JP2013008977A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。
【選択図】図1
Description
10 接着基板
12 接続領域
14 パッシベーション膜
20 被接着基板
22 接続領域
24 パッシベーション膜
30 接続部材
35 接続部材
40 接着部材
50 貼り合わせ基板
100 装置
102 真空容器
104 真空ポンプ
106 バルブ
108 パージバルブ
110 ハロゲンランプ
112 ハロゲンランプ調節器
114 接着剤容器
116 ヒータ
118 ヒータ調節器
120 基板保持機構
Claims (9)
- 接続領域を有する接着基板および被接着基板と、
前記接着基板および前記被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、
前記接続部材を囲み、前記接着基板と前記被接着基板とを接着する接着部材と、
を備えた半導体装置であって、
前記接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により前記官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、前記硬化剤により活性化された前記官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である、半導体装置。 - 前記硬化剤は、加熱による分子構造の変化により前記活性化機能を発現する、
請求項1に記載の半導体装置。 - 接続領域を有する接着基板および被接着基板と、
前記接着基板および前記被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、
前記接続部材を囲み、前記接着基板と前記被接着基板とを接着する接着部材と、
を備えた半導体装置であって、
前記接着部材は、官能基を有する主剤と、前記官能基を活性化する硬化剤と、前記硬化剤による前記官能基の活性化を抑制する硬化抑制機能を発現し、エネルギーの印加により前記硬化抑制機能を喪失する硬化抑制物質または硬化抑制基と、を含み、前記硬化剤により活性化された前記官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である、半導体装置。 - 前記硬化抑制物質または前記硬化抑制基は、加熱による分子構造の変化、基の離脱または基の置換により前記硬化抑制機能を喪失する、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記接着部材は、前記接着基板と前記被接着基板との間に形成された間隙の大きさより小さい粒径のフィラーをさらに含む、
請求項1から請求項4の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記接着部材は、エポキシ樹脂である、請求項1から請求項5の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記接着部材は、脂肪族系エポキシ樹脂またはエーテル系エポキシ樹脂である請求項6に記載の半導体装置。
- 接着基板および被接着基板の少なくとも一方の接続領域に接続部材を形成する接続部材形成段階と、
前記接着基板の前記接続領域に形成された前記接続部材と前記被接着基板の前記接続領域に形成された前記接続部材とが当接するように、または、前記接着基板または前記被接着基板の前記接続領域に形成された前記接続部材と前記接続部材が形成されていない前記接着基板または前記被接着基板の前記接続領域とが当接するように、前記接着基板および前記被接着基板を圧着する基板圧着段階と、
前記接着基板および前記被接着基板の間に形成された間隙に、毛細管現象を利用して接着部材を注入する接着部材注入段階と、
前記接着基板および前記被接着基板の間の前記間隙に注入された前記接着部材を硬化させる接着部材硬化段階と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により前記官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含む樹脂であり、
前記接着部材注入段階では、前記硬化剤が前記活性化機能を発現しないレベルの低エネルギーを前記接着部材に付与して、前記接着部材の粘度を低下させ、
前記接着部材硬化段階では、前記硬化剤が前記活性化機能を発現するレベルの高エネルギーを前記接着部材に付与して、前記接着部材を硬化する、半導体装置の製造方法。 - 接着基板および被接着基板の少なくとも一方の接続領域に接続部材を形成する接続部材形成段階と、
前記接着基板の前記接続領域に形成された前記接続部材と前記被接着基板の前記接続領域に形成された前記接続部材とが当接するように、または、前記接着基板または前記被接着基板の前記接続領域に形成された前記接続部材と前記接続部材が形成されていない前記接着基板または前記被接着基板の前記接続領域とが当接するように、前記接着基板および前記被接着基板を圧着する基板圧着段階と、
前記接着基板および前記被接着基板の間に形成された間隙に、毛細管現象を利用して接着部材を注入する接着部材注入段階と、
前記接着基板および前記被接着基板の間の前記間隙に注入された前記接着部材を硬化させる接着部材硬化段階と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記接着部材は、官能基を有する主剤と、前記官能基を活性化する硬化剤と、前記硬化剤による前記官能基の活性化を抑制する硬化抑制機能を発現し、エネルギーの付与により前記硬化抑制機能を喪失する硬化抑制物質または硬化抑制基と、を含む樹脂であり、
前記接着部材注入段階では、前記硬化抑制物質または前記硬化抑制基が前記硬化抑制機能を発現するレベルの低エネルギーを前記接着部材に付与して、前記接着部材の粘度を低下させ、
前記接着部材硬化段階では、前記硬化抑制物質または前記硬化抑制基が前記硬化抑制機能を喪失するレベルの高エネルギーを前記接着部材に付与して、前記接着部材を硬化する、半導体装置の製造方法。
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JP2016196567A (ja) * | 2015-04-03 | 2016-11-24 | Dic株式会社 | 易剥離型粘着テープ、電子機器、携帯電子端末及び解体方法 |
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