RU2012101082A - Способ ингибирования образования осадков в производственной системе - Google Patents
Способ ингибирования образования осадков в производственной системе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012101082A RU2012101082A RU2012101082/02A RU2012101082A RU2012101082A RU 2012101082 A RU2012101082 A RU 2012101082A RU 2012101082/02 A RU2012101082/02 A RU 2012101082/02A RU 2012101082 A RU2012101082 A RU 2012101082A RU 2012101082 A RU2012101082 A RU 2012101082A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- cooling
- cooling composition
- composition
- carrier
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B43/00—Arrangements for separating or purifying gases or liquids; Arrangements for vaporising the residuum of liquid refrigerant, e.g. by heat
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B47/00—Arrangements for preventing or removing deposits or corrosion, not provided for in another subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
1. Способ ингибирования образования осадков на охлаждающей поверхности электрода, используемого в производственной системе для осаждения материала на носитель, где охлаждающая поверхность содержит медь, и производственная система включает по меньшей мере один реактор, содержащий камеру, а электрод по меньшей мере частично расположен в камере для поддержки в камере носителя, циркуляционную систему, находящуюся в жидкостной связи с электродом, для переноса охлаждающей композиции к охлаждающей поверхности и от этой поверхности, и охлаждающая композиция содержит охлаждающую жидкость и растворенную медь из охлаждающей поверхности электрода, и фильтрационную систему, находящуюся в жидкостной связи с циркуляционной системой, характеризующийся тем, что включает в себя следующие этапы:нагревание электрода, поддерживающего носитель;контактирование охлаждающей поверхности электрода с охлаждающей композицией;осаждение материала на носитель, поддерживаемый электродом, ифильтрацию охлаждающей композиции с помощью фильтрационной системы для отфильтровывания по меньшей мере части растворенной меди из охлаждающей композиции.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение материала на носитель представляет собой осаждение кремния на носитель.3. Способ по п.2, отличающийся тем, что осаждение кремния на носитель приводит к образованию поликристаллического кремния на подложке.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что фильтрация охлаждающей композиции представляет собой прохождение охлаждающей композиции через фильтрационную систему со скоростью потока менее приблизительно 20 галлонов в минуту (75,7 л/мин).5. Способ п
Claims (22)
1. Способ ингибирования образования осадков на охлаждающей поверхности электрода, используемого в производственной системе для осаждения материала на носитель, где охлаждающая поверхность содержит медь, и производственная система включает по меньшей мере один реактор, содержащий камеру, а электрод по меньшей мере частично расположен в камере для поддержки в камере носителя, циркуляционную систему, находящуюся в жидкостной связи с электродом, для переноса охлаждающей композиции к охлаждающей поверхности и от этой поверхности, и охлаждающая композиция содержит охлаждающую жидкость и растворенную медь из охлаждающей поверхности электрода, и фильтрационную систему, находящуюся в жидкостной связи с циркуляционной системой, характеризующийся тем, что включает в себя следующие этапы:
нагревание электрода, поддерживающего носитель;
контактирование охлаждающей поверхности электрода с охлаждающей композицией;
осаждение материала на носитель, поддерживаемый электродом, и
фильтрацию охлаждающей композиции с помощью фильтрационной системы для отфильтровывания по меньшей мере части растворенной меди из охлаждающей композиции.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение материала на носитель представляет собой осаждение кремния на носитель.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что осаждение кремния на носитель приводит к образованию поликристаллического кремния на подложке.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что фильтрация охлаждающей композиции представляет собой прохождение охлаждающей композиции через фильтрационную систему со скоростью потока менее приблизительно 20 галлонов в минуту (75,7 л/мин).
5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что средняя концентрация растворенной меди в охлаждающей композиции составляет менее приблизительно 100 млрд-1.
6. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что фильтрационная система представляет собой фильтр с катионообменной смолой, и фильтрация охлаждающей композиции представляет собой прохождение по меньшей мере части охлаждающей композиции через фильтр с катионообменной смолой.
7. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что фильтрационная система представляет собой установку обратного осмоса, и фильтрация охлаждающей композиции представляет собой прохождение по меньшей мере части охлаждающей композиции через установку обратного осмоса.
8. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что дополнительно включает поддержание уровня рН охлаждающей композиции в диапазоне от приблизительно 7,0 до 9,5.
9. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что дополнительно включает поддержание электропроводности охлаждающей композиции на уровне менее приблизительно 80 мкСм.
10. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что электрод содержит головку и стержень, причем диаметр головки превышает диаметр стержня, и охлаждающая поверхность электрода определяет канал, причем этот канал проходит в электроде на расстояние D, которое меньше, чем длина L электрода, и контактирование охлаждающей поверхности электрода с охлаждающей композицией представляет собой циркуляцию охлаждающей композиции в этом канале.
11. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что охлаждающей жидкостью является деионизированная вода.
12. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что охлаждающая композиция дополнительно содержит растворенные газы, и способ дополнительно включает этап удаления по меньшей мере части растворенных газов из охлаждающей композиции при помощи дегазатора.
13. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что дополнительно включает этап добавления в охлаждающую композицию ингибитора коррозии для предотвращения разрушения охлаждающей поверхности.
14. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что дополнительно включает этап добавления в охлаждающую композицию хелатирующего агента, вступающего в реакцию с растворенной медью, для предотвращения образования в охлаждающей композиции оксида меди.
15. Производственная система для осаждения материала на носитель, характеризующаяся тем, что включает:
по меньшей мере один реактор, содержащий камеру;
по меньшей мере один электрод по меньшей мере частично расположенный в камере для поддержки в камере носителя, причем этот электрод имеет охлаждающую поверхность, содержащую медь;
циркуляционную систему, соединенную с электродом для переноса охлаждающей композиции и приведения ее в контакт с охлаждающей поверхностью электрода, причем охлаждающая поверхность содержит охлаждающую жидкость и растворенную медь и контактирует с охлаждающей поверхностью электрода для рассеивания тепла, генерируемого в электроде, тем самым, препятствуя достижению электродом температуры осаждения, при которой материал осаждается на носитель, и
фильтрационную систему, находящуюся в жидкостной связи с циркуляционной системой для удаления по меньшей мере части растворенной меди из охлаждающей композиции.
16. Система по п.15, отличающаяся тем, что фильтрационная система содержит фильтр с катионообменной смолой.
17. Система по п.15, отличающаяся тем, что фильтрационная система содержит установку обратного осмоса.
18. Система по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что электрод содержит головку и стержень, причем диаметр головки превышает диаметр стержня, и охлаждающая поверхность электрода определяет канал, проходящий в электроде на расстояние D, которое меньше, чем длина L электрода.
19. Система по п.18, отличающаяся тем, что охлаждающая поверхность содержит бескислородную медь электролитической чистоты UNS 10100.
20. Система по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что содержит множество электродов, и циркуляционная система находится в жидкостной связи с охлаждающей поверхностью каждого из этих электродов для переноса охлаждающей композиции к охлаждающей поверхности каждого из этих электродов.
21. Система по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что материал, осаждаемый на носитель, является кремнием, образующим на подложке поликристаллический кремний.
22. Система по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что дополнительно содержит дегазатор, находящийся в жидкостной связи с циркуляционной системой, для удаления по меньшей мере части растворенных газов из охлаждающей композиции.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22534709P | 2009-07-14 | 2009-07-14 | |
US61/225,347 | 2009-07-14 | ||
PCT/US2010/041961 WO2011008849A1 (en) | 2009-07-14 | 2010-07-14 | A method of inhibiting formation of deposits in a manufacturing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012101082A true RU2012101082A (ru) | 2013-08-20 |
Family
ID=42697284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012101082/02A RU2012101082A (ru) | 2009-07-14 | 2010-07-14 | Способ ингибирования образования осадков в производственной системе |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120114860A1 (ru) |
EP (1) | EP2454394A1 (ru) |
JP (1) | JP2012533684A (ru) |
KR (1) | KR20120042840A (ru) |
CN (1) | CN102471883A (ru) |
AU (1) | AU2010273462A1 (ru) |
CA (1) | CA2768171A1 (ru) |
IN (1) | IN2012DN00415A (ru) |
RU (1) | RU2012101082A (ru) |
WO (1) | WO2011008849A1 (ru) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013187384A1 (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-19 | ユニチカ株式会社 | 繊維状銅微粒子およびその製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB823383A (en) * | 1955-01-13 | 1959-11-11 | Siemens Ag | Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of very pure crystalline substances |
DE2652218A1 (de) * | 1976-11-16 | 1978-05-24 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium |
JPS53106626A (en) * | 1977-03-02 | 1978-09-16 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity rod silicon and appratus therefor |
DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
DE3027362A1 (de) * | 1980-07-18 | 1982-02-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Kuehlanordnung und verfahren zum betrieb der anordnung |
DE3134803A1 (de) * | 1981-09-02 | 1983-03-17 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | "verfahren zur reinigung von hohlleitern gekuehlter elektrischer maschinen und apparate" |
JPS5942007A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-08 | Toray Eng Co Ltd | 逆浸透処理装置の運転停止方法 |
US4477911A (en) * | 1982-12-02 | 1984-10-16 | Westinghouse Electric Corp. | Integral heat pipe-electrode |
JPH0619584A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | 電子計算機の冷却装置 |
DE19882883B4 (de) * | 1997-12-15 | 2009-02-26 | Advanced Silicon Materials LLC, (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Moses Lake | System für die chemische Abscheidung aus der Gasphase zum Herstellen polykristalliner Siliziumstangen |
EP1057240B1 (fr) * | 1998-02-23 | 2005-12-07 | Electricité de France | Procede d'epuration de circuit de refroidissement de stator d'alternateur fonctionnant en circuit aere, et dispositif permettant sa mise en oeuvre |
JP3903746B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2007-04-11 | 栗田工業株式会社 | 循環冷却水の処理方法 |
US6623801B2 (en) * | 2001-07-30 | 2003-09-23 | Komatsu Ltd. | Method of producing high-purity polycrystalline silicon |
JP4467046B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-05-26 | 伯東株式会社 | 金属腐食抑制剤 |
JP4533925B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2010-09-01 | 財団法人高知県産業振興センター | 成膜装置及び成膜方法 |
RU2503905C2 (ru) * | 2008-04-14 | 2014-01-10 | Хемлок Семикондактор Корпорейшн | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней |
JP2010038381A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Daikin Ind Ltd | 冷凍装置 |
-
2010
- 2010-07-14 KR KR1020127001097A patent/KR20120042840A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-07-14 RU RU2012101082/02A patent/RU2012101082A/ru not_active Application Discontinuation
- 2010-07-14 WO PCT/US2010/041961 patent/WO2011008849A1/en active Application Filing
- 2010-07-14 JP JP2012520747A patent/JP2012533684A/ja active Pending
- 2010-07-14 AU AU2010273462A patent/AU2010273462A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-14 EP EP10737413A patent/EP2454394A1/en not_active Withdrawn
- 2010-07-14 IN IN415DEN2012 patent/IN2012DN00415A/en unknown
- 2010-07-14 US US13/383,598 patent/US20120114860A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-14 CA CA2768171A patent/CA2768171A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-14 CN CN2010800317810A patent/CN102471883A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IN2012DN00415A (ru) | 2015-05-22 |
EP2454394A1 (en) | 2012-05-23 |
CA2768171A1 (en) | 2011-01-20 |
WO2011008849A1 (en) | 2011-01-20 |
JP2012533684A (ja) | 2012-12-27 |
AU2010273462A1 (en) | 2012-02-02 |
US20120114860A1 (en) | 2012-05-10 |
KR20120042840A (ko) | 2012-05-03 |
CN102471883A (zh) | 2012-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2494578C2 (ru) | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней | |
EP3598871A1 (en) | Water treatment and desalination | |
RU2503905C2 (ru) | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней | |
CA2547907A1 (en) | Cooling water scale and corrosion inhibition | |
RU2012101082A (ru) | Способ ингибирования образования осадков в производственной системе | |
JP4121224B2 (ja) | 循環水処理方法及び装置 | |
TW201323653A (zh) | 用於處理塑膠基板之方法及用於將至少部分處理溶液再生之裝置 | |
CN104973718B (zh) | 一种绿色高效锅炉给水处理系统 | |
JP5909533B2 (ja) | 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極 | |
CN103910456B (zh) | 一种运用半导体膜处理废水的方法 | |
CN108609748B (zh) | 用于循环冷却水软化处理的离子膜电沉积装置与沉积方法 | |
CN219117297U (zh) | 矿热炉循环水水质软化系统 | |
CN109231600A (zh) | 一种工业循环水污垢净化装置及其除垢方法 | |
JP4877641B2 (ja) | ダイヤモンド局所配線電極 | |
CN103184344B (zh) | 一种去除连续热浸镀锌铝中锌渣的装置和方法 | |
US20200407245A1 (en) | Electrocoagulation device | |
CN212090941U (zh) | 一种蒸发器的防腐蚀装置 | |
CN105417637A (zh) | 一种工业废水深度处理的电催化氧化反应装置 | |
TWI771428B (zh) | 多晶矽的製造方法 | |
KR20030025897A (ko) | 열교환과 공기교반이 가능한 폐수 전해처리 장치 | |
TW202100729A (zh) | 蒸餾塔的差壓消除方法及差壓消除劑 | |
KR101300779B1 (ko) | 폴리실리콘 정제용 cvd장치의 금속 전극의 재생 방법 및 이 방법으로 재생된 금속 전극 | |
JPWO2011036946A1 (ja) | 水質改善装置および水系循環システム | |
SU1090664A1 (ru) | Способ удалени накипи с поверхности теплообменной системы | |
CN104843697A (zh) | 一种温和条件下制备石墨烯的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20141126 |