JP2013019906A - 容量式物理量センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板2上に絶縁層3を介して設けられた単結晶シリコン層4に溝を形成することにより、可動電極部6及び固定電極部7,8からなるセンサエレメント5を設ける。可動電極部6は、錘部6aから櫛歯状に延びる可動電極6dを有し、錘部6aの前後両端部に梁部6bを有すると共に、前端側に第1のアンカ部6cを有している。アンカ部6cの上面に、アルミ製の電極パッド9を設ける。アンカ部6cに、応力遮断用の2本のスリット12を単結晶シリコン層4全体が除去される深さで形成する。各スリット12は、アンカ部6cの左右の両側縁部から、電極パッド9の左右両端縁部を延ばした仮想延長線を横切る位置まで内側に延びている。スリット幅寸法cを5μm以上とする。
【選択図】図1
Description
まず、図1ないし図5を参照して、第1の参考例について述べる。図1は、本参考例に係る容量式物理量センサたる半導体加速度センサチップ1の全体構成を概略的に示している。
図6、図7、図8は、夫々第2、第3、第4の参考例を示している。これら第2〜第4の参考例が、上記第1の参考例と異なる点は、可動電極部6の第1のアンカ部6cに形成されるスリットの形状にある。従って、上記第1の参考例と同一部分には同一符号を付して詳しい説明を省略し、以下、相違する点のみ述べることとする。
図8は、第4の参考例を示すものであり、この第4の参考例では、第1のアンカ部6cに形成される2本のスリット23を、楕円(長円)形状としている。
次に、本発明の一実施例について、図9及び図10を参照しながら説明する。図9は、本実施例に係る容量式物理量センサとしての半導体加速度センサチップ31を概略的に示しており、以下、上記第1の参考例の半導体加速度センサチップ1の構成と異なる点を中心に説明する。この半導体加速度センサチップ31は、やはり、支持基板2上に、可動電極部32と左右一対の固定電極部7,8とを有するセンサエレメント5を設けて構成されている。
Claims (1)
- 支持基板上に、可動電極部と固定電極部とを有するセンサエレメントを設けて構成される容量式物理量センサであって、
前記可動電極部は、前記支持基板に固定支持され上面に電極パッドが設けられたアンカ部と、このアンカ部に、前記支持基板上に浮いた状態の梁部を介して支持され物理量の作用に応じて変位する可動電極とを一体的に有して構成されていると共に、
前記アンカ部は、前記梁部と電極パッドとの離間距離が、100μm以上となるように設けられていることを特徴とする容量式物理量センサ。
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