CN102301262B - 具有无锗纤芯的大有效面积光纤 - Google Patents
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Abstract
一种光波导光纤,包括:(i)无Ge纤芯,具有在1550nm波长处90μm2至160μm2的有效面积,以及12≤α≤25的α值,所述纤芯包括:(a)中芯区域,从中心线径向向外延伸至半径0μm≤r0≤2μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r),其中-0.1%≤Δ0(r)≤0.1%,其中中芯区域具有最大相对折射率百分比Δ0MAX;(b)第一环形芯区域,围绕并直接邻近所述中芯区域且延伸至外半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)以及最小相对折射率Δ2MIN,而且在半径r=2.5μm处测量的相对折射率为:-0.15≤Δ1(r=2.5μm)≤0并且Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm);(c)掺氟的第二环行区域,围绕并直接邻近第一环形芯区域而且延伸至半径13μm≤r2≤30μm,并且具有相对于纯二氧化硅测量以百分比计的负相对折射率百分比分布,其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为:Δ2MINΔ1(r=2.5μm)并且-0.7%≤Δ2MIN≤-0.28%;(ii)包层,围绕纤芯并具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比Δc(r),并且Δc(r)=Δ2MIN±0.3%;其中光纤的相对折射率分布被选择成在1550nm波长处提供不大于0.175dB/km的衰减。
Description
背景技术
发明领域
本发明一般涉及光纤,尤其涉及具有纯二氧化硅纤芯和低衰减的大有效面积光纤。
技术背景
在提供长距离高功率传输的通讯系统中,通常需要光学放大器技术和波分复用技术。高功率和长距离的定义只在特定通讯系统的上下文中有意义,在特定通讯系统中指定了位率、误码率、复用方案和可能的光学放大器。存在本领域技术人员公知的其它因素影响高功率和长距离定义。然而,对于大多数用途,高功率是大于约10mW的光功率。高功率系统通常会遭遇非线性光学效应,包括自相位调制、四波混频、交叉相位调制、以及非线性散射过程,所有这些都能够使高功率系统中的信号降级。在某些应用中,1mW或以下的单功率电平仍然对非线性效应敏感,因此在此类低功率系统中,非线性效应依然是重要的考虑事项。此外,诸如衰减之类的其它光纤属性是信号降级的主要贡献因素。
通常,具有大有效面积(Aeff)的光波导光纤减小非线性光学效应,包括自相位调制、四波混频、交叉相位调制、以及非线性散射过程,所有这些都能够使高功率系统中的信号降级。
另一方面,光波导光纤有效面积的增大通常会造成宏弯曲(macrobending)所致损耗的增加,宏弯曲所致损耗衰减了通过光纤的信号传输。宏弯曲损耗在长(例如,100km或更长)距离(或再生器、放大器、发送器和/或接收器之间的间距)上越来越显著。不幸的是,常规光纤的有效面积越大,宏弯曲所致损耗也越大。此外,衰减可能是大有效面积光纤中信号降级的主要贡献因素。
概要
本发明的一个实施例是光波导光纤,包括:
(i)无Ge纤芯,具有在1550nm波长处约90μm2至约160μm2的有效面积,α值12≤α≤25,所述纤芯包括:
(a)中芯区域,从中心线径向向外延伸至半径0μm≤r0≤2μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r),其中-0.1%≤Δ0(r)≤0.1%,其中中芯区域具有最大相对折射率百分比Δ0MAX;
(b)第一环形芯区域,围绕并直接邻近中芯区域而且延伸至外半径R1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)以及最小相对折射率Δ2MIN,在半径r=2.5μm处测量的相对折射率为:
-0.15≤Δ1(r=2.5μm)≤0并且Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm);
(a)掺氟的第二环形区域,围绕并直接邻近第一环形芯区域而且延伸至半径13μm≤r2≤30μm,并且具有相对于纯二氧化硅测量的以百分比计的负相对折射率百分比分布,
其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为:
Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)并且-0.7%≤Δ2MIN≤-0.28%;
(ii)包层,围绕芯并具有相对于纯二氧化硅测量的以百分比计的相对折射率百分比Δc(r),并且Δc(r)=Δ2MIN±0.3%;
其中光纤的相对折射率分布被选择成在1550nm波长提供小于0.175dB/km的衰减。
根据一些示例性实施例,中芯区域的至少一部分是由纯二氧化硅制成的。
将在以下详细描述中阐述本发明的附加特征和优点,这些特征和优点一部分对于本领域的技术人员来说根据说明书就能理解,或者可通过实施包括以下详细描述、权利要求书以及附图的本文所述的本发明认识到。
应当理解的是,以上一般描述和以下详细描述两者给出本发明的实施例,并且它们旨在提供用于理解所要求保护的本发明的本质和特性的概观或框架。引入附图以提供对本发明进一步的理解,附图结合在本说明书中并构成说明书 的一部分。附图示出本发明的各个实施例,并与本描述一起用于说明本发明的原理和操作。
附图简述
图1A示出本发明一个实施例的截面图。
图1B示意性示出图1A中光纤的示例性折射率分布;
图2-16示出本发明的光纤的示例性实施例的折射率分布。
详细描述
定义
“折射率分布”是折射率或相对折射率与波导光纤半径之间的关系。
“相对折射率百分比”被定义成Δ%=100×(n(r)2-ns 2)/2n(r)2,其中n(r)是距光纤中心线径向距离r处的折射率,除非另行规定,并且ns是二氧化硅的折射率。如本文所使用的,相对折射率由Δ表示,而且它的值以“%”为单位给出,除非另行规定。在一区域的折射率小于二氧化硅的折射率的情况下,相对折射率百分比为负且被称为具有下陷折射率,而且在相对折射率负值最大的点处计算得出,除非另行规定。在其中一区域的折射率大于二氧化硅的折射率的情况下,相对折射率百分比为正并且该区域可被称为经提高或具有正折射率,并且在相对折射率正值最大的点处计算得出,除非另行规定。此处的“上掺杂剂(updopant)”被认为是倾向于相对于纯的未掺杂SiO2提高折射率的掺杂剂。此处的“下掺杂剂(downdopant)”被认为是倾向于相对于纯的未掺杂SiO2降低折射率的掺杂剂。上掺杂剂在伴随有不是上掺杂剂的一种或多种其它掺杂剂时,可存在于具有负相对折射率的光纤区域中。类似地,不是上掺杂剂的一种或多种其它掺杂剂可存在于具有正相对折射率的光纤区域中。下掺杂剂在伴随有不是下掺杂剂的一种或多种其它掺杂剂时,可存在于具有正相对折射率的光纤区域中。类似地,不是下掺杂剂的一种或多种其它掺杂剂可存在于具有负相对折射率的光纤区域中。
除非另外说明,下文中将“色散现象”称为“色散”,波导光纤的色散是材料色散、波导色散以及模间色散之和。在单模波导光纤的情况下,模间色散为零。双模状态假定模间色散(two-moded regime assume intermodal dispersion)中的 色散值是零。零色散波长(λ0)是色散具有零值的波长。色散斜率是色散相对于波长的变化率。
“有效面积”被定义为:Aeff=2π(∫f2r dr)2/(∫f4r dr),,其中积分上下限为0到∞,而f是与波导中传播的光相关联的电场的横向分量。如本文中所使用,“有效面积”或“Aeff”指的是1550nm波长下的光学有效面积,除非另外指出。
术语“α分布”是指相对折射率分布,由以“%”为单位的Δ(r)项表示,其中r是半径,α分布遵循方程Δ(r)=Δ(ro)(1-[|r-ro|/(r1-ro)]α),其中ro是Δ(r)最大的点,r1是Δ(r)%为零的点,并且r在ri≦r≦rf范围内,其中Δ如上定义,ri是α分布的起点,rf是α分布的终点,且α是实数幂。
使用彼得曼II(Peterman II)方法测量模场直径(MFD),其中2w=MFD,且w2=(2∫f2r dr/∫[df/dr]2r dr),积分上下限为0到∞。
可在规定的测试条件下用引入的衰减来测量波导光纤的抗弯性。
一类弯曲测试是横向负载微弯曲测试。在所谓的“横向负载”测试中,将规定长度的波导光纤置于两个平板之间。将#70丝网附连到平板之一。将已知长度的波导光纤夹在板之间,并且在用30牛顿的力挤压平板的同时测量参考衰减。然后,向平板施加70牛顿的力,并且以dB/m测量衰减的增大。衰减增大是波导的横向负载衰减。
“引脚阵列”弯曲测试用于比较波导光纤对弯曲的相对耐力。为了实现该测试,对基本上不具有诱导弯曲损耗的波导光纤测量衰减损耗。随后绕引脚阵列编织波导光纤,并且再次测量衰减。由弯曲引起的损耗是两次测量的衰减之差。引脚阵列是在平面上以单行排列并保持固定垂直位置的一组十个圆柱引脚。引脚间距5mm(中心至中心)。引脚直径为0.67mm。在测试期间,施加足够的张力以使波导光纤顺应引脚表面的一部分。
对给定模式而言,理论光纤截止波长或“理论光纤截止”或“理论截止”是在其之上导光不能在该模式中传播的波长。数学定义可以在1990年Jeunhomme在纽约出版的Marcel Dekker的“Single Mode Fiber Optics(单模光纤光学)”第39-44页找到,其中理论光纤截止被规定为模式传播常数变成与外包层中平面波传播常数相等时所处的波长。此理论波长适合于无直径变化的无限长的完美直光纤。
有效光纤截止由于弯曲和/或机械压力所引起的损耗而低于理论截止。在该上下文中,截止是指LP11和LP02模式的更高阶。LP11和LP02在测量中通常不区分,但是两者随着光谱测量(当使用多模参考技术时)的步骤而明显,即在比所测量的截止更长的波长下该模式中观察不到功率。可通过标准的2m光纤截止测试,即FOTP-80(EIA-TIA-455-80),来测量实际的光纤截止以产生“光纤截止波长”,也称为“2m光纤截止”或“所测量的截止”。执行FOTP-80标准测试以使用受控的弯曲量来去除较高阶模式,或将该光纤的光谱响应对多模光纤的光谱响应进行归一化。
成缆的截止波长,或“成缆截止”甚至所比测得的光纤截止更低,这是由光缆环境中更高级别的弯曲和机械压力造成的。可通过EIA-445光纤测试程序中描述的成缆截止测试来近似实际的成缆条件,该EIA-445光纤测试程序是EIA-TIA光纤标准——即电子工业协会-电信工业协会光纤标准——的一部分,更一般地已知为FOTP’s。成缆截止测量在通过所发送功率的单模光纤EIA-455-170光缆截止波长或“FOTP-170”中有描述。
可以根据情况,通过使用在TIA/EIA-455-204“多模光纤上的带宽测量”或“FOTP-204”中描述的TIA/EIA标准或者通过使用在TIA/EIA-455-220“时域中多模光纤的不同模式延迟测量”或“FOTP-220”中描述的TIA/EIA标准,测量带宽。
除非在本文中另作说明,针对LP01模式报告光学特性(诸如色散、色散斜率等)。
波导光纤通讯链路,或简称链路,是由光信号发射器、光信号接收器以及具有光学连接到发射器和接收器以在其间传播光信号的相应末端的一段波导光纤或光纤构成。波导光纤的长度可以由首尾串联排列接合或连接在一起的多个较短长度构成。链路可以包括其它光学组件,诸如光学放大器、光学衰减器、光学隔离器、光学开关、滤光器、或者复用或解复用器件。可以将一组互连的链路称为通讯系统。
本文所使用的光纤跨度包括在光学器件之间延伸的一段光纤、或串联熔合的多个光纤,诸如在两个光学放大器或在复用器和光学放大器之间。跨度还可 以包括本文所公开的光纤的一个或多个部分,并且可以还包括其它光纤的一个或多个部分,例如被选择成实现所需系统性能或参数,诸如跨度末端处的色散。
本发明的实施例
现在将具体参考本发明的现有实施例,其示例在附图中示出。在可能时,在所有附图中使用相同的附图标记来指示相同或类似的部件。本发明光纤的一个实施例在图1A中示出,并通常由附图标记10指示。波导光纤10包括具有在1550nm处约90μm2或以上的有效面积(例如在1550nm处90μm2至160μm2,或100μm2至160μm2)和12≤α≤25的α值的纤芯,以及围绕纤芯的包层20。α值的典型范围是14至20,例如15≤α≤17。该光纤的示例性折射率分布(相对折射率Δ相对于半径)在图1B中示意性示出。
纤芯12是无Ge的,并且包括中芯区域14、围绕并直接邻近中芯区域14的第一环形芯区域16、以及围绕并直接邻近第一环形区域16的第二环形区域18。中芯区域14从中心线径向向外延伸至半径0μm≤r0≤2μm,并具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r),其中-0.1%≤Δ0(r)≤0.1%。在一些实施例中,-0.1%≤Δ0(r)≤0%。例如,在一些实施例中,-0.075%≤Δ0(r)≤0%。中芯区域14还具有最大相对折射率百分比,Δ0MAX。在本文所述的示例性实施例中,Δ0MAX出现在光纤中心线(r=0)处。
第一环形芯区域16延伸至外半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)以及最小相对折射率Δ1MIN、最大相对折射率Δ1MAX(其中Δ0MAX≥Δ1MAX),并且在半径r=2.5μm处测量的相对折射率Δ1为:(a)-0.15≤Δ1(r=2.5μm)≤0,且(b)Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm)。在一些实施例中,Δ1MAX=Δ1(r=2.5μm)。
第二环形芯区域18是掺氟的,并且它围绕并直接邻近第一环形区域16。通常,根据本文所述的实施例,第二环形芯区域18具有0.01%至1.6wt%(重量百分比)的氟。
第二环形芯区域18延伸至半径13μm≤r2≤30μm,并具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的负相对折射率百分比分布Δ2(r),其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为:(a)Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)和/或Δ2MIN<Δ1MAX,以及(b)-0.7%≤ Δ2MIN≤-0.28%。在一些实施例中,-0.5%<Δ2MIN<-0.275%。例如,Δ2MIN可以是-0.29%、-0.3%、-0.35%、-0.38%。例如,Δ2MIN可以是-0.29%、-0.3%、-0.35%、-0.38%、-0.4%、-0.47%、-0.5%或它们之间的任何数字。
应该注意,半径r1被定义成对应于Δ1(r=2.5μm)与Δ2MIN之间的中点值。即,r1是使Δ(r)=[Δ1(r=2.5μm)+Δ2MIN]/2的半径。类似地,半径r2被定义成对应于Δ2MIN与Δ3之间的中点,即r2是使Δ(r)=[Δ2MIN+Δ3]/2的半径。在一些实施例中,比例r2/r1在2至6之间。较佳地,比例2.1≤r2/r1≤5.75,例如2.15≤r2/r1≤5.7。较佳地,r2≤30μm,例如14μm≤r2≤29μm。对于给定的Δ2和Δ3,如果比例r2/r1较小(例如由于r1较大),MFD变大,λ0变小,并且1550nm处的色散D变大。如果比例r2/r1过大,MFD可能变得过小,λ0运动到较高波长,并且1550nm处的色散D可能变小。
包层20围绕纤芯12并具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比Δc(r),并且Δc(r)=Δ2MIN±0.3%。
在一些示例性实施例中,纤芯12和包层20包括作为下掺杂剂的FL。在这些实施例中,FL在第一和第二环形芯区域16和18中的量大于中芯区域14中氟的量。在一些示例性实施例中,纤芯12还包括至少一种碱金属氧化物掺杂剂,例如K、Na、Li、Cs和Rb。在一些示例性实施例中,纤芯12包含重量20ppm至1000ppm的量的K2O。光纤10还可以包括氯。较佳地,氯的量在纤芯12中大于500ppm重量,并且在包层20中大于10000ppm重量。应该注意,除非另行指出,“ppm”是指重量百万分率或ppm重量,并且以wt%的测量可以通过乘以因子10000转换成ppm。
光纤10的相对折射率分布被选择成提供在1550nm波长λ处不大于0.175dB/km的衰减,例如在1550nm波长λ处0.145dB/km到0.175dB/km的衰减。衰减值在1550nm波长λ处可以是例如0.15dB/km、0.155dB/km、0.16dB/km、0.165dB/km、0.165dB/km或0.17dB/km。
示例
本发明通过以下示例将更清楚。
表1-2列出了一组说明性光纤实施例的示例1-15的特性。图2-16示出分别对应于示例1-15的折射率分布。在示例1-15的光纤实施例中,Δ0=0;-0.065%≤Δ1(r=2.5μm)≤0%,-0.065%≤Δ1max≤0.%,-0.5%≤Δ2MIN≤-0.275%,-0.4%≤Δ3≤-0.2%,以及r2/r1为2.17≤r2/r1≤5.7并且r2<30。然而,应该理解,在其他实施例中,Δ0可以或多或少地大于或小于0%(相对于二氧化硅),取决于上掺杂剂或下掺杂剂是否出现在中芯区域14中。虽然光纤10的一些实施例具有在12-25之间的α值,但是示例1-9的光纤实施例具有在13-15范围内的α值。示例10-15的光纤实施例具有约20的α值。
这些示例性光纤的建模分布参数在表1A中汇总。r3的值对应于包层的外直径,并且在这些示例中,r3是62.5μm。在一些示例性光纤中,Δ2(%)=Δ3(%)。因此,因为在这些实施例中,环形芯区域16和18之间没有明显的折射率变化,r2值被提供成在指定范围内。
表-1
示例 | Δ0MAX(%) | r0(um) | Δ1(%) | r1(um) | Δ2(%) | r2(um) | Δ3(%) | r2/r1 |
1 | 0 | 0 | 0.000 | 5.25 | -0.300 | 15-26 | -0.300 | 2.86-4.95 |
2 | 0 | 0 | 0.000 | 6.20 | -0.290 | 25 | -0.260 | 4.03 |
3 | 0 | 0 | 0.000 | 7.38 | -0.412 | 16 | -0.213 | 2.17 |
4 | 0 | 0 | 0.000 | 7.38 | -0.412 | 28 | -0.213 | 3.80 |
5 | 0 | 0 | 0.000 | 7.10 | -0.382 | 18 | -0.225 | 2.54 |
6 | 0 | 0 | 0.000 | 7.10 | -0.382 | 16-26 | -0.382 | 2.25-3.66 |
7 | 0 | 0 | 0.000 | 5.00 | -0.292 | 16-26 | -0.292 | 3.20-5.20 |
8 | 0 | 0 | 0.000 | 5.00 | -0.302 | 28.5 | -0.292 | 5.70 |
9 | 0 | 0 | 0.000 | 4.90 | -0.315 | 16-26 | -0.315 | 3.26-5.31 |
10 | 0 | 1.40 | -0.064 | 5.63 | -0.301 | 20.5 | -0.315 | 3.64 |
11 | 0 | 1.92 | -0.062 | 8.15 | -0.400 | 24.8 | -0.260 | 3.04 |
12 | 0 | 1.12 | -0.062 | 7.40 | -0.470 | 26 | -0.280 | 3.51 |
13 | 0 | 1.30 | -0.062 | 5.60 | -0.380 | 22 | -0.350 | 3.93 |
14 | 0 | 1.40 | -0.063 | 6.20 | -0.380 | 19.6 | -0.340 | 3.16 |
15 | 0 | 1.00 | -0.061 | 5.00 | -0.401 | 20 | -0.380 | 4.00 |
在这些15个示例性实施例中,纤芯12是基于二氧化硅(SiO2)的,并且掺杂有氟。下表提供用于纤芯区域16、18和包层20中的氟量(按照wt%)。
表2
请注意,在对应于表1的示例1-9的光纤实施例中,Δ0(%)=Δ1(%),并且中芯区域14和第一环形区域16(直到与向第二环形区域18的过渡相关联的图形上的肘区域)的成分相同(参见图2-10)。因此,因为在示例1-9中在芯区域14与16之间没有清晰的过渡,所以虽然表1指定r0为0μm,但是也可以指定r0=2μm。在这些示例性光纤中,Δ0MAX为0,因为芯区域14(以及第一环形区域16的至少一部分)是纯二氧化硅。
更具体地,对应于表1的示例2-5的光纤实施例(参见图3-6)包括芯折射率分布,其中中心部分14被具有折射率Δ0=Δ1的第一环形芯区域16围绕,第一环形芯区域16由对应于具有折射率Δ2MIN的第二环形芯区域18的沟槽区 域围绕。该沟槽(第二环形芯区域18)由具有折射率Δ3>Δ2MIN的包层20围绕。在对应于示例1-5的光纤实施例中,-0.3%≤Δ3≤-0.213%。
对应于表1的示例6-9的光纤实施例包括芯折射率分布,其中纯二氧化硅中芯区域14由具有相对折射率Δ0=Δ1=0的第一(纯二氧化硅)环形芯区域16围绕。在这些示例性光纤中,第一环形芯区域16由具有相对折射率Δ2<Δ1的第二环形芯区域18围绕。具有相对折射率Δ2的第二环形芯区域18由具有折射率Δ3=Δ2的包层20围绕。在对应于示例6、7和9的光纤实施例中,第二环形芯区域18和包层20的成分是相同的。然而,在其他实施例中(参见例如示例9的光纤参数),第二环形区域18和包层20的成分是不同的。在对应于示例6-9的光纤实施例中,-0.382%≤Δ3≤-0.315%。对应于表1中示例10-15的光纤实施例(参见图11-16)包括芯折射率分布,其中具有相对折射率Δ0MAX=0的纯二氧化硅中芯区域14由第一环形芯区域16围绕。第一环形区域16具有相对折射率-0.1%<Δ1≤0%,并且由对应于具有折射率Δ2MIN的第二环形芯区域18的沟槽区域围绕。在对应于示例10-15的光纤实施例中,第二环形芯区域18,-0.5%≤Δ2MIN≤-0.275%,例如Δ2MIN可以是-0.29、-0.3、-0.35、-0.38、-0.4、-0.47或其间任何数字。沟槽(第二环形芯区域16)由具有折射率Δ3>Δ2的第三环形芯区域18围绕。在对应于示例10-15的光纤实施例中,-0.38%≤Δ3≤-0.26%。
光纤的一些实施例具有以下建模值:在1321nm至1580nm之间的光纤截止波长λc,在1550nm处90μm2≤Aeff≤160μm2之间的有效面积,在1550nm处在18ps/nm/km与25ps/nm/km之间、较佳地在19ps/nm/km与23.5ps/nm/km之间的色散D,以及在1550nm处小于175dB/km的衰减,例如在0.165dB/km与0.175dB/km之间的衰减。表1的示例性光纤已被建模,并且建模光学属性在表2A和2B中列出。
表2A
表2B
在表2A和2B中,项目“斜率1310”和“斜率1550”分别表示1310nm和1550nm波长处的色散斜率;“MFD1310”和“MFD1550”分别表示1310nm和1550nm波长处的模场直径;“Aeff1310”和“Aeff1550”分别表示1310nm和1550nm波长处的光纤有效面积;“D1625”表示在1625nm波长处的色散,“Attn1550”表示在1550nm处的衰减,并且项目“λ0”或“λ0”表示零色散波长。
对本领域技术人员显而易见的是,可在不背离本发明的精神和范围的情况下对本发明作出各种修改和变化。因而,本发明旨在涵盖本发明的所有这些修改和变化,只要它们落在所附权利要求书及其等价技术方案的范围中即可。
Claims (41)
1.一种光波导光纤,包括:
(i)无Ge纤芯,具有在1550nm波长处90μm2至160μm2的有效面积,以及12≤α≤25的α值,所述纤芯包括:
(a)中芯区域,从中心线径向向外延伸至半径r0,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r),其中-0.1%≤Δ0(r)≤0.1%,其中所述中芯区域具有最大相对折射率百分比Δ0MAX;
(b)第一环形芯区域,围绕并直接邻近所述中芯区域且延伸至外半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)、最小相对折射率Δ1MIN以及最大相对折射率Δ1MAX,而且在半径r=2.5μm处测量的相对折射率为:
-0.15≤Δ1(r=2.5μm)≤0并且Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm);
且其中-0.065%<Δ1MAX<0%;
(c)掺氟的第二环形区域,围绕并直接邻近所述第一环形芯区域且延伸至半径13μm≤r2≤30μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的负相对折射率百分比分布Δ2(r),
其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为:
Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)并且-0.5%≤Δ2MIN≤-0.275%;
且其中2.17≤r2/r1≤5.7,以及r2<30μm;
(ii)包层,围绕纤芯并具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比Δ3(r),Δ3(r)=Δ2MIN±0.3%并且-0.4%≤Δ3≤-0.2%;
其中光纤的相对折射率分布被选择成在1550nm波长处提供不大于0.173dB/km的衰减。
2.如权利要求1所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤由1550nm波长处的色散D表征,并且19≤D≤23ps/nm/km。
3.如权利要求1所述的光波导光纤,其特征在于,对于20mm直径心轴上20匝,所述光纤在1550nm处具有小于10dB/m的宏弯曲损耗。
4.如权利要求1所述的光波导光纤,其特征在于:(i)所述无Ge纤芯具有在100μm2与160μm2之间的有效面积;并且(ii)掺氟的第二环形区域具有0.07%wt%至1.6wt%的氟。
5.如权利要求1所述的光波导光纤,其特征在于,(i)所述掺氟的第二环形区域具有0.01%至1.6wt%的氟,且(ii)所述光纤在所述纤芯中具有大于500ppm的氯以及(iii)在所述包层中大于10000ppm的氯。
6.如权利要求1或5所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤具有Aeff>110μm2的有效面积。
7.如权利要求1或5所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤具有Aeff>100μm2的有效面积,并且所述光纤的相对折射率分布被构造成在1550nm波长处提供不大于0.16dB/km的衰减。
8.如权利要求1或5所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤具有小于1520nm的光缆截止波长。
9.如权利要求1或5所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤具有Aeff>120μm2的有效面积,并且所述光纤的相对折射率分布被构造成提供不高于21ps/nm/km的色散。
10.如权利要求1或5所述的光波导光纤,其特征在于,所述纤芯的至少一部分包括碱金属,所述碱金属包括Na、K或Rb。
11.一种光波导光纤,包括:
(i)无Ge纤芯,具有在1550nm波长处90μm2至160μm2的有效面积,以及12≤α≤25的α值,所述纤芯包括:
(a)中芯区域,从中心线径向向外延伸至半径r0,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r),其中-0.1%≤Δ0(r)≤0.1%,其中中芯区域具有最大相对折射率百分比Δ0MAX;
(b)第一环形芯区域,围绕并直接邻近所述中芯区域且延伸至外半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)、最小相对折射率Δ1MIN以及最大相对折射率Δ1MAX,而且在半径r=2.5μm处测量的相对折射率为:
-0.15≤Δ1(r=2.5μm)≤0以及Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm);
并且其中-0.065%≤Δ1MAX≤0%;
(c)掺氟的第二环形区域,围绕并直接邻近所述第一环形芯区域且延伸至半径13μm≤r2≤30μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的负相对折射率百分比分布Δ2(r),其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为:
Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)以及-0.5%≤Δ2MIN≤-0.275%,
并且其中2.17≤r2/r1≤5.7,以及r2<30μm
(ii)包层,围绕纤芯并具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比Δ3(r),并且Δ3(r)≥Δ2MIN以及-0.4%≤Δ3≤-0.2%;
其中光纤的相对折射率分布被选择成在1550nm波长处提供不大于0.175dB/km的衰减。
12.一种光波导光纤,包括:
(i)无Ge纤芯,具有在1550nm波长处100.42μm2至160μm2的有效面积,以及约为20的α值,所述纤芯包括:
(a)中芯区域,从中心线径向向外延伸至半径r0,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r),其中Δ0(r)=0,其中中芯区域具有最大相对折射率百分比Δ0MAX;
(b)第一环形芯区域,围绕并直接邻近所述中芯区域且延伸至外半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)以及最小相对折射率Δ2MIN,而且在半径r=2.5μm处测量的相对折射率为:
-0.15≤Δ1(r=2.5μm)≤0以及Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm);
(c)掺氟的第二环形区域,围绕并直接邻近所述第一环形芯区域且延伸至半径13μm≤r2≤30μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的负相对折射率百分比分布Δ2(r),
其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为:
Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)以及-0.5%≤Δ2MIN≤-0.27%;
(ii)包层,围绕芯并具有相对于纯二氧化硅测量的以百分比计的相对折射率百分比Δc(r),并且Δc(r)=Δ2MIN±0.3%;
其中光纤的相对折射率分布被选择成在1550nm波长处提供不大于0.173dB/km的衰减。
13.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,所述中芯区域的至少一部分由纯二氧化硅制成。
14.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,-0.5%<Δ2MIN<-0.25%。
15.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,-0.1%≤Δ1(r=2.5)≤0%。
16.如权利要求15所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤具有在1550nm波长处不大于21ps/nm/km的色散D。
17.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,Δ0=0;-0.07%≤Δ1(r=2.5μm)≤0%、-0.5%≤Δ2MIN≤-0.27%,r2/r1为2.17≤r2/r1≤5.7,且r2≤26μm。
18.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤由1550nm波长处的色散D表征,并且18≤D≤25ps/nm/km。
19.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤由1550nm波长处的色散D表征,并且19≤D≤23ps/nm/km。
20.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤由零色散波长λ0表征,并且1245nm≤λ0≤1290nm。
21.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,对于20mm直径心轴上20匝,所述光纤在1550nm处具有小于10dB/m的宏弯曲损耗。
22.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,所述掺氟的第二环形区域具有0.01%wt%至1.6wt%的氟。
23.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤在所述纤芯中具有大于500ppm的氯,并且在所述包层中具有大于10000ppm的氯。
24.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,(i)所述掺氟的第二环形区域具有0.01%至1.6wt%的氟,且(ii)所述光纤在所述纤芯中具有大于500ppm的氯以及(iii)在所述包层中具有大于10000ppm的氯。
25.如权利要求12所述的光波导光纤,其特征在于,所述纤芯的至少一部分包括碱金属。
26.如权利要求25所述的光波导光纤,其特征在于,所述碱金属包括Na、K或Rb。
27.如权利要求25所述的光波导光纤,其特征在于,所述碱金属包括在20ppm至1000ppm重量范围内的K。
28.一种光波导光纤,包括:
(i)无Ge纤芯,具有在1550nm波长处100μm2至160μm2的有效面积,以及12≤α≤25的α值,所述纤芯包括:
(a)中芯区域,从中心线径向向外延伸至半径0μm≤r0≤2μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r),其中-0.1%≤Δ0(r)≤0.1%,其中中芯区域具有最大相对折射率百分比Δ0MAX;
(b)第一环形芯区域,围绕并直接邻近所述中芯区域且延伸至外半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)以及最小相对折射率Δ2MIN,而且在半径r=2.5μm处测量的相对折射率为:
-0.07%≤Δ1(r=2.5μm)≤0%以及Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm);
(c)掺氟的第二环形区域,围绕并直接邻近所述第一环形芯区域且延伸至半径13μm≤r2≤30μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的负相对折射率百分比分布Δ2(r),
其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为:
Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm);
(ii)包层,围绕纤芯并具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比Δc(r),并且Δc(r)=Δ2MIN±0.3%;
其中所述光纤的相对折射率分布被选择成在1550nm处提供在0.15dB/km与0.175dB/km之间的衰减,其中Δ0=0,-0.38%≤Δ2MIN≤-0.27%,r2/r1为2.17≤r2/r1≤5.7,并且r2≤26μm,所述光波导光纤具有在1550nm波长处18ps/nm/km≤D≤25ps/nm/km的色散D,1245nm≤λ0≤1290nm的零色散波长λ0,以及对20mm直径心轴上20匝在1550nm处小于10dB/m的宏弯曲损耗。
29.如权利要求28所述的光波导光纤,其特征在于,所述纤芯的至少一部分包括碱金属。
30.如权利要求29所述的光波导光纤,其特征在于,所述碱金属包括Na、K或Rb。
31.如权利要求29所述的光波导光纤,其特征在于,所述碱金属包括在20ppm至1000ppm重量范围内的K。
32.一种光波导光纤,包括:
(i)无Ge纤芯,具有在1550nm处100.42μm2≤Aeff≤160μm2的有效面积Aeff,以及约为20的α值,所述纤芯包括:
(a)中芯区域,从中心线径向向外延伸至半径0μm≤r0≤2μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ0(r),其中Δ0(r)=0,其中中芯区域具有最大相对折射率百分比Δ0MAX;
(b)第一环形芯区域,围绕并直接邻近所述中芯区域且延伸至外半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的相对折射率百分比分布Δ1(r)以及最小相对折射率Δ2MIN,而且在半径r=2.5μm处测量的相对折射率为:
-0.15≤Δ1(r=2.5μm)≤0以及Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm);
(c)掺氟的第二环形区域,围绕并直接邻近所述第一环形芯区域且延伸至半径13μm≤r2≤30μm,并且具有相对于纯二氧化硅以百分比测量的负相对折射率百分比分布Δ2(r),
其中最小相对折射率百分比Δ2MIN为:
Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm)以及-0.5%≤Δ2MIN≤-0.27%
(ii)包层,围绕芯并具有相对于纯二氧化硅测量的以百分比计的相对折射率百分比Δc(r),并且Δc(r)=Δ2MIN±0.3%。
33.如权利要求32所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤具有Aeff>110μm2的有效面积。
34.如权利要求32所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤的相对折射率分布被构造成在1550nm波长处提供不大于0.173dB/km的衰减。
35.如权利要求32所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤的相对折射率分布被构造成(i)在1550nm波长处提供不大于0.173dB/km的衰减,以及(ii)提供小于1520nm的光缆截止波长。
36.如权利要求35所述的光波导光纤,其特征在于,所述光缆截止波长不大于1450nm。
37.如权利要求36所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤具有在1550nm波长处不大于20ps/nm/km的色散D。
38.如权利要求32所述的光波导光纤,其特征在于,所述光纤具有Aeff>120μm2的有效面积,并且所述光纤的相对折射率分布被构造成提供不高于21ps/nm/km的色散。
39.如权利要求32所述的光波导光纤,其特征在于,所述纤芯的至少一部分包括碱金属。
40.如权利要求39所述的光波导光纤,其特征在于,所述碱金属包括Na、K或Rb。
41.如权利要求39所述的光波导光纤,其特征在于,所述碱金属包括在20ppm至1000ppm重量范围内的K。
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