JP2013008439A - センサ積層体、シールド、および第1のシールド安定化構造を備える装置、センサ積層体、シールド、および磁性層を備える装置、データ記憶媒体、記録ヘッド、およびアームを備える装置、ならびに、センサ構造を設け、これをアニールするステップを備える方法 - Google Patents
センサ積層体、シールド、および第1のシールド安定化構造を備える装置、センサ積層体、シールド、および磁性層を備える装置、データ記憶媒体、記録ヘッド、およびアームを備える装置、ならびに、センサ構造を設け、これをアニールするステップを備える方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】装置は、センサ積層体(92,122,162,202,262)と、センサ積層体の対向する側に位置決めされる第1および第2のシールド(94,96;124,126;164,166;204,206;264,266)と、第1のシールド(94,124,164,204,264)に隣接し、第1のシールドにバイアス磁界を印加する第1のシールド安定化構造(102,132,172,212,268)とを含む。第2のシールド安定化構造(186,234)は、第2のシールド(164,204)に隣接して位置決めすることができる。
【選択図】図9
Description
磁気データ記憶装置の記憶容量が増大するにつれ、記憶媒体中の磁気ビットサイズが小さくなっている。ビットサイズがより小さくなると、記録ヘッドの物理的寸法の低減が必要となる。
第1の局面で、開示は、センサ積層体と、センサ積層体の対向する側に位置決めされる第1および第2のシールドと、第1のシールドに隣接し、バイアス磁界を第1のシールドに印加する第1のシールド安定化構造とを含む装置を提供する。
1つの局面では、この開示は、磁気シールド同士の間に読出センサを含む装置であって、印加される磁気バイアスでシールドが安定化される装置を提供する。この構成は読出センサ積層体に対する磁気擾乱を低減することができる。
Claims (23)
- 装置であって、
センサ積層体と、
前記センサ積層体の対向する側に位置決めされる第1および第2のシールドと、
前記第1のシールドに隣接し、前記第1のシールドにバイアス磁界を印加する第1のシールド安定化構造とを備える、装置。 - 前記第1のシールド安定化構造は第1の磁性層に隣接する第1の反強磁性層を備える、請求項1に記載の装置。
- 第1の非磁性層によって前記第1の磁性層から分離されて第1の合成反強磁性構造を形成する第2の磁性層をさらに備える、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間で磁気モーメントのバランスをとる、請求項3に記載の装置。
- 前記第2のシールドに隣接し、前記第2のシールドにバイアス磁界を印加する第2のシールド安定化構造をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第2のシールド安定化構造は第1の磁性層に隣接する第1の反強磁性体を備える、請求項5に記載の装置。
- 第1の非磁性層によって前記第1の磁性層から分離されて第1の合成反強磁性構造を形成する第2の磁性層をさらに備える、請求項6に記載の装置。
- 前記第1のシールド安定化構造は前記第1のシールドの一部に隣接して位置決めされる、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の安定化構造の幅および奥行きは前記センサ積層体の幅および奥行き以上である、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の安定化構造の前記幅は前記第1の安定化構造の前記奥行きよりも大きい、請求項9に記載の装置。
- 装置であって、
センサ積層体と、
前記センサ積層体の対向する側に位置決めされる第1および第2のシールドと、
前記第1のシールドに隣接し、バランスのとれた逆平行磁気モーメントを有する第1および第2の磁性層とを備える、装置。 - 第1の磁性層に隣接する第1の反強磁性層をさらに備える、請求項11に記載の装置。
- 前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に第1の非磁性層をさらに備える、請求項12に記載の装置。
- 前記第2のシールドに隣接して位置決めされ、バランスのとれた逆平行磁気モーメントを有する第3および第4の磁性層をさらに備える、請求項11に記載の装置。
- 第3の磁性層に隣接する第2の反強磁性層をさらに備える、請求項14に記載の装置。
- 前記第3の磁性層と前記第4の磁性層との間に第2の非磁性層をさらに備える、請求項15に記載の装置。
- 装置であって、
データ記憶媒体と、
センサ積層体、前記センサ積層体の対向する側に位置決めされる第1および第2のシールド、ならびに前記第1のシールドに隣接し、前記第1のシールドにバイアス磁界を印加する第1のシールド安定化構造を含む記録ヘッドと、
前記データ記憶媒体に隣接して前記記録ヘッドを位置決めするためのアームとを備える、装置。 - 前記第1のシールド安定化構造は第1の磁性層に隣接する第1の反強磁性体を備える、請求項17に記載の装置。
- 第1の非磁性層によって前記第1の磁性層から分離されて第1の合成反強磁性構造を形成する第2の磁性層をさらに備える、請求項18に記載の装置。
- 前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間で磁気モーメントのバランスをとる、請求項19に記載の装置。
- 方法であって、
センサ積層体と、前記センサ積層体の対向する側に位置決めされる第1および第2のシールドと、前記第1のシールドに隣接し、前記第1のシールドにバイアス磁界を印加する第1のシールド安定化構造とを含むセンサ構造を設けるステップと、
前記センサ積層体のアニール温度よりも低い第1の温度で前記構造をアニールして前記シールド安定化構造の磁化の方向を設定するステップとを備える、方法。 - 前記第1のシールド安定化構造は第1の磁性層に隣接する第1の反強磁性層を備え、前記第1の温度は前記第1の反強磁性層の反強磁性ブロッキング温度よりも高い、請求項21に記載の方法。
- 前記センサ構造は、前記第2のシールドに隣接し、前記第2のシールドにバイアス磁界を印加する第2のシールド安定化構造を含み、前記第1のシールド安定化構造は第1の磁性層に隣接する第1の反強磁性層を備え、前記第2のシールド安定化構造は第2の磁性層に隣接する第2の反強磁性層を備え、前記第1の温度は前記第1および第2の反強磁性層の反強磁性ブロッキング温度よりも高い、請求項21に記載の方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014182868A (ja) * | 2013-03-16 | 2014-09-29 | Seagate Technology Llc | 底部シールド安定化磁気シード層を有する装置、データリーダ、およびその製造方法 |
JP2015011754A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | リーダー構造 |
JP2015011751A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気抵抗センサおよび装置 |
JP2015115088A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気抵抗性センサシールド |
JP2015146224A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | トラック幅が狭く且つ読み取りギャップが小さい磁気センサ |
JP2015162260A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 装置および磁気抵抗センサ |
JP2017004586A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC | 磁気抵抗センサ製造 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8630069B1 (en) * | 2012-10-04 | 2014-01-14 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic shield having improved resistance to the hard bias magnetic field |
US9593696B2 (en) | 2013-02-27 | 2017-03-14 | Woodward, Inc. | Rotary piston type actuator with hydraulic supply |
US9691417B1 (en) | 2013-06-28 | 2017-06-27 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor having a synthetic antiferromagnetic bottom shield |
US9153250B2 (en) | 2013-07-31 | 2015-10-06 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor |
US9183858B2 (en) * | 2014-01-28 | 2015-11-10 | HGST Netherlands B.V. | Dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor |
US9513349B2 (en) * | 2014-02-06 | 2016-12-06 | HGST Netherlands B.V. | Scissor type magnetic sensor with high magnetic moment bias structure for reduced signal asymmetry |
US9633679B2 (en) | 2014-05-06 | 2017-04-25 | Seagate Technology Llc | Sensor stack structure with RKKY coupling layer between free layer and capping layer |
US9412401B2 (en) | 2014-05-13 | 2016-08-09 | Seagate Technology Llc | Data reader magnetic shield with CoFeNiB material |
US9230576B1 (en) * | 2014-09-08 | 2016-01-05 | HGST Netherlands B.V. | Scissor reader with side shield decoupled from bias material |
US9269381B1 (en) * | 2014-09-15 | 2016-02-23 | Seagate Technology Llc | Sensor structure having layer with high magnetic moment |
US9454979B1 (en) * | 2014-11-14 | 2016-09-27 | Seagate Technology Llc | Sensor structure with multilayer top shield |
US9653102B1 (en) | 2014-12-19 | 2017-05-16 | Seagate Technology Llc | Data reader with pinned front shield |
US10074387B1 (en) | 2014-12-21 | 2018-09-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields |
US9646639B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-05-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having integrated polarization rotation waveguides |
US9685177B2 (en) * | 2015-07-08 | 2017-06-20 | Seagate Technology Llc | Sensor stabilization in a multiple sensor magnetic reproducing device |
US9601138B1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-21 | Headway Technologies, Inc. | Bias layer and shield biasing design |
US9666214B1 (en) * | 2015-09-23 | 2017-05-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Free layer magnetic reader that may have a reduced shield-to-shield spacing |
US9947344B2 (en) * | 2016-04-12 | 2018-04-17 | International Business Machines Corporation | Stabilizing layered structure for magnetic tape heads |
US10068601B1 (en) * | 2016-08-09 | 2018-09-04 | Western Digital (Fremont), Llc | Free layer only magnetic reader that may have a reduced shield-to-shield spacing and a multilayer side bias |
US10559412B2 (en) * | 2017-12-07 | 2020-02-11 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect device |
US10522173B1 (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-31 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic read head structure with improved bottom shield design for better reader performance |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1091920A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型ヘッド |
JPH11134620A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Nec Corp | 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法 |
JP2004334921A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
JP2006309842A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tdk Corp | 磁界検出センサ、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 |
JP2007027736A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Headway Technologies Inc | スピンバルブ構造体およびその製造方法、ならびに磁気再生ヘッドおよびその製造方法 |
JP2010086648A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Tdk Corp | 一対のシールド層に結合する一対の自由層を有する磁気抵抗効果素子 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001091116A2 (en) | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
JP3950045B2 (ja) | 2000-07-13 | 2007-07-25 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気変換器のシールドにおける磁区制御 |
JP2003303406A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気ヘッド |
US6930865B2 (en) | 2002-05-14 | 2005-08-16 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive read sensor with short permanent magnets |
JP4051271B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2008-02-20 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置 |
US7782574B1 (en) | 2005-04-11 | 2010-08-24 | Seagate Technology Llc | Magnetic heads disk drives and methods with thicker read shield structures for reduced stray field sensitivity |
US7177122B2 (en) | 2003-10-27 | 2007-02-13 | Seagate Technology Llc | Biasing for tri-layer magnetoresistive sensors |
JP2005203063A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
US7606007B2 (en) * | 2006-02-17 | 2009-10-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Shield stabilization for magnetoresistive sensors |
US7974048B2 (en) * | 2007-11-28 | 2011-07-05 | Tdk Corporation | Magneto-resistive effect device of CPP type having shield layers coupled with ferromagnetic layers |
US9442171B2 (en) | 2008-01-09 | 2016-09-13 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensing device with reduced shield-to-shield spacing |
US7881023B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-02-01 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device of the CPP type, and magnetic disk system |
US8514524B2 (en) * | 2008-05-09 | 2013-08-20 | Headway Technologies, Inc. | Stabilized shields for magnetic recording heads |
US8477461B2 (en) * | 2008-07-29 | 2013-07-02 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers |
US8189303B2 (en) * | 2008-08-12 | 2012-05-29 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers |
US20100067148A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers |
US8023230B2 (en) * | 2008-10-27 | 2011-09-20 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element including a pair of ferromagnetic layers coupled to a pair of shield layers |
US7615996B1 (en) * | 2009-01-21 | 2009-11-10 | Tdk Corporation | Examination method for CPP-type magnetoresistance effect element having two free layers |
US8320075B2 (en) | 2009-01-27 | 2012-11-27 | Seagate Technology Llc | Biasing structure for write element domain control in a magnetic writer |
US8194360B2 (en) | 2009-02-24 | 2012-06-05 | Seagate Technology Llc | Domain control in bottom shield of MR sensor |
US8369048B2 (en) * | 2009-08-31 | 2013-02-05 | Tdk Corporation | CPP-type thin film magnetic head provided with side shields including a pair of antimagnetically exchanged-coupled side shield magnetic layers |
US8179642B2 (en) * | 2009-09-22 | 2012-05-15 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element in CPP structure and magnetic disk device |
US8130475B2 (en) * | 2009-10-20 | 2012-03-06 | Tdk Corporation | Method for manufacturing CPP-type thin film magnetic head provided with a pair of magnetically free layers |
US8089734B2 (en) * | 2010-05-17 | 2012-01-03 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element having a pair of side shields |
US8462467B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-06-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head including soft layer magnetically connected with shield |
US8437106B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-05-07 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head including spin-valve film with free layer magnetically connected with shield |
US8451567B2 (en) * | 2010-12-13 | 2013-05-28 | Headway Technologies, Inc. | High resolution magnetic read head using top exchange biasing and/or lateral hand biasing of the free layer |
US20120250189A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Tdk Corporation | Magnetic head including side shield layers on both sides of a mr element |
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-
2013
- 2013-12-17 US US14/109,184 patent/US9001472B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1091920A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型ヘッド |
JPH11134620A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Nec Corp | 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法 |
JP2004334921A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
JP2006309842A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tdk Corp | 磁界検出センサ、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 |
JP2007027736A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Headway Technologies Inc | スピンバルブ構造体およびその製造方法、ならびに磁気再生ヘッドおよびその製造方法 |
JP2010086648A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Tdk Corp | 一対のシールド層に結合する一対の自由層を有する磁気抵抗効果素子 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014182868A (ja) * | 2013-03-16 | 2014-09-29 | Seagate Technology Llc | 底部シールド安定化磁気シード層を有する装置、データリーダ、およびその製造方法 |
US9928857B2 (en) | 2013-03-16 | 2018-03-27 | Seagate Technology Llc | Method of making a bottom shield stabilized magnetic seed layer |
JP2015011754A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | リーダー構造 |
JP2015011751A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気抵抗センサおよび装置 |
JP2015115088A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気抵抗性センサシールド |
KR20150069527A (ko) * | 2013-12-13 | 2015-06-23 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 자기 저항 센서 실드 |
US9230575B2 (en) | 2013-12-13 | 2016-01-05 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor with SAF structure having crystalline layer and amorphous layer |
KR101689644B1 (ko) | 2013-12-13 | 2016-12-26 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 자기 저항 센서 실드 |
US9704517B2 (en) | 2013-12-13 | 2017-07-11 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor with SAF structure having amorphous alloy layer |
JP2015146224A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | トラック幅が狭く且つ読み取りギャップが小さい磁気センサ |
JP2015162260A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 装置および磁気抵抗センサ |
JP2017004586A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC | 磁気抵抗センサ製造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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