JP2012514611A - プリント電子部品のための機能性材料 - Google Patents

Abstract

本発明は、電子部品のための、オキシメートのクラスからの少なくとも１種のリガンドを含む、金属有機アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体ならびにその混合物製の印刷可能な前駆体、ならびに製造方法に関する。本発明はさらに、対応するプリント電子部品、好ましくは電界効果トランジスタに関する。

Description

本発明は、電子部品のためのアルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ含有前駆体、ならびに製造方法に関する。さらに、本発明は、対応するプリント電子部品およびこれらに適する製造方法に関する。

プリント・エレクトロニクスを、大量適用（例えば個別のパッケージでのＲＦＩＤ（＝radio frequency identification）チップ）において用いるために、確立された大量印刷プロセスを用いることが、所望される。一般的に、プリント電子部品および系は、導体、例えば接点用、半導体、例えば活性材料として、絶縁体、例えば障壁層として、などの複数の材料部分からなる。

製造プロセスは通常、蒸着段階、即ちそれぞれの材料を支持材料（基板）に適用すること、および後続のプロセス段階からなり、それによって材料の所望の特性が確実になる。大量対応、例えばロールトゥーロール加工に関して、フレキシブル基板（フィルムまたは箔）を用いることが所望される。プリント回路を製造するための以前のプロセスは、本質的な利点を有するが、欠点も有している：

・従来技術（WO 2004086289を参照）：ここでは、従来のＳｉロジックユニットおよび追加の構造化部品、またはプリント部品のハイブリッド（例えばＲＦＩＤチップの場合において金属アンテナ）が、高コスト方式で組み立てられている。しかし、このプロセスは、実際の量産適用目的のためには過度に複雑であるとされる。

・有機材料（DE 19851703、WO 2004063806、WO 2002015264を参照）：これらの系は、液相からのポリマーに基づくプリント電子部品である。これらの系は、以前から知られている材料（従来技術）と比較して、単純プロセスにより、溶液と区別される。ここで考慮するべき唯一のプロセス段階は、溶媒の乾燥である。しかし、例えば半導体材料または導電性材料の場合において達成可能な効率は、材料に典型的な特性の限定、いわゆるホッピング機構による、例えば電荷キャリア移動度＜１０ｃｍ^２／Ｖｓなどによって、制限される。この制限は、適用の可能性に影響を及ぼす：プリントトランジスタの効率は、半導体チャネルの減少程度に伴って増大し、それは現在、大量プロセスを用いて〜４０μｍより小さく印刷することができない。当該技術のさらなる制限は、有機材料の周囲条件に対する感受性である。これによって、製造中のプロセス性能が複雑化され、場合によってはプリント部品のより短い寿命を生じさせる。

・無機材料：有機材料と比較して異なる固有特性（例えばＵＶ誘起分解に対する安定性）のために、このクラスの材料は一般的に、プリント・エレクトロニクスにおける使用において、効率向上の可能性を有する。

原則として、２種の異なる方法を、この領域において用いることができる：
ｉ）追加のプロセス段階のない、気相からの調製：この場合において、極めて良好に絶縁する薄層を製造することが可能であるが、付随する高コストの真空技術および緩慢な層形成によって、大量市場における使用が限定される。

ｉｉ）前駆体材料から開始した湿式化学調製であって、当該材料を、液相から、例えば回転塗布または印刷などによって適用する（US 6867081、US 6867422、US 2005/0009225を参照）。いくつかの場合において、無機材料と有機マトリックスとの混合物もまた、用いられる（US 2006/0014365を参照）。

製造される層の一貫した電気的特性を保証するために、溶媒の蒸発を超えるプロセス段階が、通常必要である。すべての場合において、湿式相からの前駆体がさらに、所望の活性材料に変換される、互いに混ざり合う（run into one another）領域を有する形態を製造することが必要である。これによって、所望の機能性が生じる（半導体の場合：高電荷キャリア移動度）。したがって、加工は＞３００℃の温度にて行われるが、これによって、フィルムコーティングのためのこのプロセスの使用ができない。

ＭｇＯのための前駆体物質を用いる例は、例えば、Stryckmans et al. Thin Solid Films 1996, 283, 17（２６０℃より高温のマグネシウムアセチルアセトネートから）またはRaj et al. Crystal Research and Technology 2007, 42, 867（多段階における３００℃からの酢酸マグネシウムから）に記載されている。両方の場合において、噴霧熱分解が、気相からの層蒸着に用いられる。この場合において、溶液を、加熱した基板（４００℃より高温）上に噴霧し、任意になおより高温にて後処理する。所要の高温によって、印刷プロセスにおける使用ができない。

可溶性ＺｒＯ_２前駆体材料を用いる例は、Ismail et al. Powder Technology 1995, 85, 253（ジルコニウムアセチルアセトネートから多段階にわたり２００〜６００℃にて）に記載されている。
可溶性ＨｆＯ_２を用いる例は、例えば、Zherikova et al. Journal of Thermal Analysis and Calorimetry 2008, 92, 729（ハフニウムアセチルアセトネートから長時間にわたりＴ＝１５０〜５００℃にて）から知られている。

ベータ−ジケトナート、例えばジルコニウムおよびハフニウムのアセチルアセトネートなどは、化学蒸着法（ＣＶＤ）による気相からの層蒸着において用いられる。ここで、当該化合物は、高真空において気化し、加熱した基板（５００℃より高温）上に蒸着する。酸化物セラミックス（oxidic ceramics）への変換は、不連続な多種の中間体を介して行われるが、これらは、機能性材料としては用いられない。このように、所定の反応を保証する高温が必要であり、それによって、印刷プロセスにおける使用ができない。

酸化インジウムスズ（「ＩＴＯ」と略される）の調製のために、使用される前駆体は、例えばエタノールアミンなどのアミンの存在下での、例えばスズおよびインジウム塩のゾルである(Prodi et al. Journal of Sol-Gel Science and Technology 2008, 47, 68)。酸化物への変換は、ここでは５００〜６００℃より高い温度にて行われる。所要の高温によって、温度感受性基板に対する印刷プロセスにおける使用ができない。

非晶質であり、半導体酸化物セラミックスの調製は、注目すべきである(K. Nomura et al. Nature 2004, 432, 488-492；H. Hosono Journal of Non-Crystalline Solids 2006, 352, 851-858；T. Kamiya et al. Journal of Display Technology 2009, 5, 273-288)。インジウム−ガリウム−スズ−亜鉛−酸素相系が、ここで詳細に調査されている。典型的な例は、インジウムガリウム亜鉛酸化物（「ＩＧＺＯ」と略される）および亜鉛スズ酸化物（「ＺＴＯ」と略される）であり、またインジウム亜鉛スズ酸化物（「ＩＺＴＯ」と略される）である。

半導体層の蒸着は通常、気相を介して行われるが、溶液に基づくプロセスもまた、知られている。しかし、ここで用いられるゾルによって、比較的高い加工温度が必要になる。亜鉛スズ酸化物を、無水塩化スズ（ＩＩ）または酢酸スズ（ＩＩ）および酢酸亜鉛六水和物から、塩基、例えばエタノールアミンなどの存在下で得ることができる。酸化物への変換（スズ構成成分の酸化を伴うもの）を、空気中での焼成中の反応能力に依存して、少なくとも３５０℃(D. Kim et al. Langmuir 2009, 25, 11149-11154)または４００〜５００℃(S.J. Seo et al. Journal of Physics D: Applied Physics, 2009, 42, 035106)にて行う。インジウム亜鉛スズ酸化物は、エチレングリコール中の無水塩化インジウム、塩化亜鉛および塩化スズ（ＩＩ）から、水酸化ナトリウム溶液との反応および後続の６００℃における焼成によって得られる(D.H. Lee et al. Journal of Materials Chemistry 2009, 19, 3135-3137)。

これらの従来の前駆体の、プリント回路製造のための使用は、大量印刷用途の大量生産における、その適用性において制限される。

したがって、本発明の目的は、誘電特性、半導体特性および導電特性を、一方で材料組成によって、および他方でプリント材料の調製方法によって調節することができる無機材料を提供することにあった。このために、当該目的は、無機材料の利点を維持する材料系を開発することにある。湿式相からの材料を印刷プロセスによって加工することが可能でなければならない。各々の場合において平面上における所望される材料の電子的効率、およびフレキシブル基板は、エネルギーの低入力のみを必要とするプロセス段階を用いて製造されなければならない。

驚くべきことに、新規な有機金属前駆体材料が調製され、表面に適用され、その後低温にて誘電的に活性な材料、即ち絶縁性材料に、およびまた電気的に半導体性または導電性材料に変換されるプロセスが開発された。当該プロセスにおいて製造される層は、印刷プロセスに有利である表面特性によって区別される。

図面の索引
本発明を、多数の例示的態様を参照して、以下により詳細に説明する（図１〜８ｂを参照）。
図１は、メトキシエタノール中のハフニウムヒドロキソ［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］溶液についての、前駆体含量に対する動的粘度の依存性を示す図である。測定を、標準環境条件（standard environmental conditions）(DIN 50 014-23)下で行った。 図２は、酸素中でのジルコニウムおよびハフニウムヒドロキソ［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］の熱重量分析を示す（１＝ジルコニウム錯体の曲線、２＝ハフニウム錯体の曲線）図である。温度の関数としての相対的質量の減少によって、必須反応温度について結論づけることができる。

図３は、各々の場合において、シリコン基板上での回転塗布および種々の温度にて３０分間加工することによって、２−メトキシエタノール／２−ブタノール中のジルコニウムオキシメートを含む本発明のフィルムのＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による分析を示す図である。（ａ＝Ｚｒ３ｄシグナル。ｂ＝Ｎ１ｓシグナル。ｃ＝Ｃ１ｓシグナル。１＝さらなる加工なし。２＝２００℃にて加工。３＝２５０℃にて加工。）ＸＰＳスペクトルによって、試料中に存在する元素および酸化状態について、ならびに混合比について結論づけることができる。このように、酸化ジルコニウムが加工後にフィルム中に存在することを示すことができる。

図４は、各々の場合において、シリコン基板上での回転塗布および種々の温度にて３０分間加工することによって、２−メトキシエタノール中のマグネシウムオキシメートを含む本発明のフィルムのＸ線光子分光法（ＸＰＳ）による分析を示す図である。いくつかの測定の場合において、測定チャンバ中でスパッタリングによって表面を洗浄した。（ａ＝Ｍｇ１ｓシグナル。ｂ＝Ｏ１ｓシグナル。ｃ＝Ｃ１ｓシグナル。１＝２１０℃にて加工＋スパッタリング。２＝４５０℃にて加工。３＝４５０℃にて加工＋スパッタリング。）ＸＰＳスペクトルによって、試料中に存在する元素および酸化状態について、ならびに混合比について結論づけることができる。このように、酸化マグネシウムが加工後にフィルム中に存在することを示すことができる。

図５は、各々の場合において、シリコン基板上での回転塗布および種々の温度にて３０分間加工することによって、２−メトキシエタノール／２−ブタノール中のハフニウムオキシメートを含む本発明のフィルムのＸ線光子分光法（ＸＰＳ）による分析を示す図である。（ａ＝Ｈｆ４ｆシグナル。ｂ＝Ｎ１ｓシグナル。ｃ＝Ｃ１ｓシグナル。１＝加工なし。２＝２００℃にて加工。３＝２５０℃にて加工。）ＸＰＳスペクトルによって、試料中に存在する元素および酸化状態について、ならびに混合比について結論づけることができる。このように、酸化ハフニウムが加工後にフィルム中に存在することを示すことができる。

図６は、本発明の誘電体層の構造の線図を示す図である。（１＝導体−金またはアルミニウム、２＝誘電体−酸化ジルコニウム、３＝導体−金またはアルミニウム、４＝基板／絶縁体−ガラス）。 図７は、図６からの部品における絶縁破壊電圧の決定のための電流／電圧曲線を示す図である。電流／電圧曲線は、誘電体の典型的な形状を示す；絶縁破壊電圧を、材料の重要なパラメーターとして、それにより決定することができる。

図８ａ：薄膜電界効果トランジスタの構造の線図を示す図である（１＝導体（ドレインおよびソース）、２＝半導体、３＝誘電体、４＝導体（ゲート））。当該部品は、トップコンタクト配置（top-contact arrangement）に電極を有する。 図８ｂ：薄膜電界効果トランジスタの構造の線図を示す図である（１＝半導体、２＝導体（ドレインおよびソース）、３＝誘電体、４＝導体（ゲート））。当該部品は、ボトムコンタクト配置（bottom-contact arrangement）に電極を有する。

したがって、本発明は、電子部品をコーティングするための前駆体であって、オキシメートのクラスからの少なくとも１種のリガンドを含有する、有機金属アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体あるいはその混合物を含むことを特徴とする、前記前駆体に関する。 反応が好適な方法で行われる場合には、前駆体を、アルカリ金属を含まずに調製することもできる。これは、アルカリ金属含有残留物が電子的特性に対して悪影響を有し得るため、電子部品における使用に有利であり得る。これらの元素は、結晶中の外来原子として、当該特性に対して好ましくない影響を有し得る。

好ましい態様において、前駆体は印刷可能であり、プリント電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、好ましくは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をコーティングするための印刷用インクまたは印刷用ペーストの形態である。
用語「印刷可能な前駆体」は、その材料特性のために、湿式相から印刷プロセスによって加工することができる前駆体材料を意味するものと解釈される。印刷プロセス中、印刷用インクまたは印刷用ペーストを、印刷プロセスに応じて、貯蔵容器から基板に輸送する。

したがって、前駆体材料は、印刷プロセスに適する印刷プロセス中の粘性および安定性を有し、好適な湿潤性および基板への粘着力を有する、このタイプの印刷用インクまたは印刷用ペーストへの変換が可能でなければならない。
経験上、インクまたはペーストの種々の粘性範囲は、異なる印刷プロセスについて好ましいことが示される；例えば、インクジェット印刷（サーマル方式）について１〜５ｍＰａ・ｓ、インクジェット印刷（ピエゾ方式）について５〜２０ｍＰａ・ｓ、グラビア印刷について５０〜２００ｍＰａ・ｓ、フレキソ印刷について５０〜５００ｍＰａ・ｓおよびスクリーン印刷について２０００〜４０，０００ｍＰａ・ｓである。

すでに上記で記載したように、前駆体は、オキシメートのクラスからの少なくとも１種のリガンドを有する有機金属アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体を含む。本発明に従い、アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体のリガンドが、２−（メトキシイミノ）アルカノエート、２−（エトキシイミノ）アルカノエートまたは２−（ヒドロキシイミノ）アルカノエートを含有することが、好ましい。リガンドを、塩基の存在下で、水性またはメタノール性溶液中における、アルファ−ケト酸またはオキソカルボン酸のヒドロキシルアミンまたはアルキルヒドロキシルアミンとの縮合によって合成する。

前駆体またはアルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体は、室温にて、例えば炭酸水素テトラエチルアンモニウムまたは炭酸水素ナトリウムなどの塩基の存在下での、オキソカルボン酸と、少なくとも１種のヒドロキシルアミンまたはアルキルヒドロキシルアミンとの反応、およびそれに続く、無機アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ塩、例えば硝酸アルミニウム九水和物、硝酸ガリウム六水和物、無水三塩化ネオジム、三塩化ルテニウム六水和物、硝酸マグネシウム六水和物、オキソ塩化ジルコニウム八水和物、オキソ塩化ハフニウム八水和物、無水塩化インジウムおよび／または塩化スズ五水和物などの添加によって生成する。あるいはまた、少なくとも１種のヒドロキシルアミンまたはアルキルヒドロキシルアミンの存在下で、オキソカルボン酸を、例えばハイドロマグネサイトＭｇ_５（ＣＯ_３）_４（ＯＨ）_２・４Ｈ_２Ｏなどのマグネシウム、ハフニウムまたはジルコニウムのヒドロキソ炭酸塩と反応させることができる。

用いることができるオキソカルボン酸は、このクラスの化合物のすべてを代表するものである。しかし、好ましいのは、オキソ酢酸、オキソプロピオン酸またはオキソ酪酸の使用である。

アルミニウム、ガリウム、ネオジム、マグネシウム、ハフニウムもしくはジルコニウム錯体前駆体の、絶縁特性を有する機能性酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ネオジム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムもしくは酸化ジルコニウム層への熱変換、またはルテニウム錯体前駆体の酸化ルテニウム層への熱変換を、≧８０℃の温度にて行う。当該温度は、好ましくは１５０〜２００℃である。

インジウムおよびスズ錯体前駆体の、導電特性を有する機能性酸化インジウムスズ層への熱変換を、≧１５０℃の温度にて行う。当該温度は、好ましくは１５０〜２５０℃である。
インジウム、ガリウムおよび亜鉛錯体前駆体の、半導体特性を有する機能性インジウムガリウム亜鉛酸化物層への熱変換を、≧１５０℃の温度にて行う。当該温度は、好ましくは１５０〜２５０℃である。
亜鉛およびスズ錯体前駆体の、半導体特性を有する機能性亜鉛スズ酸化物層への熱変換を、≧１５０℃の温度にて行う。当該温度は、好ましくは１５０〜２５０℃である。

アルミニウム、ガリウム、ネオジム、マグネシウム、ハフニウムもしくはジルコニウム錯体前駆体の、絶縁特性を有する機能性酸化アルミニウム、ガリウム、マグネシウム、ハフニウムもしくはジルコニウム層への変換、またはルテニウム錯体前駆体の酸化ルテニウムへの変換、またはインジウムおよびスズ錯体前駆体の、導電特性を有する機能性酸化インジウムスズ層への変換、またはインジウム−ガリウム−亜鉛およびスズ錯体前駆体の、半導体特性を有する機能性酸化物層への変換を、他の好ましい態様において、＜４００ｎｍの波長を有するＵＶ光を照射することによって行う。

波長は、好ましくは１５０〜３８０ｎｍである。ＵＶ照射の場合における利点は、それによって製造された酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ネオジム、酸化ルテニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウムスズおよびインジウムガリウム亜鉛酸化物または亜鉛スズ酸化物層が、より低減された表面粗さを有することである。これは、表面の増大した粗さが、後続の薄い層について、これらの層を均一に形成することができず、したがって電気的に機能性でない（例えば損傷した誘電体層による短絡）という、リスク増加を意味するであろうからである。

対応する前駆体から製造される酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ネオジム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムまたは酸化ジルコニウム層は、２種の導体の間で＞０．１ＭＶ／ｃｍの絶縁破壊電圧を示す。好ましいのは、１〜１０ＭＶ／ｃｍの絶縁破壊電圧である。
絶縁破壊電圧を、DIN EN ISO 2376:2009-07に記載されている測定および評価方法によって決定することができる。
酸化インジウムスズ層（ＩＴＯ層）は、好ましくは＜１０^−３オーム・ｃｍの比抵抗（四点測定によって決定）を有する。１０^−３〜１０^−５オーム・ｃｍの比抵抗が、好ましい。
伝導率を、直流四探針法によって決定することができる。この測定法は、DIN 50431またはASTM F43-99に記載されている。

インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）層または亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）層は、好ましくは＞１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓの電荷キャリア移動度を有する。好ましいのは、０．１〜１０ｃｍ^２／Ｖｓの電荷キャリア移動度である。
半導体材料のパラメーターの特性評価および決定を、IEEE 1620に記載されている測定および評価方法によって行うことができる。

本発明はさらに、本発明の有機金属アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体または前駆体の、電界効果トランジスタにおける１つまたは２つ以上の機能性層を製造するための使用に関する。

本発明に従い、基板は、例えばガラス、セラミックス、金属もしくはプラスチック基板などの硬質基板、またはフレキシブル基板であり、特にプラスチックフィルムもしくは金属箔のいずれかであり得る。本発明に従い、フレキシブル基板（フィルムまたは箔）を、好ましくは用いる。

本発明の前駆体溶液の、例えば浸漬塗布、回転塗布およびインクジェット印刷またはフレキソ印刷／グラビア印刷などの方法による基板への適用は、当業者に既知であり（M.A. Aegerter, M. Menning; Sol-Gel Technologies for Glass Producers and Users, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, Netherlands, 2004を参照）、ここで、インクジェット印刷またはフレキソ印刷／グラビア印刷が、本発明に従って好ましい。

用語「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）」は、バイポーラトランジスタとは対照的に、１種類の荷電のみが電流輸送に関与するユニポーラトランジスタ（設計に依存して電子またはホールまたは電子欠陥）のグループを意味するものと解釈される。ＦＥＴの最も広く知られたタイプは、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体ＦＥＴ）である。
ＦＥＴは、３つの接続部を有する：
・ソース
・ゲート
・ドレイン。

ＭＯＳＦＥＴにおいて、第４のバルク（基板）接続もまた、存在する。個々のトランジスタの場合において、これは、すでにソース接続部に内部で接続されており、別個に接続されていない。

本発明に従い、用語「ＦＥＴ」は一般的に、以下のタイプの電界効果トランジスタを包含する：
・障壁層（barrier-layer）電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）
・ショットキー電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）
・金属酸化物半導体ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）
・高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）
・イオン感応性電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）
・薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）。

好ましいのは、本発明に従ってＴＦＴであり、それによって大面積電子回路を製造することができる。

本発明はさらに、以下の薄層を有するプリント電子部品に関する：
・硬質またはフレキシブル導電性基板、あるいは導電層（ゲート）を有する絶縁基板
・対応する前駆体である、オキシメートのクラスからの少なくとも１種のリガンドを含有する有機金属アルミニウム、ガリウム、ネオジム、マグネシウム、ハフニウムまたはジルコニウム錯体から得られる酸化アルミニウム、ガリウム、ネオジム、マグネシウム、ハフニウムまたはジルコニウムを含む、絶縁体
・少なくとも１つの電極（ドレイン電極）
・半導体。

酸化アルミニウム、ガリウム、ネオジム、マグネシウム、ハフニウムまたはジルコニウム層は、１５ｎｍ〜１μｍ、好ましくは３０ｎｍ〜７５０ｎｍの厚さを有する。層厚は、各々の場合において用いる塗布技法およびそのパラメーターに依存する。回転塗布の場合、これらは、例えば回転速度および時間である。

本発明はさらに、以下の薄層を有するプリント電子部品に関する：
・対応する前駆体である、オキシメートのクラスからの少なくとも１種のリガンドを含有する有機金属インジウムおよびスズ錯体から得られる酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む、導電層（ゲート）を有する硬質またはフレキシブル導電性基板あるいは絶縁基板
・絶縁体
・少なくとも１つの電極（ドレイン電極）
・半導体。

酸化インジウムスズ層（ＩＴＯ層）は、１５ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有する。層厚は、各々の場合において用いる塗布技法およびそのパラメーターに依存する。回転塗布の場合、これらは、例えば回転速度および時間である。

本発明はさらに、以下の薄層を有するプリント電子部品に関する：
・導電層（ゲート）を有する、硬質またはフレキシブル導電性基板あるいは絶縁基板
・絶縁体
・少なくとも１つの電極（ドレイン電極）
・半導体。半導体は、対応する前駆体であって、オキシメートのクラスからの少なくとも１種のリガンドを含有する、有機金属インジウム、ガリウム、亜鉛錯体または亜鉛およびスズの錯体から得られ、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）または、あるいはまた亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）を含む、多元の(multinary)、非晶質相からなるものでなければならない。

インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）または亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）層は、１５ｎｍ〜１μｍ、好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さを有する。層厚は、各々の場合において用いる塗布技法およびそのパラメーターに依存する。回転塗布の場合、これらは、例えば回転速度および時間である。

好ましい態様において、上述の電子部品は、ゲート、絶縁層、半導体および電極（ドレインおよびソース）から構築される電界効果トランジスタまたは薄膜トランジスタからなる。ゲートは、好ましくは、薄層または基板材料としての設計に依存して、高濃度にｎ型ドープされたシリコンウエハ、高濃度にｎ型ドープされたシリコン薄層、導電性ポリマー（例えばポリピロール−ポリアミノベンゼンスルホン酸またはポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ））、導電性セラミックス（例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）またはＡｌ、ＧａもしくはＩｎでドープされた酸化スズ（ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯ）およびＦもしくはＳｂでドープされた酸化スズ（ＦＴＯ、ＡＴＯ））または金属（例えば金、銀、チタン、亜鉛）からなる。設計に依存して、薄層を、配置中の半導体層または絶縁層の下方（ボトムゲート）または上方（トップゲート）に適用することができる。

電子部品は、好ましくは、ポリマー（例えばポリ（４−ビニルフェノール）、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリイミドもしくはポリカーボネート）またはセラミックス（例えば二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ネオジム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム）からなる絶縁層を有する。

電子部品は、好ましくは、半導体有機化合物（例えばポリチオフェン、オリゴチオフェンもしくはポリトリアリールアミン）またはセラミックス（例えば酸化亜鉛、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）もしくは亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ））からなる半導体層を有する。

電子部品は、好ましくは、高濃度にｎ型ドープされたシリコン薄層、導電性ポリマー（例えばポリピロール−ポリアミノベンゼンスルホン酸またはポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ））、導電性セラミックス（例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）またはＡｌ、ＧａもしくはＩｎでドープされた酸化スズ（ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯ）およびＦもしくはＳｂでドープされた酸化スズ（ＦＴＯ、ＡＴＯ））または金属（例えば金、銀、チタン、亜鉛）を含むソースおよびドレイン電極を有する。設計に依存して、電極（好ましくは本発明において薄層として設計したもの）を、配置中の半導体層または絶縁層の下方（ボトムコンタクト）または上方（トップコンタクト）に配置することができる（図８ａおよびｂを参照）。

上述の好ましい態様において、ゲート、絶縁体および半導体を、回転塗布もしくは浸漬塗布、または気相もしくは液相からの蒸着技術によって、体系化されていない方式で適用することができる。さらに、ゲート、絶縁体、半導体および電極を、フレキソ印刷／グラビア印刷、インクジェット印刷または気相もしくは液相からの蒸着技術によって、体系化された方式で適用することができる。好ましいのは、本発明に従って印刷プロセスである。

本発明はさらに、酸化アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ層または表面あるいはその混合物を有する電子構造の製造方法であって、
ａ）本発明の有機金属アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体またはその混合物を含む前駆体溶液を、達成するべき電子構造体に対応するいずれか１つまたは２つ以上の層において、浸漬塗布、回転塗布またはインクジェット印刷またはフレキソ印刷／グラビア印刷によって基板に適用し、

ｂ）酸化アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウム、スズまたはインジウムスズ層または表面を形成させながら、適用した前駆体層を空気中で、または酸素雰囲気中で加熱または乾燥し、
ｃ）最後に、適用された電子構造体を、絶縁層によって密封することができ、これに接点を設け、完成する
ことを特徴とする、前記方法に関する。

このプロセスによって、電子部品およびまた集積回路中の個々の部品の化合物を、共に製造する。
以下の例は、本発明を説明することを意図する。
しかし、それら一切限定と見なされるべきではない。組成物中で用いることができる全ての化合物または成分は、既知であり、商業的に入手できるか、または既知の方法によって合成することができる。

例１：酸化マグネシウム前駆体である、ビス［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］マグネシウムの調製
炭酸水素カリウム（１２．０２ｇ、１２０ｍｍｏｌ）を、少量に分割して、撹拌しながら、１００ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（６．６０ｇ、６０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（５．０１ｇ、６０ｍｍｏｌ）の溶液に加える。明らかなガスの発生が完了した際に、混合物を、さらに３０分間撹拌する。硝酸マグネシウム六水和物（７．６９ｇ、３０ｍｍｏｌ）を、その後加え、混合物を、さらに１時間撹拌する。透明な溶液を、ロータリーエバポレーター中で半分の体積に濃縮し、約５度に冷却する。生成した白色沈殿物を濾別し、高温水から再結晶する。収量２．６０ｇ（３４．８％）。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例２：酸化マグネシウム前駆体である、ビス［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］マグネシウムのアルカリ金属を含まない調製
あるいはまた、以下の反応手順が可能である。
ハイドロマグネサイト（２０．０ｇ）を、１００ｍｌの水中の、ピルビン酸（１０．５６ｇ、１２０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（１０．０４ｇ、１２０ｍｍｏｌ）の溶液に、分割して加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物を１時間撹拌し、未反応のハイドロマグネサイトを濾別する。透明な溶液を、ロータリーエバポレーター中で半分の体積に濃縮し、約５度に冷却する。生成した白色沈殿物を濾別し、高温水から再結晶する。収量６．５０ｇ（４３．５％）。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例３：絶縁体特性を有するマグネシウム前駆体（例１または２からのもの）からのドープされていない酸化マグネシウム層の製造
例１または２に従って調製したマグネシウムオキシメートを、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２１０℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱する。このようにして得られた酸化マグネシウムフィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、非晶質またはナノ結晶質材料からなる。当該層は、絶縁体特性を有する。

例４：二酸化ジルコニウム前駆体である、ジルコニウムヒドロキソ［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］の調製
炭酸水素ナトリウム（７．５６ｇ、９０ｍｍｏｌ）を、１００ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（９．９０ｇ、９０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（７．５３ｇ、９０ｍｍｏｌ）の溶液に、少量に分割して、撹拌しながら加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物を、さらに３０分間撹拌する。混合物を、その後ロータリーエバポレーター中で完全に蒸発乾固させる。１２５ｍｌのテトラヒドロフラン中の四塩化ジルコニウム（５．２４ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）の溶液を、このようにして得られた白色粉末に加え、混合物を２時間撹拌する。溶液を濾過し、ロータリーエバポレーター中で蒸発乾固させる。残留物を１００ｍｌのジクロロメタン中に取り込み、このようにして得られた懸濁液を再び濾過する。生成物を、その後大量のｎ−ヘキサンを用いて濾液から沈殿させ、濾別し、デシケーター中で乾燥する。収量３．５０ｇ。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例５：二酸化ジルコニウム前駆体からの酸化ジルコニウム層の製造
例４に従って調製したジルコニウムオキシメートを、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間照射する。このようにして得られた酸化ジルコニウムフィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、非晶質またはナノ結晶質材料からなる。当該層は、絶縁体特性を有する。

例６：二酸化ハフニウム前駆体である、ハフニウムヒドロキソ［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］の調製
炭酸水素ナトリウム（７．５６ｇ、９０ｍｍｏｌ）を、少量に分割して、撹拌しながら、１００ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（９．９０ｇ、９０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（７．５３ｇ、９０ｍｍｏｌ）の溶液に加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物をさらに３０分間撹拌する。混合物を、その後ロータリーエバポレーター中で完全に蒸発乾固させる。１２５ｍｌのテトラヒドロフラン中の四塩化ハフニウム（７．２１ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）をの溶液を、このようにして得られた白色粉末に加え、混合物を２時間撹拌する。溶液を濾過し、ロータリーエバポレーター中で蒸発乾固させる。残留物を１００ｍｌのジクロロメタン中に取り込み、このようにして得られた懸濁液を再び濾過する。生成物を、その後大量のｎ−ヘキサンを用いて濾液から沈殿させ、濾別し、デシケーター中で乾燥する。収量４．７５ｇ。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例７：絶縁体特性を有する酸化ハフニウム層の製造
例６に従って調製したハフニウムオキシメートを、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間照射する。このようにして得られた酸化ハフニウムフィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、非晶質またはナノ結晶質材料からなる。当該層は、絶縁体特性を有する。

例８：酸化アルミニウム前駆体である、トリス［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］アルミニウムの調製
炭酸水素ナトリウム（１．６８ｇ、２０ｍｍｏｌ）を、少量に分割して、撹拌しながら、５０ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（２．２０ｇ、２０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（１．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）の溶液に加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物をさらに３０分間撹拌する。混合物を、その後ロータリーエバポレーター中で完全に蒸発乾固させる。１２５ｍｌのメタノール中の硝酸アルミニウム九水和物（２．５０ｇ、６．６ｍｍｏｌ）溶液を、このようにして得られた白色粉末に加え、混合物を２時間撹拌する。溶液を濾過し、ロータリーエバポレーター中で蒸発乾固させる。残留物を５０ｍｌのジクロロメタン中に取り込み、このようにして得られた懸濁液を再び濾過する。生成物を、その後大量のｎ−ヘキサンを用いて濾液から沈殿させ、濾別し、デシケーター中で乾燥する。収量１．１２ｇ（４５．３０％）。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例９：絶縁体特性を有する酸化アルミニウム層の製造
例８に従って調製したアルミニウムオキシメートを、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間照射する。このようにして得られた酸化アルミニウムフィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、ナノ結晶質材料からなる。当該層は、絶縁体特性を有する。

例１０：酸化ガリウム前駆体である、トリス［２−（メトキシイミノ）プロパノアト］ガリウムの調製
炭酸水素ナトリウム（１．６８ｇ、２０ｍｍｏｌ）を、少量に分割して、撹拌しながら、５０ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（２．２０ｇ、２０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（１．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）の溶液に加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物をさらに３０分間撹拌する。混合物を、その後ロータリーエバポレーター中で完全に蒸発乾固させる。１２５ｍｌのメタノール中の硝酸ガリウム六水和物（２．４０ｇ、６．６ｍｍｏｌ）溶液を、このようにして得られた白色粉末に加え、混合物を２時間撹拌する。溶液を濾過し、ロータリーエバポレーター中で蒸発乾固させる。残留物を１００ｍｌのジクロロメタン中に取り込み、このようにして得られた懸濁液を再び濾過する。生成物を、その後大量のｎ−ヘキサンを用いて濾液から沈殿させ、濾別し、デシケーター中で乾燥する。収量０．９６ｇ（３４．８２％）。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例１１：絶縁体特性を有する酸化ガリウム層の製造
例１０に従って調製したガリウムオキシメートを、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間照射する。このようにして得られた酸化ガリウムフィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、ナノ結晶質材料からなる。当該層は、絶縁体特性を有する。

例１２：酸化ネオジム前駆体である、トリス［２−（メトキシイミノ）プロパノアト］ネオジムの調製
炭酸水素ナトリウム（１．６８ｇ、２０ｍｍｏｌ）を、少量に分割して、撹拌しながら、５０ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（２．２０ｇ、２０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（１．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）の溶液に加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物をさらに３０分間撹拌する。混合物を、その後ロータリーエバポレーター中で完全に蒸発乾固させる。１２５ｍｌのメタノール中の無水三塩化ネオジム（１．６５ｇ、６．６ｍｍｏｌ）溶液を、このようにして得られた白色粉末に加え、混合物を２時間撹拌する。溶液を濾過し、ロータリーエバポレーター中で蒸発乾固させる。残留物を１００ｍｌのジクロロメタン中に取り込み、このようにして得られた懸濁液を再び濾過する。生成物を、その後大量のｎ−ヘキサンを用いて濾液から沈殿させ、濾別し、デシケーター中で乾燥する。収量１．５５ｇ（４７．８３％）。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例１３：絶縁体特性を有する酸化ネオジム層の製造
例１２に従って調製したネオジムオキシメートを、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間照射する。このようにして得られた酸化ネオジムフィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、ナノ結晶質材料からなる。当該層は、絶縁体特性を有する。

例１４：酸化ルテニウム前駆体である、トリス［２−（メトキシイミノ）プロパノアト］ルテニウムの調製
炭酸水素ナトリウム（１．６８ｇ、２０ｍｍｏｌ）を、少量に分割して、撹拌しながら、５０ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（２．２０ｇ、２０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（１．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）の溶液に加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物をさらに３０分間撹拌する。混合物を、その後ロータリーエバポレーター中で完全に蒸発乾固させる。１２５ｍｌのメタノール中の三塩化ルテニウム六水和物（２．０８ｇ、６．６ｍｍｏｌ）の溶液を、このようにして得られた白色粉末に加え、混合物を２時間撹拌する。溶液を濾過し、ロータリーエバポレーター中で蒸発乾固させる。残留物を１００ｍｌのジクロロメタン中に取り込み、このようにして得られた懸濁液を再び濾過する。生成物を、その後大量のトルエンを用いて濾液から沈殿させ、濾別し、デシケーター中で乾燥する。収量１．３４ｇ（４５．３３％）。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例１５：酸化ルテニウム層の製造
例１４に従って調製したルテニウムオキシメートを、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間照射する。このようにして得られた酸化ルテニウムフィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、ナノ結晶質材料からなる。

例１６：誘電体層の製造
例は、誘電体層の製造を示す。酸化ジルコニウムの層を、高濃度にｎ型ドープされた導電性シリコンウエハに、回転塗布または印刷によって適用し、その後２００℃にて１０分間焼成するか、または１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間ＵＶ照射することによって形成する。対電極を適用した後、誘電体層についての絶縁破壊電圧値を、１ＭＶ／ｃｍと決定することができる。

例１７：薄膜トランジスタの製造
例は、図８ａおよび８ｂによる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を示す。当該部品は、誘電体層が適用された高濃度にｎ型ドープされたシリコンウエハからなる。次に、半導体層を作製し、金属の蒸着または金属インクの印刷によって作製された金属電極構造が続く（図８ａ）。あるいはまた、電極構造を先ず作製し、続いて半導体層を適用することができる（図８ｂ）。

例１８：酸化インジウム前駆体である、トリス［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］インジウムの調製
炭酸水素ナトリウム（１．６８ｇ、２０ｍｍｏｌ）を、少量に分割して、撹拌しながら、５０ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（２．２０ｇ、２０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（１．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）の溶液に加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物をさらに３０分間撹拌する。混合物を、その後ロータリーエバポレーター中で完全に蒸発乾固させる。１２５ｍｌのメタノール中の無水塩化インジウム（１．９５ｇ、６．６ｍｍｏｌ）の溶液を、このようにして得られた白色粉末に加え、混合物を２時間撹拌する。溶液を濾過し、ロータリーエバポレーター中で蒸発乾固させる。残留物を１００ｍｌのジクロロメタン中に取り込み、このようにして得られた懸濁液を再び濾過する。生成物を、その後大量のｎ−ヘキサンを用いて濾液から沈殿させ、濾別し、デシケーター中で乾燥する。収量１．８０ｇ（５８．９％）。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例１９：酸化スズ前駆体である、スズヒドロキソ［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］の調製
炭酸水素ナトリウム（７．５６ｇ、９０ｍｍｏｌ）を、少量に分割して、撹拌しながら、１００ｍｌの水中の、ピルビン酸ナトリウム（９．９０ｇ、９０ｍｍｏｌ）およびメトキシルアミン塩酸塩（７．５３ｇ、９０ｍｍｏｌ）の溶液に加える。明らかなガスの発生が完了したところで、混合物をさらに３０分間撹拌する。混合物を、その後ロータリーエバポレーター中で完全に蒸発乾固させる。２５０ｍｌのメタノール中の無水塩化スズ五水和物（７．８８ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）溶液を、このようにして得られた白色粉末に加え、混合物を２時間撹拌する。溶液を濾過し、ロータリーエバポレーター中で蒸発乾固させる。残留物を１００ｍｌのアセトンまたはジメトキシエタン中に取り込み、このようにして得られた懸濁液を再び濾過する。生成物を、その後大量のジエチルエーテルを用いて濾液から沈殿させ、濾別し、デシケーター中で乾燥する。収量３．７ｇ。このようにして得られた化合物を、ＩＲおよびＮＭＲ分光法によって特性評価することができる。

例２０：酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の導電層の製造
例１８および１９に従って調製したインジウムおよびスズオキシメートを、９０：１０のモル比で一緒に溶解し、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で６０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１時間照射する。このようにして得られた酸化インジウムスズフィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、非晶質またはナノ結晶質材料からなる。当該層は、電気伝導性を有する。

例２１：インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）の半導体層の製造
例１０および１８に従って調製したインジウムおよび／またはガリウムオキシメートならびに亜鉛オキシメート（J.J. Schneider et al. Advanced Materials, 2008, 20, 3383-3387の方法によって得られる）を、好適なモル比で溶解する。半導体相の調製に適するモル比は、H. Hosono, Journal of Non-Crystalline Solids 2006, 352, 851-858に示されている；したがって、例えば、インジウム：ガリウム：亜鉛＝１：１：１またはインジウム：亜鉛＝２：３である。

このようにして得られた溶液を、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間照射する。このようにして得られたインジウムガリウム亜鉛酸化物フィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、非晶質材料からなる。当該層は、半導体特性を有する。

例２２：亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）の半導体層の製造
例１９に従って調製したスズオキシメートおよび亜鉛オキシメート（J.J. Schneider et al. Advanced Materials, 2008, 20, 3383-3387の方法によって得られる）を、好適な比率で一緒に溶解する。例えば０〜３０モルパーセントのスズ含量Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ）が、好適である。当該溶液を、ガラス、セラミックスまたはポリマー基板に、回転塗布（または浸漬塗布、またはまたインクジェット印刷）によって適用する。コーティングを、その後２００℃より高い温度にて空気中で１０分間加熱するか、またはこれに、ＵＶを１５０ｍＷ／ｃｍ^２にて１５分間照射する。このようにして得られた亜鉛スズ酸化物フィルムは、均一であり、亀裂がなく、非孔質の表面形態を示す。焼成温度に依存して、当該層は、非晶質またはナノ結晶質材料からなる。当該層は、半導体特性を有する。

例２３〜２６：種々の塗布プロセスの記載
すべての場合において、１０〜２０重量パーセントの前駆体化合物の溶液を用いる。好適な溶媒は、２−メトキシエタノール、２−ブタノール、メタノール、ジメチルホルムアミドまたはそれらの混合物である。
印刷用インクの粘度を、レオメータ、例えばHaakeのMARS Rheometerを用いて決定することができる。決定を、標準環境条件(DIN 50 014-23)下で行う。

浸漬塗布：引上げ速度 約１ｍｍ／秒。用いる基板は、７６×２６ｍｍのガラスプレートである。
回転塗布：回転塗布のために、１５０μｌの溶液を、基板に適用する。用いる基板は、２０×２０ｍｍの石英または１５×１５ｍｍのシリコンである（ＦＥＴの製造のために金電極を有するもの）。時間および速度について選択されるパラメーターは、１０００ｒｐｍの初期速度において１０秒であり、２０００ｒｐｍの最終速度において２０秒である。

インクジェット印刷：印刷プロセスを、DimatixのDimatix DMP 2831プリンターを用いて行うことができる。用いた印刷用インクは、ジエチレングリコールモノエチルエーテル中の、酸化ハフニウム前駆体である、ハフニウムヒドロキソ［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］を１０重量パーセントの溶液であり、それを、０．２μｍの孔の大きさを有するシリンジフィルターを用いて導入する。フィルムを、酸化インジウムスズコーティング(Merck)で、例えばガラスなどの基板上に印刷し、後続のＵＶ照射によってセラミックスに変換することができる（ＦｅをドープしたＨｇランプ；照射時間：４００ｍＷ／ｃｍ^２にて４分）。

フレキソ印刷：印刷プロセスを、IGT Testing SystemsのIGT F1ユニットを用いて行うことができる。
用いる印刷用インクは、メトキシエタノール中の、酸化ハフニウム前駆体である、ハフニウムヒドロキソ［２−（メトキシイミノ）プロパノエート］をの１０重量パーセント溶液である。１ｍｌの溶液を、手動でコンタクトゾーンに適用する。

以下の印刷パラメーターを、ナイフコーティングシート／アニロックスロールのために選択する：
・アニロックスロール／プレートシリンダー接触圧 １０Ｎ
・プレートシリンダー／逆圧シリンダー接触圧 １０Ｎ
・印刷速度 ０．８ｍ／ｓ
・印刷版：フルトーン(full-tone)表面、９０％のインク使用量（area coverage）
・アニロックスロール吸収体積 ２０ｍｌ／ｍ^２

全範囲印刷を、例えばシリコンまたは石英などの基板上で達成することができる。前駆体をその後セラミックスに、ＵＶ照射によって変換することができる（ＦｅをドープしたＨｇランプ；照射時間：４００ｍＷ／ｃｍ^２にて７分）。

Claims (16)

1. 電子部品をコーティングするための前駆体であって、オキシメートのクラスからの少なくとも１種のリガンドを含有する、有機金属アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体あるいはその混合物を含むことを特徴とする、前記前駆体。
2. リガンドが、２−（メトキシイミノ）アルカノエート、２−（エトキシイミノ）アルカノエートまたは２−（ヒドロキシイミノ）アルカノエートであることを特徴とする、請求項１に記載の前駆体。
3. 印刷可能であり、プリント電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）において印刷用インクまたは印刷用ペーストの形態で用いることを特徴とする、請求項１または２に記載の前駆体。
4. 以下の薄層：
   ・硬質またはフレキシブル導電性基板、あるいは導電層（ゲート）を有する絶縁基板
   ・請求項１〜３のいずれか一項に記載の対応する前駆体から得られる酸化アルミニウム、ガリウム、ネオジム、マグネシウム、ハフニウムまたはジルコニウムを含む、絶縁体
   ・少なくとも１つの電極（ドレイン電極）
   ・半導体
   を有する、プリント電子部品。
5. 以下の薄層：
   ・請求項１〜３のいずれか一項に記載の対応する前駆体から得られる酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む、導電層（ゲート）を有する硬質またはフレキシブル導電性基板あるいは絶縁基板
   ・絶縁体
   ・少なくとも１つの電極（ドレイン電極）
   ・半導体
   を有する、プリント電子部品。
6. 以下の薄層：
   ・導電層（ゲート）を有する硬質またはフレキシブル導電性基板あるいは絶縁基板
   ・絶縁体
   ・少なくとも１つの電極（ドレイン電極）
   ・請求項１〜３のいずれか一項に記載の対応する前駆体から得られる、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）または亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）を含む、半導体
   を有する、プリント電子部品。
7. 基板が、例えばガラス、セラミックス、金属もしくはプラスチック基板などの硬質基板、またはフレキシブル基板、特にプラスチックフィルムもしくは金属箔のいずれかであり得ることを特徴とする、請求項４〜６のいずれか一項に記載のプリント電子部品。
8. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の前駆体の製造方法であって、少なくとも１種のオキソカルボン酸を、少なくとも１種のヒドロキシルアミンまたはアルキルヒドロキシルアミンと、塩基の存在下で反応させ、無機アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ塩あるいはその混合物を、その後加えることを特徴とする、前記方法。
9. 用いるオキソカルボン酸が、オキソ酢酸、オキソプロピオン酸またはオキソ酪酸であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
10. 酸化アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ層または表面またはその混合物を有する電子構造体の製造方法であって、
    ａ．請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機金属アルミニウム、マグネシウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ錯体またはその混合物を含む前駆体溶液を、達成するべき電子構造体に対応するいずれか１つまたは２つ以上の層において、浸漬塗布、回転塗布またはインクジェット印刷またはフレキソ印刷／グラビア印刷によって基板に適用し、
    ｂ．酸化アルミニウム、ガリウム、ネオジム、ルテニウム、マグネシウム、ハフニウム、ジルコニウム、インジウムおよび／またはスズ層または表面あるいはその混合物を形成させながら、適用した前駆体層を空気中で、または酸素雰囲気中で加熱または乾燥し、
    ｃ．最後に、適用された電子構造体を、絶縁層によって密封することができ、これに接点を設け、完成する、
    ことを特徴とする、前記方法。
11. 加熱中の温度がＴ≧８０℃であることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
12. 加熱または乾燥を、＜４００ｎｍの波長を有するＵＶ光を照射することによって行うことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
13. 酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ネオジム、酸化ルテニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムまたは酸化ジルコニウム層が、２種の導体の間で＞０．１ＭＶ／ｃｍの絶縁破壊電圧を有することを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 酸化インジウムスズ層（ＩＴＯ層）が、四点測定によって決定される、＜１０^−３オーム・ｃｍの比抵抗を有することを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
15. インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）層または亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）層が、＞１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓの電荷キャリア移動度を有することを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
16. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の前駆体の、電界効果トランジスタにおける１つまたは２つ以上の機能性層の製造のための使用。

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