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP2015041646A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP2016509263A (ja) * | 2013-02-25 | 2016-03-24 | エクソジェネシス コーポレーション | 基板処理方法における欠陥削減 |
US20160096207A1 (en) * | 2014-10-06 | 2016-04-07 | TEL FSI, Inc, | Systems and Methods for Treating Substrates with Cryogenic Fluid Mixtures |
KR20180087282A (ko) | 2015-12-07 | 2018-08-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 세정 장치 |
KR20180087269A (ko) | 2015-11-30 | 2018-08-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법 |
US10625280B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-04-21 | Tel Fsi, Inc. | Apparatus for spraying cryogenic fluids |
US10748789B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-08-18 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6566683B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2019-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
WO2016036739A1 (en) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | Tel Epion Inc. | Process gas enhancement for beam treatment of a substrate |
JP6545053B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
JP6881922B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2021-06-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10910253B2 (en) | 2016-11-09 | 2021-02-02 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Magnetically levitated and rotated chuck for processing microelectronic substrates in a process chamber |
TWI765936B (zh) | 2016-11-29 | 2022-06-01 | 美商東京威力科創Fsi股份有限公司 | 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭 |
WO2018140789A1 (en) | 2017-01-27 | 2018-08-02 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for rotating and translating a substrate in a process chamber |
US10890843B2 (en) | 2017-07-28 | 2021-01-12 | Tokyo Electron Limited | Fast imprint lithography |
KR20200121829A (ko) | 2018-02-19 | 2020-10-26 | 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. | 제어 가능한 빔 크기를 갖는 처리 스프레이를 가지는 마이크로전자 처리 시스템 |
CN110189994A (zh) * | 2018-02-23 | 2019-08-30 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 半导体表面微颗粒的处理方法 |
TWI776026B (zh) * | 2018-06-04 | 2022-09-01 | 美商帕斯馬舍門有限責任公司 | 切割晶粒附接膜的方法 |
US11545387B2 (en) | 2018-07-13 | 2023-01-03 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber |
CN109545710A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-03-29 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种降低折射率的镀膜方法 |
US11177150B2 (en) * | 2019-03-14 | 2021-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cluster tool and method using the same |
CN112447496A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 半导体离子刻蚀清洗方法 |
JP7334259B2 (ja) * | 2019-11-01 | 2023-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
US11551942B2 (en) * | 2020-09-15 | 2023-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning a substrate after processing |
CN116013804A (zh) * | 2021-10-22 | 2023-04-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 清洗装置及其清洗方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11330033A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Fraser Scient Inc | エネルギーを有するクラスタ・ビームを使用して汚染表面を洗浄する方法および装置 |
JP2001137797A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-22 | Dasan C & I Co Ltd | クラスタを利用した乾式洗浄装置及びその方法 |
JP2001168076A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | 表面処理方法 |
JP2008124356A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理方法及び装置 |
JP2008227283A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | SiCパーティクルモニタウエハの製造方法 |
JP2008251743A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び基板洗浄装置 |
JP2009029691A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板表面から異物を除去する方法、ガラス基板表面を加工する方法 |
WO2010021265A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | 岩谷産業株式会社 | クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、及び、光学部品 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5512106A (en) * | 1993-01-27 | 1996-04-30 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Surface cleaning with argon |
US6689284B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface treating method |
US20040157456A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-12 | Hall Lindsey H. | Surface defect elimination using directed beam method |
JP3816484B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2006-08-30 | 日本航空電子工業株式会社 | ドライエッチング方法 |
JP2006278387A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP2007242869A (ja) | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム |
JP2008304737A (ja) | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスクの欠陥修正方法及び異物除去方法 |
JP5006134B2 (ja) | 2007-08-09 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | ドライクリーニング方法 |
JP5411438B2 (ja) | 2008-03-18 | 2014-02-12 | 信越化学工業株式会社 | Soi基板の製造方法 |
US7776743B2 (en) * | 2008-07-30 | 2010-08-17 | Tel Epion Inc. | Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers |
US8097860B2 (en) * | 2009-02-04 | 2012-01-17 | Tel Epion Inc. | Multiple nozzle gas cluster ion beam processing system and method of operating |
JP5623104B2 (ja) | 2010-03-18 | 2014-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
US8440578B2 (en) * | 2011-03-28 | 2013-05-14 | Tel Epion Inc. | GCIB process for reducing interfacial roughness following pre-amorphization |
US8513138B2 (en) * | 2011-09-01 | 2013-08-20 | Tel Epion Inc. | Gas cluster ion beam etching process for Si-containing and Ge-containing materials |
-
2011
- 2011-07-19 JP JP2011157955A patent/JP5776397B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-12 CN CN201280033416.2A patent/CN103650117B/zh active Active
- 2012-07-12 US US14/232,989 patent/US9837260B2/en active Active
- 2012-07-12 KR KR1020147004113A patent/KR101672833B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-12 WO PCT/JP2012/004521 patent/WO2013011673A1/ja active Application Filing
- 2012-07-17 TW TW101125649A patent/TWI540658B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11330033A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Fraser Scient Inc | エネルギーを有するクラスタ・ビームを使用して汚染表面を洗浄する方法および装置 |
JP2001168076A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | 表面処理方法 |
JP2001137797A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-22 | Dasan C & I Co Ltd | クラスタを利用した乾式洗浄装置及びその方法 |
JP2008124356A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理方法及び装置 |
JP2008227283A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | SiCパーティクルモニタウエハの製造方法 |
JP2008251743A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び基板洗浄装置 |
JP2009029691A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板表面から異物を除去する方法、ガラス基板表面を加工する方法 |
WO2010021265A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | 岩谷産業株式会社 | クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、及び、光学部品 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016509263A (ja) * | 2013-02-25 | 2016-03-24 | エクソジェネシス コーポレーション | 基板処理方法における欠陥削減 |
JP2015026745A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
US10049899B2 (en) | 2013-08-20 | 2018-08-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus |
JP2015041646A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置 |
KR101429732B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2014-08-12 | 주식회사 엔픽스 | 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법. |
US10748789B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-08-18 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
US10625280B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-04-21 | Tel Fsi, Inc. | Apparatus for spraying cryogenic fluids |
US20160096207A1 (en) * | 2014-10-06 | 2016-04-07 | TEL FSI, Inc, | Systems and Methods for Treating Substrates with Cryogenic Fluid Mixtures |
TWI707729B (zh) * | 2014-10-06 | 2020-10-21 | 美商東京威力科創Fsi股份有限公司 | 以低溫流體混合物處理基板的系統及方法 |
US10991610B2 (en) | 2014-10-06 | 2021-04-27 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
US11355376B2 (en) | 2014-10-06 | 2022-06-07 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
KR20180087269A (ko) | 2015-11-30 | 2018-08-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법 |
US10786837B2 (en) | 2015-11-30 | 2020-09-29 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning chamber of substrate processing apparatus |
KR20180087282A (ko) | 2015-12-07 | 2018-08-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 세정 장치 |
US11761075B2 (en) | 2015-12-07 | 2023-09-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103650117A (zh) | 2014-03-19 |
CN103650117B (zh) | 2016-09-07 |
KR20140048989A (ko) | 2014-04-24 |
JP5776397B2 (ja) | 2015-09-09 |
KR101672833B1 (ko) | 2016-11-04 |
WO2013011673A1 (ja) | 2013-01-24 |
TW201330139A (zh) | 2013-07-16 |
US20140227882A1 (en) | 2014-08-14 |
TWI540658B (zh) | 2016-07-01 |
US9837260B2 (en) | 2017-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5776397B2 (ja) | 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 | |
KR101671555B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 진공 처리 시스템 | |
JP6833923B2 (ja) | 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法 | |
US9099298B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
WO2014049959A1 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム | |
US20100214712A1 (en) | Method for charge-neutralizing target substrate and substrate processing apparatus | |
US10067418B2 (en) | Particle removal system and method thereof | |
JP5181085B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
US20230230811A1 (en) | Surface modification for metal-containing photoresist deposition | |
JP2008226991A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US8398745B2 (en) | Substrate processing apparatus and exhaust method therefor | |
KR102469451B1 (ko) | 마이크로전자 공작물의 제조를 위해 실리콘 질화물층을 영역 선택 에칭하는 방법 | |
KR100743275B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법 | |
KR100737753B1 (ko) | 기판을 처리하는 장치 및 방법 | |
WO1995015006A1 (fr) | Appareil de lavage, appareil de production de semi-conducteurs et chaine de production de semi-conducteurs | |
KR102113931B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP4405236B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2024053386A1 (ja) | 基板処理システム | |
JP2011086886A (ja) | 炭素汚染除去処理方法及び炭素汚染除去処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150609 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150622 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5776397 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |