JP2012533171A - 多接合及び多電極を有する光起電性電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも2個の光起電性電池160、260のアセンブリ、各光起電性電池間に位置するラミネーション中間層300を備え、前記各光起電性電池は、2個の電流出力端子185、185´、少なくとも1個の光起電性接合150、250、集電ブス180、180´及び前記集電ブスから前記電流出力端子へ延びる接続ストリップ190、190´を備え、電流出力用の全ての出力端子は、前記光起電性装置の同じ面に位置している光起電性装置。
【選択図】図7
Description
−少なくとも2個の光起電性電池(160、260)のアセンブリ、
−各光起電性電池間に位置するラミネーション中間層(300)を備える光起電性装置であり、
前記各光起電性電池は、
−2個の電流出力端子(185、185´)、
−少なくとも1個の光起電性接合(150、250)、
−集電ブス(180、180´)及び
−前記集電ブスから前記電流出力端子へ延びる接続ストリップ(190、190´)を備え、
電流出力用の全ての出力端子は、前記光起電性装置の同じ面に位置している光起電性装置を提供するものである。
n個(nは2又はそれ以上である)の光起電性電池を備え、かつ
−前部光起電性電池、
−少なくとも1個の中間光起電性電池(nが2より大きいときに、1<i<nである)、
−後部光起電性電池(n)を備え、かつ
各中間光起電性電池(i)は、光起電性電池〔1から(i−1)まで〕からの延長片(195、195´)を通過させるための2(i−1)個の孔(351、352)を有し、かつ光起電性電池(i)からの電流出力端子を通過させるための2個の孔(350、353)を有していても良く、かつ後部光起電性電池(n)は、光起電性電池〔1から(n−1)まで〕からの延長片を通過させるための2(i−1)個の孔(371〜376)を有し、かつ光起電性電池(n)からの電流出力端子を通過させるための2個の孔(370、377)を有していても良い。
n個(nは2又はそれ以上である)の光起電性電池を備え、かつ
−前部光起電性電池、
−少なくとも1個の中間光起電性電池(nが2より大きいときに、1<i<nである)、
−後部光起電性電池(n)を備え、かつ
各中間光起電性電池(i)は、接合ボックスのプラグに、光起電性電池〔1から(i−1)まで〕の接点をフィットさせるための2(i−1)個の孔(351、352)を有し、かつ接合ボックスのプラグに、光起電性電池(i)の接点をフィットさせるための2個の孔(350、353)を有していても良く、
かつ後部光起電性電池(n)は、接合ボックスのプラグに、光起電性電池〔1から(n−1)まで〕の接点をフィットさせるための2(n−1)個の孔(371〜376)を有し、かつ接合ボックスのプラグに、光起電性電池(n)の接点をフィットさせるための2個の孔(370,377)を有していても良い。
−前部光起電性電池、
−孔が、ラミネーション中間層が析出した前記前部光起電性電池の電流出力端子に面する有孔の前記ラミネーション中間層、
−それぞれが、1から(i−1)の光起電性電池からの延長片(195、195´)を通過させるための2(i−1)個の孔(351、352)を有し、かつ光起電性電池(i)からの電流出力端子を通過させる2個の孔(350、353)を有していても良い、少なくとも1個の中間光起電性電池(i)、
−孔が、ラミネーション中間層が析出した光起電性電池(i)の電流出力端子に面する有孔の前記ラミネーション中間層、及び
−1から(n−1)の光起電性電池からの延長片を通過させるための2(n−1)個の孔(371〜376)を有し、かつ光起電性電池(n)からの電流出力端子を通過させる2個の孔(370、377)を有していても良い後部光起電性電池(n)を積層するステップ備え、かつ
−前記孔に、延長片及び電流出力端子を通過させ、かつ
−可能であれば、各電池又は各中間層が析出された後の連続的な操作により、又は可能であれば、各電池又は各中間層が組み立てられた後の単一ステップにより、
積層を形成する。
−前部光起電性電池、
−孔が、ラミネーション中間層が析出した前記前部光起電性電池の電流出力端子に面する有孔の前記ラミネーション中間層、
−接合ボックスのプラグに、光起電性電池〔1から(i−1)まで〕の接点をフィットさせるための2(i−1)個の孔(351、352)を有し、かつ接合ボックスのプラグに、光起電性電池(i)の接点をフィットさせるための2個の孔(350、353)を有していても良い、少なくとも1個の中間光起電性電池(i)、
−孔が、ラミネーション中間層が析出した光起電性電池(i)の電流出力端子に面する有孔の前記ラミネーション中間層、及び
接合ボックスのプラグに、光起電性電池〔1から(i−1)まで〕の接点をフィットさせるための2(n−1)個の孔(371〜376)を有し、かつ接合ボックスのプラグに、光起電性電池(n)の接点をフィットさせるための2個の孔(370、377)を有していても良い、後部光起電性電池(n)を積層するステップを備え、かつ
−可能であれば、各電池又は各中間層が析出された後の連続的な操作により、又は可能であれば、各電池又は各中間層が組み立てられた後の単一ステップにより、
積層を形成する。
−2個の延長片を有する前部光起電性電池、
−無孔のラミネーション中間層、
−1から(i−1)の光起電性電池の2(n−1)個の延長片に対してシフトした2個の延長片を備える、後部光起電性電池(n)を積層するステップを備え、かつ
−可能であれば、各電池又は各中間層が析出された後の連続的な操作により、又は可能であれば、各電池又は各中間層が組み立てられた後の単一ステップにより、
積層を形成する。
−前部電池(i=1)、つまり光線が通過する第1の電池。
−中間の光起電性電池(1<i<n)。
−後部電池(i=n)、つまり最後に光線を受ける電池。
−光エネルギの吸収体が形成されている面A(接合)。
−太陽放射の光起電性変換に特異的な析出を有しない面B.
−太陽放射を受ける入口面E。
−基板と種々の薄層のアレイを通過した後に、太陽放射がそこから去るか、又は基板と種々の薄層のアレイを通過した後に、太陽放射がそこから反射する出口面S。
−前部の二電極光起電性電池(i=1)に関し、面Eは面Bに対応し、面Sは面Aに対応している。
−中間の二電極光起電性電池(1<i<n)のそれぞれに関し、面Eは面Bに対応し、面Sは面Aに対応している。
−後部の二電極光起電性電池(i=n)に関し、面Eは面Aに対応し、面Sは面Bに対応している。
光起電性電池(i)の製造に使用する基板は、熱的、化学的及び機械的に安定で、二電極光起電性電池(i)の全ての製造方法に関して適合し、更に最終的な多電極光起電性電池の製造方法にも適合する。全ての基板は、同じ寸法を有する。
前部、中間及び後部の二電極光起電性電池の製造について簡単に説明するが、この説明は、前記電池を組み立てる前の本発明の多電極光起電性装置の各電池の製造にも適用することができる。最終的な多電極光起電性電池を形成する各二電極光起電性電池の製造は、装置の面から見ても、あるいは立地面から見ても、完全に独立した生産ラインで行われる。各電池は、任意の公知方法、特に基板上への薄膜の析出により製造される。
光起電性電池の電気配線は、本発明を特徴付けている。図7〜図12を参照する。図7において、集電ブス(180、180´、181、181´)は、直列的なモノリチックな一体化により、電池(i)のいずれかの端部に横向きに位置し、この光起電性電池で発生する電子を集めるようになっている。集電ブスは、基板の側縁に沿って延びている。これらの側部の集電ブスを位置させるために、自動はんだ機を使用したり、あるいは接続を手動で行ったりすることが可能である。
一旦、前部、中間及び後部電極が別個に製造されると、それらは、(カプセル)ラミネーション中間層により互いに結合される。
−機械的保護を提供する、
−水蒸気及び酸素に対する障壁として作用する、
−電気的分離を提供する、
−衝撃吸収体として作用する、
−電池材料の腐食源として作用しない、
−接着性を有する。
全てのカプセルは、基板と同じサイズである。
種々の二電極光起電性電池を互いに結合させる。そのためには、ラミネーション中間層1を、光起電性電池1の面Sの表面に位置させる。次いで、電池2の面Eを前記ラミネーション中間層1上に位置させる。一般に、光起電性電池を結合させるためには、光起電性電池(i)の面Sの表面にラミネーション中間層(i)を析出させる。最後に、光起電性電池(n)の面Eを、ラミネーション中間層(n−1)上に位置させる。
110、210 第1電極
120、220 第2電極
160、260 光起電性電池
300 ラミネーション中間層
185、185´、186、186´、187、187´、188、188´ 電流出力端子
150、250 光起電性接合
180、180´、181、181´ 集電ブス
190、190´、191、191´ 接続ストリップ
195、195´ 延長片
230 反射背面フィルム
250 接合ボックス
300 フィルム
350〜357 孔
370〜377 孔
400、400´、400’’、400’’’ プラグ
500、500´、500’’、500’’’ 端部接点
600、600´ ハウジング
A、B、E、S 面
Claims (26)
- −少なくとも2個の光起電性電池(160、260)のアセンブリ、
−各光起電性電池間に位置するラミネーション中間層(300)を備える光起電性装置であり、
前記各光起電性電池は、
−2個の電流出力端子(185、185´)、
−少なくとも1個の光起電性接合(150、250)、
−集電ブス(180、180´)及び
−前記集電ブスから前記電流出力端子へ延びる接続ストリップ(190、190´)を備え、
電流出力用の全ての出力端子は、前記光起電性装置の同じ面に位置している光起電性装置。 - 前記装置は平行六面体であり、前記電流出力端子は前記平行六面体の側面のいずれかに位置し、電流出力端子は互いにシフトしている請求項1に記載の装置。
- 前記装置は平行六面体であり、前記電流出力端子は前記平行六面体の上面又は底面に位置している請求項1に記載の装置。
- 電流出力端子は、前記装置の側面近傍に整列している請求項3記載の装置。
- 電流出力端子がワイヤである請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。
- 電流出力端子が、前記接続ストリップ(190、190´)の端部の接点(500、500´)である請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。
- n個(nは2又はそれ以上である)の光起電性電池を備え、かつ
−前部光起電性電池、
−少なくとも1個の中間光起電性電池(nが2より大きいときに、1<i<nである)、
−後部光起電性電池(n)を備え、かつ
各中間光起電性電池(i)は、光起電性電池〔1から(i−1)まで〕からの延長片(195、195´)を通過させるための2(i−1)個の孔(351、352)を有し、かつ光起電性電池(i)からの電流出力端子を通過させるための2個の孔(350、353)を有し、
後部光起電性電池(n)は、光起電性電池〔1から(n−1)まで〕からの延長片を通過させるための2(i−1)個の孔(371〜376)を有し、かつ光起電性電池(n)からの電流出力端子を通過させるための2個の孔(370、377)を有している請求項1、または3〜5のいずれか1項に記載の装置。 - n個(nは2又はそれ以上である)の光起電性電池を備え、かつ
−前部光起電性電池、
−少なくとも1個の中間光起電性電池(nが2より大きいときに、1<i<nである)、
−後部光起電性電池(n)を備え、かつ
各中間光起電性電池(i)は、接合ボックスのプラグに、光起電性電池〔1から(i−1)まで〕の接点をフィットさせるための2(i−1)個の孔(351、352)を有し、かつ接合ボックスのプラグに、光起電性電池(i)の接点をフィットさせるための2個の孔(350、353)を有しており、
かつ後部光起電性電池(n)は、接合ボックスのプラグに、光起電性電池〔1から(n−1)まで〕の接点をフィットさせるための2(n−1)個の孔(371〜376)を有し、かつ接合ボックスのプラグに、光起電性電池(n)の接点をフィットさせるための2個の孔(370,377)を有している請求項3、または4〜6のいずれか1項に記載の装置。 - 後部光起電性電池は、光反射性物質のフィルム(230)を備える請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。
- 屋根部材、建物の屋根又は建物の不透明な壁被覆材として使用される請求項9記載の装置。
- 後部光起電性電池は、光反射性物質のフィルムを有しない請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。
- 建物の窓部材として使用される請求項11記載の装置。
- 光起電性接合物質が、微結晶シリコン;多形シリコン;無定形シリコン;硫化カドミウムCdS製の緩衝層を有するテルル化カドミウムCdTe;硫化カドミウムCdS又は硫化インジウムIn2S3製の緩衝層を有し、かつxが0と1の間にある黄銅鉱CuInxGa1-x(Se,S)2;シリコンとゲルマニウムの水素化無定形合金SixGe1-x、及びポリ(3−ヘキシルチオフェン)及び[6,6]フェニルーC61酪酸メチル系の有機物質及びこれらの混合物から成る群から選択される、請求項1〜12のいずれか1項に記載の装置。
- 透明な導電性酸化物(TCO)から成る2個の電極が、接合の各面に存在する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の装置。
- 正の電流出力端子から成る第1群と、負の電流出力端子から成る第2群を形成する電流出力端子が、接合ボックス内に集められている、請求項1〜14のいずれか1項に記載の装置。
- 電流出力端子が、正の電極と負の電極から成る対を構成し、各対が接合ボックス中に位置するか、全ての対が単一の接合ボックス内に位置する、請求項1〜14のいずれか1項に記載の装置。
- −請求項1〜16のいずれか1項に記載の装置、及び
−少なくとも1個の接合ボックスを備える光起電性アレイ。 - 単一の接合ボックスを備える、請求項17記載の光起電性アレイ。
- −請求項16記載の装置、及び
−n個の接合ボックスを備える光起電性アレイ。 - 光起電性電池(160、260)及びラミネーション中間層(300)を積層することを含む、請求項1〜16のいずれか1項に記載の装置の製造方法。
- −前部光起電性電池、
−孔が、ラミネーション中間層が析出した前記前部光起電性電池の電流出力端子に面する有孔の前記ラミネーション中間層、
−それぞれが、1から(i−1)の光起電性電池からの延長片(195、195´)を通過させるための2(i−1)個の孔(351、352)を有し、かつ光起電性電池(i)からの電流出力端子を通過させる2個の孔(350、353)を有していても良い、少なくとも1個の中間光起電性電池(i)、
−孔が、ラミネーション中間層が析出した光起電性電池(i)の電流出力端子に面する有孔の前記ラミネーション中間層、及び
−1から(n−1)の光起電性電池からの延長片を通過させるための2(n−1)個の孔(371〜376)を有し、かつ光起電性電池(n)からの電流出力端子を通過させる2個の孔(370、377)を有している後部光起電性電池(ni)を積層するステップを備え、かつ
−前記孔に、延長片及び電流出力端子を通過させ、かつ
−可能であれば、各電池又は各中間層が析出された後の連続的な操作により、又は可能であれば、各電池又は各中間層が組み立てられた後の単一ステップにより、
積層を形成する、請求項20に記載の方法。 - −前部光起電性電池、
−孔が、ラミネーション中間層が析出した前記前部光起電性電池の電流出力端子に面する有孔の前記ラミネーション中間層、
−接合ボックスのプラグに、光起電性電池〔1から(i−1)まで〕の接点をフィットさせるための2(i−1)個の孔(351、352)を有し、かつ接合ボックスのプラグに、光起電性電池(i)の接点をフィットさせるための2個の孔(350、353)を有している、少なくとも1個の中間光起電性電池(i)、
−孔が、ラミネーション中間層が析出した光起電性電池(i)の電流出力端子に面する有孔の前記ラミネーション中間層、及び
接合ボックスのプラグに、光起電性電池〔1から(i−1)まで〕の接点をフィットさせるための2(n−1)個の孔(371〜376)を有し、かつ接合ボックスのプラグに、光起電性電池(n)の接点をフィットさせるための2個の孔(370、377)を有している、後部光起電性電池(ni)を積層するステップを備え、かつ
−各電池又は各中間層が析出された後の連続的な操作により、又は各電池又は各中間層が組み立てられた後の単一ステップにより、積層を形成する、請求項20に記載の方法。 - 接続ストリップ(190、190´)が、それらの端部に接点(500、500´)を有する請求項22に記載の方法。
- 電流出力端子はワイヤで、光起電性電池の外側の装置のいずれかの側面に保持されている請求項20に記載の方法。
- 光起電性電池は、光起電性電池の側面に位置するか、光起電性電池の側面に開放されたハウジング(600)内に位置する接点端子(500)を有する請求項20に記載の方法。
- −2個の延長片を有する前部光起電性電池、
−無孔のラミネーション中間層、
−1から(i−1)の光起電性電池の2(n−1)個の延長片に対してシフトした2個の延長片を備える、後部光起電性電池(n)を積層するステップを備え、かつ
−可能であれば、各電池又は各中間層が析出された後の連続的な操作により、又は可能であれば、各電池又は各中間層が組み立てられた後の単一ステップにより、
積層を形成する、請求項20に記載の方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160047099A (ko) * | 2014-10-22 | 2016-05-02 | 양지혁 | 이중 층 구조의 태양광 모듈 |
WO2019003892A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2947955B1 (fr) | 2009-07-08 | 2014-07-04 | Total Sa | Procede de fabrication de cellules photovoltaiques multi-jonctions et multi-electrodes |
US8462518B2 (en) * | 2009-10-12 | 2013-06-11 | Solarbridge Technologies, Inc. | Power inverter docking system for photovoltaic modules |
KR101208272B1 (ko) * | 2011-02-24 | 2012-12-10 | 한양대학교 산학협력단 | 양면 구조를 가지는 태양전지 및 이의 제조방법 |
US8969711B1 (en) * | 2011-04-07 | 2015-03-03 | Magnolia Solar, Inc. | Solar cell employing nanocrystalline superlattice material and amorphous structure and method of constructing the same |
US20140004648A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | International Business Machines Corporation | Transparent conductive electrode for three dimensional photovoltaic device |
GB2522408A (en) | 2014-01-14 | 2015-07-29 | Ibm | Monolithically integrated thin-film device with a solar cell, an integrated battery and a controller |
US11670726B2 (en) * | 2014-02-18 | 2023-06-06 | Robert E. Sandstrom | Method for improving photovoltaic cell efficiency |
US10439084B2 (en) * | 2015-06-02 | 2019-10-08 | International Business Machines Corporation | Energy harvesting device with prefabricated thin film energy absorption sheets and roll-to-sheet and roll-to-roll fabrication thereof |
CN105405906A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-03-16 | 上海正硅实业发展有限公司 | 一种双面发电光伏组件 |
KR102120299B1 (ko) * | 2018-07-23 | 2020-06-08 | (주)소프트피브이 | 고효율 다층 태양 전지 모듈 |
US20220059294A1 (en) * | 2020-08-21 | 2022-02-24 | Solaria Corporation | Photovoltaic structure and method of fabrication |
WO2023086486A1 (en) * | 2021-11-10 | 2023-05-19 | First Solar, Inc. | Materials and methods for tandem photovoltaic devices |
WO2023181733A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | 株式会社カネカ | スタック型太陽電池ストリング、太陽電池モジュール、および、太陽電池モジュールの製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015A (en) * | 1847-03-13 | Mode of producing reciprocating and latkral motions | ||
JPH0669527A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-03-11 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
JPH11214734A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Canon Inc | 太陽電池モジュールおよびその製造方法およびその施工方法および太陽電池発電システム |
JP2000068542A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Sharp Corp | 集積型薄膜太陽電池モジュール |
JP2002083946A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | イメージセンサ |
WO2003079438A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif photovoltaique multi-jonctions a cellules independantes sans effet d'ombrage et procede de realisation d'un tel dispositif |
JP2007335760A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Fujifilm Corp | 光電変換膜、並びに、該光電変換膜を含む太陽電池、光電変換素子、又は撮像素子 |
WO2008059593A1 (fr) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Kyosemi Corporation | Dispositif de cellule solaire superposée |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1473108A (ja) * | 1973-09-14 | 1977-05-11 | ||
JPS58215081A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | アモルフアスシリコン太陽電池 |
US4461922A (en) | 1983-02-14 | 1984-07-24 | Atlantic Richfield Company | Solar cell module |
JPH073875B2 (ja) * | 1986-07-15 | 1995-01-18 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
JPS6380582A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Nec Corp | 積層型圧電素子 |
JPH01146373A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 4端子型薄膜太陽電池 |
US4830038A (en) * | 1988-01-20 | 1989-05-16 | Atlantic Richfield Company | Photovoltaic module |
AU8872891A (en) * | 1990-10-15 | 1992-05-20 | United Solar Systems Corporation | Monolithic solar cell array and method for its manufacture |
FR2690278A1 (fr) * | 1992-04-15 | 1993-10-22 | Picogiga Sa | Composant photovoltaïque multispectral à empilement de cellules, et procédé de réalisation. |
RU2079352C1 (ru) * | 1995-04-24 | 1997-05-20 | Борис Борисович Булгаков | Смеситель |
JP3146203B1 (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-12 | 鐘淵化学工業株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP3717372B2 (ja) * | 2000-05-15 | 2005-11-16 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュール |
US6566159B2 (en) | 2000-10-04 | 2003-05-20 | Kaneka Corporation | Method of manufacturing tandem thin-film solar cell |
JP2003133572A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-05-09 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール、太陽電池ストリングおよび太陽電池アレイ |
AU2002305659A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-12-12 | Midwest Research Institute | Low-bandgap, monolithic, multi-bandgap, optoelectronic devices |
US20050056312A1 (en) * | 2003-03-14 | 2005-03-17 | Young David L. | Bifacial structure for tandem solar cells |
DE10326547A1 (de) | 2003-06-12 | 2005-01-05 | Siemens Ag | Tandemsolarzelle mit einer gemeinsamen organischen Elektrode |
US20050150542A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Arun Madan | Stable Three-Terminal and Four-Terminal Solar Cells and Solar Cell Panels Using Thin-Film Silicon Technology |
US8115093B2 (en) * | 2005-02-15 | 2012-02-14 | General Electric Company | Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same |
RU2308122C1 (ru) * | 2006-06-05 | 2007-10-10 | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук | Каскадный солнечный элемент |
US20080023059A1 (en) | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Basol Bulent M | Tandem solar cell structures and methods of manufacturing same |
CN1945952A (zh) * | 2006-10-23 | 2007-04-11 | 深圳市拓日电子科技有限公司 | 整体式双结非晶硅太阳能电池幕墙及其制造方法和应用 |
KR20080069448A (ko) * | 2007-01-23 | 2008-07-28 | 엘지전자 주식회사 | 측면결정화 공정을 이용한 고효율 광기전력 변환소자 모듈및 그의 제조방법 |
US20100116330A1 (en) * | 2007-01-31 | 2010-05-13 | Tetsuyoshi Inoue | Solar cell module, solar cell wiring member, and method of manufacturing solar cell module |
TW200905901A (en) * | 2007-03-29 | 2009-02-01 | Daniel F Baldwin | Solar module manufacturing processes |
US8039740B2 (en) * | 2007-06-20 | 2011-10-18 | Rosestreet Labs Energy, Inc. | Single P-N junction tandem photovoltaic device |
WO2009006230A2 (en) * | 2007-06-30 | 2009-01-08 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
JP5286046B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の製造方法 |
US8835748B2 (en) * | 2009-01-06 | 2014-09-16 | Sunlight Photonics Inc. | Multi-junction PV module |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015A (en) * | 1847-03-13 | Mode of producing reciprocating and latkral motions | ||
JPH0669527A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-03-11 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
JPH11214734A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Canon Inc | 太陽電池モジュールおよびその製造方法およびその施工方法および太陽電池発電システム |
JP2000068542A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Sharp Corp | 集積型薄膜太陽電池モジュール |
JP2002083946A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | イメージセンサ |
WO2003079438A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif photovoltaique multi-jonctions a cellules independantes sans effet d'ombrage et procede de realisation d'un tel dispositif |
JP2007335760A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Fujifilm Corp | 光電変換膜、並びに、該光電変換膜を含む太陽電池、光電変換素子、又は撮像素子 |
WO2008059593A1 (fr) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Kyosemi Corporation | Dispositif de cellule solaire superposée |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160047099A (ko) * | 2014-10-22 | 2016-05-02 | 양지혁 | 이중 층 구조의 태양광 모듈 |
KR101707716B1 (ko) * | 2014-10-22 | 2017-02-17 | 양지혁 | 이중 층 구조의 태양광 모듈 및 이의 제조방법 |
WO2019003892A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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