JP2012517530A - ポリマー基材上の2層バリヤー - Google Patents
ポリマー基材上の2層バリヤー Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012517530A JP2012517530A JP2011549670A JP2011549670A JP2012517530A JP 2012517530 A JP2012517530 A JP 2012517530A JP 2011549670 A JP2011549670 A JP 2011549670A JP 2011549670 A JP2011549670 A JP 2011549670A JP 2012517530 A JP2012517530 A JP 2012517530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- polymer substrate
- plasma
- processing space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
【選択図】図4
Description
Y.Watanabe et al.による論文‘Formation Kinetics and Control of Dust Particles in Capacitively−Coupled Reactive Plasamas’,Physica Scripta,Vol.T89,29−32,2001には、減圧における容量結合型高周波放電(13.56MHz)でのパルスオンタイム(ton)とパルスオフタイム(Toff)の両方の影響の研究が記載されている。ton持続時間が増大するとクラスターのサイズおよび体積分率が増大するが、もっとも著しい増大は、10ms以上のパルスオンタイムを超えると起こることが示されている。
a)無機材料の第1(緩衝)層をポリマー基材上にポリマー基材のRt−値の少なくとも100%の最大厚さで付着させ、
ここにおいて、Rt値は、ポリマー基材の表面に実質的に垂直に測定されたポリマー基材の断面の最大山谷高低差(maximum peak to valley height)として定義される、
b)無機材料の第2(バリヤー)層を第1層上に付着させる、
ここにおいて、処理空間において酸素は3%以上の濃度を有し、電源を、2以上の相対する電極間の間隙を横切るエネルギーが40J/cm2以上になるように制御する、
ことを含む方法を提供する。
Rtの尺度はnm単位であり、基材の断面の最大山谷高低差である。
さらなる態様において、基材は移動基材であり、該基材は、処理空間を通って移動する。これにより、より大きな面積であっても、基材上の層の平坦で均一な形成が可能になる。処理空間は、第1および第2層の両方を付着させるために用いられる単一の処理空間であることができ、または、別個の処理空間を2層のそれぞれに提供することができる。
図1は、本発明を具体化し、施用することができる、プラズマ処理装置10の略図を示している。包囲物1内の処理空間であることができる処理空間5、または開いた構造を有する処理空間5は、2つの相対する電極2、3を含む。基材6または2つの基材6、7は、平坦なシートの形(図2に示す固定処理)か、移動ウェブの形(図3に示すように、起点ロール15、巻き上げロール16およびテンションロール17を使用する)で、処理空間5において処理することができる。電極2、3はプラズマ制御ユニット4に接続されており、該ユニットは、とりわけ電極2、3に電力を供給する、すなわち、電源として機能する。
好ましい態様において、基材は、ポリエステルフィルム、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリエチレンナフタレート(PEN)である。
さらに、電極への周期的電力源として例えば正弦波トレイン信号のシーケンスを提供する発生機を用いて、電力を施用することができる。周波数範囲は、10kHz〜30MHz、例えば100kHz〜700kHzであることができる。
さらなる態様では、先に定義したような電源4を、第1層6aの付着中に前記相対する電極2、3間の間隙を(移動)基材6まで横切るエネルギーが30J/cm2以下(例えば、10J/cm2または5J/cm2以下)の値に制御されるように配置する。第2層6bの付着段階では、(同じまたは異なる処理空間5において)前記相対する電極2、3間の間隙を(移動)基材6まで横切るエネルギーを、40J/cm2以上(例えば、80J/cm2)の値に制御する必要がある。
さらに、プラズマ制御ユニット4は、上記さらなる態様に従った方法を実施するために配置された安定化手段を含むことができる。
グロー放電プラズマの形成は、電極2、3に接続されたプラズマ制御ユニット4を用いて変位電流を制御して(動的整合)、処理空間5において基材6の表面の均一な活性化をもたらすことにより、促進することができる。プラズマ制御ユニット4は、例えば、本明細書中で参考として援用する出願人の係属中の国際特許出願PCT/NL2006/050209号および欧州特許出願EP−A−1381257号、EP−A−1626613号に記載されているように、電源および関連する制御回路を含む。
本発明の他の一態様において、第1層6aの付着段階に用いられる前記前駆体は、第2層6bの付着段階でのものとは異なる。
Rtの値は、2×2ミクロンの評価面積内で初期基材6の平均表面断面から測定した山の最大高さと谷の最大深さの絶対距離として決定した。
実験を、上記態様に明記したように第2層6bを施用することにより継続した。第1層6aを有する得られた試料(表2にAnnとして挙げる)を、図1に示す基材処理装置10で第2層6bを付着させるために処理した。表2に、(層状)基材6に向けて供給したエネルギーおよび処理空間5における酸素濃度の詳細を明記する。実施例B1〜B16では、TEOSを前駆体として5g/hrで用いた。実施例B17では、HMDSNを前駆体として10g/hrで用いた。
2 電極
2a 誘電体バリヤー層
3 電極
3a 誘電体バリヤー層
4 プラズマ制御ユニット
5 処理空間
6 基材
6a 無機材料層
6b 無機材料層
7 基材
8 ガス供給機器
10 プラズマ処理装置
15 起点ロール
16 巻き上げロール
17 テンションロール
Claims (13)
- 電源に接続されている2以上の相対する電極の間に形成される処理空間において大気圧グロー放電プラズマを用い、該処理空間において前駆体と酸素を含むガス組成物を用いて、ポリマー基材を生産するための方法であって、
a)無機材料の第1層をポリマー基材上にポリマー基材のRt−値の少なくとも100%の最大厚さ(d3)で付着させ、
ここにおいて、Rt値は、ポリマー基材の表面に実質的に垂直に測定されたポリマー基材の断面の最大山谷高低差として定義される、
b)無機材料の第2層を第1層上に付着させる、
ここにおいて、処理空間において酸素は3%以上の濃度を有し、電源を、2以上の相対する電極間の間隙を横切るエネルギーが40J/cm2以上になるように制御する、
ことを含む方法。 - 第1層を、酸素が2%以下の濃度を有するガス組成物を用いて付着させ、電源を、2以上の相対する電極間の間隙を横切るエネルギーが30J/cm2以下になるように制御する、請求項1に記載の方法。
- 第1層を付着させる時の酸素濃度が0.5%以下である、請求項1または2に記載の方法。
- 第1層の付着中に提供されるエネルギーが10J/cm2以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 第2層の付着中に提供されるエネルギーが80J/cm2以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 第2層を付着させる時の酸素濃度が4%以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 基材が、処理空間を通って移動する移動基材である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 基材(6)を処理するためのプラズマ処理装置であって、該プラズマ処理装置(10)が、少なくとも2つの相対する電極(2、3)および該少なくとも2つの相対する電極(2、3)の間の処理空間(5)を含み、該少なくとも2つの電極(2、3)が、処理空間(5)において大気圧グロー放電プラズマを発生させるためのプラズマ制御ユニット(4)に接続されており、ガス供給機器(8)が、操作中に処理空間(5)にガス混合物を提供するように配置されており、該プラズマ制御ユニット(4)およびガス供給機器(8)が、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法が遂行されるように配置されている、前記プラズマ処理装置。
- さらに、基材移動配置物(15、16、17)を含む、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 第1層が、Si−、O−およびC−含有物を有する無機緩衝層を含み、第2層がSiO2の無機バリヤー層を含む、二重層バリヤーが表面上に提供されているポリマー基材であって、
第1層が、ポリマー基材のRt−値の少なくとも100%の厚さを有し、ここにおいて、Rt−値は、ポリマー基材の表面に実質的に垂直に測定されたポリマー基材の断面の最大山谷高低差として定義され、
第2層が、少なくとも40nmの厚さを有する、
前記ポリマー基材。 - 電源(4)が90〜100%のデューティーサイクルでエネルギーを提供する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 電源(4)が100%のデューティーサイクルでエネルギーを提供する、請求項11のいずれか一項に記載の方法。
- OLEDまたはPV−電池を提供するための、請求項10〜12のいずれか一項に記載の基材の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09152674 | 2009-02-12 | ||
EP09152674.9 | 2009-02-12 | ||
PCT/GB2010/050208 WO2010092384A1 (en) | 2009-02-12 | 2010-02-10 | Two layer barrier on polymeric substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012517530A true JP2012517530A (ja) | 2012-08-02 |
JP2012517530A5 JP2012517530A5 (ja) | 2013-03-14 |
Family
ID=40821829
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011549670A Pending JP2012517530A (ja) | 2009-02-12 | 2010-02-10 | ポリマー基材上の2層バリヤー |
JP2011549669A Pending JP2012517529A (ja) | 2009-02-12 | 2010-02-10 | ポリマー基材上の2層バリヤー |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011549669A Pending JP2012517529A (ja) | 2009-02-12 | 2010-02-10 | ポリマー基材上の2層バリヤー |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20110311808A1 (ja) |
EP (2) | EP2396452A1 (ja) |
JP (2) | JP2012517530A (ja) |
WO (2) | WO2010092383A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015533626A (ja) * | 2012-08-24 | 2015-11-26 | フジフィルム・マニュファクチュアリング・ヨーロッパ・ベスローテン・フエンノートシャップ | 多孔質基材の処理方法および膜の製造 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007139379A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge |
US8338307B2 (en) | 2007-02-13 | 2012-12-25 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using magnetic mask device |
WO2009096785A1 (en) | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate |
EP2241165B1 (en) | 2008-02-08 | 2011-08-31 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method for manufacturing a multi_layer stack structure with improved wvtr barrier property |
EP2396452A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-21 | Fujifilm Manufacturing Europe BV | Two layer barrier on polymeric substrate |
GB201210836D0 (en) | 2012-06-19 | 2012-08-01 | Fujifilm Mfg Europe Bv | Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate |
US9339770B2 (en) | 2013-11-19 | 2016-05-17 | Applied Membrane Technologies, Inc. | Organosiloxane films for gas separations |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1158587A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-02 | Mitsui Chem Inc | 酸化防止用包装フィルム |
JP2007190844A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2704558B1 (fr) * | 1993-04-29 | 1995-06-23 | Air Liquide | Procede et dispositif pour creer un depot d'oxyde de silicium sur un substrat solide en defilement. |
JP3148910B2 (ja) | 1993-09-01 | 2001-03-26 | 日本真空技術株式会社 | プラズマcvd成膜方法 |
ATE402277T1 (de) * | 2002-02-05 | 2008-08-15 | Dow Global Technologies Inc | Chemische dampfphasenabscheidung auf einem substrat mittels eines korona-plasmas |
EP2249413A3 (en) | 2002-04-01 | 2011-02-02 | Konica Corporation | Support and organic electroluminescence element comprising the support |
TWI273143B (en) | 2002-06-10 | 2007-02-11 | Konica Corp | Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method |
US6774569B2 (en) | 2002-07-11 | 2004-08-10 | Fuji Photo Film B.V. | Apparatus for producing and sustaining a glow discharge plasma under atmospheric conditions |
US7288204B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-10-30 | Fuji Photo Film B.V. | Method and arrangement for treating a substrate with an atmospheric pressure glow plasma (APG) |
EP1403902A1 (en) | 2002-09-30 | 2004-03-31 | Fuji Photo Film B.V. | Method and arrangement for generating an atmospheric pressure glow discharge plasma (APG) |
KR101162377B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2012-07-09 | 도요 세이칸 가부시키가이샤 | 플라즈마 cvd법에 의한 화학 증착막 및 그 형성 방법 |
EP1663518A2 (en) | 2003-09-09 | 2006-06-07 | Dow Global Technologies Inc. | Glow discharge-generated chemical vapor deposition |
ATE348497T1 (de) | 2004-08-13 | 2007-01-15 | Fuji Photo Film Bv | Verfahren und vorrichtung zur steuerung eines glühentladungsplasmas unter atmosphärischem druck |
BRPI0515714A (pt) * | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Dow Global Technologies Inc | processo para preparar um revestimento em múltiplas camadas na superfìcie de um substrato polimérico orgánico por meio de uma deposição por plasma à pressão atmosférica |
GB0505517D0 (en) | 2005-03-17 | 2005-04-27 | Dupont Teijin Films Us Ltd | Coated polymeric substrates |
WO2007138837A1 (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ガスバリア性樹脂基材の製造方法及びガスバリア性樹脂基材の製造装置 |
WO2007139379A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge |
WO2008147184A2 (en) | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Atmospheric pressure glow discharge plasma method and system using heated substrate |
FR2918301B1 (fr) * | 2007-07-06 | 2011-06-24 | Sidel Participations | Revetement barriere depose par plasma comprenant au moins trois couches, procede d'obtention d'un tel revetement et recipient revetu d'un tel revetement |
EP2396452A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-21 | Fujifilm Manufacturing Europe BV | Two layer barrier on polymeric substrate |
-
2010
- 2010-02-10 EP EP10703950A patent/EP2396452A1/en not_active Withdrawn
- 2010-02-10 WO PCT/GB2010/050207 patent/WO2010092383A1/en active Application Filing
- 2010-02-10 WO PCT/GB2010/050208 patent/WO2010092384A1/en active Application Filing
- 2010-02-10 US US13/201,219 patent/US20110311808A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-10 US US13/201,218 patent/US20110311734A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-10 JP JP2011549670A patent/JP2012517530A/ja active Pending
- 2010-02-10 JP JP2011549669A patent/JP2012517529A/ja active Pending
- 2010-02-10 EP EP10703949A patent/EP2396451B1/en not_active Not-in-force
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1158587A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-02 | Mitsui Chem Inc | 酸化防止用包装フィルム |
JP2007190844A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015533626A (ja) * | 2012-08-24 | 2015-11-26 | フジフィルム・マニュファクチュアリング・ヨーロッパ・ベスローテン・フエンノートシャップ | 多孔質基材の処理方法および膜の製造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012517529A (ja) | 2012-08-02 |
WO2010092384A1 (en) | 2010-08-19 |
EP2396451B1 (en) | 2012-11-07 |
US20110311734A1 (en) | 2011-12-22 |
EP2396451A1 (en) | 2011-12-21 |
WO2010092383A1 (en) | 2010-08-19 |
EP2396452A1 (en) | 2011-12-21 |
US20110311808A1 (en) | 2011-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5725865B2 (ja) | プラズマ処理装置、及び大気圧グロー放電電極構成を使用して基板を処理するための方法 | |
JP2012517530A (ja) | ポリマー基材上の2層バリヤー | |
KR101697806B1 (ko) | 적층 필름의 제조 방법 | |
US20100003483A1 (en) | Transparent gas barrier film | |
US20100009147A1 (en) | Transparent gas barrier film | |
JP5473946B2 (ja) | Wvtrバリア性を改善した多層スタック構造体の製造方法 | |
US20100003482A1 (en) | Transparent gas barrier film and method for producing transparent gas barrier film | |
JP2013028170A (ja) | 透明ガスバリア性フィルムの製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5003270B2 (ja) | 真空成膜装置、および高分子フィルム積層体の製造方法 | |
JP5751027B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP2013536317A (ja) | シート上にバリアを製造する方法およびpvモジュール用シート | |
JP5781350B2 (ja) | ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス | |
US20150017339A1 (en) | Substrate Structure Grown By Plasma Deposition | |
JP5719106B2 (ja) | 透明ガスバリア性フィルム及び透明ガスバリア性フィルムの製造方法 | |
JP6110939B2 (ja) | フレキシブル基材上にバリヤー層を製造するための方法および機器 | |
WO2017104357A1 (ja) | プラズマcvd成膜装置用電極、電極の製造方法、プラズマcvd成膜装置および機能性フィルムの製造方法 | |
CN108349210B (zh) | 气体阻隔膜 | |
JPWO2015163358A1 (ja) | ガスバリアーフィルム及びその製造方法 | |
JPWO2015146807A1 (ja) | ガスバリア性フィルムの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130128 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140226 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140512 |