JP2012519965A - 空気安定性有機−無機ナノ粒子ハイブリッド太陽電池 - Google Patents
空気安定性有機−無機ナノ粒子ハイブリッド太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012519965A JP2012519965A JP2011553129A JP2011553129A JP2012519965A JP 2012519965 A JP2012519965 A JP 2012519965A JP 2011553129 A JP2011553129 A JP 2011553129A JP 2011553129 A JP2011553129 A JP 2011553129A JP 2012519965 A JP2012519965 A JP 2012519965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- photovoltaic cell
- layer
- work function
- nanoparticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 145
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 81
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 19
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims description 12
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 Si x Ge 1-x Substances 0.000 claims description 8
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 8
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfoxide Natural products CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical group [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 claims description 4
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical group [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 3
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[In+3].[Cu+2] Chemical compound [O-2].[In+3].[Cu+2] RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- VODBHXZOIQDDST-UHFFFAOYSA-N copper zinc oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[Cu++].[Zn++] VODBHXZOIQDDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000013638 trimer Substances 0.000 claims description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims 2
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Chemical compound [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003570 air Substances 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UMYZHWLYICNGRQ-UHFFFAOYSA-N ethanol;heptane Chemical compound CCO.CCCCCCC UMYZHWLYICNGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009459 flexible packaging Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000013087 polymer photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G9/00—Compounds of zinc
- C01G9/02—Oxides; Hydroxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0384—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material
- H01L31/03845—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material comprising semiconductor nanoparticles embedded in a semiconductor matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/152—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising zinc oxide, e.g. ZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/353—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising blocking layers, e.g. exciton blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
- Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
太陽電池は、低仕事関数カソードと、有機−無機ナノ粒子複合材の活性層と、カソードと活性層との間に位置し、それらと物理的に接触するZnOナノ粒子層と、二層電極である透明高仕事関数アノードとを含む。ZnOナノ粒子層を含有することにより、変換効率の増加を示す太陽電池が得られ、デバイス劣化速度が低減される。本発明の実施形態は、新規太陽電池のZnOナノ粒子層としての使用に有利な新規ZnOナノ粒子、およびZnOナノ粒子を製造する方法に関する。
Description
関連出願の相互参照
本出願は、2009年3月6日出願の米国仮特許出願第61/158,189号に基づく優先権の利益を主張し、その開示は、すべての図、表および図面を含むその全内容が参照により本明細書に組み入れられる。
本出願は、2009年3月6日出願の米国仮特許出願第61/158,189号に基づく優先権の利益を主張し、その開示は、すべての図、表および図面を含むその全内容が参照により本明細書に組み入れられる。
有機およびハイブリッド有機−無機ナノ粒子太陽電池は、単純なコーティングおよび印刷法により製造することができることから、低コストで広範な再生可能エネルギーの有望な源である。特に、CdSe/ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)系ハイブリッド太陽電池は、約2.8%の電力変換効率を示している。ハイブリッド有機/無機ナノ粒子光電池は、その有望性にもかかわらず、商業用デバイスにおいて使用されていない。主な障壁は、空気中で急速に劣化するという、ハイブリッド有機/無機ナノ粒子太陽電池の傾向であった。ほとんどの半導体ポリマー材料は、湿気および/または酸素に暴露されると劣化することから、太陽電池劣化のメカニズムは、活性層における酸素および水の作用に起因すると考えられる。加えて、これらの材料においては光酸化が深刻な問題となり得る。
有機ポリマー系光起電デバイスの劣化は、ガラスおよび/または金属を使用した不透過性包装材内に部品を密封し、酸素および水蒸気への暴露を防止することにより、許容レベルまで低減することができる。全体の厚さが5〜7μmのポリマー層により分離された無機酸化物層を備えるハイブリッド多層バリアを使用した可撓性包装材を作製する試みは、ある程度の有望な結果を示しているが、酸素および湿気の透過を低減し得る封入方法は費用がかかり、概してデバイス厚の増加および可撓性の損失をもたらす。印刷プラスチック電子機器のための可撓性および十分に薄い層を達成するためには、プラスチック基板における大規模な商業化を可能とすべく、改善されたバリア材料が必要であるか、または湿気および酸素に対する感受性が本質的に低減されているデバイスが必要である。
低減された感受性を有するデバイスに関して、Leeら、Adv.Mater.2007、19、2445頁は、図1に示されるようなITO/PEDOT:PSS/活性層/TiOxアモルファス層/Alデバイスを報告している。ポリマー太陽電池の低仕事関数アルミニウムカソードと活性層との間の酸化チタン層は、デバイスの耐久性を大幅に改善することができた。実質的な酸素/水保護および洗浄作用を有するチタニア(TiO2)の能力が確立されたが、この作用は、光触媒として機能するTiO2の能力およびTiO2の本質的な酸素欠損に起因する。一般に、結晶TiO2層は、ポリマー電子デバイス製造のためのプロセスに適合しない約450℃の温度で調製される。Leeらは、ポリマー太陽電池のコレクタおよび光学スペーサとしてのポリマー系活性層上の亜酸化チタン(TiOx)層の製造を可能とする溶液系ゾル−ゲルプロセスを開発した。残念ながら、亜酸化チタン(TiOx)層を有する太陽電池の電力変換効率は、グローブボックス内環境下で6日後に約50%低下した。
Hauら、Appl.Phys.Lett.2008 92、253301頁は、図2に示されるようなITO/ZnO NPs/活性層/PEDOT:PSS/Ag反転デバイス(ZnO NPsはZnOナノ粒子である)を報告している。ZnO NPが使用されたのは、熱的な後処理をしなくても良好な電子移動度を示すためである。ITO/ガラス上のZnOナノ粒子層およびITO被覆プラスチック基板上のZnO NPは、ガラス基板上の電極としてLiF/Alを使用した従来のデバイスのものに匹敵する安定性を有していた。デバイスの改善された安定性は、PEDOT:PSS層およびAg電極に起因すると考えられるが、PEDOT:PSS層は、活性層への酸素の侵入を防止するバリアとして機能し、空気中で酸化銀の層を形成するAg電極の能力が、その実効仕事関数を増加させる。太陽電池は、空気中で40日後にわずか20%の電力変換効率の損失を示した。残念ながら、銀またはその他の空気感受性の低い高仕事関数材料、例えば金のコストは、Al電極の代替とするには極めて高価である。
したがって、商業化を実現するために、実行可能な価格の良好な効率および安定性を示すハイブリッド有機−無機ナノ粒子太陽電池が、依然として必要とされている。
本発明の実施形態は、低仕事関数電極と、半導体特性を示し、可視または近赤外電磁放射線を吸収する、有機ポリマーを含む光活性層とが、低仕事関数電極と光活性層との間に位置し、それらの少なくとも一部と電気的に接触するZnOナノ粒子層を有し、光活性層と物理的および電気的に接触する、二層電極である透明高仕事関数電極を備える、空気耐性光電池を対象とする。低仕事関数電極は、アルミニウムであってもよく、または、アルミニウムで被覆されたマグネシウム、カルシウムもしくはバリウムであってもよい。有機ポリマーは、置換または非置換チオフェン、フェニレンビニレン、フェニレンエチニレン、フルオレンまたはこれらの任意の組合せである複数の反復単位を有する有機ポリマーであってもよい。光活性層は、セレン化カドミウムナノ粒子ポリ(3−ヘキシルチオフェン)複合材(CdSe/P3HT)等の有機−無機ナノ粒子複合材の形態である無機ナノ粒子をさらに含んでもよい。使用可能なその他の無機ナノ粒子は、IV族、II−VI族、III−V族、IV−VI族、I−III−VI2族半導体または半導体合金、例えばSixGe1−x、ZnxCd1−xSeyTe1−y、PbS、PbSe、CdTe、CdTeySe1−y、ZnxCd1−xSzTeySe1−y−z、InxGa1−xAsまたはCu(InxGa1−x)Se2の無機ナノ粒子を含む。透明高仕事関数電極は、インジウムスズ酸化物(ITO)上のポリ(3,4−エチレンジオキシレンチオフェン)−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)であってもよい。
本発明の一実施形態は、結合したZnOナノスフェアおよびこれらのZnOナノ粒子の合成に関し、個々のスフェアは、3nmから4nmの平均直径を有する。約3nmの平均表面粗度を有するナノ粒子ZnO層を、これらのZnOナノ粒子を用いて製造することができる。
本発明の実施形態によるITO/PEDOT:PSS/活性層/ZnO NPs/Al太陽電池を図3に示す。新規ハイブリッド有機光(太陽)電池は、アルミニウム電極と光活性層(活性層)との間にZnOナノ粒子層を含有することにより、増加した効率および安定性を有する。活性層は、有機相または有機−無機ナノ粒子層、例えば本発明の一実施形態によるセレン化カドミウムナノ粒子ポリ(3−ヘキシルチオフェン)複合材(CdSe/P3HT)であってもよい。有機半導体の電荷キャリア移動度より高い無機半導体の電荷キャリア移動度に起因して、無機ナノ粒子を組み込むことにより光生成電荷の収集の改善をもたらすことができる。CdSeではなく、他のIV族、II−VI族、III−V族、IV−VI族、I族−III−VI2族半導体、およびこれらの半導体の合金(例えばSixGe1−x、ZnxCd1−xSeyTe1−y、PbS、PbSe、CdTe、CdTeySe1−y、ZnxCd1−xSzTeySe1−y−z、InxGa1−xAs、またはCu(InxGa1−x)Se2)もまた、ハイブリッド活性層に使用されるナノ粒子として用いることができる。使用可能な他の有機ポリマーおよびコポリマーの例は、1つまたは複数の置換または非置換反復単位、例えばチオフェン、フェニレンビニレン、フェニレンエチニレン、フルオレン、または、半導体特性ならびに可視および近赤外スペクトル領域において吸収を示すその他の共役ポリマーを含む有機ポリマーおよびコポリマーを含む。活性層は、入射光の十分な吸収を確実とするために、約50nmから約300nmの厚さであってもよい。
ZnOナノ粒子層は、活性層と低仕事関数電極との間に位置し、活性層および電極の両方の少なくとも一部と電気的に接触し、一般には物理的に接触している。本発明の多くの実施形態において、活性層は、ZnOナノ粒子層で完全に被覆されている。ZnOナノ粒子層は、5nmから約50nmの厚さを有してもよく、当技術分野において知られている任意の流体プロセスを使用して形成され得る。例えば、ZnOナノ粒子層は、20mg/mlから40mg/mlのエタノール中ナノ粒子懸濁液から、スピンコーティングまたはインクジェット印刷により活性層の表面上に形成され得る。
本発明の実施形態によれば、太陽電池は薄層デバイスである。図3に示されるように、デバイスは一般的に、ガラスまたはプラスチック等の透明基板上に形成され、基板上に透明高仕事関数電極が設けられる。透明高仕事関数電極は、正孔キャリアを収集するよう構成されている。この電極は、正孔注入層、例えばインジウムスズ酸化物(ITO)上のポリ(3,4−エチレンジオキシレンチオフェン)−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)を備える二層電極であってもよい。ITOではなく、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、亜鉛スズ酸化物(ZTO)、銅インジウム酸化物(CIO)、銅亜鉛酸化物(CZO)、ガリウム亜鉛酸化物(GZO)、アルミニウム亜鉛酸化物(AZO)、およびカーボンナノチューブ系フィルムを含む、当技術分野において知られている他の導電性酸化物および金属ポリマー等の他の材料を、透明電極に使用することができる。低仕事関数金属対向電極は、例えばアルミニウム、または、本発明の他の実施形態においてはアルミニウムで被覆されたマグネシウム、カルシウム、バリウム、LiF、CsFもしくはCS2CO3であり、電子キャリアを収集する。光活性層、例えばCdSe/P3HT層は、吸収性および電荷分離性のバルクヘテロ接合層であり、これは、図3に示されるように、2つの電荷選択性電極の間に位置する。2つの電極間の仕事関数の差は、光生成された電子および正孔が対向する電極に向かって移動するための駆動力を提供する。
驚くべきことに、本発明者らは、Al電極と活性層との間にZnOナノ粒子層を含有することにより、電力変換効率の増加が促進されるだけでなく、デバイスの劣化速度が大幅に低減されることを発見した。CdSe/P3HT系ハイブリッド太陽電池の電力変換効率は、図4に示されるように、活性CdSe/P3HT層とアルミニウム電極との間にZnOナノ粒子層が挿入されると、2.5倍増加する。最適化されていない開発中の太陽電池に関して、ZnOナノ粒子層を有さないハイブリッド太陽電池およびそれを有するハイブリッド太陽電池の電流密度対電圧を図5に示す。ZnOナノ粒子層を含有する太陽電池では電力変換効率が1.4%へ増加し、ZnOナノ粒子層を有さないがそれ以外は同等である太陽電池の電力変換効率が0.34%であるのに比べて、4倍の電力変換効率の増加が観察された。メカニズムに束縛されないが、効率が改善したのは、ZnOナノ粒子層によって、電子移動に対する界面障壁が低下したことに起因するものと考えられる。図4に示される電池のエネルギー準位図を図6に示す。図7aおよび7bに示されるように、ZnOナノ粒子層を含有することにより、デバイスの表面がZnOナノ粒子層を有さない同等のデバイスよりも滑らかであることも分かる。
図8では、ZnOナノ粒子層を有さない電池と比較して、新しい太陽電池および使用された太陽電池における外部量子効率(EQE)が波長に対してプロットされているが、同図に見られるように、ZnOナノ粒子層を有するこれらのハイブリッド太陽電池では劣化速度の低減も生じる。メカニズムに束縛されないが、劣化耐性は、ZnOナノ粒子層によって、紫外線が吸収され、ならびに/または空気からCdSe/P3HT層への酸素および水の拡散(酸素および水が活性層と反応し得る)が低減されることによってもたらされる。この場合も、封入材を使用することなく安定性の改善が観察された。ZnO系ハイブリッド太陽電池の寿命は、封入材またはその他の外部包装材によりさらに改善することができると考えるのが妥当である。このハイブリッド有機/無機ナノ粒子太陽電池デバイスは、信頼性のある効率的な商品を可能にする。
図9aおよび9bでは、薄いZnOナノ粒子層および厚いZnOナノ粒子層を有する電池において電流密度が電圧に対してプロットされているが、同図に見られるように、このハイブリッドデバイスの劣化は劇的に抑制された。空気中で45日後、薄いZnOナノ粒子層を有する太陽電池は、元の電力変換効率の64%を維持した(図9a)。空気中で45日後、厚いZnOナノ粒子層を有する太陽電池は、電力変換効率の84%を維持する結果となった(図9b)。太陽電池は両方とも、封入することなく周囲空気の存在下で使用した。図10に、ZnOナノ粒子層を有さない電池と比較した、薄いZnOナノ粒子層および厚いZnOナノ粒子層を有する電池における経時的な太陽電池の電力変換効率(PCE)のプロットを示すが、これは、本発明の一実施形態によるZnOナノ粒子層を有するデバイスの優れたPCEを実証している。
本発明の一実施形態において、ZnOナノ粒子は、カルボン酸の亜鉛塩、例えば酢酸亜鉛を、極性非プロトン性溶媒、例えばジメチルスルホキシドに溶解し、亜鉛塩溶液を、水酸化テトラアルキルアンモニウムのアルコール溶液、例えば水酸化テトラメチルアンモニウムのエタノール溶液と混合することにより調製することができる。使用可能な他の極性非プロトン性溶媒は、ジメチルホルムアミド(DMF)およびアセトニトリル(MeCN)を含むが、これらに限定されない。使用可能な他の水酸化テトラアルキルアンモニウム塩は、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、他の対称水酸化テトラアルキルアンモニウムおよび非対称水酸化テトラアルキルアンモニウムを含むが、これらに限定されない。使用可能な他のアルコールは、イソプロパノールおよびブタノールを含むが、これらに限定されない。典型的には、水酸化テトラアルキルアンモニウムの濃度は、亜鉛塩の濃度を超えるが、これは必須ではない。混合した後、6nm未満、例えば2nmから6nm、または3nmから4nmの平均直径を有するZnOナノ粒子が形成する。典型的には、溶液は撹拌しながら混合されるが、これは必須ではない。溶液は、標準室温で混合して維持することができる。所望の期間後、例えば1時間後、ZnOナノ粒子を形成させ、適切な技術により単離することができる。例えば、アルコールおよび炭化水素の混合物、例えばエタノールおよびヘプタンの混合物(エタノール−ヘプタン比は例えば1対4体積部である)により、ZnOナノ粒子から過剰の試薬を洗浄することができる。
水酸化テトラアルキルアンモニウムおよび亜鉛塩の割合を制御することにより、得られるZnOナノ粒子は、孤立したナノスフェアの形態であるか、またはナノスフェアは、縮合した二量体、三量体、四量体またはさらに高次の凝集ZnOナノ粒子として結合し得る。二量体結合ZnOナノスフェアを図11に示す。光電池の特性および安定性の点で最高品質のZnOナノ粒子層は、高い割合の二量体結合ZnOナノスフェアを有するZnOナノ粒子から得られた。ZnOナノスフェアの光学特性を図12に示すが、370nmを超える波長ではごくわずかな吸収しか観察されず、近紫外光の吸収によるフォトルミネッセンスが、可視領域において発光している。
材料および方法
3〜4nmの典型的な平均直径を有するZnOナノ粒子を、ゾル−ゲル法を用いて合成した。典型的な合成としては、ジメチルスルホキシド(DMSO)中の酢酸亜鉛(0.1M、30mL)およびエタノール中の水酸化テトラメチルアンモニウム(0.55M、30mL)を、室温で1時間混合および撹拌し、エタノール:ヘプタン(体積比で1:4)で2回洗浄し、エタノール中で保存した。活性層へスピンコーティングした後、ZnOナノ粒子層の厚さは、溶液濃度および回転速度に応じて、5〜50nmであった。ZnOナノ粒子層の平均粗度(Ra)は、約3nmであった。
3〜4nmの典型的な平均直径を有するZnOナノ粒子を、ゾル−ゲル法を用いて合成した。典型的な合成としては、ジメチルスルホキシド(DMSO)中の酢酸亜鉛(0.1M、30mL)およびエタノール中の水酸化テトラメチルアンモニウム(0.55M、30mL)を、室温で1時間混合および撹拌し、エタノール:ヘプタン(体積比で1:4)で2回洗浄し、エタノール中で保存した。活性層へスピンコーティングした後、ZnOナノ粒子層の厚さは、溶液濃度および回転速度に応じて、5〜50nmであった。ZnOナノ粒子層の平均粗度(Ra)は、約3nmであった。
ハイブリッド太陽電池の光起電特性は、擬似AM1.5太陽光を提供するOriel Xeアークランプを使用して測定した。Agilent 4155C半導体パラメータアナライザを使用して、暗闇および擬似AM1.5太陽光の下でのPVデバイスの電流密度−電圧(J−V)特性を測定した。KG1フィルタを有する較正済単結晶シリコン参照電池を用いて光強度を測定し、ASTM Standard E973に従いスペクトル不整合因子を補正した。
本明細書において上記または下記に参照または引用されるすべての特許、特許出願、仮特許出願、および出版物は、本明細書の明示的な教示と矛盾しない範囲で、参照することによりすべての図および表を含むその全内容が組み入れられる。
本明細書に記載される例および実施形態は例示のみを目的とすること、またその教示に照らした様々な修正または変更が当業者に示唆され、それらが本出願の精神および範囲内に含まれることを理解されたい。
Claims (30)
- 低仕事関数電極と、
有機ポリマーを含む光活性層であって、半導体特性を示し、可視または近赤外電磁放射線を吸収する光活性層と、
前記低仕事関数電極と前記光活性層との間に位置し、それらの少なくとも一部と電気的に接触するZnOナノ粒子層と、
前記光活性層と物理的および電気的に接触する二層電極を備える透明高仕事関数電極と
を備える、空気耐性光電池。 - 前記低仕事関数電極が、アルミニウムを含む、請求項1に記載の光電池。
- 前記低仕事関数電極が、アルミニウムで被覆されたマグネシウム、カルシウム、バリウム、LiF、CsF、またはCs2CO3の薄層を備える、請求項1に記載の光電池。
- 前記光活性層が、無機ナノ粒子または有機−無機ナノ粒子複合材をさらに含む、請求項1に記載の光電池。
- 前記有機−無機ナノ粒子複合材が、セレン化カドミウムナノ粒子ポリ(3−ヘキシルチオフェン)複合材(CdSe/P3HT)を含む、請求項4に記載の光電池。
- 前記無機ナノ粒子が、IV族、II−VI族、III−V族、IV−VI族、I−III−VI2族半導体または半導体合金を含む、請求項4に記載の光電池。
- 前記IV族半導体が、ケイ素、ゲルマニウム、またはグラフェン、カーボンナノチューブ、フラーレンもしくはそれらの誘導体を含む炭素系材料を含む、請求項6に記載の光電池。
- 前記半導体合金が、SixGe1−x、ZnxCd1−xSeyTe1−y、PbS、PbSe、CdTe、CdTeySe1−y、ZnxCd1−xSzTeySe1−y−z、InxGa1−xAsまたはCu(InxGa1−x)Se2を含む、請求項6に記載の光電池。
- 前記有機ポリマーが、置換または非置換チオフェン、フェニレンビニレン、フェニレンエチニレン、フルオレンまたはこれらの任意の組合せを含む複数の反復単位を含む、請求項1に記載の光電池。
- 前記透明高仕事関数電極が、インジウムスズ酸化物(ITO)上のポリ(3,4−エチレンジオキシレンチオフェン)−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)を含む、請求項1に記載の光電池。
- 前記透明高仕事関数電極が、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、亜鉛スズ酸化物(ZTO)、銅インジウム酸化物(CIO)、銅亜鉛酸化物(CZO)、ガリウム亜鉛酸化物(GZO)、アルミニウム亜鉛酸化物(AZO)、またはカーボンナノチューブを含む、請求項1に記載の光電池。
- 前記ZnOナノ粒子層が、5nmから50nmの厚さである、請求項1に記載の光電池。
- 前記ZnOナノ粒子層の前記ZnOナノ粒子が、2nmから6nmの平均直径を有する、請求項1に記載の光電池。
- 前記ZnOナノ粒子層が、約3nmの平均粗度を有する、請求項1に記載の光電池。
- 前記ZnOナノ粒子層が、LiF、CsF、Cs2CO3、CsOH、またはポリマーとのブレンドをさらに含む、請求項1に記載の光電池。
- 前記ポリマーが、ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)、ポリエチレンオキシド(PEO)、ポリ[9,9−ビス(6’(ジエタノールアミノ)ヘキシル)−フルオレン](PFO−OH)もしくはその4級化塩、またはポリ[9,9−ビス(3’−(N,N−ジメチルアミノ)プロピル)−2,7−フルオレン]−alt−2,7−(9,9−ジオクチルフルオレン)](PF−NR2)もしくはその4級化塩を含む、請求項15に記載の光電池。
- 前記ZnOナノ粒子層が、金属原子をドープされたZnOナノ粒子を含む、請求項1に記載の光電池。
- 前記金属原子ドーパントが、Al、In、Sb、Mg、Gd、Ga、Cuまたはこれらの任意の組合せである、請求項1に記載の光電池。
- カルボン酸の亜鉛塩の極性非プロトン性溶媒中の溶液を提供するステップと、
水酸化テトラアルキルアンモニウムのアルコール溶液を提供するステップと、
前記亜鉛塩溶液を前記水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液と混合して、ZnOナノ粒子を形成するステップと、
前記ZnOナノ粒子を単離するステップと
を含む、ZnOナノ粒子を製造する方法。 - 前記亜鉛塩が、酢酸亜鉛である、請求項19に記載の方法。
- 前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、水酸化テトラメチルアンモニウムである、請求項19に記載の方法。
- 前記極性非プロトン性溶媒が、ジメチルスルホキシドである、請求項19に記載の方法。
- 前記アルコールが、エタノールである、請求項19に記載の方法。
- 前記混合するステップが、室温で行われる、請求項19に記載の方法。
- 前記単離するステップが、アルコール−炭化水素混合物で洗浄するステップを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記アルコール−炭化水素混合物が、エタノールおよびヘプタンを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記アルコール−炭化水素混合物が、炭化水素4体積部に対しアルコール約1体積部を含む、請求項26に記載の方法。
- 複数の結合したZnOナノスフェアを含む、ZnOナノ粒子。
- 前記結合したZnOナノスフェアが、二量体、三量体、四量体または五量体を含む、請求項28に記載のZnOナノスフェア。
- 前記結合したZnOナノスフェアの大部分が二量体である、請求項29に記載のZnOナノスフェア。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15818909P | 2009-03-06 | 2009-03-06 | |
US61/158,189 | 2009-03-06 | ||
PCT/US2010/026320 WO2010102178A2 (en) | 2009-03-06 | 2010-03-05 | Air stable organic-inorganic nanoparticles hybrid solar cells |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012519965A true JP2012519965A (ja) | 2012-08-30 |
Family
ID=42710229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011553129A Withdrawn JP2012519965A (ja) | 2009-03-06 | 2010-03-05 | 空気安定性有機−無機ナノ粒子ハイブリッド太陽電池 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9147852B2 (ja) |
JP (1) | JP2012519965A (ja) |
KR (2) | KR101727879B1 (ja) |
CN (1) | CN102439733A (ja) |
WO (1) | WO2010102178A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2483053A (en) * | 2010-08-18 | 2012-02-29 | Mantis Deposition Ltd | Photoelectric device with a nanoparticle textured layer |
WO2012044971A2 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | University Of South Florida | All spray see-through organic solar array with encapsulation |
JP4993018B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2012-08-08 | 大日本印刷株式会社 | 有機薄膜太陽電池および有機薄膜太陽電池の製造方法 |
WO2012096359A1 (ja) * | 2011-01-14 | 2012-07-19 | 住友化学株式会社 | 有機光電変換素子 |
EP2779262A4 (en) * | 2011-11-07 | 2015-10-07 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | PHOTOVOLTAIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
US9508944B2 (en) | 2012-04-11 | 2016-11-29 | The Boeing Company | Composite organic-inorganic energy harvesting devices and methods |
CN102751242B (zh) * | 2012-07-27 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法及其制得的阵列基板 |
CN103824945A (zh) * | 2012-11-19 | 2014-05-28 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 太阳能电池器件及其制备方法 |
CN102965105B (zh) * | 2012-11-21 | 2014-12-03 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种石墨烯-CuInS2量子点复合物及其制备方法 |
KR101400902B1 (ko) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | 한국기계연구원 | 유기 태양전지 및 그 제조방법 |
CN103050627B (zh) * | 2012-11-29 | 2016-03-16 | 中国乐凯集团有限公司 | 一种有机太阳能电池及其制备方法 |
KR101445024B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2014-09-26 | 경북대학교 산학협력단 | 수분제거막이 형성된 광활성층을 가지는 유기태양전지 및 이의 제조방법 |
CN103413892B (zh) * | 2013-07-17 | 2016-08-10 | 苏州大学 | 一种合金量子点PbSxSe1-x及其制备方法和在太阳能电池中的应用 |
US9139908B2 (en) | 2013-12-12 | 2015-09-22 | The Boeing Company | Gradient thin films |
KR101587784B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2016-01-22 | 연세대학교 산학협력단 | 복합재를 이용한 열전 소재 및 그 제조방법 |
CN104576788B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-03-29 | 浙江大学 | 一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法 |
CN111969070B (zh) * | 2020-08-17 | 2021-10-26 | 中国科学院电工研究所 | 一种太阳电池及其制备方法 |
CN113270551A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-17 | 上海大学 | 一种直接型柔性x射线探测器及其制备方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7790979B2 (en) * | 2004-09-24 | 2010-09-07 | Plextronics, Inc. | Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) for photovoltaic cells |
US20070169816A1 (en) | 2005-03-17 | 2007-07-26 | The Regents Of The University Of California | Passivating layer for photovoltaic cells |
US20060292736A1 (en) | 2005-03-17 | 2006-12-28 | The Regents Of The University Of California | Architecture for high efficiency polymer photovoltaic cells using an optical spacer |
US20060211272A1 (en) | 2005-03-17 | 2006-09-21 | The Regents Of The University Of California | Architecture for high efficiency polymer photovoltaic cells using an optical spacer |
CN101321816A (zh) * | 2005-10-03 | 2008-12-10 | 株式会社钟化 | 含纳米颗粒的透明聚合物纳米复合材料及其制备方法 |
EP1974386A4 (en) | 2006-01-04 | 2010-11-17 | Univ California | PASSIVATION LAYER FOR FLEXIBLE ELECTRONIC ARRANGEMENTS |
TWI312531B (en) | 2006-06-30 | 2009-07-21 | Nat Taiwan Universit | Photoelectric device and fabrication method thereof |
US20080303432A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-12-11 | Shao Yan G | Systems and methods for improving the qualities of polymer light-emitting electrochemical cells |
KR101312269B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 고분자 태양전지 및 그의 제조방법 |
EP2432015A1 (en) * | 2007-04-18 | 2012-03-21 | Invisage Technologies, Inc. | Materials, systems and methods for optoelectronic devices |
EP2174329B1 (de) * | 2007-07-23 | 2011-02-09 | Basf Se | Photovoltaische tandem-zelle |
KR101813688B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2017-12-29 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | 코어 쉘 나노입자들 및 이들의 준비 방법 |
JP4951497B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2012-06-13 | 株式会社日立製作所 | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
AU2007363281B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-10 | Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S.) | Hybrid nanocomposite |
KR20090108476A (ko) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 광주과학기술원 | 유기 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
2010
- 2010-03-05 WO PCT/US2010/026320 patent/WO2010102178A2/en active Application Filing
- 2010-03-05 KR KR1020167034260A patent/KR101727879B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-05 KR KR20117023318A patent/KR20120002583A/ko active Application Filing
- 2010-03-05 JP JP2011553129A patent/JP2012519965A/ja not_active Withdrawn
- 2010-03-05 US US13/254,929 patent/US9147852B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-05 CN CN2010800198915A patent/CN102439733A/zh active Pending
-
2015
- 2015-08-18 US US14/828,890 patent/US20150353373A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150353373A1 (en) | 2015-12-10 |
WO2010102178A2 (en) | 2010-09-10 |
US9147852B2 (en) | 2015-09-29 |
CN102439733A (zh) | 2012-05-02 |
KR101727879B1 (ko) | 2017-04-17 |
WO2010102178A3 (en) | 2011-01-06 |
US20120000526A1 (en) | 2012-01-05 |
KR20160147060A (ko) | 2016-12-21 |
KR20120002583A (ko) | 2012-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101727879B1 (ko) | 공기 중에 안정한 유-무기 나노입자 하이브리드 태양전지 | |
JP6564001B2 (ja) | 光吸収構造体が備えられた太陽電池 | |
US10193092B2 (en) | Systems and methods for scalable perovskite device fabrication | |
JP5651606B2 (ja) | 複数の電子供与体を有する光電池 | |
JP5075283B1 (ja) | 有機薄膜太陽電池 | |
Muhammad et al. | Thermal stability and reproducibility enhancement of organic solar cells by tris (hydroxyquinoline) gallium dopant forming a dual acceptor active layer | |
WO2013118795A1 (ja) | 有機薄膜太陽電池及び有機薄膜太陽電池の製造方法 | |
Dahal et al. | Configuration of methylammonium lead iodide perovskite solar cell and its effect on the device's performance: a review | |
RU2595342C2 (ru) | Двухкомпонентный электрон-селективный буферный слой и фотовольтаические ячейки на его основе | |
JP2013089684A (ja) | 有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 | |
KR101246618B1 (ko) | 무기반도체 감응형 광전소자 및 그 제조방법 | |
JP2012109365A (ja) | 有機光電変換素子および太陽電池 | |
JP5582042B2 (ja) | 有機光電変換素子および太陽電池 | |
KR102135101B1 (ko) | 반투명 및 유연 태양전지 및 그 제조 방법 | |
KR101880153B1 (ko) | 혼성 금속 산화물 및 그 형성 방법과 상기 혼성 금속 산화물을 포함하는 태양 전지 | |
JP2013206988A (ja) | 有機無機ハイブリッド太陽電池活性層用インク、有機無機ハイブリッド太陽電池及び有機無機ハイブリッド太陽電池の製造方法 | |
Zahid et al. | The effect of TiO 2 nanoparticle on the photoconductivity properties of organic MEH-PPV thin films for organic photovoltaic cell applications | |
Vivo et al. | Organic and Perovskite Solar Cells | |
Xua et al. | 2 UV Stability | |
Xu et al. | UV Stability of Organic Solar Cells | |
JP2023114358A (ja) | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び光電変換層の組成物 | |
Yahaya et al. | Energy conversion: nano solar cell | |
JP2012099632A (ja) | 有機光電変換素子それを用いた太陽電池及び光センサアレイ | |
JP2014241370A (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20130507 |