JP2012533684A - 製造システム内における堆積物形成の抑止方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (46)
- 担体上に材料を堆積する製造システムで使用される電極の冷却面上の堆積物形成を抑止する方法であって、前記冷却面は銅を含み、前記製造システムはチャンバを画定する少なくとも一つの反応器であって、前記電極が少なくとも部分的に前記チャンバ内に配置されて前記チャンバ内で前記担体を支持する反応器と、前記電極と流体連通して冷却液組成物を前記冷却面との間で行き来させる循環装置であって、前記冷却液組成物は冷却液と前記電極の冷却面からの溶解銅を含む循環装置と、該循環装置と流体連通する濾過システムとを含み、前記方法は、
前記担体を支持する前記電極を加熱するステップと、
前記電極の前記冷却面を前記冷却液組成物と接触させるステップと、
前記材料を前記電極によって支持される前記担体上に堆積するステップと、
前記冷却液組成物を前記濾過システムで濾過して前記冷却液組成物から前記溶解銅の少なくとも一部を濾過するステップと
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記担体上に前記材料を堆積するステップは前記担体上にシリコンを堆積するステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記担体上にシリコンを堆積するステップは前記担体上に多結晶シリコンの形成をもたらす方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記冷却液組成物を濾過するステップは前記冷却液組成物を約20GPM以下で前記濾過システムを通すステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記冷却液組成物内に存在する前記溶解銅の平均濃度は約100ppb以下である方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記濾過システムはカチオン床フィルタとしてさらに定義され、前記冷却液組成物を濾過するステップは前記冷却液組成物の少なくとも一部を前記カチオン床フィルタに通すステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記濾過システムは逆浸透処理装置としてさらに定義され、前記冷却液組成物を濾過するステップは前記冷却液組成物の少なくとも一部を前記逆浸透処理装置に通すステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記冷却液組成物のpHを約7.0〜9.5に維持するステップをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記冷却液組成物の導電率を約80マイクロジーメンス以下に維持するステップをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記電極はヘッドと軸をさらに含み、これらの各々は径を有し、該ヘッドの径は該軸の径よりも大きく、前記電極の前記冷却面はチャネルを画定し、該チャネルは前記電極内で前記電極の長さLよりも小さい距離Dに延在し、前記電極の前記冷却面を前記冷却液組成物と接触させるステップは前記チャネル内で前記冷却液組成物を循環させるステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記冷却液は脱イオン水である方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記冷却液組成物は溶存ガスをさらに含み、前記方法は脱気装置を使って前記冷却液組成物から前記溶存ガスの少なくとも一部を除去するステップをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記冷却液組成物に腐食抑制剤を添加して前記冷却面の劣化を防止するステップをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記冷却液組成物にキレート剤を添加して前記溶解銅と反応させて前記冷却液組成物内で酸化銅の形成を防止するステップをさらに含む方法。
- 担体上に材料を堆積する製造システムであって、該システムは、
チャンバを画定する少なくとも一つの反応器と、
少なくとも部分的に前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記担体を支持する少なくとも一つの電極であって、該電極は銅を含む冷却面を有する電極と、
冷却液および溶解銅を含む冷却液組成物であって、該冷却液組成物は前記電極の前記冷却面と接触して前記電極内に生じた熱を放散させ、前記電極が堆積温度に到達するのを防ぐ冷却液組成物と、
前記電極に連結され、前記冷却液組成物を含み、前記冷却液組成物を前記冷却面との間で行き来させる循環装置と、
前記循環装置と流体連通して前記冷却液組成物から前記溶解銅の少なくとも一部を除去する濾過システムと
を備えるシステム。 - 請求項15に記載のシステムにおいて、前記冷却液組成物内に存在する前記溶解銅の平均濃度は約100ppm以下であるシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記冷却液組成物は前記濾過システムを20GPM以下で通るシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記濾過システムはカチオン床フィルタを備えるシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記濾過システムは逆浸透処理装置を備えるシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記冷却液組成物は約7.0〜9.5のpHを有するシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記冷却液組成物は約80マイクロジーメンス以下の導電率を有するシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記電極はヘッドと軸をさらに含み、これらの各々は径を有し、前記ヘッドの径は前記軸の径よりも大きく、前記電極の前記冷却面はチャネルを画定し、該チャネルは前記電極内で前記電極の長さLよりも小さい距離Dに延在するシステム。
- 請求項22に記載のシステムにおいて、前記冷却面は無酸素電気銅グレードUNS10100を含むシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、複数の電極を備え、前記循環装置は前記電極の各々の前記冷却面と流体連通して前記冷却液組成物を前記電極の各々の前記冷却面に運ぶシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記担体上に堆積された材料は前記担体上に多結晶シリコンを形成するシリコンであるシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記冷却液組成物は溶存ガスをさらに含み、前記システムは前記循環装置と流体連通する脱気装置をさらに備え、前記冷却液組成物から前記溶存ガスの少なくとも一部を除去するシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記冷却液組成物は前記冷却面の劣化を防止する腐食抑止剤をさらに含むシステム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記冷却液組成物は前記溶解銅と反応させて前記冷却液組成物内での酸化銅の形成を防止するキレート剤をさらに含むシステム。
- 担体上に材料を堆積する製造システムであって、該システムは、
チャンバを画定する少なくとも一つの反応器と、
前記チャンバに少なくとも部分的に配置され、前記チャンバ内で前記担体を支持する少なくとも一つの電極であって、該電極は銅を含む冷却面を有する電極と、
前記電極と連結され、冷却液組成物を運んで前記冷却面と接触させる循環装置であって、前記冷却液組成物は冷却液と溶解銅を含み、前記冷却液組成物は前記電極の前記冷却面と接触して前記電極内で生じた熱を放熱させ、材料が前記担体上に堆積する堆積温度に前記電極が到達するのを防止する循環装置と、
前記循環装置と流体連通して前記冷却液組成物から前記溶解銅の少なくとも一部を除去する濾過システムと
を含むシステム。 - 請求項29に記載のシステムにおいて、前記濾過システムはカチオン床フィルタを備えるシステム。
- 請求項29に記載のシステムにおいて、前記濾過システムは逆浸透処理装置を備えるシステム。
- 請求項29に記載のシステムにおいて、前記電極はヘッドと軸をさらに含み、これらの各々は径を有し、該ヘッドの該径は該軸の該径よりも大きく、前記電極の前記冷却面は前記電極の長さLよりも短い距離Dに前記電極内で延在するチャネルを画定するシステム。
- 請求項32に記載のシステムにおいて、前記冷却面の前記銅は無酸素電気銅グレードUNS10100としてさらに定義されるシステム。
- 請求項29に記載のシステムにおいて、複数の電極を備え、前記循環装置は前記電極の各々の前記冷却面と流体連通して前記冷却液組成物を前記電極の各々の前記冷却面に運ぶシステム。
- 請求項29に記載のシステムにおいて、前記担体上に堆積される前記材料は前記担体上に多結晶シリコンの形成をもたらすシリコンであるシステム。
- 請求項29に記載のシステムにおいて、前記循環装置と流体連通して溶存ガスの少なくとも一部を前記冷却液組成物から除去する脱気装置をさらに備えるシステム。
- 担体に材料を堆積する製造システムで使用される電極の冷却面上の堆積物形成を抑止する方法であって、前記冷却面は銅を含み、前記製造システムはチャンバを画定する少なくとも一つの反応器であって、前記電極が少なくとも部分的に前記チャンバ内に配置されて前記チャンバ内で前記担体を支持する反応器と、前記電極と流体連通して冷却液組成物を前記冷却面との間で行き来させる循環装置であって、前記冷却液組成物は冷却液と前記電極の冷却面からの溶解銅を含む循環装置と、該循環装置と流体連通する濾過システムとを含み、前記方法は、
前記担体を支持する前記電極を加熱するステップと、
前記電極の前記冷却面を前記冷却液組成物と接触させるステップと、
前記冷却液組成物を前記濾過システムで濾過して前記冷却液組成物から前記溶解銅の少なくとも一部を濾過するステップと、
前記冷却液組成物の所望のpHを維持して前記冷却面の劣化を最小限に抑えるステップと、
前記冷却液組成物の所望の導電率を維持して前記冷却液組成物と前記電極との間の電気アーキングを防止するステップと、
前記電極によって支持される前記担体上に材料を堆積するステップと
を含む方法。 - 請求項37に記載の方法において、前記担体上に材料を堆積するステップは前記担体上にシリコンを堆積するステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項38に記載の方法において、前記担体上にシリコンを堆積するステップは前記担体上に多結晶シリコンの形成をもたらす方法。
- 請求項37に記載の方法において、前記冷却液組成物を濾過するステップは前記冷却液組成物内に存在する溶解銅の平均濃度を100ppb以下にする方法。
- 請求項37に記載の方法において、前記濾過システムはカチオン床フィルタとしてさらに定義され、前記冷却液組成物を濾過するステップは前記カチオン床フィルタに前記冷却液組成物の少なくとも一部を通らせるステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項37に記載の方法において、前記冷却液組成物の所望のpHを維持するステップは前記冷却液組成物のpHを約7.0から9.5に維持するステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項37に記載の方法において、前記冷却液組成物の所望の導電率を維持するステップは、前記冷却液組成物の導電率を約80マイクロジーメンス以下に維持するステップとしてさらに定義される方法。
- 請求項37に記載の方法において、前記冷却液組成物は溶存ガスをさらに含み、該方法は脱気装置を使って前記冷却液組成物から前記溶存ガスの少なくとも一部を除去するステップをさらに含む方法。
- 請求項37に記載の方法において、腐食抑止剤を前記冷却液組成物に添加して前記冷却面の劣化を防ぐステップをさらに含む方法。
- 請求項37に記載の方法において、キレート剤を前記冷却液組成物に添加して溶解銅と反応させて前記冷却液組成物内で酸化銅の形成を防ぐステップをさらに含む方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013187384A1 (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-19 | ユニチカ株式会社 | 繊維状銅微粒子およびその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5752888A (en) * | 1980-07-18 | 1982-03-29 | Siemens Ag | Cooler |
JPS5942007A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-08 | Toray Eng Co Ltd | 逆浸透処理装置の運転停止方法 |
JP2003001256A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-07 | Kurita Water Ind Ltd | 循環冷却水の処理方法 |
JP2003040612A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Komatsu Ltd | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
JP2005290424A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hakuto Co Ltd | 金属腐食抑制剤 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB823383A (en) * | 1955-01-13 | 1959-11-11 | Siemens Ag | Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of very pure crystalline substances |
DE2652218A1 (de) * | 1976-11-16 | 1978-05-24 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium |
JPS53106626A (en) * | 1977-03-02 | 1978-09-16 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity rod silicon and appratus therefor |
DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
DE3134803A1 (de) * | 1981-09-02 | 1983-03-17 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | "verfahren zur reinigung von hohlleitern gekuehlter elektrischer maschinen und apparate" |
US4477911A (en) * | 1982-12-02 | 1984-10-16 | Westinghouse Electric Corp. | Integral heat pipe-electrode |
JPH0619584A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | 電子計算機の冷却装置 |
DE19882883B4 (de) * | 1997-12-15 | 2009-02-26 | Advanced Silicon Materials LLC, (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Moses Lake | System für die chemische Abscheidung aus der Gasphase zum Herstellen polykristalliner Siliziumstangen |
CN1290421A (zh) * | 1998-02-23 | 2001-04-04 | 法国电气公司 | 用于净化一种在通风系统中工作的发电机的定子的冷却系统的方法及实现的设备 |
JP4533925B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2010-09-01 | 財団法人高知県産業振興センター | 成膜装置及び成膜方法 |
EP2265883A1 (en) * | 2008-04-14 | 2010-12-29 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
JP2010038381A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Daikin Ind Ltd | 冷凍装置 |
-
2010
- 2010-07-14 RU RU2012101082/02A patent/RU2012101082A/ru not_active Application Discontinuation
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- 2010-07-14 AU AU2010273462A patent/AU2010273462A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-14 IN IN415DEN2012 patent/IN2012DN00415A/en unknown
- 2010-07-14 WO PCT/US2010/041961 patent/WO2011008849A1/en active Application Filing
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- 2010-07-14 KR KR1020127001097A patent/KR20120042840A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5752888A (en) * | 1980-07-18 | 1982-03-29 | Siemens Ag | Cooler |
JPS5942007A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-08 | Toray Eng Co Ltd | 逆浸透処理装置の運転停止方法 |
JP2003001256A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-07 | Kurita Water Ind Ltd | 循環冷却水の処理方法 |
JP2003040612A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Komatsu Ltd | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
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