JP2012530590A - 不飽和化合物の水素化用触媒 - Google Patents
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Abstract
Description
不飽和二重結合を含有する化合物の水素化の触媒として多くのものが知られており、これらは、2つのグループに分類できる。
(1) 一般に、担体(シリカ、アルミナ、炭酸カルシウムなど)上に堆積された金属(Ni、Pd、Ruなど)からなる不均一系触媒。
(2) (a)Ni、Co、Fe、Crなどの有機塩と、有機アルミニウム化合物やその類似物などの還元剤との組み合わせからなるZiegler触媒や、(b)Ru、Rh、Ti、Laなどの有機金属化合物などのような、均一系触媒。
(a) アルキル化リチウムの存在下で、モノマーを溶液重合し、共役ジエンのポリマーまたはコポリマーを生成する工程と、
(b) 反応混合物に、アルコール、フェノール、クロロシランの不活性化化合物を加える工程と、
(c) 水素の存在下で、(b)の不活性化ポリマー溶液に、水素化触媒を加える工程と、
(d) 水素化されたポリマー溶液(c)に水と蒸気を加え、蒸留により溶液を除去し、水を分離してポリマーを乾燥させる工程と、
(e) 新しい重合・水素化サイクルにて再使用するための溶媒を回収して精製する工程とを有する。
本発明は、
Cpがシクロペンタジエニル基であり、
R1とR2が、同一または異なるアルキル基(C3−C10)であり、
Phがフェニル基であり、
OR3がアルコキシル基であるとするとき、
(R1Cp)(R2Cp)Ti(PhOR3)2タイプのチタン化合物に基づく、
水素化するための均一系触媒に関する。さらに、本発明は、穏やかな反応条件で、化合物の二重結合、より好ましくは共役ジエンのポリマーおよびコポリマーの二重結合を水素化する方法における上記触媒の使用に関する。
不飽和化合物を水素化するための均一系水素化触媒(以下、本発明の触媒)であって、
Cpがシクロペンタジエニルであり、
R1とR2が、同一または異なるアルキル基(C3−C10)であり、
Phがフェニル基であり、
OR3がアルコキシル基(C1−C4)であるとするとき、
一般式
(R1Cp)(R2Cp)Ti(PhOR3)2
を有する触媒に関する。
チタン ビス(n−プロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−プロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−プロピルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−プロピルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ヘキシルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ヘキシルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ヘキシルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ヘキシルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン (n−プロピルシクロペンタジエニル)(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン (n−ブチルシクロペンタジエニル)(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン (イソプロピルシクロペンタジエニル)(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン (n−プロピルシクロペンタジエニル)(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン (n−ブチルシクロペンタジエニル)(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン (イソプロピルシクロペンタジエニル)(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
を含んでいるが、これらに限定されない。
(a) 不活性溶媒中で、アルキル化リチウムの存在下で、モノマーを溶液重合し、不飽和結合を含有するポリマーまたはコポリマーを生成する工程と、
(b) 水素化されるポリマーに、アルコール、フェノール、クロロシランを含むリストから選ばれる不活性化化合物を加える工程と、
(c) 水素(H2)の存在下で、ステップ(b)の溶液に、触媒を加える工程とを有する。
(a) 1,3−ブタジエンおよび/またはイソプレンを含む基からの少なくとも一つのモノマー、および
(b) スチレン、α−メチルスチレン、4−アルキルスチレンまたはこれらの任意の組み合わせを含む基からの少なくとも一つのモノマー
からなるコポリマーである。
スチレン、4−アルキルスチレンまたはこれらの混合物からなる少なくとも一つのポリマーブロックAと、
1,3−ブタジエン、イソプレンまたはこれらの混合物からなる少なくとも一つのポリマーブロックBと、
を含有するブロックコポリマーである。
(i) 1,3−ブタジエンまたはイソプレン単位の不飽和結合の50%以上、好ましくは95%以上と、
(ii) スチレンまたは4−アルキルスチレン単位の不飽和結合の1%以下と、
に対して選択的に行われる。
(i) 1,3−ブタジエンまたはイソプレン単位の不飽和結合の50%ないし99.9%、好ましくは95%ないし99.9%と、
(ii) スチレンまたは4−アルキルスチレン単位の不飽和結合の0.01%ないし1%と、
に対して選択的に行われる。
1. 水素化された溶液と、アセトンやメタノールなどの極性溶媒とを接触させることによる。これは、これらの溶媒がポリマーをあまり溶解しないので、沈殿が生じ、物理的分離が可能になるからである。
2. 水素化された溶液と、水と蒸気とを接触させることによる。そして、蒸発により溶媒を除去し、水を分離してポリマーを乾燥させる。
3. 溶媒を直接蒸発させる。
本発明は、発明者によって実行される分析によって以下のように説明される。これは、本発明の触媒の特異性と有効性とを立証している。
〔実施例1 触媒の調製〕
すべての操作は、以下の従来のSchlenk技術によって、窒素雰囲気またはアルゴン雰囲気中で行った。ナトリウムとベンゾフェノンでの蒸留によってTHFを乾燥させ、金属ナトリウムでの蒸留によってヘキサンとトルエンとを乾燥させた。すべての溶媒は、使用前に脱気した。
(a.1.) Sigma−Aldrich触媒前駆体(iPrCp)2TiCl2を得て、一般に認められたものとして用いた。
窒素と真空サイクルとによって前もって制御された1リットルフラスコに、2.4MのCpNaを575ミリリットル(1.38モル)と、NaIを1.03g(6.87ミリモル)とを加えた。混合物を10分間撹拌した後、温度を8℃に下げ、1−臭化ブタンの148.5ミリリットル(1.38モル)をゆっくりと加え、内部の反応温度が15℃を超えない状態を確保した。反応混合物を室温で6時間維持し、25℃で真空下、一定重量になるまでTHFを除去した。続いて、懸濁液を、ヘキサン300ミリリットルで抽出した。25℃で真空下、残渣の重量が168g(理論重量)または一定重量になるまで、濾液からヘキサンを除去した。
窒素と真空サイクルとによって前もって制御された250ミリリットルフラスコに、鉱物油中におけるHNaの60%分散液3.62グラム(89.87ミリモル)を加え、ヘキサン40ミリリットルで洗浄し、乾燥THFを35ミリリットル加えた。乾燥THFの35ミリリットル中のBuCpHの11.55グラム(94.6ミリモル)の溶液をこの懸濁液に25℃でゆっくりと加えた。温度を50℃に上げ、さらに3時間、反応のために放置した。その後、すべてのHNaが消費され、泡立て器にはH2の放出は見られなかった。この後、反応混合物を−15℃に冷却し、TiCl4の4.70ミリリットル(42.57ミリモル)をゆっくりと加えた。添加が終わったら、懸濁液を、反応のために12時間放置し、深い赤い色の懸濁液を生成した。この後、溶媒を除去して乾燥させた。反応混合物に乾燥トルエンの150ミリリットルを加え、35℃で15分間撹拌し、同じ温度で濾過した。溶媒は乾燥に付され、得られた真っ赤の固形物を、−15℃で、ヘキサン40ミリリットルで洗浄し、少なくとも8時間真空下で乾燥させた。
窒素と真空サイクルとによって制御された50ミリリットルのSchlenkフラスコに、4−メトキシフェニル臭化マグネシウムの0.5M溶液の22.5ミリリットルを加えた。溶液を10℃に冷却し、項aで調製した前駆体(R1Cp)(R2Cp)TiCl2の5.1ミリモルを部分的にゆっくりと加え、内部の温度が25℃を超えないようにした。添加が終わったら、20℃ないし22℃で、懸濁液を1時間撹拌し続けた。溶媒を除去して乾燥させ、得られた残渣に、エチルベンゼン19ミリリットルとTHF1ミリリットルとの混合物を加えた。15分間撹拌し、濾過し、得られた深い赤い溶液を水素化反応に用いた。
開始剤としてn−ブチルリチウムを用い、極性修飾剤としてテトラヒドロフランまたはジエトキシプロパンを用いて、シクロヘキサン中で陰イオン重合によって、水素化されるポリマーを調製した。用いたモノマーは、スチレンと1,3−ブタジエンである。ポリマーの一部を、分析のために溶液から単離した。1H−NMRによってポリマーの微細構造を決定した。また、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)によって分子量と多分散性インデックスとを測定した。
モノマーを順次追加し、極性修飾剤としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、また、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール(BHT)の1.13ミリモルで活性ポリマーを仕上げることによって、2リットル容積の反応器でシクロヘキサン中の5重量%濃度のスチレン−ブタジエン(SB)コポリマーを調製した。ポリマーの一部を単離し、その重量組成を分析した。結果は、スチレン(30%)、ブタジエン(70%)(ポリブタジエン内のビニル含有量:35%)、Mw=60,000g/モル、多分散性インデックス=1.1であった。
実施例2と同じ重合処理を用いて、スチレン−ブタジエン ジブロックコポリマーを調製し、次いで、ポリマー100gあたり1.19ミリモルのチタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)触媒を用いて水素化した。触媒の合成は実施例1bに記載されている。水素化反応の方法と操作条件は実施例2と同じである。
実施例2と同じ重合処理を用いて、スチレン−ブタジエン ジブロックコポリマーを調製し、次いで、ポリマー100gあたり0.17ミリモルのチタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)触媒を用いて水素化した。水素化反応の方法と操作条件は実施例2と同じである。
実施例2と同じ重合処理を用いて、モノマーを順次加え、極性修飾剤としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、テトラクロロシラン(SiCl4)で活性ポリマーを結合させることによって、四分岐状のスチレン−ブタジエン コポリマー(SB)4を合成した。ポリマーの重量組成は、スチレン(30%)、ブタジエン(70%)(ポリブタジエン内のビニル含有量:21%)、Mw=160,000g/モル、多分散性インデックス=1.39、結合度=87%であった。
実施例2と同じ重合処理を用いて、モノマーを順次加え、極性修飾剤としてジエトキシプロパンを用いることによって、高ビニルスチレン−ブタジエン直線状ジブロックコポリマー(SB)を合成した。ポリマーの重量組成は、スチレン(30%)、ブタジエン(70%)(ポリブタジエン内のビニル含有量:62%)、Mw=150,500g/モル、多分散性インデックス=1.15であった。
実施例2と同じ重合処理を用いて、スチレン−イソプレン直線状ジブロックコポリマーコポリマー(SI)を調製した。重量組成は、スチレン(30%)、イソプレン(70%)(1,4−ポリイソプレン内の含有量:90%)、Mw=70,154g/モル、多分散性インデックス=1.36であった。
モノマーを順次追加し、極性修飾剤としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、また、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール(BHT)の0.75ミリモルで活性ポリマーを仕上げることによって、2リットル容積の反応器でシクロヘキサン中の12重量%濃度の、ビニル媒体におけるスチレン−ブタジエン−スチレン トリコポリマー(SBS)を調製した。ポリマーの重量組成は、スチレン(25%)、ブタジエン(75%)(ポリブタジエン内のビニル含有量:33.5%)、Mw=248,000g/モル、多分散性インデックス=1.56であった。
実施例2と同じ重合処理を用いて、スチレン−ブタジエン ジブロックコポリマーを調製し、次いで、ポリマー100gあたり0.25ミリモルのチタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)触媒を用いて水素化した。用いる触媒は、使用前に75日間5℃で保管した。水素化反応の方法と操作条件は実施例2と同じである。
この場合、ポリマー100グラムあたり0.25ミリモルのチタン ビス(シクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシフェニル)触媒を用いて、実施例2のポリマー水素化反応を繰り返した。オートクレーブを水素で10barに加圧し、その著しい消費が観察された。さらに、溶液の温度は125℃に上がった。50分後、反応媒体は水素の消費をやめ、水素化反応が完了したと考えられた。反応器を冷却して減圧し、得られたポリマーを、水−蒸気混合物における沈殿によって溶媒から分離し、また、溶媒を回収した。沈殿したポリマーをオーブンで乾燥させ、その微細構造を1H−NMRによって分析した。NMRは、元の不飽和のブタジエンの99.4%が水素化され、また、不飽和のスチレンがそのまま残っていることを示した。分子量は、GPCによって決定され、ポリマーの分解が起こっていないことを示した。
実施例4と同じ重合処理を用いて、スチレン−ブタジエン ジブロックコポリマーを調製し、次いで、ポリマー100gあたり0.17ミリモルのチタン ビス(シクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)触媒のみを用いて水素化した。水素化反応の方法と操作条件は実施例4と同じである。
実施例8と同じ重合処理を用いて、ビニル媒体におけるスチレン−ブタジエン−スチレン トリブロックコポリマーコポリマー(SBS)を調製した。重量組成は、スチレン(23%)、イソプレン(77%)(ポリブタジエン内のビニル含有量:31%)、Mw=245,000g/モル、多分散性インデックス=1.9であった。
Claims (20)
- 不飽和化合物を水素化するための均一系触媒であって、
Cpがシクロペンタジエニルであり、
R1とR2が、同一または異なるアルキル基(C3−C10)であり、
Phがフェニル基であり、
OR3がアルコキシル基であるとするとき、
一般式
(R1Cp)(R2Cp)Ti(PhOR3)2
を有することを特徴とする触媒。 - R1とR2が、同一または異なるアルキル基(C3−C6)であることを特徴とする請求項1に記載の触媒。
- OR3がメトキシル基またはエトキシル基であることを特徴とする請求項1または2に記載の触媒。
- チタン ビス(n−プロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−プロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−プロピルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−プロピルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ヘキシルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ヘキシルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ヘキシルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン ビス(n−ヘキシルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
チタン (n−プロピルシクロペンタジエニル)(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン (n−ブチルシクロペンタジエニル)(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン (イソプロピルシクロペンタジエニル)(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)、
チタン (n−プロピルシクロペンタジエニル)(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−エトキシルフェニル)、
チタン (n−ブチルシクロペンタジエニル)(n−ペンチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−メトキシルフェニル)、
チタン (イソプロピルシクロペンタジエニル)(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(3−エトキシルフェニル)、
を含むリストから選ばれることを特徴とする請求項1に記載の触媒。 - チタン ビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)−ビス(4−メトキシルフェニル)であることを特徴とする請求項1に記載の触媒。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の触媒の使用であって、
不飽和化合物を含有するポリマーを水素化するための触媒の使用。 - 不飽和結合を含有するポリマーの水素化方法であって、
水素化反応は、バッチ、連続、または準連続反応であり、
(a) 不活性溶媒中で、アルキル化リチウムの存在下で、モノマーを溶液重合し、不飽和結合を含有するポリマーまたはコポリマーを生成する工程と、
(b) 水素化されるポリマーに、アルコール、フェノール、クロロシランを含むリストから選ばれる不活性化化合物を加える工程と、
(c) 水素(H2)の存在下で、ステップ(b)の溶液に、請求項1ないし5のいずれか1項に記載の触媒を加える工程とを有することを特徴とする方法。 - 上記不活性溶媒が、n−ヘキサン、n−オクタン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンまたはこれらの任意の混合物を含むリストから選ばれることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 水素化を、50℃ないし140℃の温度で、4barないし25barの水素圧力で行うことを特徴とする請求項7または8に記載の方法。
- 使用される触媒の量が、水素化されるポリマー100gにつき、0.01ないし2ミリモルであることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか1項に記載の方法。
- 水素化されるポリマーが、
(a) 1,3−ブタジエンおよび/またはイソプレンから選ばれる少なくとも一つのモノマー、および
(b) スチレン、α−メチルスチレン、4−アルキルスチレンまたはこれらの任意の組み合わせから選ばれる少なくとも一つのモノマー
からなるコポリマーであることを特徴とする請求項7ないし10のいずれか1項に記載の方法。 - 上記コポリマーが、ランダムコポリマーまたは純粋なまたは逐次型ブロックコポリマーであり、
コポリマーが、直線状、分岐状、放射状またはこれらの任意の組み合わせであることを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 上記ブロックコポリマーが、
スチレン、4−アルキルスチレンまたはこれらの混合物からなる少なくとも一つのポリマーブロックAと、
1,3−ブタジエン、イソプレンまたはこれらの混合物からなる少なくとも一つのポリマーブロックBと、
を含有することを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 上記コポリマーのブロックAの重量割合が、最終的なコポリマーの10%ないし90%であり、
上記ブロックBにおける1,2−ビニル単位の重量割合が8%ないし90%であることを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 1,3−ブタジエンまたはイソプレン単位の50%以上と、
スチレンまたは4−アルキルスチレン単位の1%以下とが水素化されることを特徴とする請求項7ないし14のいずれか1項に記載の方法。 - 1,3−ブタジエンまたはイソプレン単位の95%以上と、
スチレンまたは4−アルキルスチレン単位の1%以下とが水素化されることを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 水素化は、少なくとも、
(i) 1,3−ブタジエンまたはイソプレン単位の不飽和結合の50%以上と、
(ii) スチレンまたは4−アルキルスチレン単位の不飽和結合の1%以下と、
に対して選択的に行われることを特徴とする請求項7ないし14のいずれか1項に記載の方法。 - 水素化は、少なくとも、
(i) 1,3−ブタジエンまたはイソプレン単位の不飽和結合の95%以上と、
(ii) スチレンまたは4−アルキルスチレン単位の不飽和結合の1%以下と、
に対して選択的に行われることを特徴とする請求項7ないし14のいずれか1項に記載の方法。 - 水素化は、
(i) 1,3−ブタジエンまたはイソプレン単位の不飽和結合の50%ないし99.9%と、
(ii) スチレンまたは4−アルキルスチレン単位の不飽和結合の0.01%ないし1%と、
に対して選択的に行われることを特徴とする請求項7ないし14のいずれか1項に記載の方法。 - 水素化は、
(i) 1,3−ブタジエンまたはイソプレン単位の不飽和結合の95%ないし99.9%と、
(ii) スチレンまたは4−アルキルスチレン単位の不飽和結合の0.01%ないし1%と、
に対して選択的に行われることを特徴とする請求項7ないし14のいずれか1項に記載の方法。
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