JP2012529245A - 周波数発生のための装置及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/645—Inductive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B1/00—Details
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0613—Square or rectangular array
- H01L2224/06134—Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
- H01L2224/06135—Covering only the peripheral area of the surface to be connected, i.e. peripheral arrangements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/19015—Structure including thin film passive components
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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Abstract
【選択図】図1B
Description
Claims (43)
- 第1の発振器の電子回路、第2の発振器の電子回路、及び前記第1の発振器の第1の誘導子を具備するダイと、
前記第2の発振器の第2の誘導子を具備するパッケージと、
を具備するフリップチップ。 - 前記ダイは、少なくとも1つの中間層を具備し、
前記第1の誘導子は、前記少なくとも1つの中間層に配置されており、
前記パッケージは、前記ダイと対向し複数のハンダバンプによって前記ダイから離れている第1の面を具備し、
前記第2の誘導子は、前記パッケージの前記第1の面に配置されている
請求項1のフリップチップ。 - 前記パッケージは、前記ダイと対向し複数のハンダバンプによって前記ダイから離れている第1の面を具備し、
前記第2の誘導子は、前記パッケージの前記第1の面に配置されている
請求項1のフリップチップ。 - 前記第1の誘導子及び前記第2の誘導子は、実質的に同心である請求項3のフリップチップ。
- 前記第1の誘導子及び前記第2の誘導子は、磁気的に弱結合されている請求項3のフリップチップ。
- 前記第1の誘導子及び前記第2の誘導子の電磁結合係数は、0.2未満である請求項5のフリップチップ。
- 前記第1の誘導子及び前記第2の誘導子の電磁結合係数は、0.15未満である請求項5のフリップチップ。
- 前記第1の誘導子及び前記第2の誘導子の電磁結合係数は、0.10未満である請求項5のフリップチップ。
- 第1の発振器の電子回路と、
前記第1の発振器のLCタンクで用いるように構成されている第1の誘導子と、
第2の発振器の電子回路と、
前記第2の発振器のLCタンクで用いるように構成されている第2の誘導子であって、前記第2の誘導子は前記第1の誘導子に弱結合されている、第2の誘導子と、
前記第2の発振器のための発振器制御モジュールであって、前記第2の発振器が機能していないときに前記第2の発振器のための前記発振器制御モジュールは第2の容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えるように構成されており、前記第2の容量を切換えることは、前記第1の発振器の振動モードを第1のモードから第2のモードに変化させる、発振器制御モジュールと、
を具備する集積回路。 - 前記第1のモードはコモンモードであり、前記第2のモードは差動モードである請求項9の集積回路。
- 前記第2の発振器のための粗同調モジュールを更に具備し、
前記第2の発振器のための前記粗同調モジュールは、前記第2の発振器を同調させるために、前記第2の発振器の前記LCタンクへの選択的な切り換えのための容量のバンクを具備し、
前記第2の発振器のための前記発振器制御モジュールは、前記第1の発振器の振動モードを前記第1のモードから前記第2のモードに変化させるために、前記第2の発振器の前記粗同調回路に、前記バンクの全ての容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えさせるように構成されている
請求項10の集積回路。 - 前記第2の発振器のための粗同調モジュールを更に具備し、
前記第2の発振器のための前記粗同調モジュールは、前記第2の発振器を同調させるために、前記第2の発振器の前記LCタンクへの選択的な切り換えのための容量のバンクを具備し、
前記第2の発振器のための前記発振器制御モジュールは、前記第1の発振器の前記振動モードを前記第1のモードから前記第2のモードに変化させるために、前記第2の発振器の前記粗同調回路に、前記バンクの複数の容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えさせるように構成されている
請求項10の集積回路。 - 前記第2の発振器のための粗同調モジュールを更に具備し、
前記第2の発振器のための前記粗同調モジュールは、前記第2の発振器の前記LCタンクへの選択的な切り換えによって、前記第2の発振器を同調させるための容量のバンクを具備し、
前記第2の容量は、前記バンクの外部にある
請求項10の集積回路。 - 前記第2の発振器の同調周波数帯域は、第1の発振器の同調周波数帯域よりも高い請求項10の集積回路。
- 前記第1のモードは差動モードであり、前記第2のモードはコモンモードである請求項9の集積回路。
- 第2の発振器のための微同調モジュールを更に具備し、
前記第2の発振器のための前記微同調モジュールは、前記第2の発振器を同調させるために、前記第2の発振器の前記LCタンクへの選択的な切り換えのための容量のバンクを具備し、
前記第2の発振器のための前記発振器制御モジュールは、前記第1の発振器の前記振動モードを前記第1のモードから前記第2のモードに変化させるために、前記第2の発振器のための前記微同調モジュールに、前記バンクの1つ以上の容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り替えさせるように構成されている
請求項15の集積回路。 - 前記第2の発振器の動作中に、前記第2の容量は前記第2の発振器を同調させるために用いられない請求項15の集積回路。
- 前記第1の発振器のための発振器制御モジュールを更に具備し、
前記第1の発振器のための前記発振器制御モジュールは、前記第1の発振器が機能していないときに第1の容量を前記第1の発振器の前記LCタンクに切り換えるように構成されており、
前記第1の容量の前記第1の発振器の前記LCタンクへの切り換えは、前記第2の発振器の振動モードを前記第2のモードから前記第1のモードに変化させる
請求項9の集積回路。 - 前記第1の発振器の前記電子回路は、ダイに製造されており、
前記第2の発振器の前記電子回路は、前記ダイに製造されており、
前記ダイは、第1の面と、第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に配置された少なくとも1つの中間層とを具備し、
前記第1の誘導子は、前記第1の面、前記第2の面又は前記少なくとも1つの中間層に配置されており、
前記第2の誘導子は、前記第1の面、前記第2の面又は前記少なくとも1つの中間層に配置されている
請求項9の集積回路。 - パッケージを更に具備し、
前記第1の発振器の前記電子回路はダイに製造されており、
前記第2の発振器の前記電子回路は前記ダイに製造されており、
前記ダイは、第1の面と、第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に配置された少なくとも1つの中間層とを具備し、
前記パッケージは、前記ダイと対向するパッケージ面を具備し、
前記第1の誘導子は、前記第1の面、前記第2の面、前記少なくとも1つの中間層、又は前記パッケージ面に配置されており、
前記第2の誘導子は、前記第1の面、前記第2の面、前記少なくとも1つの中間層、又は前記パッケージ面に配置されている
請求項9の集積回路。 - 前記第1の発振器の前記電子回路はダイに製造されており、
前記第2の発振器の前記電子回路は前記ダイに製造されており、
前記ダイは、第1の面と、第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に配置された第1の中間層と、前記第1の面と前記第2の面との間に配置された第2の中間層とを具備し、
前記第1の誘導子は、前記第1の面、前記第2の面、前記第1の中間層又は前記第2の中間層に配置されており、
前記第2の誘導子は、前記第1の面、前記第2の面、前記第1の中間層又は前記第2の中間層に配置されている
請求項9の集積回路。 - 第1の発振器のLCタンクで用いるように構成されている第1の誘導子を具備する前記第1の発振器を提供するステップと、
第2の発振器のLCタンクで用いるように構成されている第2の誘導子を具備する前記第2の発振器を提供するステップと、
前記第2の発振器のための発振器制御モジュールを動作させるステップであって、前記第2の発振器が機能していないときに前記第2の発振器のための前記発振器制御モジュールは第2の容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えるように構成されており、前記第2の容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えることは前記第1の発振器の振動モードを第1のモードから第2のモードに変化させる、ステップと、
を具備する信号発生方法。 - 前記第1のモードはコモンモードであり、前記第2のモードは差動モードである請求項22の方法。
- 前記動作させるステップは、前記第2の発振器のための粗同調回路に粗同調バンクの全容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えさせることを具備する請求項23の方法。
- 前記動作させるステップは、前記第2の発振器のための粗同調回路に粗同調バンクの複数の容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えさせることを具備する請求項23の方法。
- 前記動作させるステップは、前記第2の発振器の粗同調回路の外部の容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えさせることを具備する請求項20の方法。
- 前記第2の発振器の同調周波数帯域は、前記第1の発振器の同調周波数帯域よりも高い請求項23の方法。
- 前記第1のモードは差動モードであり、前記第2のモードはコモンモードである請求項22の方法。
- 前記動作させるステップは、前記第1の発振器の振動モードを前記第1のモードから前記第2のモードに変化させるために、前記第2の発振器のための微同調回路に微同調バンクの1つ以上の容量を前記第2の発振器の前記LCタンクに切り換えさせることを具備する請求項28の方法。
- 前記第2の容量は、前記第2の発振器が動作している間は前記第2の発振器を同調させるために用いられない請求項28の方法。
- 前記第1の発振器のための発振器制御モジュールを動作させることを更に具備し、
前記第1の発振器のための前記発振器制御モジュールは、前記第1の発振器が機能していないときに第1の容量を前記第1の発振器の前記LCタンクに切り換えるように構成されており、
前記第1の容量を前記第1の発振器の前記LCタンクに切り換えることは、前記第2の発振器の振動モードを前記第2のモードから前記第1のモードに変化させる
請求項22の方法。 - 第1の発振器の電子回路と、
前記第1の発振器のLCタンクで用いるように構成された第1の誘導子と、
第2の発振器の電子回路と、
前記第2の発振器のLCタンクで用いるように構成された第2の誘導子であって、前記第2の誘導子は前記第1の誘導子に弱結合されている、第2の誘導子と、
前記第2の発振器が機能していないときに前記第1の発振器の振動モードを第1のモードから第2のモードに変化させる手段と、
を具備する集積回路。 - 前記第1のモードはコモンモードであり、前記第2のモードは差動モードである請求項32の集積回路。
- 前記第1のモードは差動モードであり、前記第2のモードはコモンモードである請求項32の集積回路。
- 第1の発振器の電子回路、第2の発振器の電子回路、及び前記第1の発振器の第1の誘導子を具備するダイと、
前記第2の発振器の第2の誘導子と、
前記ダイをパッケージングし前記第1の誘導子に弱結合されている前記第2の誘導子を保持する手段と、
を具備するフリップチップ。 - 第1のLCタンクを具備する第1の発振器であって、前記第1のLCタンクは第1の誘導子を具備する、第1の発振器と、
第2のLCタンクを具備する第2の発振器であって、前記第2のLCタンクは第2の誘導子を具備し、前記第2の誘導子は前記第1の誘導子に磁気的に弱結合されている、第2の発振器と、
容量を容量バンクから前記第2のLCタンクに選択的に切り換えることによって前記第2の発振器を粗同調させるための粗同調回路であって、前記粗同調回路は、前記第1の発振器が好ましくないモードで振動することを抑制するために、前記第1の発振器が動作しており前記第2の発振器が動作していないときに前記バンクの全容量を前記第2のLCタンクに切り換えるように構成されている、粗同調回路と、
を具備する電子デバイス。 - 第1のLCタンクを具備する第1の発振器であって、前記第1のLCタンクは第1の誘導子を具備する第1の発振器と、
第2のLCタンクを具備する第2の発振器であって、前記第2のLCタンクは第2の誘導子を具備し、前記第2の誘導子は前記第1の誘導子に磁気的に弱結合されている、第2の発振器と、
前記第1のLCタンクに結合されている第1のQファクタ減少回路であって、前記第1のQファクタ減少回路は、前記第2の発振器が好ましくないモードで振動することを抑制するために、前記第2の発振器が動作しており前記第1の発振器が動作していないときに、前記第1のLCタンクのQファクタを減少させるように構成されている、第1のQファクタ減少回路と、
を具備する電子デバイス。 - 前記第1のQファクタ減少回路は、前記第2の発振器が動作しているときに前記第1のLCタンクのエネルギを消散し、前記第1の発振器が動作しているときに前記第1のLCタンクのエネルギを消散しないように選択的に構成されたスイッチを具備する請求項37の電子デバイス。
- 前記第2のLCタンクに結合されている第2のQファクタ減少回路であって、前記第2のQファクタ減少回路は、前記第1の発振器が好ましくないモードで振動することを抑制するために、前記第1の発振器が動作しており前記第2の発振器が動作していないときに、前記第2のLCタンクのQファクタを減少させるように構成されている、第2のQファクタ減少回路をさらに具備する請求項37の電子デバイス。
- 第1のLCタンクを具備する第1の発振器であって、前記第1のLCタンクは第1の誘導子を具備する、第1の発振器と、
第2のLCタンクを具備する第2の発振器であって、前記第2のLCタンクは第2の誘導子を具備し、前記第2の誘導子は前記第1の誘導子に磁気的に弱結合されている、第2の発振器と、
前記第2の発振器が好ましくないモードで振動することを抑制するために、前記第2の発振器が動作しており前記第1の発振器が動作していないときに、前記第1のLCタンクのQファクタを減少させる手段と、
を具備する電子デバイス。 - 第1の発振器及び第2の発振器を具備する周波数発生器であって、前記第2の発振器は前記第2の発振器を粗同調させるための複数の容量を具備する、周波数発生器を動作させる方法であって、
前記第2の発振器は機能させないが前記第1の発振器を機能させることと、
前記第1の発振器を機能させているときに前記複数の容量を前記第2の発振器のLCタンクに与えることと、
を具備し、
前記第1の発振器の第1のLCタンクの第1の誘導子は、前記第2の発振器の第2のLCタンクの第2の誘導子に弱結合されている
方法。 - 第1の発振器及び第2の発振器を具備する周波数発生器を動作させる方法であって、
前記第2の発振器は機能させないが前記第1の発振器を機能させることと、
前記第1の発振器を機能させているとき、エネルギ消散要素を前記第2の発振器のLCタンクに与えることと、
を具備し、
前記第1の発振器の第1のLCタンクの第1の誘導子は、前記第2の発振器の第2のLCタンクの第2の誘導子に弱結合されている
方法。 - 第1の発振器及び第2の発振器を具備する周波数発生器を動作させる方法であって、
前記第2の発振器は機能させないが前記第1の発振器を機能させることと、
前記第1の発振器が好ましくないモードで振動することを抑制するために、前記第2の発振器のタンク回路のQファクタを減少させるステップと、
を具備し、
前記第1の発振器の第1のLCタンクの第1の誘導子は、前記第2の発振器の第2のLCタンクの第2の誘導子に弱結合されている
方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/477,651 | 2009-06-03 | ||
US12/477,651 US8058934B2 (en) | 2009-06-03 | 2009-06-03 | Apparatus and method for frequency generation |
PCT/US2010/037326 WO2010141778A2 (en) | 2009-06-03 | 2010-06-03 | Apparatus and method for frequency generation |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013090552A Division JP5805699B2 (ja) | 2009-06-03 | 2013-04-23 | 周波数発生のための装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012529245A true JP2012529245A (ja) | 2012-11-15 |
JP5654009B2 JP5654009B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=43298535
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012514151A Active JP5654009B2 (ja) | 2009-06-03 | 2010-06-03 | 周波数発生のための装置及び方法 |
JP2013090552A Active JP5805699B2 (ja) | 2009-06-03 | 2013-04-23 | 周波数発生のための装置及び方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013090552A Active JP5805699B2 (ja) | 2009-06-03 | 2013-04-23 | 周波数発生のための装置及び方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8058934B2 (ja) |
EP (2) | EP2538441B1 (ja) |
JP (2) | JP5654009B2 (ja) |
KR (2) | KR101432208B1 (ja) |
CN (2) | CN104362980B (ja) |
BR (1) | BRPI1010862A2 (ja) |
ES (1) | ES2661051T3 (ja) |
HU (1) | HUE036848T2 (ja) |
TW (1) | TW201128929A (ja) |
WO (1) | WO2010141778A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8058934B2 (en) * | 2009-06-03 | 2011-11-15 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and method for frequency generation |
US8183948B2 (en) * | 2009-09-13 | 2012-05-22 | International Business Machines Corporation | Ultra-compact PLL with wide tuning range and low noise |
US20120169428A1 (en) * | 2010-12-31 | 2012-07-05 | Broadcom Corporation | Ac coupled stack inductor for voltage controlled oscillator |
US8933757B2 (en) * | 2012-09-11 | 2015-01-13 | Broadcom Corporation | Low phase noise voltage controlled oscillators |
US9306614B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-04-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Power oscillator apparatus with transformer-based power combining for galvanically-isolated bidirectional data communication and power transfer |
US9240752B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-01-19 | Stmicroelectronics S.R.L. | Power oscillator apparatus with transformer-based power combining |
US20140357186A1 (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for die-to-die communication |
KR101491279B1 (ko) | 2013-07-16 | 2015-02-06 | 현대자동차주식회사 | 자동차용 부품 교정기 |
US9473152B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Coupling structure for inductive device |
US10270389B2 (en) | 2013-11-08 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
US10153728B2 (en) | 2013-11-08 | 2018-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
US9191014B2 (en) | 2013-11-08 | 2015-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus of synchronizing oscillators |
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Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009022991A1 (en) | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Agency For Science, Technology And Research | Die package and method for manufacturing the die package |
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US8058934B2 (en) * | 2009-06-03 | 2011-11-15 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and method for frequency generation |
-
2009
- 2009-06-03 US US12/477,651 patent/US8058934B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-03 KR KR1020137017746A patent/KR101432208B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-03 TW TW099117987A patent/TW201128929A/zh unknown
- 2010-06-03 BR BRPI1010862A patent/BRPI1010862A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2010-06-03 EP EP12005860.7A patent/EP2538441B1/en active Active
- 2010-06-03 ES ES10724212.5T patent/ES2661051T3/es active Active
- 2010-06-03 CN CN201410543596.XA patent/CN104362980B/zh active Active
- 2010-06-03 HU HUE10724212A patent/HUE036848T2/hu unknown
- 2010-06-03 JP JP2012514151A patent/JP5654009B2/ja active Active
- 2010-06-03 WO PCT/US2010/037326 patent/WO2010141778A2/en active Application Filing
- 2010-06-03 KR KR1020117031640A patent/KR101369769B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-03 EP EP10724212.5A patent/EP2438612B1/en active Active
- 2010-06-03 CN CN201080024968.8A patent/CN102460691B/zh active Active
-
2011
- 2011-11-14 US US13/295,683 patent/US8810322B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-23 JP JP2013090552A patent/JP5805699B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008060342A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fujitsu Ltd | 電子部品モジュールおよび電子部品モジュール製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201128929A (en) | 2011-08-16 |
JP5654009B2 (ja) | 2015-01-14 |
JP5805699B2 (ja) | 2015-11-04 |
EP2438612A2 (en) | 2012-04-11 |
US8058934B2 (en) | 2011-11-15 |
EP2538441A3 (en) | 2017-07-12 |
CN104362980B (zh) | 2017-09-22 |
US20120068777A1 (en) | 2012-03-22 |
WO2010141778A2 (en) | 2010-12-09 |
CN104362980A (zh) | 2015-02-18 |
CN102460691A (zh) | 2012-05-16 |
KR101432208B1 (ko) | 2014-08-22 |
US8810322B2 (en) | 2014-08-19 |
WO2010141778A3 (en) | 2011-06-09 |
US20100308924A1 (en) | 2010-12-09 |
KR101369769B1 (ko) | 2014-03-07 |
CN102460691B (zh) | 2015-12-09 |
EP2438612B1 (en) | 2018-01-31 |
KR20130083494A (ko) | 2013-07-22 |
EP2538441A2 (en) | 2012-12-26 |
BRPI1010862A2 (pt) | 2018-06-12 |
HUE036848T2 (hu) | 2018-08-28 |
KR20120025564A (ko) | 2012-03-15 |
JP2013211854A (ja) | 2013-10-10 |
EP2538441B1 (en) | 2021-02-24 |
ES2661051T3 (es) | 2018-03-27 |
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