CN110189994A - 半导体表面微颗粒的处理方法 - Google Patents
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Abstract
半导体表面微颗粒的处理方法，包括以下步骤：去除半导体表面的氧化层；去除半导体表面的小尺寸颗粒：调节腔室压力为25mT‑30mT，电极功率为1000W‑1200W，通入氧气或氮气进行刻蚀；以及去除半导体表面的大尺寸颗粒：调节腔室压力为30mT‑50mT，电极功率为1300W‑1500W，通入氩气或氮气进行刻蚀。本发明能将半导体上的两种不同尺寸的微颗粒高效清洗，从而最终提高半导体产品的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体表面微颗粒的处理方法，尤其涉及一种将半导体表面上的两种不用尺寸的微颗粒去除的处理方法。
背景技术
半导体工业中，由于半导体尺寸越来越小，对半导体表面要求越来越高，通常在加工工艺中会有很多颗粒附着。为保证半导体的使用性能，须对其上的无机材料的颗粒进行去除。传统的颗粒去除方式是通过去离子水，过氧化氢，氨水调配的混合物从硅片上脱离颗粒。但由于颗粒大小不均衡，通常一种是颗粒为10-30nm,一种是30-100nm，很难一次清洗干净。而且，氢氧根离子在不同温度，不同浓度条件下腐蚀速率不同，难以进行控制。
因此亟待提供一种改进的半导体表面微颗粒的处理方法以克服以上缺陷。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种半导体表面微颗粒的处理方法，其能将半导体上的两种不同尺寸的微颗粒高效清洗，从而最终提高半导体产品的性能。
为实现上述目的，本发明的半导体表面微颗粒的处理方法，包括以下步骤：
去除半导体表面的氧化层；
去除半导体表面的小尺寸颗粒：调节腔室压力为25mT-30mT，电极功率为1000W-1200W，通入氧气或氮气进行刻蚀；以及
去除半导体表面的大尺寸颗粒：调节腔室压力为30mT-50mT，电极功率为1300W-1500W，通入氩气或氮气进行刻蚀。
与现有技术相比，本发明先将半导体表面的氧化层去除，接着采用两次不同参数、不同条件的离子刻蚀工序将半导体表面的两种不同尺寸的颗粒进行去除，具体是先将小尺寸颗粒去除，再将大尺寸颗粒去除，此种处理方法高效可靠，从而最终提高半导体的性能。
较佳地，去除半导体表面的氧化层的步骤包括：调节腔室压力为5mT-10mT，电极功率为300W-400W，通入CF4气进行刻蚀，CF4气的流量为50sccm-60sccm，时间为5-10秒。
可选地，去除半导体表面的小尺寸颗粒的步骤还包括：通入所述氧气的流量为50sccm-60sccm，时间为50-60秒；或通入所述氮气的流量为80sccm-100sccm，时间为50-60秒。
可选地，去除半导体表面的大尺寸颗粒的步骤还包括：通入所述氩气的流量为400sccm-500sccm，时间为30-40秒；或通入所述氮气的流量为300sccm-400sccm，时间为30-40秒。
具体地，所述小尺寸颗粒的尺寸为10-30nm，所述大尺寸颗粒的尺寸为30-100nm。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的半导体表面微颗粒的处理方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
在一个实施例中，半导体表面微颗粒的处理方法包括以下步骤：
去除半导体表面的氧化层；
去除半导体表面的小尺寸颗粒：调节腔室压力为25mT-30mT，电极功率为1000W-1200W，通入氧气或氮气进行刻蚀；
去除半导体表面的大尺寸颗粒：调节腔室压力为30mT-50mT，电极功率为1300W-1500W，通入氩气或氮气进行刻蚀。
简言之，本发明先将半导体表面的氧化层去除，接着采用两次不同参数、不同条件的离子刻蚀工序将半导体表面的两种不同尺寸的颗粒进行去除，具体是先将小尺寸颗粒去除，再将大尺寸颗粒去除，此种处理方法高效可靠，从而最终提高半导体的性能。
具体地，去除半导体表面的氧化层的工序具体包括：调节腔室压力为5mT-10mT，电极功率为300W-400W，通入CF4气进行刻蚀，CF4气的流量为50sccm-60sccm，时间为5-10秒。例如，腔室压力为5mT，电极功率为300W，CF4气的流量为50sccm，时间为5秒。通过该离子刻蚀，可将半导体表面的氧化层去除，从而为后续的颗粒去除处理做准备。
具体地，在小尺寸颗粒的去除处理中，该步骤包括：调节腔室压力为25mT-30mT，电极功率为1000W-1200W，通入氧气或氮气进行刻蚀。较佳地，将腔室压力调节为25mT，电极功率为1000W。可选地，若使用氧气，则氧气的流量为50sccm-60sccm，时间为50-60秒；若使用氮气，则氮气的流量为80sccm-100sccm，时间为50-60秒。通过此步骤，可将半导体表面的10-30nm大小的小颗粒去除。
具体地，在大尺寸颗粒的去除处理中，该步骤包括：调节腔室压力为30mT-50mT，电极功率为1300W-1500W，通入氩气或氮气进行刻蚀。较佳地，将腔室压力调节为30mT，电极功率为1300W。可选地，若使用氩气，则氩气的流量为400sccm-500sccm，时间为30-40秒；若使用氮气，则氮气的流量为300sccm-400sccm，时间为30-40秒。通过此步骤，可将半导体表面的30-100nm大小的大颗粒去除。
在本实施例中，离子刻蚀所采用的设备为现有设备，其结构在此不描述。相较传统的采用清洗溶剂进行颗粒清除的方法，本发明的离子刻蚀的清除方法简单高效且安全，符合当前的工业需要。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (6)
1.一种半导体表面微颗粒的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
去除半导体表面的氧化层；
去除半导体表面的小尺寸颗粒：调节腔室压力为25mT-30mT，电极功率为1000W-1200W，通入氧气或氮气进行刻蚀；以及
去除半导体表面的大尺寸颗粒：调节腔室压力为30mT-50mT，电极功率为1300W-1500W，通入氩气或氮气进行刻蚀。
2.如权利要求1所述的半导体表面微颗粒的处理方法，其特征在于：去除半导体表面的氧化层的步骤包括：调节腔室压力为5mT-10mT，电极功率为300W-400W，通入CF4气进行刻蚀。
3.如权利要求2所述的半导体表面微颗粒的处理方法，其特征在于：通入通入CF4气的流量为50sccm-60sccm，时间为5-10秒。
4.如权利要求1所述的半导体表面微颗粒的处理方法，其特征在于：去除半导体表面的小尺寸颗粒的步骤还包括：通入所述氧气的流量为50sccm-60sccm，时间为50-60秒；或通入所述氮气的流量为80sccm-100sccm，时间为50-60秒。
5.如权利要求1所述的半导体表面微颗粒的处理方法，其特征在于：去除半导体表面的大尺寸颗粒的步骤还包括：通入所述氩气的流量为400sccm-500sccm，时间为30-40秒；或通入所述氮气的流量为300sccm-400sccm，时间为30-40秒。
6.如权利要求1所述的半导体表面微颗粒的处理方法，其特征在于：所述小尺寸颗粒的尺寸为10-30nm，所述大尺寸颗粒的尺寸为30-100nm。
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