RU2012101082A - Способ ингибирования образования осадков в производственной системе - Google Patents

Способ ингибирования образования осадков в производственной системе Download PDF

Info

Publication number
RU2012101082A
RU2012101082A RU2012101082/02A RU2012101082A RU2012101082A RU 2012101082 A RU2012101082 A RU 2012101082A RU 2012101082/02 A RU2012101082/02 A RU 2012101082/02A RU 2012101082 A RU2012101082 A RU 2012101082A RU 2012101082 A RU2012101082 A RU 2012101082A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
cooling
cooling composition
composition
carrier
Prior art date
Application number
RU2012101082/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Макс ДЕТЬЯР
Джейсон ДЖИАРДИНА
Джайме ВАНДЕРХОВЕЛ
Майкл ХОФМЕЙСТЕР
Майкл Джон МОЛНАР
Роберт И. СТРАТТОН
Стефен ПАВЕЛКОВСКИ
Original Assignee
Хемлок Семикэндактор Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хемлок Семикэндактор Корпорейшн filed Critical Хемлок Семикэндактор Корпорейшн
Publication of RU2012101082A publication Critical patent/RU2012101082A/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24Deposition of silicon only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B43/00Arrangements for separating or purifying gases or liquids; Arrangements for vaporising the residuum of liquid refrigerant, e.g. by heat
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B47/00Arrangements for preventing or removing deposits or corrosion, not provided for in another subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

1. Способ ингибирования образования осадков на охлаждающей поверхности электрода, используемого в производственной системе для осаждения материала на носитель, где охлаждающая поверхность содержит медь, и производственная система включает по меньшей мере один реактор, содержащий камеру, а электрод по меньшей мере частично расположен в камере для поддержки в камере носителя, циркуляционную систему, находящуюся в жидкостной связи с электродом, для переноса охлаждающей композиции к охлаждающей поверхности и от этой поверхности, и охлаждающая композиция содержит охлаждающую жидкость и растворенную медь из охлаждающей поверхности электрода, и фильтрационную систему, находящуюся в жидкостной связи с циркуляционной системой, характеризующийся тем, что включает в себя следующие этапы:нагревание электрода, поддерживающего носитель;контактирование охлаждающей поверхности электрода с охлаждающей композицией;осаждение материала на носитель, поддерживаемый электродом, ифильтрацию охлаждающей композиции с помощью фильтрационной системы для отфильтровывания по меньшей мере части растворенной меди из охлаждающей композиции.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение материала на носитель представляет собой осаждение кремния на носитель.3. Способ по п.2, отличающийся тем, что осаждение кремния на носитель приводит к образованию поликристаллического кремния на подложке.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что фильтрация охлаждающей композиции представляет собой прохождение охлаждающей композиции через фильтрационную систему со скоростью потока менее приблизительно 20 галлонов в минуту (75,7 л/мин).5. Способ п

Claims (22)

1. Способ ингибирования образования осадков на охлаждающей поверхности электрода, используемого в производственной системе для осаждения материала на носитель, где охлаждающая поверхность содержит медь, и производственная система включает по меньшей мере один реактор, содержащий камеру, а электрод по меньшей мере частично расположен в камере для поддержки в камере носителя, циркуляционную систему, находящуюся в жидкостной связи с электродом, для переноса охлаждающей композиции к охлаждающей поверхности и от этой поверхности, и охлаждающая композиция содержит охлаждающую жидкость и растворенную медь из охлаждающей поверхности электрода, и фильтрационную систему, находящуюся в жидкостной связи с циркуляционной системой, характеризующийся тем, что включает в себя следующие этапы:
нагревание электрода, поддерживающего носитель;
контактирование охлаждающей поверхности электрода с охлаждающей композицией;
осаждение материала на носитель, поддерживаемый электродом, и
фильтрацию охлаждающей композиции с помощью фильтрационной системы для отфильтровывания по меньшей мере части растворенной меди из охлаждающей композиции.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение материала на носитель представляет собой осаждение кремния на носитель.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что осаждение кремния на носитель приводит к образованию поликристаллического кремния на подложке.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что фильтрация охлаждающей композиции представляет собой прохождение охлаждающей композиции через фильтрационную систему со скоростью потока менее приблизительно 20 галлонов в минуту (75,7 л/мин).
5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что средняя концентрация растворенной меди в охлаждающей композиции составляет менее приблизительно 100 млрд-1.
6. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что фильтрационная система представляет собой фильтр с катионообменной смолой, и фильтрация охлаждающей композиции представляет собой прохождение по меньшей мере части охлаждающей композиции через фильтр с катионообменной смолой.
7. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что фильтрационная система представляет собой установку обратного осмоса, и фильтрация охлаждающей композиции представляет собой прохождение по меньшей мере части охлаждающей композиции через установку обратного осмоса.
8. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что дополнительно включает поддержание уровня рН охлаждающей композиции в диапазоне от приблизительно 7,0 до 9,5.
9. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что дополнительно включает поддержание электропроводности охлаждающей композиции на уровне менее приблизительно 80 мкСм.
10. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что электрод содержит головку и стержень, причем диаметр головки превышает диаметр стержня, и охлаждающая поверхность электрода определяет канал, причем этот канал проходит в электроде на расстояние D, которое меньше, чем длина L электрода, и контактирование охлаждающей поверхности электрода с охлаждающей композицией представляет собой циркуляцию охлаждающей композиции в этом канале.
11. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что охлаждающей жидкостью является деионизированная вода.
12. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что охлаждающая композиция дополнительно содержит растворенные газы, и способ дополнительно включает этап удаления по меньшей мере части растворенных газов из охлаждающей композиции при помощи дегазатора.
13. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что дополнительно включает этап добавления в охлаждающую композицию ингибитора коррозии для предотвращения разрушения охлаждающей поверхности.
14. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что дополнительно включает этап добавления в охлаждающую композицию хелатирующего агента, вступающего в реакцию с растворенной медью, для предотвращения образования в охлаждающей композиции оксида меди.
15. Производственная система для осаждения материала на носитель, характеризующаяся тем, что включает:
по меньшей мере один реактор, содержащий камеру;
по меньшей мере один электрод по меньшей мере частично расположенный в камере для поддержки в камере носителя, причем этот электрод имеет охлаждающую поверхность, содержащую медь;
циркуляционную систему, соединенную с электродом для переноса охлаждающей композиции и приведения ее в контакт с охлаждающей поверхностью электрода, причем охлаждающая поверхность содержит охлаждающую жидкость и растворенную медь и контактирует с охлаждающей поверхностью электрода для рассеивания тепла, генерируемого в электроде, тем самым, препятствуя достижению электродом температуры осаждения, при которой материал осаждается на носитель, и
фильтрационную систему, находящуюся в жидкостной связи с циркуляционной системой для удаления по меньшей мере части растворенной меди из охлаждающей композиции.
16. Система по п.15, отличающаяся тем, что фильтрационная система содержит фильтр с катионообменной смолой.
17. Система по п.15, отличающаяся тем, что фильтрационная система содержит установку обратного осмоса.
18. Система по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что электрод содержит головку и стержень, причем диаметр головки превышает диаметр стержня, и охлаждающая поверхность электрода определяет канал, проходящий в электроде на расстояние D, которое меньше, чем длина L электрода.
19. Система по п.18, отличающаяся тем, что охлаждающая поверхность содержит бескислородную медь электролитической чистоты UNS 10100.
20. Система по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что содержит множество электродов, и циркуляционная система находится в жидкостной связи с охлаждающей поверхностью каждого из этих электродов для переноса охлаждающей композиции к охлаждающей поверхности каждого из этих электродов.
21. Система по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что материал, осаждаемый на носитель, является кремнием, образующим на подложке поликристаллический кремний.
22. Система по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что дополнительно содержит дегазатор, находящийся в жидкостной связи с циркуляционной системой, для удаления по меньшей мере части растворенных газов из охлаждающей композиции.
RU2012101082/02A 2009-07-14 2010-07-14 Способ ингибирования образования осадков в производственной системе RU2012101082A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22534709P 2009-07-14 2009-07-14
US61/225,347 2009-07-14
PCT/US2010/041961 WO2011008849A1 (en) 2009-07-14 2010-07-14 A method of inhibiting formation of deposits in a manufacturing system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012101082A true RU2012101082A (ru) 2013-08-20

Family

ID=42697284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012101082/02A RU2012101082A (ru) 2009-07-14 2010-07-14 Способ ингибирования образования осадков в производственной системе

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20120114860A1 (ru)
EP (1) EP2454394A1 (ru)
JP (1) JP2012533684A (ru)
KR (1) KR20120042840A (ru)
CN (1) CN102471883A (ru)
AU (1) AU2010273462A1 (ru)
CA (1) CA2768171A1 (ru)
IN (1) IN2012DN00415A (ru)
RU (1) RU2012101082A (ru)
WO (1) WO2011008849A1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013187384A1 (ja) * 2012-06-11 2013-12-19 ユニチカ株式会社 繊維状銅微粒子およびその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB823383A (en) * 1955-01-13 1959-11-11 Siemens Ag Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of very pure crystalline substances
DE2652218A1 (de) * 1976-11-16 1978-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium
JPS53106626A (en) * 1977-03-02 1978-09-16 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity rod silicon and appratus therefor
DE2912661C2 (de) * 1979-03-30 1982-06-24 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens
DE3027362A1 (de) * 1980-07-18 1982-02-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kuehlanordnung und verfahren zum betrieb der anordnung
DE3134803A1 (de) * 1981-09-02 1983-03-17 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim "verfahren zur reinigung von hohlleitern gekuehlter elektrischer maschinen und apparate"
JPS5942007A (ja) * 1982-08-31 1984-03-08 Toray Eng Co Ltd 逆浸透処理装置の運転停止方法
US4477911A (en) * 1982-12-02 1984-10-16 Westinghouse Electric Corp. Integral heat pipe-electrode
JPH0619584A (ja) * 1992-07-02 1994-01-28 Hitachi Ltd 電子計算機の冷却装置
DE19882883B4 (de) * 1997-12-15 2009-02-26 Advanced Silicon Materials LLC, (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Moses Lake System für die chemische Abscheidung aus der Gasphase zum Herstellen polykristalliner Siliziumstangen
EP1057240B1 (fr) * 1998-02-23 2005-12-07 Electricité de France Procede d'epuration de circuit de refroidissement de stator d'alternateur fonctionnant en circuit aere, et dispositif permettant sa mise en oeuvre
JP3903746B2 (ja) * 2001-06-25 2007-04-11 栗田工業株式会社 循環冷却水の処理方法
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
JP4467046B2 (ja) * 2004-03-31 2010-05-26 伯東株式会社 金属腐食抑制剤
JP4533925B2 (ja) * 2007-12-17 2010-09-01 財団法人高知県産業振興センター 成膜装置及び成膜方法
RU2503905C2 (ru) * 2008-04-14 2014-01-10 Хемлок Семикондактор Корпорейшн Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
JP2010038381A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Daikin Ind Ltd 冷凍装置

Also Published As

Publication number Publication date
IN2012DN00415A (ru) 2015-05-22
EP2454394A1 (en) 2012-05-23
CA2768171A1 (en) 2011-01-20
WO2011008849A1 (en) 2011-01-20
JP2012533684A (ja) 2012-12-27
AU2010273462A1 (en) 2012-02-02
US20120114860A1 (en) 2012-05-10
KR20120042840A (ko) 2012-05-03
CN102471883A (zh) 2012-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2494578C2 (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
EP3598871A1 (en) Water treatment and desalination
RU2503905C2 (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
CA2547907A1 (en) Cooling water scale and corrosion inhibition
RU2012101082A (ru) Способ ингибирования образования осадков в производственной системе
JP4121224B2 (ja) 循環水処理方法及び装置
TW201323653A (zh) 用於處理塑膠基板之方法及用於將至少部分處理溶液再生之裝置
CN104973718B (zh) 一种绿色高效锅炉给水处理系统
JP5909533B2 (ja) 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極
CN103910456B (zh) 一种运用半导体膜处理废水的方法
CN108609748B (zh) 用于循环冷却水软化处理的离子膜电沉积装置与沉积方法
CN219117297U (zh) 矿热炉循环水水质软化系统
CN109231600A (zh) 一种工业循环水污垢净化装置及其除垢方法
JP4877641B2 (ja) ダイヤモンド局所配線電極
CN103184344B (zh) 一种去除连续热浸镀锌铝中锌渣的装置和方法
US20200407245A1 (en) Electrocoagulation device
CN212090941U (zh) 一种蒸发器的防腐蚀装置
CN105417637A (zh) 一种工业废水深度处理的电催化氧化反应装置
TWI771428B (zh) 多晶矽的製造方法
KR20030025897A (ko) 열교환과 공기교반이 가능한 폐수 전해처리 장치
TW202100729A (zh) 蒸餾塔的差壓消除方法及差壓消除劑
KR101300779B1 (ko) 폴리실리콘 정제용 cvd장치의 금속 전극의 재생 방법 및 이 방법으로 재생된 금속 전극
JPWO2011036946A1 (ja) 水質改善装置および水系循環システム
SU1090664A1 (ru) Способ удалени накипи с поверхности теплообменной системы
CN104843697A (zh) 一种温和条件下制备石墨烯的方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20141126