JP2013004794A - Pickup device of semiconductor chip, pickup method, die bonding device, die bonding method and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体チップのピックアップ装置、ピックアップ方法、ダイボンディング装置、ダイボンディング方法及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor chip pickup apparatus, a pickup method, a die bonding apparatus, a die bonding method, and a semiconductor device manufacturing method.
半導体装置の製造工程において、半導体チップ(以下、チップと称する)は複数のチップが形成されたウェハから切り出される。チップの切り出しはチップ保持治具であるシートにウェハを貼着した状態で行われる。切り出されたチップは下方からを突き上げられ、シートから剥ぎ取られてピックアップされる。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a semiconductor chip (hereinafter referred to as a chip) is cut out from a wafer on which a plurality of chips are formed. Chip cutting is performed in a state where a wafer is attached to a sheet which is a chip holding jig. The cut chip is pushed up from below, peeled off from the sheet, and picked up.
このピックアップ工程に先立ってチップの良否検査が行われる。近年、半導体装置の製造コスト削減のため、ウェハ内の不良チップ識別の為の不良マーキングは廃止され、マップデータに基づいてチップの良/不良判定が行われるノーマーキングウェハが主流となっている。マップデータは、個々のチップの良否を示す良否データとウェハにおけるチップの位置を示す配列データを含む。 Prior to this pick-up process, a chip quality inspection is performed. In recent years, in order to reduce the manufacturing cost of semiconductor devices, defective marking for identifying defective chips in a wafer has been abolished, and unmarked wafers in which good / bad determination of chips is performed based on map data have become mainstream. The map data includes pass / fail data indicating pass / fail of each chip and array data indicating the position of the chip on the wafer.
ウェハをダイシングして分割することによって得られるチップのうち良品のみがピックアップされ、ダイボンディング工程にて基板に搭載される。チップのピックアップ工程において、マップデータに基づいて良品チップを識別するために、ウェハ内のチップの位置座標を正確に把握する必要がある。 Of the chips obtained by dicing and dividing the wafer, only good products are picked up and mounted on the substrate in a die bonding process. In the chip pick-up process, in order to identify a good chip based on the map data, it is necessary to accurately grasp the position coordinates of the chip in the wafer.
特許文献1、2には、チップ保持冶具に所定の配列で保持されたチップをピックアップする技術が記載されている。
特許文献1では、ピックアップ装置の座標系におけるウェハ上のチップの位置を特定するために、最初に参照される第1の参照チップに対応する位置座標を手動でティーチングし、第1の参照チップの位置座標、チップの配列データ及び配列データにおける参照チップ位置に基づいて、後続する第2及び第3の参照チップを画像認識による自動検出によって求めている。このため、ウェハ内に位置参照専用の特別なチップを作り込む必要がない。
In
特許文献2では、隣接する2つの行においてチップ形成数が異なり、チップ配列に段差が生じている場合において、改行時にマップデータに基づいて算出した位置と実際のチップの位置とのズレを低減するために、ピックアップ順序を変更している。長い配列の行において、これに隣接する短い配列の行の端部のチップに対応するチップから端部までのチップピックアップ処理をせずに飛び越えて、長い配列の端部から逆の順序でチップをピックアップすることにより、改行時の移動距離を少なくしている。
In
通常、ウェハ内にはターゲットダイと呼ばれる位置参照専用の特別なチップが3点以上設けられている。ターゲットダイを認識することにより、ピックアップ装置の座標系におけるウェハ上のチップの実際の位置が特定される。この特定された位置に基づいて、マップデータを用いてピックアップ処理が実行される。 Normally, three or more special chips for position reference, called target dies, are provided in the wafer. By recognizing the target die, the actual position of the chip on the wafer in the coordinate system of the pickup device is specified. Based on this identified position, a pickup process is executed using the map data.
一般的に、ピックアップ処理を行う前に、チップ間に間隙を形成するため、チップ保持冶具であるシートを引き延ばすエキスパンド処理が行われる。これにより、ピックアップ時には、マップデータに基づいて算出した位置と実際のチップ位置との間に位置ズレが生じる。このため、ピックアップしなければならない良品チップを、不良品チップと間違えてピックアップしない、所謂、取り残しという問題が発生する場合がある。また、取り残しと反対に、ピックアップする必要がない不良品チップをピックアップしてしまうという問題が発生するおそれがある。 In general, before the pick-up process is performed, an expanding process is performed in which a sheet as a chip holding jig is stretched to form a gap between the chips. Thereby, at the time of pick-up, a positional deviation occurs between the position calculated based on the map data and the actual chip position. For this reason, there is a case where a non-defective chip that must be picked up is mistakenly picked up as a defective chip, that is, a so-called left-over problem occurs. Moreover, contrary to the leftover, there is a possibility that a problem of picking up defective chips that do not need to be picked up may occur.
この位置ズレを補正するために、ターゲットダイを認識する移動途中に存在するチップを位置補正用の参照チップとして認識し位置補正が行われている。しかし、ピックアップ処理を途中まで実行し回収したウェハの再ピックアップ処理を行う場合、すでにチップがピックアップされているため、移動途中にチップが存在せず、位置の補正を行うことができない。このため、ウェハにおけるチップの正確な座標が認識できず、ピックアップ処理のスタートとなるチップの位置ズレが懸念される。 In order to correct this positional deviation, a chip existing during the movement for recognizing the target die is recognized as a reference chip for position correction, and position correction is performed. However, when the pick-up process is executed halfway and the re-pickup process of the collected wafer is performed, since the chip has already been picked up, there is no chip in the middle of movement, and the position cannot be corrected. For this reason, the exact coordinates of the chip on the wafer cannot be recognized, and there is a concern about the positional deviation of the chip that starts the pickup process.
なお、特許文献2では、チップ配列に段差が生じている場合にピックアップ処理をせずに飛び越えた複数のチップの位置を認識し、各チップの位置データを補正することが記載されている。しかし、特許文献2では、連続したピックアップ作業中のチップ位置データの補正を行っているものの、ピックアップ処理途中で回収されたウェハの再位置合わせについては記載されていない。従って、特許文献2でも、途中までピックアップ処理を行ったウェハにおけるチップ位置を、再度ターゲットダイを用いて特定する場合には、移動途中にチップが存在しないため、位置の補正を行うことができない。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 describes that when there is a step in the chip arrangement, the positions of a plurality of chips that have jumped over without being picked up are recognized and the position data of each chip is corrected. However,
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
本発明の第1の態様に係るピックアップ装置は、保持冶具に保持されたウェハ上に設けられた2つ以上のターゲットダイ、及び、前記ウェハに所定の配列で形成され個片に分離された複数の半導体チップのうち、前記2つのターゲットダイ間に配置される少なくとも1つの参照チップを認識する認識部と、前記認識部により認識された前記2つ以上のターゲットダイ及び前記参照チップを用いて、装置座標系における前記複数の半導体チップの位置座標を特定する補正部と、個々の半導体チップの良否を示す良否データ及び前記ウェハにおける個々の半導体チップの配列を示す配列データを含むマップデータに基づき、前記補正部により特定された前記半導体チップの位置座標を用いて、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理を行い、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理が完了した後に、前記参照チップのピックアップ処理を実行するピックアップ処理部とを備えるものである。 The pickup device according to the first aspect of the present invention includes two or more target dies provided on a wafer held by a holding jig, and a plurality of target dies formed in a predetermined arrangement on the wafer and separated into individual pieces. Among the semiconductor chips, using a recognition unit that recognizes at least one reference chip disposed between the two target dies, and using the two or more target dies and the reference chip recognized by the recognition unit, Based on map data including a correction unit that specifies position coordinates of the plurality of semiconductor chips in the apparatus coordinate system, pass / fail data indicating pass / fail of each semiconductor chip, and array data indicating an array of individual semiconductor chips in the wafer, Using the position coordinates of the semiconductor chip specified by the correction unit, pick-up of the semiconductor chip other than the reference chip is performed. After the treatments pickup process of the semiconductor chip other than the reference chip is completed, in which and a pickup unit for executing pickup processing of the reference chip.
本発明の第2の態様に係るピックアップ方法は、保持冶具に保持されるウェハに所定の配列で形成され個片に分離された複数の半導体チップの配列データ及び個々の半導体チップの良否を示す良否データを含むマップデータを作成し、前記ウェハ上に設けられた2つ以上のターゲットダイ、及び、前記複数の半導体チップのうち、前記2つのターゲットダイ間に配置される少なくとも1つの参照チップを認識し、認識された前記2つ以上のターゲットダイ及び前記参照チップを用いて、装置座標系における前記複数の半導体チップの位置座標を特定し、特定された前記半導体チップの位置座標を用いて、前記マップデータに基づき、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理を行い、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理が完了した後に、前記参照チップのピックアップ処理を実行する。 The pick-up method according to the second aspect of the present invention provides an array data of a plurality of semiconductor chips formed in a predetermined array on a wafer held by a holding jig and separated into individual pieces, and pass / fail indicating each semiconductor chip pass / fail. Map data including data is generated, and at least one reference chip arranged between the two target dies is recognized among two or more target dies provided on the wafer and the plurality of semiconductor chips. Then, using the recognized two or more target dies and the reference chip, the position coordinates of the plurality of semiconductor chips in an apparatus coordinate system are specified, and the position coordinates of the specified semiconductor chips are used, Based on the map data, the semiconductor chip other than the reference chip is picked up, and the semiconductor chip other than the reference chip After the pick-up process is completed, it executes the pickup process of the reference chip.
本発明の第3の態様に係るダイボンディング装置は、上記のピックアップ装置によりピックアップされた半導体装置を基板上に搬送し、当該半導体チップを前記基板上にダイボンディングするものである。 A die bonding apparatus according to a third aspect of the present invention transports a semiconductor device picked up by the above-described pickup device onto a substrate, and die-bonds the semiconductor chip onto the substrate.
本発明の第4の態様に係るダイボンディング方法は、上記のピックアップ方法によりピックアップされた半導体チップを基板上に搬送し、当該半導体チップを前記基板にダイボンディングする。 In a die bonding method according to a fourth aspect of the present invention, a semiconductor chip picked up by the pickup method described above is transferred onto a substrate, and the semiconductor chip is die bonded to the substrate.
本発明の第5の態様に係る半導体装置の製造方法は、ウェハに所定の配列で形成された複数の半導体チップの配列データ及び個々の半導体チップの良否を示す良否データを含むマップデータを作成し、前記ウェハを保持冶具に保持し、前記保持冶具に保持された状態で、前記ウェハを個片の半導体チップに分割し、前記ウェハ上に設けられた2つ以上のターゲットダイ、及び、前記半導体チップのうち前記2つのターゲットダイ間に配置される少なくとも1つの参照チップを認識し、認識された前記2つ以上のターゲットダイ及び前記参照チップを用いて、装置座標系における前記複数の半導体チップの位置座標を特定し、特定された前記半導体チップの位置座標を用いて、前記マップデータに基づき、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理を行い、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理が完了した後に、前記参照チップのピックアップ処理を実行する。 A method of manufacturing a semiconductor device according to a fifth aspect of the present invention creates map data including array data of a plurality of semiconductor chips formed in a predetermined array on a wafer and pass / fail data indicating pass / fail of each semiconductor chip. The wafer is held by a holding jig, and the wafer is divided into individual semiconductor chips while being held by the holding jig, and two or more target dies provided on the wafer, and the semiconductor Recognizing at least one reference chip disposed between the two target dies among the chips, and using the two or more recognized target dies and the reference chip, the plurality of semiconductor chips in the apparatus coordinate system A position coordinate is specified, and the semiconductor chip other than the reference chip is used based on the map data using the specified position coordinate of the semiconductor chip. It performs the pickup process, after the pick-up process of the semiconductor chip other than the reference chip is completed, executes the pickup process of the reference chip.
本発明によれば、参照チップ以外の半導体チップのピックアップ処理を行い、参照チップ以外の半導体チップのピックアップ処理が完了した後に、参照チップのピックアップ処理を実行する。このため、処理途中のウェハのピックアップ処理を再開する場合でも、ウェハ上に残った参照チップを用いて、正確にターゲットダイを認識することができ、半導体チップの位置座標の特定することができる。これにより、ピックアップ処理の半導体チップの座標ズレを低減することができ、ピックアップ処理の信頼性を向上することができる。 According to the present invention, the pick-up process for the semiconductor chip other than the reference chip is performed, and the pick-up process for the reference chip is executed after the pick-up process for the semiconductor chip other than the reference chip is completed. For this reason, even when picking up a wafer in the middle of processing is resumed, the target die can be accurately recognized using the reference chip remaining on the wafer, and the position coordinates of the semiconductor chip can be specified. Thereby, the coordinate shift of the semiconductor chip of the pick-up process can be reduced, and the reliability of the pick-up process can be improved.
本発明によれば、ウェハから半導体チップをピックアップする際の誤ピックアップを低減してピックアップ処理の信頼性の向上を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to reduce erroneous pickup when picking up a semiconductor chip from a wafer and improve the reliability of pickup processing.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。また、以下では、複数の実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description will be omitted. In addition, the following description will be divided into a plurality of embodiments, but unless otherwise specified, they are not irrelevant to each other, and one is a modification, details, and supplements of a part or all of the other. There is a relationship such as explanation.
また、以下の実施の形態において、要素の数など(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。 Also, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), particularly when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and it may be more or less than the specific number.
また、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。 Further, in the following embodiments, the constituent elements (including element steps) are not necessarily indispensable unless otherwise specified and clearly considered essential in principle. Needless to say.
実施の形態1.
本発明の実施の形態1を、図面を参照して説明する。まず、図1を参照して、ピックアップ処理を行う複数の半導体チップが形成されたウェハの構成について説明する。図1は、ウェハ1が保持冶具に保持された状態を示す図である。
図1に示すように、ウェハ1上には、複数の半導体チップ2が行列状に形成されている。図1において、左右方向に伸びる配列を行(ロウ)、上下方向に伸びる配列を列(カラム)とする。なお、以降の図面及び説明においても同様とする。図1に示す例では、ウェハ1の形状による制約により、下から1、2行目及び上から1、2行目に形成される半導体チップ2の個数が少なくなっている。ウェハ1は、ダイシングにより個片の半導体チップ2に分割されている。
As shown in FIG. 1, a plurality of
本実施の形態では、半導体チップ2上には、前段階で行われる良否検査により判定された良品チップ/不良品チップを示すマークが付されていない。すなわち、ウェハ1はノーマーキングウェハである。これにより、不良チップ識別のためのマーキングを行うための工程を削減することができ、半導体装置の製造コストを削減することができる。
In the present embodiment, no mark indicating the non-defective chip / defective chip determined by the pass / fail inspection performed in the previous stage is attached to the
本実施の形態では、ウェハ1を保持する保持冶具はシート3とリング4を含む。ウェハ1は、シート3によりリング4に貼り付けられている。シート3には粘着層が設けられており、この粘着層により個々の半導体チップ2がシート3に貼付保持される。リング4はシート3の外周部に設けられる。すなわち、リング4は、シート3のウェハ1が貼り付けられた領域を囲むように配置される。また、後述するように、シート3を引き延ばすことにより、個々の半導体チップ2間に間隙を形成して、ピックアップ処理を容易にすることができる。
In the present embodiment, the holding jig for holding the
ウェハ1の端部には、ウェハID5が設けられている。リング4には、バーコード6が設けられている。ウェハID5及びバーコード6は、ウェハ1上の半導体チップ2の配列データ及び個々の半導体チップ2の良否を示す良否データを含むマップデータの検索を行うために用いられる。ウェハID5とバーコード6とは、関連付けられて記憶されている。これにより、ダイシングによってウェハID5が読み取れなくなった場合でも、リング4のバーコード6を読み取ることによりウェハ1に対応するマップデータを検索することが可能となる。
A
上述のように、半導体チップ2に良品チップ/不良品チップを示すマークが付されていないため、ピックアップ処理時にはマップデータを用いてピックアップすべき半導体チップ2の位置を確認しながらピックアップ処理が実行される。図2に、マップデータの一例が示される。図2に示すように、マップデータにはウェハ1における半導体チップ2の配列データ、すなわち、半導体チップ2の位置座標が含まれる。また、マップデータには、ウェハ1のスペースの状態等を示すデータも含む。図2に示す例では、「FF」はウェハ領域外、「11」は不良品チップ、「00」は良品チップを表わしている。
As described above, since the mark indicating the non-defective chip / defective chip is not attached to the
図3に、このように良否検査結果のマークが付されていない半導体チップ2に対して、図2に示すようなマップデータを用いてピックアップを行うピックアップ装置を採用した半導体装置の製造システムが示される。図3では、半導体装置の製造工程のうちダイボンディング工程を実行するダイボンディング装置15を備える例を示す。
FIG. 3 shows a semiconductor device manufacturing system that employs a pickup device that picks up the
図3に示すように、本実施の形態に係る製造システムは、サーバー13、ウェハマウント装置14、ダイボンディング装置15を備える。前工程では、ウェハ1上の個々の半導体チップ2の検査が行われ、それぞれの半導体チップ2の良品/不良品の判定が行われる。サーバー13には、前工程で行われた個々の半導体チップ2の良否を示す良否データ及び半導体チップ2の配列データを含むマップデータが記憶される。マップデータは、ウェハ1毎にサーバー13に保存され、ウェハ1上に印字されたウェハID5により識別される。すなわち、サーバー13は、マップデータをウェハ1の識別情報であるウェハID5と関連付けて記憶する記憶部である。
As shown in FIG. 3, the manufacturing system according to the present embodiment includes a
ウェハマウント装置14は、半導体チップ2が形成されたウェハ1を、シート3を用いてリング4に貼り付ける。ウェハ1は、シート3に貼り付けられた状態で図示しないダイシング装置により個片のウェハ1に分割される。
The
また、ウェハマウント装置14は、ウェハ1上のウェハID5及びリング4上のバーコード6を関連付けてサーバー13に送信する。これにより、ダイシングによってウェハID5を読み取ることができなくなっても、リング4に設けられたバーコード6を読み取ることで、当該ウェハ1に対応したマップデータを検索することが可能となる。ダイボンディング装置15は、分割された個々の半導体チップ2をピックアップし、基板に搭載する。
Further, the
ここで、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図3に示す製造システムでは、まず、サーバー13に、前工程から送信されたロット単位のマップデータが保存される。なお、ここでは図示していないが、ロットを分割した場合やロットを統合した場合等に応じてマップデータを処理する処理装置が別途設けられていてもよい。
Here, a method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be described. In the manufacturing system shown in FIG. 3, first, map data in units of lots transmitted from the previous process is stored in the
一方、ウェハマウント装置14には、前工程からウェハ1が搬送される。ウェハマウント装置14は、ウェハ1上に印字されているウェハID5を読み取り、サーバー13に対して、読み取ったウェハID5に対応するマップデータの有無の確認を行う。また、ウェハマウント装置14は、読み取ったウェハID5からバーコード6を作成する。バーコード6は、ウェハID5と関連付けられてサーバー13に保存される。
On the other hand, the
さらに、ウェハマウント装置14は、ウェハ1をシート3を用いてリング4に貼り付けるとともに、作成されたバーコード6をリング4に貼り付ける。ウェハ1は、リング4、シート3を含む保持冶具ごと図示しないダイシング装置に送られる。
Further, the
ダイシング装置では、保持冶具に貼り付けられたウェハ1のダイシングが行われる。その後、保持冶具に貼り付けられた状態のダイシング済みのウェハ1はピックアップ装置を備えるダイボンディング装置15に搬送される。ダイボンディング装置15では、バーコード6を読み取ることによりウェハID5を読み取り、サーバー13に対してウェハID5を送信して、これに対応するマップデータを要求する。
In the dicing apparatus, dicing of the
サーバー13は、送られたウェハID5に対応するマップデータをダイボンディング装置15に送信する。ダイボンディング装置15は、サーバー13から送られたマップデータに基づいて半導体チップ2のうち良品チップのみのピックアップ処理を行う。
The
ここで、ダイボンディング装置15の詳細な構成について、図4を参照して説明する。図4は、本実施の形態に係る半導体チップ2のピックアップ装置を備えるダイボンディング装置15の概略構成を示す図である。図4に示すように、ダイボンディング装置15は、認識カメラ7、ピックアップユニット8、補正部9を有する。
Here, a detailed configuration of the
認識カメラ7は、ウェハ1に形成された半導体チップ2中に形成されるターゲットダイ及び参照チップを画像認識する。ターゲットダイ及び参照チップは、ダイボンディング装置15の装置座標系における個々の半導体チップ2の位置座標を特定するために用いられるものである。図5に、ウェハ1上におけるターゲットダイの配置の一例を示す。
The
図5に示す例では、3つのターゲットダイ16a、16b、16cが設けられている。ターゲットダイはウェハ1上に形成された特徴的なパターンであり、半導体チップ2の製造工程内で形成されるものである。これら3つのターゲットダイ16a、16b、16cは、ウェハ1の外周近傍に配置されている。ターゲットダイ16a、16bは、同一の列の両端にそれぞれ配置されている。ターゲットダイ16b、16cは、同一の行の両端にそれぞれ配置されている。
In the example shown in FIG. 5, three target dies 16a, 16b, and 16c are provided. The target die is a characteristic pattern formed on the
なお、ターゲットダイはこれに限定されるものではなく、他の半導体チップ2に対してユニークになりえる半導体チップ2を探し出し、ターゲットダイとして設定することも可能である。ユニークな半導体チップ2としては、例えば、パッドの開口のためのショットが行われていないもの等を用いることができる。
The target die is not limited to this, and it is also possible to search for a
本実施の形態では、ターゲットダイ16a、16bと同一の列において、これら2つのターゲットダイの間に配置される5つの半導体チップ2及びターゲットダイ16b、16cと同一の行において、これら2つのターゲットダイ間に配置される6つの半導体チップ2が参照チップとされる。
In the present embodiment, in the same column as the target dies 16a and 16b, these two target dies are arranged in the same row as the five
ダイボンディング装置15は、ウェハ1が貼り付けられたリング4のバーコード6を読取り、サーバー13上に存在するウェハ1に対応するマップデータを読み込む。そして、ダイボンディング装置15は、後述するように装置座標系における複数の半導体チップ2の位置座標を特定し、この位置座標を用いて読み込んだマップデータに基づいてピックアップ処理を行う。
The
ダイボンディング装置15には、安定したピックアップ処理を行うため、シート3を引き延ばして半導体チップ2間に間隙を形成するエキスパンダー12をさらに備えている。図6を用いて、エキスパンダー12によりシート3を引き延ばすエキスパンド処理を説明する。図6に示すように、ダイボンディング装置15は、突上げユニット10、突上げピン11、エキスパンダー12、支持台17をさらに備えている。
The
ウェハ1が貼り付けられたシート3は、支持台17上に載置される。シート3の半導体チップ2が貼付された面の裏面側が支持台17に当接する。この状態で、エキスパンダー12によりシート3の外周部に設けられたリング4を支持台17のシート3に当接する面よりも下側に押し下げることにより、シート3を引き延ばすことができる。これにより、個々の半導体チップ2間に間隙を形成することが可能となる。
The
吸着機能を備えた突上げユニット10は、ピックアップされる半導体チップ2の裏面側に移動する。突上げピン11は、当該半導体チップ2の裏面側を、シート3を介して突上げる。これにより、ピックアップユニット8により確実に半導体チップ2をピックアップすることが可能となる。
The push-up unit 10 having the suction function moves to the back side of the
図4に示すように、ピックアップユニット8によりピックアップされた半導体チップ2は基板30上に搬送され、基板30にダイボンディングされる。ここで、本実施の形態に係る製造方法により製造される半導体装置の一例について、図7を参照して説明する。図7は、製造される半導体装置の実装構造の一例を示す断面図である。
As shown in FIG. 4, the
図7に示すように、半導体チップ2は、基板30上にマウント材31を用いて実装されている。基板30の半導体チップ2が実装される面の裏面側にはバンプ32が形成されている。バンプ32は、半導体チップ2が実装された半導体装置を電子デバイスに実装する際に用いられる。基板30には、バンプ32の一部と接続される電極33が形成されている。半導体チップ2と電極33とは、ボンディングワイヤー34を介して接続されている。半導体チップ2、マウント材31、ボンディングワイヤー34は、樹脂35より封止されている。
As shown in FIG. 7, the
ここで、図8〜16を参照して半導体装置の製造工程の一部であるダイボンディング工程において、ダイシング後のウェハ1から半導体チップ2をピックアップする方法について詳細に説明する。図8、12、13は、半導体チップをピックアップする際の問題点を説明するための図である。図9、10、14〜18は、実施の形態1に係る半導体チップのピックアップ方法を説明する図である。図11は、ダイボンディング装置15に送信されるマップデータの一例を示す図である。
Here, with reference to FIGS. 8 to 16, a method of picking up the
ダイボンディング工程では、ノーマーキングウェハ中の半導体チップ2のうち、良品チップのみをピックアップする必要があるため、マップデータに対応したウェハ1内の半導体チップ2の座標を把握する必要がある。しかし、実際は、ウェハ1をダイボンディング装置15に供給したときのθズレや、エキスパンド処理による半導体チップ2の間隔のズレ等により、座標が理論値に対してズレが生じてしまう可能性がある。
In the die bonding process, it is necessary to pick up only non-defective chips among the
そのため、ダイボンディング装置15の座標系における半導体チップ2の位置座標の特定は、図6にあるウェハ1上に形成された特徴的な3つのターゲットダイ(16a、16b、16c)を認識することで行う。
Therefore, the position coordinates of the
まず、ウェハ投入後最初のターゲットダイ16aを認識し、その後、当該ターゲットダイ16aと同一列に形成された2つ目のターゲットダイ16bまで直線的に移動して、ターゲットダイ16bを認識する。その後、ターゲットダイ16bと同一行に形成された3つ目のターゲットダイ16cまで直線的に移動して、ターゲットダイ16cを認識する。
First, the
このように、3つのターゲットダイ16a、16b、16c間を移動して認識することにより、ダイボンディング装置15内の実際の移動量を求めることができる。この移動量を用いて、ピックアップ対象の半導体チップ2の座標が補正され、ダイボンディング装置15の座標系における半導体チップ2の正確な位置座標が特定される。この特定された位置座標が、半導体チップ2のピックアップ位置となる。
In this way, the actual movement amount in the
このとき、図8に示すようにθズレが大きい場合には、1つ目のターゲットダイ16aから2つ目のターゲットダイ16bに移動する際に、次のターゲットダイ16bを認識できない可能性がある。本実施の形態では、ターゲットダイを用いた半導体チップ2の位置座標の特定の際に、ターゲットダイ間に形成された通常の半導体チップ2を参照チップとして、位置座標の補正を行う。
At this time, when the θ shift is large as shown in FIG. 8, when moving from the first target die 16a to the
ここで、図9を参照して、実施の形態1に係るピックアップ方法における位置座標の補正動作の一例について説明する。図9に示すように、ターゲットダイ16a、16bを正確にサーチするため、移動途中に存在する半導体チップ2を一定間隔で認識して位置補正を行いながら、ターゲットダイ16aからターゲットダイ16bまで移動する。移動中の位置補正に使用される半導体チップ2を参照チップ18と呼ぶ。
Here, an example of the position coordinate correction operation in the pickup method according to the first embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 9, in order to accurately search the target dies 16a and 16b, the
図9に示す例では、ターゲットダイ16a、16b間の5つの参照チップ18の全てが認識カメラ7により認識され、位置補正が実行される。これにより、より正確にダイボンディング装置15の座標系におけるピックアップすべき半導体チップ2の位置座標を特定することが可能となる。なお、ターゲットダイ間の全ての半導体チップ2の認識を行う必要はなく、例えば、1つ置きに認識するようにしてもよい。
In the example shown in FIG. 9, all of the five
上述のとおり、ターゲットダイ16a、16b、16cは、ウェハ1の外周近傍に配置されている。このため、ウェハ1上における移動距離を長くすることができ、また、2つのターゲットダイ間に配置される参照チップの数を多くすることができる。これにより、より正確に半導体チップ2の位置座標を補正することが可能となる。
As described above, the target dies 16 a, 16 b, and 16 c are disposed in the vicinity of the outer periphery of the
また、本実施の形態では、ターゲットダイ16a、16bは、同一の列の両端にそれぞれ配置されており、ターゲットダイ16b、16cは、同一の行の両端にそれぞれ配置されている。これにより、行方向及び列方向におけるウェハ1上の半導体チップ2の位置座標を正確に補正することが可能となる。
In the present embodiment, the target dies 16a and 16b are respectively disposed at both ends of the same column, and the target dies 16b and 16c are respectively disposed at both ends of the same row. This makes it possible to accurately correct the position coordinates of the
ターゲットダイ16a、16b、16cの認識が終了すると、図2に示すマップデータに基づいて指定される、ピックアップすべき良品の半導体チップ2が存在する座標に移動し、ピックアップ処理が実行される。図10に示す例では、1行目の左端の半導体チップ2から右端まで順次ピックアップ処理が実行される。
When the recognition of the target dies 16a, 16b, and 16c is completed, the target die 16a, 16b, and 16c are moved to coordinates that are designated based on the map data shown in FIG. In the example shown in FIG. 10, pick-up processing is sequentially performed from the
また、改行時の移動距離を少なくするため、1行目の右端から2行目の右端へとピックアップユニット8が移動する。そして、2行目は左端から右端まで順次ピックアップ処理が実行される。このように、改行時の移動距離を少なくすることによって、移動による位置ズレを抑制することが可能である。なお、ピックアップ順序については、これに限定されるものではない。
Further, the
図3の製造システムにおいて、ダイボンディング装置15からサーバー13にマップデータの要求があった際にサーバー13から送信されるデータは、ピックアップ対象の半導体チップ2の座標(X、Y)、有効カラム数(X数)、有効ロウ数(Y数)、良否データである。例えば、1行目を左端から右端へ読み出した場合のサーバー13から送信されるデータは図11に示すものとなる。図11に示すように、図2に示す(0、8)の位置から(8、8)順にデータが並んで送信される。
In the manufacturing system of FIG. 3, when map data is requested from the
このとき、良否データが、半導体チップ2が良品チップであることを示す「00」である場合、当該半導体チップ2をピックアップし、不良品チップであることを示す「11」である場合ピックアップしない。従って、不良品チップはシート3上に残され、ピックアップ順序で次に存在する良品チップがピックアップされる。このため、ウェハ1の途中まで半導体チップ2のピックアップ処理を行った場合、ウェハ1上には、図12示すように、ターゲットダイ16a、16b、16c、不良品チップ及びまだピックアップ処理が実行されていない半導体チップ2が残される。
At this time, if the pass / fail data is “00” indicating that the
所定の組立ロットのダイボンディングが完了して他製品に切り替える際、ウェハ1上に良品チップが残っている場合には、ウェハ1は保持冶具ごとダイボンディング装置15から取り外され保管される。このような、一旦ピックアップ処理を中断してダイボンディング装置15から取り外した処理途中のウェハ1のピックアップ処理を再開する場合、再度ターゲットダイを用いて、装置座標系における半導体チップ2の位置座標を特定する必要がある。
When non-defective chips remain on the
しかしながら、図13に示すように、ターゲットダイ16aからターゲットダイ16bに向かって移動する間に存在する良品の半導体チップ2がすでにピックアップされていると、位置座標のズレを補正することができず、ターゲットダイ16bが認識できないという問題がある。そこで、本実施の形態に係るピックアップ方法では、途中までピックアップ処理を行ったウェハ1であっても、正確に装置座標系における半導体チップ2の位置座標を特定できるようにする。
However, as shown in FIG. 13, if a
図14〜18において、ドットハッチングされたチップを参照チップ18、クロスハッチングされたチップを不良品チップ19、ハッチングされていないチップを良品チップ20とする。まず、上述のように装置座標系における半導体チップ2の位置座標の特定を実行した後、図14に示すように1列目の左端から順次ピックアップしていく。このとき、図15に示すように、不良品チップ19はピックアップ処理を行わず飛び越えて、良品チップ20のみのピックアップ処理を実行する。1行目のピックアップ処理が終了した後、2行目に移動し右端から半導体チップ2がピックアップ処理される。
14 to 18, a dot-hatched chip is referred to as a
また、図16に示すように、ターゲットダイ間に存在する参照チップ18については、不良品チップと判断されている場合に限らず、良品チップであると判断されている場合でも、ピックアップせずシート3上に残したままにする。すなわち、参照チップ18である場合にはピックアップ処理を行わず飛び越えて、次の順番の良品チップ20のピックアップ処理を行う。つまり、参照チップ18は、ウェハ1上に参照チップ18ではない他の良品チップ20が残っている場合はピックアップ処理が実行されない。
Further, as shown in FIG. 16, the
ダイボンディング装置15内では、参照チップ18のピックアップ処理を飛ばすために、ターゲットダイ16a、16b、16cの座標(X、Y)、及びこれらの間に存在する参照チップ18の座標が記憶されている。ピックアップ処理対象の半導体チップ2が参照チップ18の座標と一致する場合には、順番を飛ばして次の良品チップ20のピックアップ処理を実行する。
In the
なお、ターゲットダイ16a、16b、16c間に存在する参照チップ18のうち良品チップについてはピックアップ処理を実行しないように、ダイボンディング装置15内又はサーバー13等において、参照チップ18ではない通常の良品チップ20と区別するようにマップデータを補正してもよい。補正されたマップデータは、ターゲットダイ16a、16b、16c間に存在する良品チップと、その他の良品チップとが区別できるデータとなる。従って、補正されたマップデータには、ターゲットダイ16a、16b、16c、不良品チップ19、良品チップ20、及びターゲットダイ間に存在する良品チップのデータが含まれることとなる。
Of the reference chips 18 existing between the target dies 16a, 16b, and 16c, a normal good chip that is not the
図17を用いて、最終行のピックアップ処理を実行せずに、良品チップ20が残った処理途中のウェハ1の再度ピックアップ処理を行う場合について説明する。この場合には、再度、装置座標系における半導体チップ2の位置座標を特定する必要がある。そこで、まず、認識カメラ7により、ターゲットダイ16aを画像認識し、その後、当該ターゲットダイ16aと同一列に形成された2つ目のターゲットダイ16bまで直線的に移動して、ターゲットダイ16bを認識する。
With reference to FIG. 17, a case will be described in which the pick-up process is performed again on the
ターゲットダイ間に存在する良品チップについては通常動作ではピックアップを行う順番が来ても、ピックアップ処理を行わず順番を飛ばしている。このため、ウェハ1上には、参照チップ18が残った状態である。従って、ターゲットダイ16aからターゲットダイ16bに向かって移動する途中にある参照チップ18を認識カメラ7により画像認識して、半導体チップ2の位置座標の補正を行う。
With respect to the non-defective chips existing between the target dies, even if the order of picking up comes in the normal operation, the order is skipped without performing picking up processing. Therefore, the
その後、ターゲットダイ16bから、同一行に形成された3つ目のターゲットダイ16cまで直線的に移動して、ターゲットダイ16cを認識する。この移動途中において、ターゲットダイ16bとターゲットダイ16cとの間にある参照チップ18を認識カメラ7により画像認識して、半導体チップ2の位置座標の補正を行う。
Thereafter, the
位置座標の特定が終了した後、再ピックアップ処理における最初の半導体チップ2に移動する。図17に示す例では、最終行の左端の半導体チップ2に移動して、右端に向かって順次ピックアップ処理を実行する。このように、本実施の形態では、途中までピックアップ処理を行ったウェハ1であっても、正確に装置座標系における半導体チップ2の位置座標を特定できる。このため、より正確にピックアップ処理を実行することができ、信頼性を向上することが可能となる。
After specifying the position coordinates, the
参照チップ18ではない通常の良品チップ20のピックアップが終了すると、ターゲットダイ16a、16b、16c、参照チップ18、不良品チップ19のみがウェハ1に残されることとなる。通常の良品チップ20のピックアップ処理が終了した後、ダイボンディング装置15では、ターゲットダイ間に存在する良品チップのピックアップ処理を実行するように自動で動作設定が行われる。そして、最後にピックアップした良品チップ20に最も近い参照チップ18中の良品チップへと移動する。これにより、移動距離を短くし、位置ズレを低減することが可能となる。
When the pickup of the normal
図18に示す例では、最終行の右端の良品チップ20のピックアップが終了すると、その良品チップ20と同一の列で、その1行上の参照チップ18に移動する。そして、当該参照チップ18から左に、すなわち、ターゲットダイ16cからターゲットダイ16bに向かう方向に順次ピックアップ処理を実行する。
In the example shown in FIG. 18, when the pickup of the
ターゲットダイ16bの右に隣接する参照チップ18のピックアップ処理が終わった後には、ターゲットダイ16bの1行上に隣接する参照チップ18へ移動する。この参照チップ18から上に、すなわち、ターゲットダイ16bからターゲットダイ16aに向かう方向に順次ピックアップ処理を行う。このとき、参照チップ18が良品チップであればピックアップし、不良品チップであればピックアップしない。なお、上述の実施の形態は例示であり、ピックアップ順序は上述の説明に限定されない。
After the pick-up process of the
以上説明したように、本実施の形態によれば、処理途中のウェハ1を再度ダイボンディング装置15にセットし、装置座標系における半導体チップ2の位置を特定する場合でも、正確にターゲットダイを認識することができ、半導体チップ2の位置座標の特定することができる。これにより、ピックアップ処理のスタートとなる半導体チップ2の座標ズレを低減することができ、半導体チップ2のピックアップ処理の信頼性を向上することが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the target die is accurately recognized even when the
実施の形態2.
本発明の実施の形態2に係る半導体チップのピックアップ方法について図19〜21を参照して説明する。図19〜22は、本実施の形態に係るピックアップ方法について説明する図である。図19〜22において、ドットハッチングされたチップが参照チップ18、クロスハッチングされたチップが不良品チップ19、ハッチングされていないチップが良品チップ20である。
A semiconductor chip pick-up method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 19 to 22 are diagrams for explaining the pickup method according to the present embodiment. 19 to 22, the dot-hatched chip is the
なお、本実施の形態に係るピックアップ方法を採用するピックアップ装置は、上述の半導体製造システムにおけるダイボンディング装置15において用いられる。これらのシステム、装置については、実施の形態1と同様の構成であるため説明を省略する。
Note that a pickup apparatus that employs the pickup method according to the present embodiment is used in the
本実施の形態では、2つのターゲットダイが設けられている例について説明する。図19に示す例では、2つのターゲットダイ16a、16cが設けられている。これら2つのターゲットダイ16a、16cは、ウェハ1の外周近傍に配置されており、ウェハ1の略中心を中心として対称に配置されている。すなわち、ターゲットダイ16a、16cを結ぶ直線は、ウェハ1の略中心を通り、中心からターゲットダイ16aまでの距離とターゲットダイ16cまでの距離は略等しい。
In this embodiment, an example in which two target dies are provided will be described. In the example shown in FIG. 19, two target dies 16a and 16c are provided. These two target dies 16 a and 16 c are arranged in the vicinity of the outer periphery of the
本実施の形態では、ターゲットダイ16a、16c間に存在する半導体チップ2が参照チップ18とされる。図19に示す折れ線が通る経路上の12個の半導体チップ2が参照チップとなる。ターゲットダイ16a、16c、参照チップ18が、ダイボンディング装置15の装置座標系における半導体チップ2の位置座標を特定するために用いられる。
In the present embodiment, the
ウェハ投入後、まず、認識カメラ7により最初のターゲットダイ16aを認識し、その後、ターゲットダイ16cまで移動して、ターゲットダイ16cを認識する。このように、2つのターゲットダイ16a、16c間を移動して認識することにより、ダイボンディング装置15内の実際の移動量を求めることができる。この移動量を用いて、ピックアップ対象の半導体チップ2の座標が補正され、ダイボンディング装置15の座標系における半導体チップ2の正確な位置座標が特定される。
After the introduction of the wafer, first, the
また、ターゲットダイ16aからターゲットダイ16cまで移動する間に、移動途中に存在する参照チップ18を一定間隔で認識して位置補正を行う。これにより、ターゲットダイ16a、16bを正確にサーチすることができ、正確に位置座標を特定することが可能となる。本実施の形態では、12個の参照チップ18のすべてが認識カメラ7により認識される。
Further, during the movement from the target die 16a to the target die 16c, the
本実施の形態では、ターゲットダイ16a、16c間において、1チップ毎にX方向(行が延在する方向)又はY方向(列が延在する方向)に隣接する参照チップ18が認識される。具体的には、ターゲットダイ16aの右に隣接する参照チップ18が認識され、その後、当該参照チップ18の下(−Y方向)に隣接する参照チップ18が認識される。
In the present embodiment, between the target dies 16a and 16c, the
すなわち、認識カメラ7は、図19に示すように、ターゲットダイ16aとターゲットダイ16cとの間を1チップ毎の階段状に移動して、各参照チップ18を認識する。これにより、X、Yいずれの方向に対しても、位置座標の補正を行うことが可能となる。
That is, as shown in FIG. 19, the
上述のとおり、ターゲットダイ16a、16cは、ウェハ1の外周近傍に配置されている。このため、ウェハ1上における移動距離を長くすることができ、また、2つのターゲットダイ間に配置される参照チップの数を多くすることができ、より正確に位置座標の補正を行うことができる。
As described above, the target dies 16 a and 16 c are arranged near the outer periphery of the
ターゲットダイ16a、16cの認識が終了すると、図2に示すマップデータに基づいて指定される、ピックアップすべき良品の半導体チップ2が存在する座標に移動し、ピックアップ処理が実行される。図19に示す例では、1行目の左端の半導体チップ2から右端まで順次ピックアップ処理が実行される。このとき、良否データが、半導体チップ2が良品チップであることを示す「00」である場合、当該半導体チップ2をピックアップし、不良品チップであることを示す「11」である場合ピックアップしない。
When the recognition of the target dies 16a and 16c is completed, the target die 16a and 16c are moved to the coordinates where the
また、図20に示すように、ターゲットダイ間に存在する参照チップ18については、不良品チップと判断されている場合に限らず、良品チップであると判断されている場合でも、ピックアップせずシート3上に残したままにする。すなわち、参照チップ18である場合にはピックアップ処理を行わず飛び越えて、次の順番の良品チップ20のピックアップ処理を行う。
Further, as shown in FIG. 20, the
図21に示すように、良品チップ20が残った処理途中のウェハ1の再度ピックアップ処理を行う場合には、再度装置座標系における半導体チップ2の位置座標の特定を行う。この場合、まず、認識カメラ7によりターゲットダイ16aを画像認識し、その後、当該ターゲットダイ16aからターゲットダイ16cまで移動して、ターゲットダイ16cを認識する。
As shown in FIG. 21, when the pick-up process is performed again on the
前回のピックアップ処理時には、ターゲットダイ間に存在する良品チップについては通常動作ではピックアップを行う順番が来ても、ピックアップ処理を行わず順番を飛ばしている。このため、ウェハ1上には、参照チップ18が残った状態である。
During the previous pick-up process, the non-defective chips existing between the target dies are skipped without performing the pick-up process even if the pick-up order comes in the normal operation. Therefore, the
従って、ターゲットダイ16aからターゲットダイ16cに向かって移動する途中にある参照チップ18を認識カメラ7により画像認識して、半導体チップ2の位置座標の補正を行う。位置座標の特定が終了した後、再ピックアップ処理における最初の半導体チップ2に移動して、順次ピックアップ処理を実行する。図21に示す例では、ターゲットダイ16cの2つ隣の良品チップ20が最初にピックアップされ、その後、破線矢印で示すように左に向かって順次ピックアップ処理がなされる。
Accordingly, the
このように、本実施の形態では、途中までピックアップ処理を行ったウェハ1であっても、正確に装置座標系における半導体チップ2の位置座標を特定でき、より正確にピックアップ処理を実行することが可能となる。
As described above, in the present embodiment, even for the
参照チップ18ではない通常の良品チップ20のピックアップが終了すると、ターゲットダイ16a、16c、参照チップ18、不良品チップ19のみがウェハ1に残されることとなる。通常の良品チップ20のピックアップ処理が終了した後、ダイボンディング装置15では、ターゲットダイ間に存在する良品チップのピックアップ処理を実行する。そして、参照チップ18のうち、最後にピックアップした良品チップ20に最も近い良品チップへと移動する。
When the pickup of the normal
図22に示す例では、最終行の右端の良品チップ20のピックアップが終了すると、その良品チップ20と同一の列で、その1行上の参照チップ18に移動する。そして、当該参照チップ18から、ターゲットダイ16aからターゲットダイ16cまで移動した経路を逆に向かう方向に順次ピックアップ処理を実行する。このとき、参照チップ18が良品チップであればピックアップし、不良品チップであればピックアップしない。
In the example shown in FIG. 22, when the pickup of the
なお、ピックアップ順序はこの例に限定されない。また、参照チップ18は図19に示す例に限定されない。例えば、ターゲットダイ16a、16cを結ぶ直線上に存在する半導体チップ2を参照チップ18としてもよい。
Note that the pickup order is not limited to this example. Further, the
このように、本実施の形態によれば、処理途中のウェハ1のピックアップ処理を再開する場合でも、正確にターゲットダイを認識することができ、半導体チップ2の位置座標の特定することができる。これにより、ピックアップ処理の半導体チップ2の座標ズレを低減することができ、半導体チップ2のピックアップ処理の信頼性を向上することが可能となる。
Thus, according to the present embodiment, even when the pick-up process of the
なお、ピックアップ処理される半導体チップが、良品チップ/不良品チップのマークが付されているチップの場合には、ピックアップ処理の際にマップデータを用いてもよいし、また、用いなくてもよい。マップデータを用いない場合には、認識カメラ7によって半導体チップ上に付されたマークを認識して、ピックアップするか否かを判定すればよい。
If the semiconductor chip to be picked up is a chip with a non-defective chip / defective chip mark, map data may or may not be used during pick-up processing. . When map data is not used, the
以上、本発明について実施の形態をもとに説明したが、上記の実施の形態は例示であり、本発明の主旨から逸脱しない限り、さまざまな変更、増減を加えてもよい。これらの変更、増減が加えられた変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。本発明は、上述したダイボンディング工程に限らず、半導体チップのピックアップが行われる電子デバイスの組み立て工程等にも好適である。 As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment, said embodiment is an illustration, and unless it deviates from the main point of this invention, you may add various change and increase / decrease. It will be understood by those skilled in the art that modifications to which these changes and increases / decreases are also within the scope of the present invention. The present invention is not limited to the above-described die bonding process, but is also suitable for an electronic device assembly process in which a semiconductor chip is picked up.
1 ウェハ
2 半導体チップ
3 シート
4 リング
5 ウェハID
6 バーコード
7 認識カメラ
8 ピックアップユニット
9 補正部
10 突上げユニット
11 突上げピン
12 エキスパンダー
13 サーバー
14 ウェハマウント装置
15 ダイボンディング装置
16 ターゲットダイ
17 支持台
18 参照チップ
19 不良品チップ
20 良品チップ
30 基板
31 マウント材
32 バンプ
33 電極
34 ボンディングワイヤー
35 樹脂
1
6
Claims (38)
前記認識部により認識された前記2つ以上のターゲットダイ及び前記参照チップを用いて、装置座標系における前記複数の半導体チップの位置座標を特定する補正部と、
個々の半導体チップの良否を示す良否データ及び前記ウェハにおける個々の半導体チップの配列を示す配列データを含むマップデータに基づき、前記補正部により特定された前記半導体チップの位置座標を用いて、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理を行い、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理が完了した後に、前記参照チップのピックアップ処理を実行するピックアップ処理部と、
を備えるピックアップ装置。 Among two or more target dies provided on a wafer held by a holding jig, and a plurality of semiconductor chips formed in a predetermined arrangement on the wafer and separated into individual pieces, between the two target dies A recognition unit for recognizing at least one reference chip disposed;
Using the two or more target dies recognized by the recognition unit and the reference chip, a correction unit that specifies position coordinates of the plurality of semiconductor chips in an apparatus coordinate system;
Based on pass / fail data indicating pass / fail of individual semiconductor chips and map data including array data indicating the arrangement of individual semiconductor chips on the wafer, the reference coordinates are used, using the position coordinates of the semiconductor chips specified by the correction unit. A pick-up processing unit that performs pick-up processing of the semiconductor chip other than the chip, and executes the pick-up processing of the reference chip after the pick-up processing of the semiconductor chip other than the reference chip is completed;
A pickup device comprising:
前記複数の半導体チップを貼付保持するシートと、
前記シートの外周部に設けられるリングと、
を備える請求項1〜6のいずれか1項に記載のピックアップ装置。 The holding jig is
A sheet for attaching and holding the plurality of semiconductor chips;
A ring provided on the outer periphery of the seat;
A pickup device according to any one of claims 1 to 6.
前記2つ以上のターゲットダイは、前記複数の半導体チップの同一行又は同一列内に配置されることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載のピックアップ装置。 The plurality of semiconductor chips are formed in a matrix on the wafer,
The pickup device according to claim 1, wherein the two or more target dies are arranged in the same row or the same column of the plurality of semiconductor chips.
前記ウェハ上に設けられた2つ以上のターゲットダイ、及び、前記複数の半導体チップのうち、前記2つのターゲットダイ間に配置される少なくとも1つの参照チップを認識し、
認識された前記2つ以上のターゲットダイ及び前記参照チップを用いて、装置座標系における前記複数の半導体チップの位置座標を特定し、
特定された前記半導体チップの位置座標を用いて、前記マップデータに基づき、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理を行い、
前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理が完了した後に、前記参照チップのピックアップ処理を実行するピックアップ方法。 Create map data including array data of a plurality of semiconductor chips formed in a predetermined array on a wafer held by a holding jig and separated into pieces, and pass / fail data indicating pass / fail of individual semiconductor chips,
Recognizing two or more target dies provided on the wafer and at least one reference chip arranged between the two target dies among the plurality of semiconductor chips;
Using the recognized two or more target dies and the reference chip, the position coordinates of the plurality of semiconductor chips in an apparatus coordinate system are specified,
Using the specified position coordinates of the semiconductor chip, based on the map data, perform a pick-up process of the semiconductor chip other than the reference chip,
A pick-up method for executing the pick-up process for the reference chip after the pick-up process for the semiconductor chip other than the reference chip is completed.
前記半導体チップ間に間隙が形成された状態でピックアップ処理を行う請求項14〜19のいずれか1項に記載のピックアップ方法。 Stretching the holding jig holding the wafer, forming a gap between individual semiconductor chips,
The pickup method according to claim 14, wherein the pickup process is performed in a state where a gap is formed between the semiconductor chips.
前記2つ以上のターゲットダイは、前記複数の半導体チップの同一行又は同一列内に配置されることを特徴とする請求項14〜23のいずれか1項に記載のピックアップ方法。 The plurality of semiconductor chips are formed in a matrix on the wafer,
The pickup method according to any one of claims 14 to 23, wherein the two or more target dies are arranged in the same row or the same column of the plurality of semiconductor chips.
当該半導体チップを前記基板上にダイボンディングするダイボンディング装置。 A semiconductor device picked up by the pickup device according to claim 1 is conveyed onto a substrate,
A die bonding apparatus for die bonding the semiconductor chip onto the substrate.
当該半導体チップを前記基板にダイボンディングするダイボンディング方法。 A semiconductor chip picked up by the pick-up method according to any one of claims 14 to 26 is transferred onto a substrate,
A die bonding method of die bonding the semiconductor chip to the substrate.
前記ウェハを保持冶具に保持し、
前記保持冶具に保持された状態で、前記ウェハを個片の半導体チップに分割し、
前記ウェハ上に設けられた2つ以上のターゲットダイ、及び、前記半導体チップのうち前記2つのターゲットダイ間に配置される少なくとも1つの参照チップを認識し、
認識された前記2つ以上のターゲットダイ及び前記参照チップを用いて、装置座標系における前記複数の半導体チップの位置座標を特定し、
特定された前記半導体チップの位置座標を用いて、前記マップデータに基づき、前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理を行い、
前記参照チップ以外の前記半導体チップのピックアップ処理が完了した後に、前記参照チップのピックアップ処理を実行する半導体装置の製造方法。 Create map data including array data of a plurality of semiconductor chips formed in a predetermined array on a wafer and pass / fail data indicating pass / fail of individual semiconductor chips,
Holding the wafer in a holding jig;
In a state of being held by the holding jig, the wafer is divided into individual semiconductor chips,
Recognizing two or more target dies provided on the wafer and at least one reference chip arranged between the two target dies among the semiconductor chips;
Using the recognized two or more target dies and the reference chip, the position coordinates of the plurality of semiconductor chips in an apparatus coordinate system are specified,
Using the specified position coordinates of the semiconductor chip, based on the map data, perform a pick-up process of the semiconductor chip other than the reference chip,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a pickup process for the reference chip is performed after a pickup process for the semiconductor chip other than the reference chip is completed.
前記半導体チップ間に間隙が形成された状態でピックアップ処理を行う請求項29〜34のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 Stretching the holding jig holding the wafer, forming a gap between individual semiconductor chips,
35. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 29, wherein the pickup process is performed in a state where a gap is formed between the semiconductor chips.
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