JP2012516473A - Ge不含有コアを有する大実効断面積ファイバ - Google Patents

Ge不含有コアを有する大実効断面積ファイバ Download PDF

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Abstract

光導波路ファイバにおいて、(i)1550nmの波長で90μm2から160μm2の実効断面積、および12≦α≦25のα値を有するGe不含有コアであって、(a)中心線から半径0μm≦r0≦2μmまで半径方向外方に延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントプロファイルΔ0(r)を有する中心コア領域であって、−0.1%≦Δ0(r)≦0.1%、最大相対屈折率パーセントΔ0MAXを有する中心コア領域;(b)中心コア領域を取り囲み直接隣接し、4.8μm≦r1≦10μmである外径r1まで延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントプロファイルΔ1(r)、および最小相対屈折率Δ1MINを有する第1の環状コア領域であって、半径r=2.5μmで測定された相対屈折率が−0.15<Δ1(r=2.5μm)≦0であり、Δ0MAX≧Δ1(r=2.5μm)である第1の環状コア領域;(c)第1の環状コア領域を取り囲み直接隣接し、半径13μm≦r2≦30μmまで延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される負の相対屈折率パーセントプロファイルΔ2(r)を有するフッ素がドープされた第2の環状コア領域であって、最小相対屈折率パーセントΔ2MINがΔ2MIN<Δ1(r=2.5μm)、および−0.7%≦Δ2MIN≦−0.28%である第2の環状コア領域;を有するGe不含有コアと、(ii)コアを取り囲み、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントΔc(r)を有するクラッドであって、Δc(r)=Δ2MIN±0.3%であるクラッドとを有してなり、光導波路ファイバの相対屈折率プロファイルが、1550nmの波長で0.175dB/km以下の減衰を提供するように選択された光導波路ファイバが提供される。

Description

本発明は、広く光ファイバに関し、特に、純粋なコアおよび低減衰を有する大実効断面積光ファイバに関する。
長距離の高出力伝送を提供する遠距離通信システムにおいて、光増幅技術および波長分割多重化技法が、一般的に必要とされる。高出力および長距離の定義は、ビットレート、ビット誤り率、多重化スキーム、およびことによると光増幅が指定される特定の遠距離通信システムに関してのみ有意である。高出力および長距離の定義に影響がある追加の要因が当業者に公知である。しかしながら、ほとんどの目的にとって、高出力は約10mWより大きい光出力である。高出力システムは、自己位相変調、四光波混合、相互位相変調、および非線形散乱プロセスを含む非線形光学効果をしばしば被り、それらの全てが高出力システムにおいて信号を劣化させ得る。ある用途において、1mW以下の単一出力レベルはまだ非線形効果に対して感受性があり、よって、そのような低出力システムにおいても非線形効果はまだ重要な検討事項であろう。その上、減衰などの他の光ファイバ特性は、信号の劣化に寄与する主要な要因である。
一般に、大実効断面積(Aeff)を有する光導波路ファイバは、以下の全てが高出力システムにおいて信号を劣化させ得る、自己位相変調、四光波混合、相互位相変調、および非線形散乱プロセスを含む非線形光学効果を減少させる。
他方で、光導波路ファイバの実効断面積が増加すると、典型的に、ファイバを通る信号伝送を減衰させるマクロベンディング誘起損失が増加する。このマクロベンディング誘起損失は、長(例えば、100km以上)距離(または再生器、増幅器、送信機および/または受信機の間の間隔)に亘り次第に重要になる。残念ながら、従来の光ファイバの実効断面積が大きくなるにつれ、マクロベンディング誘起損失が大きくなる傾向にある。さらに、減衰は、大実効断面積ファイバにおける信号の劣化に寄与する主要な要因であり得る。
本発明のある実施の形態は、光導波路ファイバにおいて、
(i) 1550nmの波長で約90μm2から約160μm2の実効断面積、および12≦α≦25のα値を有するGe不含有コアであって、
(a) 中心線から半径0μm≦r0≦2μmまで半径方向外方に延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントプロファイルΔ0(r)を有する中心コア領域であって、−0.1%≦Δ0(r)≦0.1%、最大相対屈折率パーセントΔ0MAXを有する中心コア領域;
(b) 中心コア領域を取り囲み直接隣接し、4.8μm≦r1≦10μmである外径r1まで延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントプロファイルΔ1(r)、および最小相対屈折率Δ1MINを有する第1の環状コア領域であって、半径r=2.5μmで測定された相対屈折率が
−0.15≦Δ1(r=2.5μm)≦0、およびΔ0MAX≧Δ1(r=2.5μm)
である第1の環状コア領域;
(c) 第1の環状コア領域を取り囲み直接隣接し、半径13μm≦r2≦30μmまで延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される負の相対屈折率パーセントプロファイルΔ2(r)を有するフッ素がドープされた第2の環状コア領域であって、最小相対屈折率パーセントΔ2MIN
Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)、および−0.7%≦Δ2MIN≦−0.28%
である第2の環状コア領域;
を有するGe不含有コアと、
(ii) コアを取り囲み、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントΔc(r)を有するクラッドであって、Δc(r)=Δ2MIN±0.3%であるクラッドと、
を有してなり、
光導波路ファイバの相対屈折率プロファイルが、1550nmの波長で0.175dB/km未満の減衰を提供するように選択された光導波路ファイバである。
ある例示の実施の形態によれば、中心コア領域の少なくとも一部分は純粋なシリカから製造される。
本発明の追加の特徴と利点は、以下の詳細な説明に述べられており、一部は、その説明から当業者には容易に明らかになるか、または以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付の図面を含む、ここに記載された本発明を実施することによって認識されるであろう。
先の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方とも、本発明の実施の形態を提示し、特許請求の範囲に記載された本発明の性質および特徴を理解するための概要または骨子を提供することが意図されている。添付の図面は、本発明をさらに理解するために含まれており、本明細書に包含され、その一部を構成する。図面は、本発明の様々な実施の形態を示しており、説明と共に、本発明の原理および動作を説明する働きをする。
本発明の1つの実施の形態の断面図 図1Aのファイバの例示の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ 本発明の光ファイバの例示の実施の形態の屈折率プロファイルを説明するグラフ
「屈折率プロファイル」は、屈折率または相対屈折率と導波路ファイバの半径との間の関係である。
「相対屈折率パーセント」は、Δ%=100×(n(r)2−ns 2)/2n(r)2と定義され、ここで、n(r)は、別記しない限り、ファイバの中心線からの半径距離rでの屈折率であり、nsはシリカの屈折率である。ここに用いたように、相対屈折率は、Δにより表され、その値は、別記しない限り、「%」の単位で与えられる。ある領域の屈折率がシリカの屈折率より小さい場合、相対屈折率パーセントは、負であり、低屈折率(depressed index)を有すると称され、別記しない限り、屈折率が負で最も大きい地点で計算される。ある領域の屈折率がシリカの屈折率より大きい場合、相対屈折率パーセントは、正であり、高くなっている(reaised)または正の屈折率を有すると称され、別記しない限り、屈折率が正で最も大きい地点で計算される。「アップドーパント(updopant)」は、ここでは、純粋な未ドープのSiO2に対して屈折率を上昇させる傾向にあるドーパントと考えられる。「ダウンドーパント(downdopant)」は、ここでは、純粋な未ドープのSiO2に対して屈折率を低下させる傾向にあるドーパントと考えられる。アップドーパントは、アップドーパントではない1種類以上の他のドーパントが含まれる場合、負の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在してもよい。同様に、アップドーパントではない1種類以上の他のドーパントは、正の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在してもよい。ダウンドーパントは、ダウンドーパントではない1種類以上の他のドーパントが含まれる場合、正の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在してもよい。同様に、ダウンドーパントではない1種類以上の他のドーパントは、負の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在してもよい。
別記しない限りここでは「分散」と称する導波路ファイバの「色分散」は、材料分散、導波路分散、およびモード間分散の合計である。シングルモード導波路ファイバの場合、モード間分散はゼロである。二モード形式の分散値では、モード間分散はゼロであると推定される。ゼロ分散波長(λ0)は、分散がゼロの値を有する波長である。分散勾配は、波長に対する分散の変化率である。
「実効断面積」は、Aeff=2π(∫f2rdr)2/(∫f4rdr)と定義され、ここで、積分範囲は0から∞であり、fは、導波路内を伝搬する光に関連する電場の横断成分である。ここに用いたように、「実効断面積」または「Aeff」は、別記しない限り、1550nmの波長での光学的な実効断面積を称する。
「α−プロファイル」という用語は、「%」の単位のΔ(r)と表される相対屈折率プロファイルを称し、ここで、rは半径であり、このプロファイルは式Δ(r)=Δ(r0)(1−[|r−r0|/(r1−r0)]α)に従い、ここで、r0は、Δ(r)が最大である地点であり、r1は、Δ(r)%がゼロである地点であり、rはri≦r≦rfの範囲にあり、Δは先に定義されており、riはα−プロファイルの開始点であり、rfはα−プロファイルの最終点であり、αは実数の指数である。
モードフィールド径(MFD)は、ピーターマンII法を使用して測定され、ここで、2w=MFD、w2=(2∫f2rdr/∫[df/dr]2rdr)であり、積分範囲は0から∞である。
導波路ファイバの曲げ抵抗(bend resistance)は、規定した試験条件下で誘起された減衰により測定できる。
曲げ試験の1つのタイプは、横向き荷重マイクロベンド試験である。このいわゆる「横向き荷重」試験において、規定の長さの導波路ファイバが2枚の平板の間に配置される。それらの板の一方に、#70ワイヤメッシュを取り付ける。公知の長さの導波路ファイバを板の間に挟み、30ニュートンの力で板を互いに加圧しながら、基準減衰を測定する。次いで、70ニュートンの力を板に印加し、dB/mで表される減衰の増加を測定する。減衰の増加は、導波路の横向き荷重減衰である。
「ピンアレイ」曲げ試験は、導波路ファイバの曲げに対する相対抵抗を比較するために使用される。この試験を行うために、誘起曲げ損失が実質的にない導波路ファイバについて、減衰損失を測定する。次いで、導波路ファイバをピンアレイの周りに編み込み、減衰を再度測定する。曲げにより誘起された損失は、2つの測定した減衰の間の差である。ピンアレイは、一列に配列された10本の円柱形ピンの組であり、平らな表面上に固定された垂直位置に保持されている。ピンの間隔は、中心間で5mmである。ピンの直径は0.67mmである。試験中、十分な張力が印加されて、導波路ファイバをピンの表面の一部分に従わせる。
所定のモードについての理論上のファイバ遮断(cutoff)波長、または「理論ファイバ遮断」、もしくは「理論遮断」は、導かれた光がそれより上の波長ではそのモードで伝搬できなくなる波長である。数学的定義が、Single Mode Fiber Optics, Jeunhomme, pp. 39-44, Marcel Dekker, New York, 1990に見られ、ここで、理論ファイバ遮断は、モード伝搬定数が、外側クラッドにおける平面波伝搬定数と等しくなる波長として記載されている。この理論波長は、無限長の、直径変動のない完全に真っ直ぐなファイバにふさわしい。
実効ファイバ遮断は、曲げおよび/または機械的圧力により誘起される損失のために、理論遮断よりも小さい。これに関して、遮断は、LP11およびLP02モードの高いほうを称する。LP11およびLP02は、一般に測定において区別されないが、スペクトル測定においてステップとして明白である(マルチモード基準技法を使用した場合)、すなわち、測定された遮断より長い波長でのモードにおいて、出力は観察されない。実際のファイバの遮断は、「2mファイバ遮断」または「測定遮断」としても知られている「ファイバ遮断波長」を生成するために標準的な2mファイバの遮断試験、FOTP−80(EIA−TIA−455−80)によって測定できる。FOTP−80標準試験は、制御された曲げ量を使用して高次のモードを取り除く(strip out)ためか、またはファイバのスペクトル応答をマルチモードファイバのものに正規化させるために行われる。
ケーブル遮断波長、または「ケーブル遮断」は、ケーブル環境におけるより高レベルの曲げおよび機械的圧力のために、測定したファイバ遮断よりもさらに小さい。実際のケーブル条件は、より一般にはFOTP’sとして知られている、EIA−TIA光ファイバ基準、すなわち、米国電子工業会−電気通信工業会光ファイバ基準(Telecommunications Industry Association Fiber Optics Standards)の一部であるEIA−445光ファイバ試験手法に記載されたケーブル遮断試験により近似できる。ケーブル遮断測定は、EIA−445−170伝送パワーによるシングルモードファイバのケーブル遮断波長(Cabled Cutoff Wavelength of Single-mode Fiber by Transmitted Power)、または「FOTP−170」に記載されている。
帯域幅は、必要に応じて、TIA/EIA−445−204「マルチモードファイバの帯域幅の測定(Measurement of Bandwidth on Multimode Fiber)」、すなわち「FOTP−204」に記載されたTIA/EIA基準を使用することにより、またはTIA/EIA−445−220「タイム・ドメインにおけるマルチモードファイバの異モード遅延測定」、すなわち「FOTP−220」を使用することにより、測定できる。
ここに別記しない限り、光学的性質(分散、分散勾配など)は、LP01モードについて報告されている。
導波路ファイバ通信リンク、または単にリンクは、光信号の送信機、光信号の受信機、およびそれらの間に光信号を伝搬させるための、送信機と受信機に光学的に接続された端部をそれぞれ有するある長さの導波路ファイバから構成される。導波路ファイバのその長さは、端と端をつないだ一連の配置に互いに継ぎ合わされたまたは接続された複数のより短い長さから構成しても差し支えない。リンクは、光増幅器、光減衰器、光アイソレータ、光スイッチ、光フィルタ、または多重化または逆多重化装置などの追加の光学成分を含んでも差し支えない。相互接続されたリンクの一群を通信システムとして示してもよい。
ここに用いた光ファイバのスパンは、ある長さの光ファイバ、または光学装置の間、例えば、2つの光増幅器の間、または多重化装置と光増幅器の間に延在して、直列に互いに溶着された複数の光ファイバを含む。スパンは、ここに開示されたように1つ以上のセクションの光ファイバを含んでもよく、さらに、例えば、所望のシステムの性能またはスパンの端部での残留分散などのパラメータを達成するように選択された、1つ以上のセクションの他の光ファイバを含んでもよい。
本発明の実施の形態
ここで、本発明の現在の実施の形態を詳しく参照する。その実施例が添付の図面に示されている。できる限り、同じまたは同様の部品を称するために、図面に亘り同じ参照番号が使用される。本発明の光ファイバの1つの実施の形態が、図1Aに示されており、参照番号10により全体に亘り表されている。導波路ファイバ10は、1550nmの波長で約90μm2以上(例えば、1550nmの波長で、90μm2から160μm2、または100μm2から160μm2)の実効断面積、および12≦α≦25のα値を有するコア12と、コアを取り囲むクラッド20とを備えている。α値の典型的な範囲は14から20、例えば、15≦α≦17である。このファイバの例示の屈折率プロファイル(相対屈折率デルタ対半径)が、図1Bに示されている。
コア12は、Geを含まず、中心コア領域14、中心コア領域14を取り囲み直接隣接する第1の環状コア領域16、および第1の環状コア領域16を取り囲み直接隣接する第2の環状コア領域18を備えている。中心コア領域14は、中心線から半径0μm≦r0≦2μmまで半径方向外方に延在し、純粋なシリカに対する%で測定された相対屈折率パーセントプロファイルΔ0(r)を有し、−0.1%≦Δ0(r)≦0.1%である。ある実施の形態において、−0.1%≦Δ0(r)≦0%である。例えば、ある実施の形態において、−0.075%≦Δ0(r)≦0%である。中心コア領域14は、最大相対屈折率パーセントΔ0MAXも有する。ここに記載された例示の実施の形態において、Δ0MAXは、ファイバの中心線(r=0)で生じる。
第1の環状コア領域16は、4.8μm≦r1≦10μmである外径r1まで延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントプロファイルΔ1(r)、および最小相対屈折率Δ1MINと最大相対屈折率Δ1MAX(ここで、Δ0MAX≧Δ1MAX)を有し、半径r=2.5μmで測定された相対屈折率Δ1が、(a)−0.15<Δ1(r=2.5μm)≦0であり、(b)Δ0MAX≧Δ1(r=2.5μm)である。ある実施の形態において、Δ1MAX=Δ1(r=2.5μm)である。
第2の環状コア領域18は、フッ素がドープされており、第1の環状コア領域16を取り囲み直接隣接する。典型的に、ここに記載された実施の形態によれば、第2の環状コア領域18は、0.01質量%から1.6質量%のフッ素を有する。
第2の環状コア領域18は、半径13μm≦r2≦30μmまで延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される負の相対屈折率パーセントプロファイルΔ2(r)を有し、最小相対屈折率パーセントΔ2MINが、(a)Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)および/またはΔ2MIN<Δ1MAX、および(b)−0.7%≦Δ2MIN≦−0.28%である。ある実施の形態において、−0.5%≦Δ2MIN≦−0.275%である。例えば、Δ2MINは、−0.29%、−0.3%、−0.35%、−0.38%であってよい。例えば、Δ2MINは、−0.29%、−0.3%、−0.35%、−0.38%、−0.4%、−0.47%、−0.5%、またはそれらの間の任意の数であってよい。
半径r1は、Δ1(r=2.5μm)およびΔ2MINの間の中点に対応するように定義される。すなわち、r1は、Δ(r)=[Δ1(r=2.5μm)+Δ2MIN]/2での半径である。同様に、r2は、Δ2MINおよびΔ3の間の中点に対応するように定義され、すなわち、r2は、Δ(r)=[Δ2MIN+Δ3]/2での半径である。ある実施の形態において、比r2/r1は2と6の間である。比が2.1≦r2/r1≦5.75が好ましく、例えば、2.15≦r2/r1≦5.7である。r2≦30μmが好ましく、例えば、14μm≦r2≦29μmである。所定のΔ2およびΔ3について、比r2/r1が小さければ(例えば、r1が大きいために)、MFDは大きくなり、λ0は小さくなり、1550nmでの分散Dは大きくなる。比r2/r1が大きすぎると、MDFは小さすぎ、λ0は大きい波長に移動し、1550nmでの分散Dは小さくなり得る。
クラッド20は、コア12を取り囲み、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントΔc(r)を有し、Δc(r)=Δ2MIN±0.3%である。
ある例示の実施の形態において、コア12およびクラッド20は、ダウンドーパントとしてFを含む。これらの実施の形態において、第1と第2の環状コア領域16および18中に存在するFの量は、中心コア領域14中に存在するフッ素の量よりも多い。ある例示の実施の形態において、コア12は、少なくとも1種類のアルカリ金属酸化物ドーパント、例えば、K、Na、Li、Cs、およびRbも含む。ある例示の実施の形態において、コア12は、20質量ppmから1000質量ppmの量でK2Oを含有する。ファイバ10は塩素も含んでもよい。塩素の量は、コア12中に500質量ppmより多く、クラッド20中に10000質量ppmより多いことが好ましい。「ppm」という用語は、そうではないと具体的に記載されてない限り、質量で百万分の一、または質量ppmを称し、質量%の測定は、10,000倍することによって、ppmに変換できる。
光ファイバ10の相対屈折率プロファイルは、1550nmの波長λで0.175dB/km以下、例えば、1550nmの波長λで0.145dB/kmから0.175dB/kmの減衰を提供するように選択される。減衰値は、例えば、1550nmの波長λで、0.15dB/km、0.155dB/km、0.16dB/km、0.165dB/km、0.17dB/kmである。
本発明を、以下の実施例によりさらに明らかにする。
表1〜2は、一連のファイバの実施の形態の実施例1〜15の特徴を列記している。図2〜16は、それぞれ、実施例1〜15に対応する屈折率プロファイルを示している。実施例1〜15の光ファイバの実施例において、Δ0=0;−0.065%≦Δ1(r=2.5μm)≦0%、−0.065%≦Δ1MAX≦0%、−0.5%≦Δ2MIN≦−0.275%、−0.4%≦Δ3≦−0.2%、およびr2/r1は、2.17≦r2/r1≦5.7およびr2<30。しかしながら、他の実施の形態において、中心コア領域14中にアップドーパントまたはダウンドーパントが存在するか否かに応じて、Δ0は0%(シリカに対して)よりいくぶん大きくても小さくてもよい。光ファイバ10のいくつかの実施の形態は、12と25の間のアルファ値を有するが、実施例1〜9の光ファイバの実施の形態は、13〜15の範囲にあるアルファ値を有する。実施例10〜15の光ファイバの実施の形態は、約20のアルファ値を有する。
これらの例示のファイバのモデル化されたプロファイルパラメータが表1に要約されている。r3の値はクラッドの外径に相当し、これらの実施例において、r3は62.5μmであった。ある例示のファイバにおいて、Δ2(%)=Δ3(%)である。それゆえ、これらの実施の形態において、環状コア領域16および18の間に明白な屈折率の変化がないので、r2値は、指定範囲内にあるものとして提供される。
Figure 2012516473
これらの例示の実施の形態において、コア12はシリカ系(SiO2)であり、フッ素がドープされている。以下の表は、コア領域16および18と、クラッド20中のフッ素の量(質量%)を与える。
Figure 2012516473
表1の実施例1〜9に対応する光ファイバの実施の形態において、Δ0(%)=Δ1(%)であり、中心コア領域14と第1の環状コア領域16の組成(第2の環状コア領域18への移行に関連するグラフの急に曲がった部分まで)は同一である(図2〜10参照のこと)。それゆえ、実施例1〜9において、コア領域14と16の間には明白な移行部がないので、表1にはr0が0μmであると指定されているが、r0=2μmと指定しても差し支えない。これらの例示のファイバにおいて、コア領域14(および第1の環状コア領域16の少なくとも一部分)は純粋なシリカであるので、Δ0MAXは0である。
より詳しくは、表1の実施例2〜5に対応する光ファイバの実施の形態(図3〜6参照)は、屈折率Δ0=Δ1を有する第1の環状コア領域16により取り囲まれた中心コア領域14を有するコア屈折率プロファイルを含み、これは次に、屈折率Δ2MINを有する第2の環状コア領域18に対応する凹形領域により取り囲まれている。この凹形領域(第2の環状コア領域18)は、屈折率Δ3>Δ2MINを有するクラッド20により取り囲まれている。実施例1〜5に対応する光ファイバの実施の形態において、−0.3%≦Δ3≦−0.213%である。
表1の実施例6〜9に対応する光ファイバの実施の形態は、相対屈折率Δ0=Δ1=0を有する第1の(純粋なシリカ)環状コア領域16により取り囲まれた純粋なシリカの中心コア領域14を有するコア屈折率プロファイルを含む。これらの例示のファイバにおいて、第1の環状コア領域16は、相対屈折率Δ2<Δ1を有する第2の環状コア領域18により取り囲まれている。相対屈折率Δ2を有する第2の環状コア領域18は、屈折率Δ3=Δ2を有するクラッド20により取り囲まれている。実施例6、7および9に対応する光ファイバの実施の形態において、第2の環状コア領域18およびクラッド20の組成は同一である。しかしながら、他の実施の形態(例えば、実施例9の光ファイバのパラメータを参照のこと)において、第2の環状コア領域18およびクラッド20の組成は同一でなくてもよい。実施例6〜9に対応する光ファイバの実施の形態において、−0.382%≦Δ3≦−0.315%である。表1の実施例10〜15に対応する光ファイバの実施の形態(図11〜16参照のこと)は、第1の環状コア領域16により取り囲まれた、相対屈折率Δ0MAX=0を有する純粋なシリカの中心コア領域14を有するコア屈折率プロファイルを含む。第1の環状コア領域16は、相対屈折率−0.1%≦Δ1≦0%を有し、屈折率Δ2MINを有する第2の環状コア領域18に対応する凹形領域により取り囲まれている。実施例10〜15に対応する光ファイバの実施の形態において、第2の環状コア領域18は、−0.5%≦Δ2MIN≦−0.275%であり、例えば、Δ2MINは、−0.29、−0.3、−0.35、−0.38、−0.4、−0.47、またはそれらの間の任意の数であってよい。凹形領域(第2の環状コア領域18)は、屈折率Δ3>Δ2を有する第3の環状コア領域20により取り囲まれている。実施例10〜15に対応する光ファイバの実施の形態において、−0.38%≦Δ3≦−0.26%である。
光ファイバの実施の形態のあるものは、以下のモデル化された値を有する:1321nmと1580nmの間のファイバ遮断波長λc、90μm2≦Aeff≦160μm2の1550nmでの実効断面積、18ps/nm/kmと25ps/nm/kmの間、より好ましくは19ps/nm/kmと23.5ps/nm/kmの間の1550nmでの分散D、および175dB/km未満の、例えば、0.165dB/kmと0.175dB/kmの間の1550nmでの減衰。表1の例示のファイバはモデル化されており、そのモデル化された光学的性質が表2Aおよび2Bに列記されている。
Figure 2012516473
Figure 2012516473
表2Aおよび2Bにおいて、「勾配1310」および「勾配1550」という用語は、それぞれ、1310nmおよび1550nmでの分散勾配を表し;「MFD1310」および「MFD1550」は、それぞれ、1310nmおよび1550nmでのモードフィールド径を表し;「Aeff1310」および「Aeff1550」は、それぞれ、1310nmおよび1550nmでのファイバの実効断面積を表し;「D1625」は1625nmの波長での分散を表し;「Attn1550」は1550nmでの減衰を表し;「ラムダ0」または「λ0」という用語は、ゼロ分散波長を表す。
本発明の精神および範囲から逸脱せずに、本発明に様々な改変および変更を行えることが当業者には明白であろう。それゆえ、本発明は、本発明の改変および変更を、それらが添付の特許請求の範囲およびその同等物に含まれるという条件で、包含することが意図されている。
10 光ファイバ
12 コア
14 中心コア領域
16 第1の環状コア領域
18 第2の環状コア領域
20 クラッド

Claims (10)

  1. 光導波路ファイバにおいて、
    (i) 1550nmの波長で90μm2から160μm2の実効断面積、および12≦α≦25のα値を有するGe不含有コアであって、
    (a) 中心線から半径r0まで半径方向外方に延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントプロファイルΔ0(r)を有する中心コア領域であって、−0.1%≦Δ0(r)≦0.1%、最大相対屈折率パーセントΔ0MAXを有する中心コア領域;
    (b) 前記中心コア領域を取り囲み直接隣接し、4.8μm≦r1≦10μmである外径r1まで延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントプロファイルΔ1(r)、および最小相対屈折率Δ1MINを有する第1の環状コア領域であって、半径r=2.5μmで測定された相対屈折率が
    −0.65≦Δ1(r=2.5μm)≦0、およびΔ0MAX≧Δ1(r=2.5μm)であり、
    −0.065%≦Δ1MAX≦0%、である第1の環状コア領域;
    (c) 前記第1の環状コア領域を取り囲み直接隣接し、半径13μm≦r2≦30μmまで延在し、純粋なシリカに対して測定された%で表される負の相対屈折率パーセントプロファイルΔ2(r)を有するフッ素がドープされた第2の環状コア領域であって、最小相対屈折率パーセントΔ2MIN
    Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)、および−0.5%≦Δ2MIN≦−0.275%であり、
    2.17≦r2/r1≦5.7、およびr2<30、
    である第2の環状コア領域;
    を有するGe不含有コアと、
    (ii) 前記コアを取り囲み、純粋なシリカに対して測定された%で表される相対屈折率パーセントΔ3(r)を有するクラッドであって、−0.4%≦Δ3≦−0.2%であるクラッドと、
    を有してなり、
    前記光導波路ファイバの相対屈折率プロファイルが、1550nmの波長で0.175dB/km未満の減衰を提供するように選択されたことを特徴とする光導波路ファイバ。
  2. 1550nmの波長での分散Dを有し、19≦D≦23ps/nm/kmであることを特徴とする請求項1記載の光導波路ファイバ。
  3. 20mmの直径のマンドレル上に20回転したときの10dB/m未満の1550nmでのマクロベンド損失を有することを特徴とする請求項1記載の光導波路ファイバ。
  4. (i)前記Ge不含有コアが100μm2と160μm2の間の実効断面積を有し、(ii)前記フッ素がドープされた第2の環状コア領域が0.07質量%から1.6質量%のフッ素を有することを特徴とする請求項1記載の光導波路ファイバ。
  5. (i)前記フッ素がドープされた第2の環状コア領域が0.01質量%から1.6質量%のフッ素を有し、(ii)前記ファイバが、前記コアにおいて500ppm超の塩素、(iii)前記クラッドにおいて10000ppm超の塩素を有することを特徴とする請求項1記載の光導波路ファイバ。
  6. 実効断面積Aeff>110μm2を有することを特徴とする請求項1または5記載の光導波路ファイバ。
  7. 実効断面積Aeff>100μm2を有し、前記ファイバの相対屈折率プロファイルが、1550nmの波長で0.16dB/km以下の減衰を提供するような構成されていることを特徴とする請求項1または5記載の光導波路ファイバ。
  8. 1520nm未満のケーブル遮断波長を有することを特徴とする請求項1または5記載の光導波路ファイバ。
  9. 実効断面積Aeff>120μm2を有し、前記ファイバの相対屈折率プロファイルが、21ps/nm/km以下の分散を提供するような構成されていることを特徴とする請求項1または5記載の光導波路ファイバ。
  10. 前記コアの少なくとも一部分がアルカリを含み、該アルカリがNa、KまたはRbを含むことを特徴とする請求項1または5記載の光導波路ファイバ。
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