JP2013001853A - 接着性樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
電子部材の銅を含有する面の接着において、高い接着性を有する接着性樹脂組成物を提供すること。また、かかる接着性樹脂組成物を用いて接着された高信頼性かつ高生産性の半導体装置を提供すること。
【解決手段】
電子部材の銅を含有する面の接着に用いられる接着性樹脂組成物であって、ラジカル重合性二重結合を有する化合物(A)、ラジカル開始剤(B)、グアニジン誘導体及び/又はグアナミン誘導体(C)、充填剤(D)を含むことを特徴とする接着性樹脂組成物。
【選択図】 図1
Description
電子部材の銅を含有する面の接着に用いられる接着性樹脂組成物であって、ラジカル重合性二重結合を有する化合物(A)、ラジカル開始剤(B)、グアニジン誘導体及び/又はグアナミン誘導体(C)、充填剤(D)を含むことを特徴とする接着性樹脂組成物、
が提供される。
また、本発明によれば、
上記接着性樹脂組成物をダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置、
が提供される。
各構成要素について以下に詳細に述べる。
本発明に用いられるラジカル二重結合性化合物としては特に制限は無く、(メタ)アクリロイル化合物、ビニル化合物、アリル化合物、マレイミド化合物などの各種のものが用いられる。また、それぞれのラジカル二重結合性化合物を単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
特に0.1〜10重量%以下が好ましい。含有量が前記範囲であると靭性、低応力性および接着性をより好適なものとすることができるという効果を奏する。
上述した樹脂(A)と(C)成分を組み合わせることにより、銅を含有する接着面において、(C)成分と銅との相互作用により、樹脂(A)成分と銅との濡れ性が変わり、ブリードが抑制できる効果がある。
マレイミド基を有する化合物として、例えばマレイミド樹脂が挙げられる。マレイミド樹脂は、1分子内にマレイミド基を1つ以上含む化合物であり、加熱によりマレイミド基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。例えば、N,N'−(4,4'−ジフェニルメタン)ビスマレイミド、ビス(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、2,2−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンなどのビスマレイミド樹脂が挙げられる。より好ましいマレイミド樹脂は、ダイマー酸ジアミンと無水マレイン酸の反応により得られる化合物、マレイミド酢酸、マレイミドカプロン酸といったマレイミド化アミノ酸とポリオールの反応により得られる化合物である。マレイミド化アミノ酸は、無水マレイン酸とアミノ酢酸またはアミノカプロン酸とを反応することで得られ、ポリオールとしては、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリ(メタ)アクリレートポリオールが好ましく、芳香族環を含まないものが特に好ましい。マレイミド基は、アリル基と反応可能であるのでアリルエステル樹脂との併用も好ましい。アリルエステル樹脂としては、脂肪族のものが好ましく、中でも特に好ましいのはシクロヘキサンジアリルエステルと脂肪族ポリオールのエステル交換により得られる化合物である。アリルエステル系化合物の数平均分子量は、特に限定されないが、500〜10,000が好ましく、特に500〜8,000が好ましい。数平均分子量が前記範囲内であると、硬化収縮を特に小さくすることができ、密着性の低下を防止することができる。
本実施形態における樹脂ペーストを用いて半導体装置10を作製する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、市販のダイボンダーを用いて、基材2の所定の部位に樹脂ペーストをディスペンス塗布した後、半導体素子3をマウントし、加熱硬化して接着層1を形成する。その後、ワイヤーボンディングして、エポキシ樹脂を用いて封止材層5を形成することによって半導体装置10を作製する。またはフリップチップ接合後アンダーフィル材で封止したフリップチップBGA(Ball Grid Array)などの半導体チップ裏面に樹脂組成物をディスペンスしヒートスプレッダー、リッドなどの放熱部品を搭載し加熱硬化するなどである。
ここで、100μm以下のブリードアウトとは、電子部材の銅を有する面上において、接着性樹脂組成物の硬化物の周囲に発生するブリードアウトの幅の最大値が100μm以下であることを指す。ブリードアウトを上述の範囲とすることにより、ダイボンディング強度が向上し、また、その後にワイヤーボンディング工程を有する場合、ワイヤーボンディング工程での不良発生を抑止する効果がある。
されるものではない。
ラジカル重合性二重結合を有する化合物(A)としてジアリルエステル化合物(昭和電工(株)製、DA101)、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル1、6HX)を、アルコール性水酸基を有する化合物として1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA)、マレイミド基を有する化合物として、ビスマレイミド化合物(大日本インキ(株)製、MIA−201を、グアニジン誘導体及び/又はグアナミン誘導体(C)としてジシアンジアミドを、カップリング剤としてテトラスルフィド結合を有するカップリング剤(日本ユニカー(株)製、A−1289)、グリシジル基を有するカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403E)を、ラジカル重合開始剤(B)として1,1−ジ(tert−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン(日本油脂(株)製、パーヘキサCS)を、充填材(D)としては平均粒径8μm、最大粒径30μmのフレーク状銀粉(以下銀粉)を、表1に記載の配合割合で配合し、3本ロールを用いて混練し脱泡することで接着性樹脂組成物を得た。なお、表1に記載の配合割合は重量部である。
実施例1のジシアンジアミドをベンゾグアナミンにした以外は、すべて実施例1と同様にして、接着性樹脂組成物を得た。
実施例1の1,6−ヘキサンジオールジメタクリレートをポリエチレングリコールジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル4EG)にし、充填材として銀粉をシリカにした以外はすべて実施例1と同様にして、接着性樹脂組成物を得た。
実施例3のジシアンジアミドをベンゾグアナミンにした以外は、すべて実施例3と同様にして、接着性樹脂組成物を得た。
ラジカル重合性二重結合を有する化合物(A)としてジアリルエステル化合物(昭和電工(株)製、DA101)、を、グアニジン誘導体及び/又はグアナミン誘導体(C)としてジシアンジアミドを、カップリング剤としてテトラスルフィド結合を有するカップリング剤(日本ユニカー(株)製、A−1289)、グリシジル基を有するカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403E)を、ラジカル重合開始剤(B)として1,1−ジ(tert−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン(日本油脂(株)製、パーヘキサCS)を、充填材(D)として銀粉を用いた以外は、すべて実施例1と同様に実施した。
実施例5のジアリルエステル化合物(昭和電工(株)製、DA101)を1,4ビニル結合の割合が72%のポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(数平均分子量3100、酸価74meqKOH/g、Satomer社製、Ricobond1731)にした以外は、すべて実施例5と同様に実施した。
実施例1で、ジシアンジアミドを使用しない以外は、すべて実施例1と同様に実施した。
実施例4で、ベンゾグアナミンを使用しない以外は、すべて実施例4と同様に実施した。
実施例5で、ジシアンジアミドを使用しない以外は、すべて実施例5と同様に実施した。
実施例6で、ジシアンジアミドを使用しない以外は、すべて実施例6と同様に実施した。
約500μgの接着性樹脂組成物を銅フレーム上に塗布し、シリコンチップをマウントし、25℃で2h放置後、窒素雰囲気下175℃で30分硬化した。硬化後に光学顕微鏡でブリードアウトを観測した。各実施例における結果を表1に示す。
表1に示す樹脂組成物を用いて、下記のリードフレームとシリコンチップを175℃30分間硬化し接着した。さらに、封止材料(スミコンEME−7026、住友ベークライト(株)製)を用い封止し、半導体装置を作製した。この半導体装置を用いて、30℃、相対湿度60%、168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒、3回リフロー)を行った。IRリフロー処理後の半導体装置を超音波探傷装置(透過型)により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が10%未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は%である。
パッケージ:QFP(14×20×2.0mm)
リードフレーム:銀めっきした銅フレーム
チップサイズ:6×6mm
樹脂組成物の硬化条件:オーブン中175℃、30分
Claims (5)
- 電子部材の銅を含有する面の接着に用いられる接着性樹脂組成物であって、樹脂(A)、ラジカル開始剤(B)、グアニジン誘導体及び/又はグアナミン誘導体(C)、充填剤(D)を含み、かつ、前記樹脂(A)はラジカル重合性二重結合を有する化合物を含むことを特徴とする接着性樹脂組成物。
- 前記グアニジン誘導体及び/又はグアナミン誘導体(C)は、下記式(1)であらわされる化合物である請求項1に記載の接着性樹脂組成物。
- 前記ラジカル重合性二重結合を有する化合物(A)が、(メタ)アクリロイル化合物、ビニル化合物、アリル化合物からなる群から選ばれるものである請求項1または2に記載の接着性樹脂組成物。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の接着性樹脂組成物をダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
- 電子部材の銅を含有する面上に、前記接着性樹脂組成物の硬化物から100μm以下のブリードアウトを有する請求項5に記載の半導体装置。
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JP2011135717A JP2013001853A (ja) | 2011-06-17 | 2011-06-17 | 接着性樹脂組成物および半導体装置 |
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WO2016158829A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、導電性樹脂組成物、接着剤、導電性接着剤、電極形成用ペースト、半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002184793A (ja) * | 2000-04-10 | 2002-06-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
JP2010199132A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性接着剤組成物および半導体装置 |
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2011
- 2011-06-17 JP JP2011135717A patent/JP2013001853A/ja active Pending
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JP2010199132A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性接着剤組成物および半導体装置 |
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---|---|---|---|---|
WO2016158829A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、導電性樹脂組成物、接着剤、導電性接着剤、電極形成用ペースト、半導体装置 |
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