JP2012511830A - 側部にオーバーフロードレインを備えるイメージセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
102 基板、層、又はウエル
104 窒化物層
200 マスク層
202 絶縁層の一部
204 チャネルストップ
300 マスク層
302 絶縁層の一部
304 側部オーバーフロードレイン
306 重なり領域
308 絶縁層の一部分
400 デジタルカメラ
402 光
404 撮像ステージ
406 イメージセンサ
408 処理装置
410 メモリ
412 ディスプレイ
414 入出力(I/O)素子
500 画素
502 画像化領域
504 水平シフトレジスタ
506 出力増幅器
600 シフト素子
602 シフト素子
604 バリア領域
606 バリア領域
608 チャネルストップ
610 側部オーバーフロードレイン
612 ゲート電極
614 ゲート電極
616 電荷の移動方向を表す矢印
700 絶縁層
702 層
704 酸化物
706 窒化物
708 酸化物
800 ハードマスク層
802 開口部
900 第2マスク層
902 開口部
1200 フィールド酸化物
1300 マスク層
1302 開口部
1500 マスク層
1502 開口部
Claims (5)
- イメージセンサ内に1つ以上の側部オーバーフロードレインを作製する方法であって:
第1伝導型を有する層上に設けられた絶縁層全体にわたって第1マスク層を形成する工程;
前記第1マスク層をパターニングすることで、チャネルストップが形成される場所に1つ以上の第1開口部を形成する工程;
前記第1伝導型である1つ以上のドーパントを、前記1つ以上の第1開口部を介して、前記第1伝導型を有する層へ注入することで、前記層内に1つ以上のチャネルストップを形成する工程;
前記第1マスク層及び前記1つ以上の第1開口部全体にわたって第2マスク層を形成する工程;
前記第2マスク層をパターニングすることで、前記1つ以上の側部オーバーフロードレインが形成される場所に1つ以上の第2開口部を形成する工程であって、前記第2開口部の各々は、各対応する第1開口部の一部分に設けられ、かつ前記第2マスク層の一部は各第1開口部の他の部分に設けられる、工程;並びに、
前記第1伝導型とは反対の第2伝導型である1つ以上のドーパントを、前記1つ以上の第2開口部を介して各チャネルストップへ注入することで、前記1つ以上の側部オーバーフロードレインを作製する工程;
を有する方法。 - 前記第1マスク層及び前記第2マスク層を除去する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 各チャネルストップ及び対応する側部オーバーフロードレイン全体にわたってフィールド酸化物領域を形成する工程をさらに有する、請求項2に記載の方法。
- 前記第1マスク層及び前記1つ以上の第1開口部全体にわたって第2マスク層を形成する前に、前記1つ以上の第1開口部内で曝露された前記絶縁層の少なくとも一部を除去する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 層内に設けられたチャネルストップ内部に形成された側部オーバーフロードレイン;並びに、
前記チャネルストップ及び前記側部オーバーフロードレイン全体にわたって形成されたフィールド酸化物領域;
を有するイメージセンサであって、
前記側部オーバーフロードレインの一端は、前記チャネルストップの端部に対して位置合わせされている、
イメージセンサ。
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