JP2012531497A - 新しい高分子電解質錯体およびその使用 - Google Patents

新しい高分子電解質錯体およびその使用 Download PDF

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Abstract

本発明は、官能化ポリスルホンおよび導電性ポリマーの新規な高分子電解質錯体に、ならびにその使用に関する。
【選択図】なし

Description

本発明は、官能化ポリスルホンおよび導電性ポリマーを含有する新規な高分子電解質錯体、ならびにその使用に関する。
ポリマーは、加工性、重量、および化学修飾によって特性を狙った設定にできることの点で、金属に勝る利点を有するので、導電性ポリマーは、ますます経済的に重要になってきている。公知のπ共役ポリマーの例は、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレンおよびポリ(p−フェニレンビニレン)である。導電性ポリマーでできた層は、例えばコンデンサにおける高分子対電極として、またはプリント配線基板のスルーホール接続用に、産業界で広く使用されている。導電性ポリマーは、単量体状の前駆体、例えば任意に置換されたチオフェン、ピロールおよびアニリンなど、およびそれらのそれぞれの任意にオリゴマー状の誘導体から化学的にまたは電気化学的酸化によって、製造される。化学的酸化による重合は液体媒体の中または幅広い範囲の基板の上で、技術的に簡単な方法で行うことができるので、化学的酸化による重合は、特に広まっている。
特に重要でかつ工業的に使用されるポリチオフェンは、例えば特許文献1に記載されているポリ(エチレン−3,4−ジオキシチオフェン)(PEDOTまたはPEDT)であり、これは、エチレン−3,4−ジオキシチオフェン(EDOTまたはEDT)の化学重合によって製造され、その酸化された形態において、非常に高い伝導率を呈する。数多くのポリ(アルキレン−3,4−ジオキシチオフェン)誘導体、特にポリ(エチレン−3,4−ジオキシチオフェン)誘導体、その単量体基本単位、合成および応用例の概説は、非特許文献1によって与えられている。
例えば特許文献2に開示された、ポリアニオン、例えばポリスチレンスルホン酸(PSSA)などを有するPEDOTの分散液は、特に工業的に重要になっている。透明な導電性の膜をこれらの分散液から製造することができる;そのような膜は、例えば帯電防止コーティングとして、または、特許文献3に開示されるように、有機発光ダイオード(OLED)における正孔注入層として、非常に多くの応用例を見出している。
EDTは、この場合、ポリアニオンの水溶液の中で重合され、高分子電解質錯体が形成される。カチオン性ポリチオフェンは、電荷補償のために高分子アニオンを対イオンとして含有し、このカチオン性ポリチオフェンは、専門家らには、ポリチオフェン/ポリアニオン錯体と呼ばれることも多い。
ポリカチオンとしてのPEDTおよびポリアニオンとしてのPSSAの高分子電解質性のため、この錯体は、この点では純粋な溶液ではなく、むしろ分散液である。ポリマーまたはそのポリマーの一部がこの場合どの程度溶解または分散するのかは、ポリカチオンおよびポリアニオンの質量比、そのポリマーの電荷密度、環境の塩濃度ならびに取り囲む媒体の性質に依存する(非特許文献2)。この中間状態(transitions)は、この点では、流体でありうる。それゆえ、本願明細書中では以降、用語「分散した(された)」と「溶解した(された)」との間で区別はないこととする。「分散液」と「溶液」との間または「分散剤」と「溶媒」との間にも区別はない。反対に、これらの用語は、同義語として本願明細書で以降使用されることになる。
最初に記載したように、PEDOTおよびPSSAの錯体は、幅広い範囲の応用例を見出した。にもかかわらず、これらの錯体は、本来の高い酸度を特徴とする。これは、PSSAの高い酸度による。PSSAの当量重量は184g/molである。PEDOT:PSSA分散液のpH値は、これに対応して低く;例えば、OLEDにおいて正孔注入層として使用される典型的なPEDOT:PSSA分散液は、1.5のpH値を有する。この低いpH値は、例えばOLEDにおいて、酸化インジウムスズ(ITO)でできた透明電極のエッチングにつながる可能性がある。結果として、InおよびSnイオンは移動性となり、隣の層の中へと拡散する可能性があり(非特許文献3)、従ってOLEDの実用寿命に悪影響を及ぼす可能性がある。
非特許文献4および非特許文献5は、プロセスの中でどのようにPSSAが熱分解されて、硫酸塩を失うか、すなわちPSSAが安定ではないということを記載している。OLEDでは、例えば、この硫酸塩は、OLEDの実用寿命に悪影響を及ぼす可能性がある。
特許文献4および特許文献5は、OLEDにおける正孔注入層としての、ペルフルオロ化スルホン酸ポリマーと導電性ポリマーとの混合物を記載する。OLEDにおける正孔注入層を製造するためにこれらの混合物を使用するとき、このフッ素化されたポリマーの存在によってOLEDの実用寿命の改善が導かれるということを実証することができた。しかしながら、フッ素化されたポリマーを含有する層は、高い接触角を特徴とする。これは、さらなる溶媒ベースの層の堆積を妨げる。なぜなら、大きい接触角は膜の形成を妨げるからである。
欧州特許出願公開第339 340(A2)号明細書 欧州特許第0440 957(B1)号明細書 欧州特許第1227529(B1)号明細書 欧州特許出願公開第1564250(A)号明細書 欧州特許第1546251(B1)号明細書
L.Groenendaal,F.Jonas,D.Freitag,H.PielartzikおよびJ.R.Reynolds、Adv.Mater.、2000年、第12巻、481−494頁 V.Kabanov、Russian Chemical Reviews、2005年、第74巻、3−20頁 M.P.de Jongら、Appl.Phys.Lett.、2000年、第77巻、2255−2257頁 Si−Jeon Kimら、Chem.Phys.Lett.、2004年、第386巻、2−7頁 Jaengwan Chungら、Organic Elecronics、2009年、第9巻、869−872頁
このように、導電性ポリマーおよびポリアニオンを含有する新規な錯体についてのニーズがあった。特に、ポリアニオンが、PSSAに比べて低い酸度および向上した安定性を特徴とする、この種の錯体についてのニーズがあった。さらには、正孔注入層が低い接触角を特徴としかつOLEDが長い実用寿命を特徴とする、OLED用の正孔注入層を製造するのに適しているこの種の錯体についてのニーズがあった。
本発明で、驚くべきことに、導電性ポリマーとポリアニオンとしての官能化ポリスルホンとの錯体が、透明な導電性の膜を製造するのに適しており、これらの錯体は高い安定性を特徴とするということが見出された。さらには、この種の導電性の膜はOLEDにおける正孔注入層として適切であり、この種のOLEDの実用寿命は、塩基を加えることにより分散液のpH値が高められるとき、特に長いということが見出された。
このように、本発明の主題は、少なくとも1つの任意に置換された導電性ポリマーおよび少なくとも1つの官能化ポリスルホンを含む錯体であって、このポリスルホンはその繰り返し単位の中に(−SO−)基(スルホン基)を含有するポリマーであり、かつこのポリマーにおいてこのスルホン基は2つの芳香族基に結合されていることを特徴とする錯体、である。
本発明の好ましい実施形態では、当該官能化ポリスルホンは、一般式(I)の繰り返し単位を含有する:
Figure 2012531497
式中、
およびAは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ任意に置換された芳香族であり、
は、0〜80個の炭素原子を含有する任意に置換された有機ラジカルまたは−SO−または−O−であり、
nは、5〜50,000、好ましくは10〜300,000、特に好ましくは20〜20,000の整数である。
本発明の範囲内で、芳香族は、環状共役系、好ましくはベンゼン、ナフタレン、アントラセンおよびビフェニル、特に好ましくはベンゼンである。
さらには、本発明の範囲内で、0〜80個の炭素原子を含有する有機ラジカルは、例えば以下の基のうちの1以上から構成される化合物であり、個々の基はラジカルの中で繰り返し現れてもよい。ラジカルRの中の基としては、エーテル、スルホン、スルホラン、スルフィド、エステル、カーボネート、アミド、イミド、芳香族基、特にフェニレン、ビフェニレンおよびナフタレン、ならびに脂肪族基、特にメチレン、エチレン、プロピレンおよびイソプロピリデンが挙げられる。これらの芳香族および脂肪族基は、さらに置換されていてもよい。
これに関しておよび本願明細書中以降で使用される用語「置換された」は、明示的な特段の記載がない限り、アルキル、好ましくはC〜C20アルキル;シクロアルキル、好ましくはC〜C12シクロアルキル;アリール、好ましくはC〜C14アリール、ハロゲン、好ましくはCl、BrまたはI;エーテル、チオエーテル、ジスルフィド、スルホキシド、スルホン、スルホネート、アミノ、アルデヒド、ケト、カルボン酸エステル、カルボン酸、カーボネート、カルボキシレート、ホスホン酸、ホスホネート、シアノ、アルキルシランおよびアルコキシシラン基ならびにカルボキシルアミド基からなるシリーズから選択される基による置換を指す。
〜C20アルキルは、例えばメチル、エチル、n−もしくはiso−プロピル、n−、iso−、sec−もしくはtert−ブチル、n−ペンチル、1−メチルブチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、1−エチルプロピル、1,1−ジメチルプロピル、1,2−ジメチルプロピル、2,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル、n−オクタデシル、n−ノナデシルまたはn−エイコサニルなどの直鎖状もしくは分枝状のC〜C20アルキルラジカルを表し、C〜C12シクロアルキルラジカルは、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニルまたはシクロデシルなどのシクロアルキルラジカルを表し、C〜C14アリールは、フェニルまたはナフチルなどのC〜C14アリールラジカルを表す。
本発明の範囲内の官能化ポリスルホンは、5,000〜5,000,000g/molの分子量(Mw)、好ましくは10,000〜1,000,000g/mol、特に好ましくは20,000〜500,000g/molの分子量(Mw)を特徴とする。これらの官能化ポリスルホンは、市販されているか、または公知のプロセスを使用して製造することができる(Schusterら、Macromolecules、2009年、第42巻、第8号、3129−3137頁;Blanco,J.F.;Nguyen,Q.T.;Schaetzel,P.、Journal of Applied Polymer Science、2002年、第84巻、第13号、2461−2473頁;Mottet,C;Revillon,A.;Le Perchec,P.;Llauro,M.F.;Guyot,A.、Polymer Bulletin、1982年、第8巻、第11−12号、511−17頁)。
本発明の特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリスルホンは、一般式(II)の繰り返し単位を含有する:
Figure 2012531497
式中、
ArおよびAr同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ芳香族を表し、
およびXは、同じであってもよいし異なっていてもよく、各々、スルホン酸、ホスホン酸、カルボン酸、スルホネート、ホスホネートまたはカーボネート基を表し、
aおよびbは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々互いに独立に0〜2の間の整数または非整数を表し、ここで非整数は、上述の酸が各繰り返し単位に現れるわけではなく、対応する割合の繰り返し単位の中でのみ現れるということを意味し、
は、Rと同じ意味を有し、
nは、5〜50,000、好ましくは10〜300,000、特に好ましくは20〜20,000の整数である。
式(II)の繰り返し単位を含有するポリスルホン酸の官能化は、対応する繰り返し単位のうちのすべてまたはいくつかでのみ現れることができる、すなわちaおよびbについての非整数は、上述の酸が各繰り返し単位に現れるわけではなく、対応する割合の繰り返し単位の中でのみ現れるということを意味する(本願明細書中以降でも同じである)。
非常に特に好ましくは、当該官能化ポリスルホンは、スルホン化ポリスルホン酸であり、その製造は、例えばSchusterら(Macromolecules、2009年、第42巻、第8号、3129−3137頁)によって記載されている。
本発明の非常に特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリスルホンは、一般式(IIa)の繰り返し単位を含有し、式中、芳香族ArおよびArは、いずれの場合もベンゼン環を表し:
Figure 2012531497
式中、
a、bおよびRは、上記の意味を有し、
Mは、金属カチオンまたはH、好ましくはNa、K、LiまたはH、特に好ましくはHである。
本発明の範囲内で、一般式(IIa)に係るスルホン化ポリスルホンは、スルホン化ポリフェニルスルホン(s−PPS)とも呼ばれることになろう。
本発明のさらに非常に特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリスルホンは、一般式(III)の繰り返し単位を含有し、式中、この繰り返し単位は、3個のスルホン基および1つのエーテル基を介して橋架けされている4個のベンゼン環を含有し、式中、各ベンゼン環はスルホン酸基を保有することができ:
Figure 2012531497
式中、
a、b、cおよびdは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々0〜1の間の整数または非整数を表し、ここで、非整数は、上述の酸が各繰り返し単位に現れるわけではなく、対応する割合の繰り返し単位の中でのみ現れるということを意味し、
Mは、金属カチオンまたはH、好ましくはNa、K、LiまたはH、特に好ましくはHを表す。
本発明のさらに非常に特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリスルホンは、一般式(IV)の繰り返し単位を含有し、式中、この繰り返し単位は、同様に、1つのスルホン基、2つのエーテル基および1つのアルキリデン基によって橋架けされている4個のベンゼン環を含み、式中、各ベンゼン環はスルホン酸基を保有することができ:
Figure 2012531497
式中、
a、b、c、dおよびMは、同様に、一般式(III)について言及された意味を有し、
は、アルキリデン基、好ましくはイソプロピリデンを表す。
本発明のなおさらに非常に特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリスルホンは、一般式(V)の繰り返し単位を含有し、式中、この繰り返し単位は、スルホン基およびエーテル基によって橋架けされている2個のベンゼン環を含有し、式中、各ベンゼン環はスルホン酸基を保有することができ:
Figure 2012531497
式中、
aおよびbは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々0〜1の間の整数または非整数を表し、ここで、非整数は、上述の酸が各繰り返し単位に現れるわけではなく、対応する割合の繰り返し単位の中でのみ現れるということを意味し、
Mは、金属カチオンまたはH、好ましくはNa、K、LiまたはH、特に好ましくはHを表すか、
または当該官能化ポリスルホンは、一般式(VI)の繰り返し単位を含有し、式中、この繰り返し単位は、同様に、2つのスルホン基によって橋架けされている2個のベンゼン環を含み、式中、各ベンゼン環はスルホン酸基を保有することができ:
Figure 2012531497
式中、a、bおよびMは、同様に、一般式(V)について言及された意味を有する。
本発明の範囲内で、用語「官能化ポリスルホン」は、上に記載した官能化ポリスルホンの混合物または共重合体をも指す。
上記のポリアニオンに加えて、本発明に係る錯体は、少なくとも1つの任意に置換された導電性ポリマーをポリカチオンとして含む。この種の導電性ポリマーの例は、任意に置換されたポリアニリン、任意に置換されたポリピロールおよび任意に置換されたポリチオフェンである。
本発明の好ましい実施形態では、当該導電性ポリマーは、一般式(VII)の繰り返し単位を含有する任意に置換されたポリチオフェンであり、
Figure 2012531497
式中、
およびRは、各々互いに独立にH、任意に置換されたC〜C18アルキルラジカルまたは任意に置換されたC〜C18アルコキシラジカルを表し、RおよびRは一緒に、任意に置換されたC〜Cアルキレンラジカル(ここで、1以上のC原子は、OもしくはSから選択される1以上の同じもしくは異なるヘテロ原子によって置き換えられてもよく、好ましくはC〜Cジオキシアルキレンラジカル)、任意に置換されたC〜Cオキシチアアルキレンラジカルまたは任意に置換されたC〜Cジチアアルキレンラジカル、または任意に置換されたC〜Cアルキリデンラジカル(ここで、任意に、少なくとも1つのC原子は、OもしくはSから選択されるヘテロ原子によって置き換えられる)を表す。
特に好ましくは、これらは、一般式(VII−a)および/または(VII−b)の繰り返し単位を含有する種類のポリチオフェンである:
Figure 2012531497
式中、
Aは、任意に置換されたC〜Cアルキレンラジカル、好ましくは任意に置換されたC〜Cアルキレンラジカルを表し、
Yは、OまたはSを表し、
は、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC〜C18アルキルラジカル、好ましくは直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC〜C14アルキルラジカル、任意に置換されたC〜C12シクロアルキルラジカル、任意に置換されたC〜C14アリールラジカル、任意に置換されたC〜C18アラルキルラジカル、任意に置換されたC〜Cヒドロキシアルキルラジカルまたはヒドロキシルラジカルを表し、
yは、0〜8、好ましくは0、1または2、特に好ましくは0または1の整数を表し、
複数のラジカルRがAに結合されている場合、これらのラジカルは同じであってもよいし異なっていてもよい。
一般式(VII−a)は、置換基RはアルキレンラジカルAにy回に結合されていてもよいということを意味するとして理解されたい。
さらに非常に特に好ましい実施形態では、一般式(VII)の繰り返し単位を含有するポリチオフェンは、一般式(VII−aa)および/または一般式(VII−ab)の繰り返し単位を含有するポリチオフェンである:
Figure 2012531497
式中、Rおよびyは上記の意味を有する。
なおさらに非常に好ましい実施形態では、一般式(VII)の繰り返し単位を含有するポリチオフェンは、一般式(VII−aaa)および/または一般式(VII−aba)のポリチオフェンを含有するポリチオフェンである:
Figure 2012531497
本発明の範囲内で、接頭辞「ポリ」は、複数の同じもしくは異なる繰り返し単位がこのポリチオフェンの中に含有されるということを指す。当該ポリチオフェンは、合計n個の一般式(VII)の繰り返し単位を含有し、ここでnは2〜2,000、好ましくは2〜100の整数であることができる。一般式(VII)の繰り返し単位は、各々、1つのポリチオフェンの中で同じであってもよいし異なっていてもよい。各々同じ一般式(VII)の繰り返し単位を含有するポリチオフェンが好ましい。
末端基に、当該ポリチオフェンは、好ましくは各々Hを保有する。
特に好ましい実施形態では、一般式(I)の繰り返し単位を含有するポリチオフェンは、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−エチレンオキシチアチオフェン)またはポリ(チエノ[3,4−b]チオフェン)、すなわち式(VII−aaa)、(VII−aba)または(VII−b)(式中、Y=S)の繰り返し単位から構成されるホモポリチオフェンである。
さらなる特に好ましい実施形態では、一般式(VII)の繰り返し単位を含有するポリチオフェンは、式(VII−aaa)および(VII−aba)、(VII−aaa)および(VII−b)、(VII−aba)および(VII−b)または(VII−aaa)、(VII−aba)および(VII−b)の繰り返し単位から構成される共重合体であり、式(VII−aaa)および(VII−aba)ならびに(VII−aaa)および(VII−b)の繰り返し単位から構成される共重合体が好ましい。
〜CアルキレンラジカルAは、本発明の範囲内で、メチレン、エチレン、n−プロピレン、n−ブチレンまたはn−ペンチレンであり、C〜Cアルキレンラジカルは、加えて、n−ヘキシレン、n−ヘプチレンおよびn−オクチレンである。C〜Cアルキリデンラジカルは、本発明の範囲内で、少なくとも1つの二重結合を含有する上に記載したC〜Cアルキレンラジカルである。C〜Cジオキシアルキレンラジカル、C〜CオキシチアアルキレンラジカルおよびC〜Cジチアアルキレンラジカルは、本発明の範囲内で、上に記載したC〜Cアルキレンラジカルに対応するC〜Cジオキシアルキレンラジカル、C〜CオキシチアアルキレンラジカルおよびC〜Cジチアアルキレンラジカルを表し、C〜C18アルキル、C〜C14アルキルおよびC〜C12シクロアルキルは、それぞれ上に記載したC〜C20アルキルおよびC〜C12シクロアルキルからの対応する選択肢を表し、C〜C18アルコキシラジカルは、本発明の範囲内で、上に記載したC〜C18アルキルラジカルに対応するアルコキシラジカルを表し、C〜C14アリールは上に記載した意味を有する。さらには、本発明の範囲内で、C〜C18アラルキルは、例えばベンジル、o−、m−、p−トリル、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、3,5−キシリルまたはメシチルなどのC〜C18アラルキルラジカルを表し、用語「C〜Cヒドロキシアルキル」は、本発明の範囲内で、置換基としてヒドロキシ基を有するC〜Cアルキルラジカルを指し、ここでこのC〜Cアルキルラジカルは、例えば、メチル、エチル、n−またはiso−プロピル、n−、iso−、sec−またはtert−ブチルであることができる。上記の一覧は、例として本発明を説明する役割を果たすが、排他的なものであると考えられるべきではない。
当該任意に置換されたポリチオフェンはカチオン性であり、ここで用語「カチオン性」は、ポリチオフェン主鎖上に存在する電荷のみに関する。ラジカルR上の置換基に応じて、当該ポリチオフェンは正電荷および負電荷をその構造単位の中に有することができ、この正電荷は当該ポリチオフェン主鎖上に存在し、負電荷は、任意に、スルホネートまたはカルボキシレート基によって置換されているラジカルR上に存在する。この場合、当該ポリチオフェン主鎖の正電荷は、任意に存在するラジカルR上のアニオン性基によって一部または完全に飽和されてもよい。全体的に見ると、このポリチオフェンは、これらの場合、カチオン性、中性であってもよく、またはアニオン性でさえあってもよい。にもかかわらず、それらはすべて、本発明の範囲内で、カチオン性ポリチオフェンであると考えられる。なぜなら、このポリチオフェン主鎖上の正電荷が非常に重要だからである。この正電荷は、上記式の中には示されていない。なぜなら、それらの正確な数および位置は明確に特定できないからである。しかしながら正電荷の数は、少なくとも1であり、多くともnである(nは、このポリチオフェン内のすべての(同じかまたは異なる)繰り返し単位の総数である)。
任意にスルホネートまたはカルボキシレートで置換された、従って負に帯電したRラジカルによってすでにこの正電荷と均衡がとられていない限りでは、この正電荷と均衡をとるために、このカチオン性ポリチオフェンは対イオンとしてアニオンを必要とし、本発明の範囲内で、この役割は、官能化ポリスルホンによって担われてもよい。
任意に置換された導電性ポリマー、特に一般式(VII)の繰り返し単位を含有する任意に置換されたポリチオフェンの固形分含量は、当該分散液の中で0.05〜20.0重量パーセント(重量%)の間、好ましくは0.1〜5.0重量%の間、特に好ましくは0.3〜4.0重量%の間である。
本発明に係る錯体の分散液は、1以上の分散剤を含有することができる。分散剤の例としては、以下の溶媒が挙げられる:メタノール、エタノール、i−プロパノールおよびブタノールなどの脂肪族アルコール;アセトンおよびメチルエチルケトンなどの脂肪族ケトン;酢酸エチルエステルおよび酢酸ブチルエステルなどの脂肪族カルボン酸エステル;トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素;ヘキサン、ヘプタンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素;ジクロロメタンおよびジクロロエタンなどの塩素化炭化水素;アセトニトリルなどの脂肪族ニトリル;ジメチルスルホキシドおよびスルホランなどの脂肪族スルホキシドおよびスルホン;メチルアセトアミド、ジメチルアセトアミドおよびジメチルホルムアミドなどの脂肪族カルボン酸アミド;ジエチルエーテルおよびアニソールなどの脂肪族エーテルおよび芳香族脂肪族エーテル。さらには、水または水と上述の有機溶媒との混合物も、この分散剤として使用することができる。
好ましい分散剤は、水またはアルコール、例えばメタノール、エタノール、i−プロパノールおよびブタノールなどの他のプロトン性溶媒、ならびに水とこれらのアルコールとの混合物であり、水は特に好ましい溶媒である。
本発明に係る錯体の、すなわち任意に置換された導電性ポリマーの、特に一般式(VII)の繰り返し単位を含有する任意に置換されたポリチオフェンの、および官能化ポリスルホンの合計割合(total proportion)は、当該分散液の中で、例えば当該分散液の総重量に基づき0.05〜10重量%の間、好ましくは0.1〜5重量%の間である。
当該任意に置換された導電性ポリマー、特に一般式(VII)の繰り返し単位を含有する任意に置換されたポリチオフェン、および当該官能化ポリスルホンは、1:0.3〜1:100、好ましくは1:1〜1:40、特に好ましくは1:2〜1:20および非常に好ましくは1:2〜1:15の重量比で当該分散液の中に含有されてもよい。この導電性ポリマーの重量は、この場合、重合の間に完全反応が起こると仮定して、使用される単量体の秤量された量に相当する。
上記の分散液は、最初に、導電性ポリマーの分散液が、例えば欧州特許出願公開第440 957(A)号明細書に言及される条件下で当該任意に置換された導電性ポリマーの製造のための対応する前駆体から、対イオンの存在下で生成されるというようにして製造される。これらの分散液の製造のための改良された変法は、無機塩含有量またはその一部を取り除くためのイオン交換体の使用である。この種の変法は、例えば独国特許出願公開第196 27 071(A)号明細書に記載されている。このイオン交換体は、例えば生成物と混合することができるし、またはこの生成物は、イオン交換体を充填したカラムに通して運ばれる。イオン交換体の使用により、例えば低金属含有量を成し遂げることが可能になる。
当該分散液の中の粒子の粒径は、脱塩後、例えば高圧ホモジナイザーを用いて、減少させることができる。このプロセスは、当該効果を高めるために繰り返してもよい。粒径を大きく減少させるために、この場合、特に100〜2,000barの間の高圧が有利であることが判明した。あるいは、粒径は、超音波処理によっても減少させることができる。
一般式(VII)の繰り返し単位を含有するポリチオフェン、ならびにその誘導体の製造のための単量体状の前駆体を製造するためのプロセスは、当業者に公知であり、例えばL.Groenendaal、F.Jonas、D.Freitag、H.PielartzikおよびJ.R.Reynolds、Adv.Mater.、2000年、第12巻、481−494頁およびその中で引用される文献に記載されている。異なる前駆体の混合物も使用することができる。
用語「上に記載したチオフェンの誘導体」は、本発明に関しては、例えばこれらのチオフェンの二量体または三量体を指す。この単量体状の前駆体のより高次の分子量の誘導体、すなわち四量体、五量体なども、誘導体として可能である。この誘導体は、同じ単量体単位から構築されても異なる単量体単位の両方から構築されてもよく、純粋な形態で使用されてもよいし、ならびに互いにおよび/または本願明細書中上記のチオフェンと混合されてもよい。本発明に関しては、用語「チオフェン」および「チオフェン誘導体」は、これらのチオフェンおよびチオフェン誘導体の酸化された形態または還元された形態も包含するが、ただしこれはその重合が、上に記載したチオフェンおよびチオフェン誘導体におけるのと同じ導電性ポリマーを与える場合に限る。
一般式(VII)の繰り返し単位を含有する任意に置換されたポリチオフェンの製造のための特に適切な単量体状の前駆体は、任意に置換された3,4−アルキレンジオキシチオフェンであり、これは、例として一般式(VIII)によって表すことができる:
Figure 2012531497
式中、A、Rおよびyは上記の意味を有し、ここで複数のラジカルRがAに結合されている場合、これらのラジカルは、同じであってもよいし異なっていてもよい。
非常に特に好ましい単量体状の前駆体は、任意に置換された3,4−エチレンジオキシチオフェン、好ましい実施形態では非置換の3,4−エチレンジオキシチオフェンである。
当該分散液は、導電性ポリマーおよび官能化ポリスルホンの錯体に加えて、ポリマー、例えばポリスチレンスルホン酸、フッ素化されたまたはペルフルオロ化されたスルホン酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリ酪酸ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸アミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリメタクリル酸アミド、ポリアクリロニトリル、スチレン/アクリル酸エステル、酢酸ビニル/アクリル酸エステルおよびエチレン/酢酸ビニル共重合体、ポリエーテル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、非官能化ポリスルホン、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはセルロース誘導体をさらに含有することができる。
当該分散液は、表面活性物質、例えばイオン性界面活性剤および非イオン性界面活性剤、または例えば有機官能性シランもしくはその加水分解生成物、例えば3−グリシドオキシプロピルトリアルコキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランもしくはオクチルトリエトキシシランなどの接着促進剤などの成分もさらに含有することができる。
さらには、本発明の範囲内で、当該分散液は、1〜8の範囲、好ましくは2〜7の範囲、特に好ましくは4〜7の範囲のpH値を有することができる。適切なpH値を設定するために、アミン、水酸化アンモニウムまたは金属水酸化物、好ましくはアンモニアまたは水酸化アルカリなどの塩基を、例えば当該分散液に加えることができる。これに関して、pH値は、pH電極(Knick laboratory pH meter 766)を用いて25℃で測定される。
加えて、本発明に係る錯体は、驚くべきことに、OLEDまたは有機太陽電池(OSC)における正孔注入層もしくは正孔輸送層の製造、または透明な導電性のコーティングを製造するのに適している。
このように、本発明のさらなる主題は、透明な導電性のコーティングを製造するための、または有機発光ダイオード(OLED)もしくは有機太陽電池(OSC)における正孔注入層もしくは正孔輸送層としての、本発明に係る錯体の使用である。
透明な導電性のコーティングを製造するために、上記の分散液は、例えば公知のプロセスを使用して、例えばスピンコーティング、含浸、注ぎ込み(pouring)、滴下、注入、噴霧、ナイフコーティング、ブラッシングまたは印刷、例えばインクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷またはパッド印刷によって、0.5μm〜250μmの乾燥前膜厚で、好ましくは2μm〜50μmの乾燥前膜厚で適切な基材へと付与され、次いで少なくとも20℃〜200℃の温度で乾燥される。
有機発光ダイオード(OLED)は、ディスプレイおよび平頂アンテナなどの応用例でますます重要になってきている。OLEDの構築および機能は、当業者に公知であり、例えばD.HertelおよびK.Meerholz、Chemie unserer Zeit、2005年、第39巻、336−347頁などに広く記載されている。本発明に係る錯体は、これらの応用例における中間体層として使用されてもよい。
従って、例えば、以下の構築が考えられる:例えば、酸化亜鉛もしくは酸化スズでドープされた酸化インジウムスズ(ITO)、または例えば上に提示したものなどの導電性ポリマーでできたものなどの透明な導電性電極が、ガラス、PETまたは他の透明なプラスチック材料でできた透明な基板に付与される。本発明に係る錯体は、その上に、薄層として堆積される。その後、1以上の有機官能層がこれに付与される。これらは、ポリフェニレンビニレンまたはポリフルオレンなどの共役ポリマーまたは当業者に公知のものなどならびに例えばD.HertelおよびK.Meerholz、Chemie unserer Zeit、2005年、39巻、336−347頁によって記載されているものなどの気相堆積した分子の層であってもよい。OLEDは、例えば金属バリウムLiF//Alなど最終の金属電極の堆積によって完成する。2〜20VのDC電圧を印加すると、電流がこの構成物(arrangement)を通って流れ、エレクトロルミネセンスが官能層のうちの少なくとも1つで生成される。
OLEDにおけるポリマー中間体層の利点は、以下のとおりである:
1.)時間がかかりかつ費用がかかる真空プロセスを用いずに、溶液からポリマー中間体層を簡単に分離できる
2.)ポリマー中間体層は、非常に透明であり、効率的な光のデカップリングが可能になる
3.)ポリマー中間体層は、下に存在する層を滑らかにする。これは、完全に加工されたLEDにおける短絡を少なくし、従って部品の製造におけるより高い歩留まりがもたらされる
4.)透明電極から下の有機層への電荷担体の注入の改善の結果としての、OLEDの改善された電気特性。
本発明に係る錯体は、同様に有機太陽電池(OSC)を製造するために使用されてもよく、このとき、本発明に係る錯体は類似の利点を導く。OSCでは、電極が光を吸収するという事実の結果として電圧が生成される。この構築は、当業者に公知であり、例えばS.Sensfussら、Kunststoffe、2007年、第8巻、136頁などに広く記載されている。
以下の実施例は、単に例として本発明を説明する役割を果たすが、限定するものと解釈されるべきではない。
実施例1(本発明に係る):PEDOTおよびs−PPSの分散液の製造
3リットルのガラス容器に撹拌機および温度計を取り付けた。1,456gの水、1,073gの、スルホン化ポリスルホンの水溶液(ポリスルホンSLA 3405 − ポリスルホン SLA 340の溶液、フマテック(Fumatech)製、ドイツ、ザンクト・イングベルト(St.Ingbert)、ポリスルホン含有量4.6%、当量重量=340g/mol、M=29,000g/mol)、4.97gの、硫酸鉄(III)の10%水溶液ならびに4.12gのエチレンジオキシチオフェン、EDT(Clevios M V2、エイチ・シー・スタルク・クレビオス・ゲーエムベーハー(H.C.Starck Clevios GmbH)、ドイツ)を、ガラス容器の中で、25℃で15分間十分に撹拌した。9.44gのペルオキソ二硫酸ナトリウムを加え、この混合物を25℃で24時間撹拌した。その後、180mLのアニオン交換体(Lewatit MP 62、ランクセス(Lanxess)、ドイツ、レーバークーゼン(Leverkusen))および300mLのカチオン交換体(Lewatit S100 H、ランクセス(Lanxess)、ドイツ、レーバークーゼン(Leverkusen))を加えた。この混合物を2時間撹拌した。その後、このイオン交換体を、濾紙を通して分離し、分散液を0.2μmフィルターに通した。
固形分含量:1.68%
pH値 2(Knick laboratory pH meter 766)
ナトリウム含有量 170ppm
硫酸塩含有量 6ppm
粘度 2mPas(Haake RV 1、20℃、700s−1)
実施例2(本発明に係る):PEDOT/s−PPS錯体に基づく層の製造
清浄にしたガラス基板をスピンコーター上に置き、10mLの、実施例1に記載した分散液をこの基板上に広げた。その後、この上澄み分散液をこのプレートを回転させることにより、遠心分離した。この後、このようにしてコーティングした基板を加熱プレート上で、200℃で3分間乾燥した。層の厚さは75nmであった(テンコール(Tencor)、Alphastep 500)。シャドーマスクを介して0.5mmの間隔で長さ2.5cmを有するAg電極を気相堆積して、電気伝導率を測定した。電気比抵抗を得るために、電位計を使用して測定した表面抵抗に層の厚さを乗算した。この層の比抵抗は2.910ohms・cmであった。この層は透明であった。
実施例3(参考例)
1.6%含有量を有するPEDOT:PSSA分散液(Clevios(商標) P VP AI4083、エイチ・シー・スタルク・クレビオス・ゲーエムベーハー(H.C.Starck Clevios GmbH)、ドイツ)のpH値を、pH電極(Knick laboratory pH meter 766)を用いて測定した。このpH値は1.5であった。
実施例3は、実施例1で製造した分散液が標準物質Clevios(商標) P VP AI4083よりも高いpH値を有するということを示す。
実施例4(本発明に係る):高温での保存
50gの、実施例1から得た分散液を50℃で16日間保存した。保存後、硫酸塩含有量は7ppmであった。このように、硫酸塩濃度は、実験精度の限界の範囲内で変化しないまま留まった。製造した錯体は、50℃の温度に曝したとき、硫酸塩をまったく失わなかった。
基準:
以下の特性を有するPEDOT:PSSA分散液(Clevios(商標) P VP AI4083、エイチ・シー・スタルク・クレビオス・ゲーエムベーハー(H.C.Starck Clevios GmbH))を基準試験のために使用した:
固形分含量 1.6%
硫酸塩含有量 5ppm
pH値 1.5
50gのこの材料を、同様に50℃で16日間保存した。保存後、硫酸塩含有量は22ppmであり、このように顕著に上昇した。
実施例4は、実施例1から得た本発明に係る分散液は、公知のPEDOT:PSSA錯体とは対照的に、高温で硫酸塩をまったく失わないということを示す。
実施例5(本発明に係る):OLEDの製造
実施例1から得た本発明に係る分散液を使用して、有機発光ダイオード(OLED)を構築した。手順は、OLEDの製造においては以下のとおりであった。
1. ITOコーティングした基板の調製
ITOコーティングしたガラスを50mm×50mmサイズの小片(基板)に切断し、フォトレジストを用いて、各々幅2mmおよび長さ5cmを有する4つの平行線へと構造化した。この後、この基板を超音波浴の中で、0.3% Mucasol溶液の中で清浄にし、蒸留水でリンスし、遠心分離機の中で遠心乾燥した(dry centrifuged)。コーティングの直前に、ITOコーティングした側を、UV/オゾン反応器(PR−100、ユーブイピー社(UVP Inc.)、英国、ケンブリッジ(Cambridge))の中で10分間清浄にした。
2. 正孔注入層の付与
約5mLの、実施例1から得た本発明に係る分散液を濾過した(Millipore HV、0.45μm)。清浄にしたITOコーティングした基板をスピンコーターの上に置き、濾過した溶液を、基板のITOコーティングした側の上に広げた。その後、1,400rpmで30秒間の期間にわたってこのプレートを回転させることにより、上澄み溶液を遠心分離した。この後、このようにしてコーティングした基板を加熱プレート上で、200℃で5分間乾燥した。層表面形状測定装置(テンコール(Tencor)、Alphastep 500)を使用して測定したところ、の厚さは50nmであった。
3. 正孔輸送層およびエミッタ層の付与
実施例1から得た分散液でコーティングしたITO基板を、気相堆積装置(Univex 350、レイボルド(Leybold))に移した。10−3Paの圧力で、最初にNPB(N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン)でできた60nmの正孔輸送層、次いでAlQ(トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)でできた50nmのエミッタ層を、1Å/秒の気相堆積速度で連続的に気相堆積した。
4. 金属カソードの付与
その後、この層系をN雰囲気および一体化された気相堆積装置を収容するグローブボックスシステム(エドワーズ(Edwards))に移し、金属電極を用いて気化させた。この目的のために、当該基板を、この層系を下向きにしてシャドーマスクの上に置いた。このシャドーマスクは、ITO細片と交差する2mm幅の長方形のスロットを具え、それらと直交して配向させた。0.5nm厚のLiF層およびその後200nm厚のAl層を、p=10−3Paの圧力で2つの気相堆積用皿(boat)から連続的に気相堆積した。気相堆積速度は、LiFについては1Å/s、Alについては10Å/sであった。個々のOLEDの表面積は4.0mmであった。
5. OLEDの特性解析
この有機LEDの2つの電極を、給電線を介して電源に接続した(接触させた)。正極をITO電極に接続し、負極を金属電極に接続した。電圧に対するOLED電流およびエレクトロルミネセンス強度の依存性(これは、フォトダイオード(EG&G C30809E)を使用して実証される)を記録した。その後、一定電流I=1.92mAをこの構成物に通し、電圧および光強度を時間の関数としてモニターして、実用寿命を測定した。
実施例6(基準):OLEDの製造
手順は、2番目の工程において、使用した中間体層が実施例1から得た本発明に係る分散液ではなく、OLED構築において標準として使用されるClevios(商標) P VP AI4083 (エイチ・シー・スタルク・クレビオス・ゲーエムベーハー(H.C.Starck Clevios GmbH))であったという違いはあるが、実施例5にあるとおりである。この目的のために、AI4083を濾過し、1,100rpmで30秒間遠心分離し、その後加熱プレート上で、200℃で5分間乾燥した。層の厚さは50nmであり、比抵抗は1,150ohms・cmであった。
実施例7:(基準):OLEDの製造
手順は、ポリマー中間体層をすべて一緒に分注し、2番目の工程を省いたという違いはあるが、実施例5および実施例6にあるとおりである。
実施例8:実施例5、実施例6および実施例7から得たOLEDの比較
標準的な材料Clevios(商標) P VP AI4083に勝る、実施例1から得た本発明に係る分散液を含有するOLEDの改良を実証するために、実施例5、実施例6および実施例7の各々からの1つの基板を並行に加工し、すなわち気相堆積層およびカソードを同一の条件下ですべての基板の上に堆積させた。実施例5および実施例6に従って製造したOLEDは、有機発光ダイオードの典型的なダイオード挙動を呈した。他方で、実施例7に従って製造した高次構造(superstructure)は、すべて短絡を呈した。
実用寿命測定は、時間点t=0における電圧および輝度(U0またはL0)、商L0/Iとしての電流効率、輝度がL0の50%まで低下するまでの時間、t@L0/2、およびt@L0/2における電圧を評価する。
Figure 2012531497
このように、ポリマー中間体層は短絡がないOLEDにとって必要であるということが実証された。OLEDにおける中間体層としての実施例1から得た本発明に係る分散液は、約10倍の実用寿命という主な利点を有し、標準的な材料Clevios P AI4083と比べて、電圧の上昇が低減した。
実施例9(本発明に係る):実施例1から得た分散液の中和
約6のpH値が設定されるまで、実施例1から得た本発明に係る分散液にアンモニアを、撹拌しながら連続的に加えた。
実施例10(本発明に係る):OLEDの製造
手順は、実施例9に対応する本発明に係る配合物の中和された形態を2番目の工程で使用したという違いはあるが、実施例5にあるとおりである。この目的のために、実施例9から得た溶液を濾過し、1,500rpmで30秒間遠心分離し、その後加熱プレート上で、200℃で5分間乾燥した。この層の厚さは50nmであった。
実施例11(本発明に係る):OLEDの製造
比較のために、実施例5にあるようにしてOLEDを加工した。この目的のために、実施例1から得た溶液を濾過し、1,400rpmで30秒間遠心分離し、その後加熱プレート上で、200℃で5分間乾燥した。この層の厚さは50nmであった。
実施例12:実施例10および実施例11から得たOLEDの比較
OLEDの実用寿命試験を行い、初期の強度の50%ではなく80%までのルミネセンスの低下の時間点を評価したという1つの違いはあるが、データを実施例8にあるように評価した。
Figure 2012531497
これは、本発明に係る溶液の中和された形態がOLEDの実用寿命に関しての利点につながるというということを示す。
実施例13(本発明に係る):接触角の測定
実施例5のポイント2にあるとおり、実施例1から得た本発明に係る分散液の層を、スピンコーターを用いてガラス基板上に堆積し、加熱プレート上で、200℃で5分間乾燥した。その後、層の上に置かれた一滴のトルエンとその層との接触角を測定した(Kruess MicroDrop)。接触角は5.5°であった。
実施例14(基準):接触角の測定
実施例13にあるように、基準物質Clevios(商標) P VP AI4083の層とトルエンとの接触角を測定した:α=4.2°。
実施例15(基準) 接触角の測定
実施例13にあるように、欧州特許第1564250号に対応する基準物質、すなわちペルフルオロ化スルホン酸ポリマーおよび導電性ポリマーの混合物の層との接触角を測定した:α=48°。
実施例13〜実施例15は、本発明に係る配合物からなる層をトルエンベースの溶液で湿潤化することは、Clevios(商標) P AI4083についてと同様に良好であるが、欧州特許第1564250号に対応する基準物質についてよりもはるかに良好であるということを明らかにする。
実施例16(本発明に係らない):スルホン化ポリエーテルスルホンの製造
50.0gのポリエーテルスルホンUltrason E 1010(登録商標)(供給者:ビーエーエスエフ・エスイー(BASF SE))を、500.00gの95%硫酸に加えた。この混合物を、十分に撹拌しながら、120℃に4時間加熱した。この後、この反応混合物を23℃に冷却し、2.5リットルの水の中で冷却しながらこの温度で撹拌し、その後750mLのn−ブタノールを加えた。ブタノール相を毎回200mLの水で2回洗浄し、洗浄水を捨てた。水相を100mLのn−ブタノールで抽出した。この後、合わせたブタノール相を、毎回200mLの水で2回洗浄し、洗浄水を捨てた。ブタノール相を、30% NaOHを用いて約6.5のpH値まで中和した。その後、この水相を濃縮し、固体残渣を1リットルのメタノールと混合した。溶解しなかった硫酸ナトリウムを濾過した。濾液を再度エバポレートし、残渣を700mLの水に溶解した。この溶液を、イオン交換体(Lewatit MP(登録商標) 62およびLewatit(登録商標) Monoplus S 100、供給者:ランクセス社(Lanxess AG))で3回処理して硫酸塩およびナトリウムイオンを除去し、その後乾固するまでエバポレートし、0.5mbar/80℃で後乾燥した。収量:42gのs−PES。0.1N 水酸化ナトリウム溶液を用いた滴定によると、このポリマーの繰り返し単位あたりのスルホン化度=0.90。
実施例17(本発明に係る):PEDOTおよびスルホン化ポリエーテルスルホン分散液の製造
2リットルのガラス容器に撹拌機および温度計を取り付けた。1,108gの水、18.97gの、実施例16から得たスルホン化ポリエーテルスルホン、1.92gの硫酸鉄(III)10%水溶液ならびに1.58gのエチレンジオキシチオフェン、EDT(Clevios M V2、エイチ・シー・スタルク・クレビオス・ゲーエムベーハー(H.C.Starck Clevios GmbH)、ドイツ)を、ガラス容器の中で25℃で15分間十分に撹拌した。3.857gのペルオキソ二硫酸ナトリウムを加え、この混合物を25℃で24時間撹拌した。その後、47gのアニオン交換体(Lewatit MP 62、ランクセス(Lanxess)、ドイツ、レーバークーゼン(Leverkusen))および92gのカチオン交換体(Lewatit S100 H、ランクセス(Lanxess)、ドイツ、レーバークーゼン(Leverkusen))を加えた。この混合物を2時間撹拌した。その後、このイオン交換体を、濾紙を通して分離し、分散液を0.2μmフィルターに通した。
固形分含量:0.96%
粘度 2mPas(Haake RV 1、20℃、700s−1)
実施例18(本発明に係る):PEDOT錯体およびスルホン化ポリエーテルスルホンに基づく層の製造
清浄にしたガラス基板をスピンコーターの上に置き、10mLの、実施例17に記載した分散液をこの基板上に広げた。その後、この上澄み分散液をこのプレートを回転させることにより、遠心分離した。この後、このようにしてコーティングした基板を加熱プレート上で、200℃で3分間乾燥した。層の厚さは62nmであった(テンコール(Tencor)、Alphastep 500)。シャドーマスクを介して0.5mmの間隔で長さ2.5cmを有するAg電極を気相堆積して、電気伝導率を測定した。電気比抵抗を得るために、電位計を使用して測定した表面抵抗に層の厚さを乗算した。この層の比抵抗は1900ohms・cmであった。この層は透明であった。

Claims (12)

  1. 少なくとも1つの任意に置換された導電性ポリマーおよび少なくとも1つの官能化ポリスルホンを含む錯体であって、前記ポリスルホンは、その繰り返し単位の中に−SO基を含有するポリマーであり、かつこのポリマーにおいてこのスルホン基は2つの芳香族基に結合されていることを特徴とする、錯体。
  2. 前記官能化ポリスルホンは、一般式(I)の繰り返し単位:
    Figure 2012531497
    を含有し、式中、
    およびAは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ任意に置換された芳香族であり、
    は、0〜80個の炭素原子を含有する任意に置換された有機ラジカルまたは−SO−または−O−であり、
    nは5〜50,000の整数である、請求項1に記載の錯体。
  3. 前記官能化ポリスルホンは、一般式(II)の繰り返し単位
    Figure 2012531497
    を含有し、式中、
    ArおよびArは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ芳香族を表し、
    およびXは、同じであってもよいし異なっていてもよく、各々、スルホン酸、ホスホン酸、カルボン酸、スルホネート、ホスホネートまたはカーボネート基を表し、
    aおよびbは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々互いに独立に0〜2の間の整数または非整数を表し、
    は、請求項2に記載のRと同じ意味を有し、
    nは5〜50,000の整数である、請求項1または請求項2に記載の錯体。
  4. 前記官能化ポリスルホンは、一般式(IIa)の繰り返し単位
    Figure 2012531497
    を含有し、式中、
    a、bおよびRは、請求項3に記載の意味を有し、
    Mは、金属カチオンまたはHを表す、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の錯体。
  5. 前記官能化ポリスルホンは、一般式(III)
    Figure 2012531497
    一般式(IV)
    Figure 2012531497
    一般式(V)
    Figure 2012531497
    または一般式(VI)
    Figure 2012531497
    の繰り返し単位を含有し、式中、
    a、b、cおよびdは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々0〜1の間の整数または非整数を表し、
    Mは、金属カチオンまたはHを表し、
    は、アルキリデンラジカルを表し、
    nは、5〜50,000の整数である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の錯体。
  6. 前記導電性ポリマーは、一般式(VII)の繰り返し単位
    Figure 2012531497
    を含有する任意に置換されたポリチオフェンであり、式中、
    およびRは、各々互いに独立に、H、任意に置換されたC〜C18アルキルラジカルまたは任意に置換されたC〜C18アルコキシラジカルを表し、RおよびRは一緒に、任意に置換されたC〜Cアルキレンラジカル(ここで1以上のC原子は、OもしくはSから選択される1以上の同じもしくは異なるヘテロ原子によって置き換えられてもよく、好ましくはC〜Cジオキシアルキレンラジカル)、任意に置換されたC〜Cオキシチアアルキレンラジカルまたは任意に置換されたC〜Cジチアアルキレンラジカル、または任意に置換されたC〜Cアルキリデンラジカル(ここで、任意に少なくとも1つのC原子は、OもしくはSから選択されるヘテロ原子によって置き換えられる)を表す、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の錯体。
  7. 前記ポリチオフェンは、一般式(VII−a)および/または(VII−b)の繰り返し単位
    Figure 2012531497
    を含有し、式中、
    Aは、任意に置換されたC〜Cアルキレンラジカル、好ましくは任意に置換されたC〜Cアルキレンラジカルを表し、
    Yは、OまたはSを表し、
    は、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC〜C18アルキルラジカル、任意に置換されたC〜C12シクロアルキルラジカル、任意に置換されたC〜C14アリールラジカル、任意に置換されたC〜C18アラルキルラジカル、任意に置換されたC〜Cヒドロキシアルキルラジカルまたはヒドロキシルラジカルを表し、
    yは、0〜8の整数を表し、
    複数のラジカルRがAに結合されている場合、前記ラジカルは同じであってもよいし異なっていてもよい、請求項6に記載の錯体。
  8. 前記ポリチオフェンはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である、請求項7に記載の錯体。
  9. 前記錯体は1以上の分散剤を含む、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の錯体。
  10. 前記分散液は1〜8の範囲のpH値を有する、請求項9に記載の錯体。
  11. 透明な、導電性のコーティングを製造するための、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の錯体の使用。
  12. 有機発光ダイオードまたは有機太陽電池における正孔注入層または正孔輸送層を製造するための、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の錯体の使用。
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