JP2012129373A - 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び電子情報機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】固体撮像素子の製造方法において、固体撮像素子における電荷転送電極の間のギャップ部Gに絶縁膜を画素特性の劣化を招くことなく形成する。
【解決手段】固体撮像素子110の製造方法において、シリコン基板1のウエル領域2上にゲート絶縁膜7を介して導電性膜8を形成する工程と、該導電性膜8を、該光電変換部の拡散領域5に対向する開口部が形成されるようパターニングする工程と、全面に第1の絶縁膜9を形成した後、有機塗布膜10を該導電性膜に形成した該開口部が埋まるよう形成する工程と、該導電性膜8をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングして、複数の電荷転送電極8を、該複数の電荷転送電極が該電荷転送方向に所定のギャップGを開けて配列されるよう形成する工程と、該第2の絶縁膜12及び13を、該電荷転送電極間のギャップGに埋め込まれるよう形成する工程を含む。
【選択図】図1
【解決手段】固体撮像素子110の製造方法において、シリコン基板1のウエル領域2上にゲート絶縁膜7を介して導電性膜8を形成する工程と、該導電性膜8を、該光電変換部の拡散領域5に対向する開口部が形成されるようパターニングする工程と、全面に第1の絶縁膜9を形成した後、有機塗布膜10を該導電性膜に形成した該開口部が埋まるよう形成する工程と、該導電性膜8をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングして、複数の電荷転送電極8を、該複数の電荷転送電極が該電荷転送方向に所定のギャップGを開けて配列されるよう形成する工程と、該第2の絶縁膜12及び13を、該電荷転送電極間のギャップGに埋め込まれるよう形成する工程を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び電子情報機器に関し、特に固体撮像素子における隣接する電荷転送電極の間のギャップを形成する方法、このような固体撮像素子における電荷転送電極の間のギャップに絶縁膜を埋め込んだ構造、及びこのような固体撮像素子を搭載した電子情報機器に関するものである。
近年、固体撮像素子においては、高画素化が進んでおり、画素数増加に伴い信号電荷の高速転送が必要となることから、とりわけ信号電荷の転送チャネル上に配置される電荷転送電極の低抵抗化と、隣接する電荷転送電極の間に形成されるギャップ(以下、電荷転送電極間ギャップともいう。)の微細化が重要となってきている。特に、電荷転送電極間ギャップは、狭く加工して転送チャネル内のポテンシャルを均一にする必要がある。
従来の固体撮像素子の製造方法では、ポリシリコンなどの導電性膜を、電荷転送電極間ギャップが形成されるようパターニングしたのち、この導電性膜を酸化させて電荷転送電極間にこれらを絶縁する絶縁膜を形成している。
ところが、このような方法で電荷転送電極間ギャップに絶縁膜を形成すると、転送チャネルの表面領域やポリシリコン等の導電性膜が熱酸化により侵食され、電荷転送電極の断面形状が、その端部が迫上がるスマイリング形状となり、電荷転送電極間ギャップが広がる。つまり、スマイリング形状によって、固体撮像素子の微細化が妨げられるだけではなく、転送チャネル内のポテンシャルを特に転送方向に沿って均一な状態にできなくなる。この結果、転送チャネルには、電荷転送電極に印加される転送パルスによって電荷転送井戸が局所的に形成されにくい領域が形成されることになり、転送劣化が生じてしまうという問題があった。
このような問題に対する対策として、特許文献1では、電荷転送電極間ギャップに、熱酸化に代わるLPCVD法で絶縁膜を充填させることで、電荷転送電極間ギャップの絶縁膜を、電荷転送電極間ギャップの拡がりを招くことなく形成している。
つまり、この特許文献1に開示の製造方法では、シリコン基板上にゲート絶縁膜及び電荷転送電極の構成材料としてのポリシリコン膜を形成し、該ポリシリコン膜の、電荷転送電極間ギャップに対応する部分に開口を有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクにポリシリコン膜をエッチングし、電荷転送電極間ギャップを形成し、その後、LPCVD法により、シリコン酸化膜(HTO)やシリコン窒化膜を、電荷転送電極間ギャップに絶縁膜が充填されるよう成膜している。
具体的には、図12(a)〜図12(c)、図13(a)および図13(b)はそれぞれ、特許文献1に開示されている従来の固体撮像素子の製造方法における各工程を示す要部縦断面図である。
まず、n型シリコン基板1表面に、膜厚15nmの酸化シリコン膜102a、膜厚50nmの窒化シリコン膜102b、及び膜厚10nmの酸化シリコン膜102cを形成し、3層構造のゲート絶縁膜102を形成する。
図12(a)に示すように、このシリコン基板101上のゲート絶縁膜102上に、Heで希釈したSiH4を反応性ガスとして用いた減圧CVD法により、膜厚0.4μmの多結晶シリコン膜103を形成する。このときの基板温度は摂氏600〜700度とする。この後、POCl3とN2とO2との混合ガス雰囲気中で摂氏900度の熱処理を行って多結晶シリコン膜103をドーピングする(リン酸処理)。
続いて、その上層としてポジレジストを厚さ0.5〜1.4μmとなるように塗布する。図12(b)に示すように、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、開口幅g=0.2μmのレジストパターンR1を形成する。
この後、図12(c)に示すように、このレジストパターンR1をマスクとして、HBrとO2またはHBrとCl2との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、ゲート絶縁膜102の窒化シリコン膜102bをエッチングストッパとして多結晶シリコン膜103を選択的にエッチング除去し、電極パターンを形成する。ここでは、ECRまたはICPなどのエッチング装置を用いるのが望ましい。ここでは、アッシングによりレジストパターンR1を除去している。
さらに、図13(a)に示すように、モノシランとN2Oとを用いた減圧CVD法により、この電極のパターンの表面に膜厚80nmの酸化シリコン膜(HTO)からなる電極間絶縁膜104を形成する。ここで、基板温度は摂氏750度に維持し、成膜室内の圧力は1.2Torrとした。
この後、図13(b)に示すように、NH3とDCS(SiH2Cl2)とを用いた減圧CVD法によりこの電極間絶縁膜104全体を覆うように窒化シリコン膜からなる絶縁膜105を形成する。
次に、レジストを塗布し、フォトリソグラフィにより光電変換部であるフォトダイオード形成領域に開口部を有するレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、HBrとO2またはHBrとCl2との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトダイオード形成領域上を開口する。
その後、このレジストパターンをそのまま残し、これをマスクとしてフォトダイオードのpn接合を形成するためのイオン注入を行い、シリコン基板101との間にpn接合を形成する拡散領域を形成する。このpn接合によって受光部としての光電変換部が形成される。
しかしながら、この従来の製造方法では、電荷転送電極の材料となるポリシリコン膜のパターニングにより電荷転送電極間ギャップを形成してここに絶縁膜を埋め込んだ後、該ポリシリコン膜の、光電変換部(フォトダイオード形成領域)に対応する部分に開口を形成するための加工を行っている。
つまり、ポリシリコン膜に電荷転送電極間ギャップを形成するための加工と、該ポリシリコン膜の、光電変換部に対応する部分に開口部(以下、光電変換部形成用の開口部ともいう。)を形成する加工とは別工程で行っている。このため、ポリシリコン膜の、光電変換部に対応する部分に開口を形成するに際し、マスクパターンの位置合わせがばらつくことにより、光電変換部形成用の開口部が、ポリシリコン膜の、電荷転送電極間ギャップに相当する部分(ギャップ部)にオーバーラップすることもある。
このような場合に、例えば、光電変換部としてのフォトダイオード部に、電荷転送電極間ギャップに充填した絶縁膜が不必要な絶縁膜として残存すると、画素の開口が狭くなってしまう。また、電荷転送電極間ギャップを形成するためのポリシリコン膜のエッチング中に、シリコン基板の、フォトダイオード部となるべき領域がエッチングされてリークの発生原因となったり、フォトダイオード形成領域に対するイオン注入時に、電荷転送電極間ギャップ部に不要なイオン注入が行われてしまったりする。その結果に画素特性が劣化する。
また、従来の製造方法では、光電変換部用の開口部を形成する際に用いるレジストパターンをそのまま残して、これをマスクにしてフォトダイオードの表面P+注入を行っている。ところが、イオン注入は、電荷転送電極のエッチング後に残っている、電荷転送電極の下地膜である熱酸化膜のエッチング残膜を介して行われることになるので、このエッチング残膜の膜厚がばらついた場合には、シリコン基板内へ注入されるイオンの注入深さや濃度が変動することになり、この影響で、例えば、信号電荷の読み出し時に印加される読み出し電圧に対して、読み出される信号電荷が変動してしまうことになる。
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、電荷転送電極の間のギャップ部を、画素特性の劣化を招くことなく形成することができる固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、並びにこのような固体撮像素子を備えた電子情報機器を得ることを目的とする。
本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の光電変換部と、該光電変換部で生成された信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像素子を製造する方法であって、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して導電性膜を形成する工程と、該導電性膜を、該光電変換部に対向する開口部が形成されるようパターニングする工程と、全面に第1の絶縁膜を形成した後、有機塗布膜を該導電性膜に形成した該開口部が埋まるよう形成する工程と、該導電性膜をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングして、該電荷転送部を構成する複数の電荷転送電極を、該複数の電荷転送電極が該電荷転送方向に所定のギャップを開けて配列されるよう形成する工程と、該第2の絶縁膜を、該電荷転送電極間のギャップを埋め込むよう形成する工程とを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、熱酸化膜であり、前記第2の絶縁膜は、CVDによる絶縁膜であることが好ましい。
本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第2の絶縁膜は、LPCVD法でSiH4ガスとN2Oを用いて、下地の段差を反映するよう形成されたシリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜上に、LPCVD法でSiH2CL2ガスとNH3ガスを用いて、前記電荷転送電極間のギャップを埋め込むよう形成されたシリコン窒化膜とを含むことが好ましい。
本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記第1の絶縁膜を形成した後に、前記光電変換部を構成するフォトダイオードの形成領域の表面に表面P+層が形成されるようイオン注入を行う工程を有することが好ましい。
本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記電荷転送部は、前記光電変換部で生成された信号電荷を受け取り、垂直方向に転送する垂直電荷転送部であることが好ましい。
本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記導電性膜をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングする工程では、該エッチングマスクの位置合わせに起因した、前記光電変換部の、前記垂直電荷転送部を構成する電荷転送電極の間のギャップを形成すべき領域とのオーバーラップ部が、前記第1の絶縁膜および前記有機塗布膜によって、該導電性膜に対するエッチングから保護されることが好ましい。
本発明に係る固体撮像素子は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の光電変換部と、該光電変換部で生成された信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像素子であって、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該半導体基板上に該ゲート絶縁膜を介して形成され、該電荷転送部を構成する複数の電荷転送電極と、該半導体基板上に形成され、該光電変換部を構成する受光領域とを備え、該電荷転送電極を構成する導電性膜は、該電荷転送電極の間のギャップ部、及び該受光領域に対応する部分に開口部を有し、該受光領域の、該開口部内に露出する部分は、熱酸化により形成した第1の絶縁膜により覆われており、該電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部には、CVDにより形成した第2の絶縁膜が充填されており、そのことにより上記目的が達成される。
本発明は、上記固体撮像素子において、前記第2の絶縁膜は、前記電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部内面上に形成された酸化膜と、前記電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部内に、該酸化膜を介して充填された窒化膜とを有することが好ましい。
本発明は、上記固体撮像素子において、前記受光領域の、前記開口部内に露出する部分を覆う、熱酸化により形成した第1の絶縁膜と、該電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部内面に形成した酸化膜との間には、膜厚方向の段差があることが好ましい。
本発明に係る電子情報機器は、被写体の撮像を行う撮像部を備えた電子情報機器であって、該撮像部は、上述した本発明に係る固体撮像素子を含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。
次に作用について説明する。
本発明においては、光電変換部である受光部の表面には、熱酸化膜により均一な絶縁膜を形成することで、光電変換部としてのフォトダイオードに対する表面P+注入がばらつき少なく行われることとなり、読み出し特性の劣化を回避できる。
また、本発明においては、電荷転送電極間ギャップ部にはCVDによる埋め込み絶縁膜が形成されているので、ギャップ下の転送チャネル表面や電荷転送電極が埋め込み絶縁膜の形成時に酸化されることはなく、電荷転送電極間ギャップの拡大を抑制することができる。
さらに、本発明においては、垂直転送部上の導電性膜に電荷転送電極間ギャップ部を形成する工程では、第1の絶縁膜および有機塗布膜により、フォトダイオード部の、電荷転送電極間ギャップ部とのオーバーラップ部が保護されるので、電荷転送電極間ギャップ部を形成するためのマスクパターンの位置ずれがあっても、電荷転送電極間ギャップ部の形成時に、フォトダイオード部がエッチングされるのを回避することができる。
この結果、フォトダイオード部と微細なギャップ部とを精度良く形成することが可能となる。
本発明においては、固体撮像素子において、電荷転送電極を構成する導電性膜を、電荷転送電極の間のギャップ部、及び受光領域に対応する部分に開口部を有する構造とし、該受光領域の、該開口部内に露出する部分は、熱酸化により形成した第1の絶縁膜により覆われており、該電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部には、CVDにより形成した第2の絶縁膜が充填されているので、電荷転送電極の間のギャップ部に埋め込む絶縁膜の形成する際に、熱酸化によりギャップ部の間隔が広がるのを回避することができる。
本発明に係る固体撮像素子の製造方法によれば、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して導電性膜を形成する工程と、該導電性膜を、光電変換部に対向する開口部が形成されるようパターニングする工程と、全面に第1の絶縁膜を形成した後、有機塗布膜を該導電性膜に形成した該開口部が埋まるよう形成する工程と、該導電性膜をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングして、電荷転送部を構成する複数の電荷転送電極を、該複数の電荷転送電極が該電荷転送方向に所定のギャップを開けて配列されるよう形成する工程とを含むので、電荷転送電極間のギャップを形成するためのマスクパターンの位置ずれがあっても、電荷転送電極間のギャップの形成時に、光電変換部がエッチングされるのを回避することができる効果が得られる。
この結果、光電変換部と転送電極間ギャップ部とのレイアウトとして理想なレイアウトが可能となり、微細で転送劣化の無い固体撮像素子を製造することができる。
本発明に係る固体撮像素子によれば、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該半導体基板上に該ゲート絶縁膜を介して形成され、該電荷転送部を構成する複数の電荷転送電極と、該半導体基板上に形成され、該光電変換部を構成する受光領域とを備え、該電荷転送電極を構成する導電性膜は、該電荷転送電極の間のギャップ部、及び該受光領域に対応する部分に開口部を有し、該受光領域の、該開口部内に露出する部分は、熱酸化により形成した第1の絶縁膜により覆われており、該電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部には、CVDにより形成した第2の絶縁膜が充填されているので、電荷転送電極の間のギャップ部に埋め込む絶縁膜の形成する際に、熱酸化によりギャップ部の間隔が広がるのを回避することができる効果が得られる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1による固体撮像素子(CCD型イメージセンサ)を説明する図であり、図1(a)は全体構成を概念的に示し、図1(b)は、図1(a)における1つの光電変換部及びその周辺領域を拡大して具体的な構成を示している。
図1は、本発明の実施形態1による固体撮像素子(CCD型イメージセンサ)を説明する図であり、図1(a)は全体構成を概念的に示し、図1(b)は、図1(a)における1つの光電変換部及びその周辺領域を拡大して具体的な構成を示している。
また、図2は前記固体撮像素子の断面構造を示しており、図2(a)は、図1(b)のIIa−IIa線断面の構造、つまり固体撮像素子における画素アレイの垂直方向の断面構造を示し、図2(b)は、図1(b)のIIb−IIb線断面の構造、つまり固体撮像素子における画素アレイの水平方向の断面構造を示している。
この固体撮像装置110では、半導体基板2上に多数のフォトダイオードPDが受光部(光電変換部)150としてアレイ状に、図示する例では正方格子状に配列形成されている。また、各フォトダイオード列の側部にはフォトダイオード150が受光量に応じて蓄積した信号電荷を受け取り転送する垂直転送部(VCCD)130が設けられ、半導体基板2の下辺部には垂直転送部150から受け取った信号電荷を出力段に転送する水平転送部(HCCD)140が設けられ、水平転送部140の出力段には信号電荷量に応じた電圧値信号を出力するアンプ(出力部)120が設けられている。
なお、フォトダイオード150の表面上には遮光膜やカラーフィルタ層,マイクロレンズ層(図示せず)が設けられている。
図1(b)の平面図を用いて、画素アレイにおけるレイアウトについて説明する。
n型半導体基板1上に形成された低濃度のp型ウェル2には、上記複数の光電変換部150を構成する複数のフォトダイオード部(受光部拡散領域)5が形成され、拡散領域5の縦列に沿って、垂直転送部150を構成する垂直転送チャネル(チャネル拡散領域)3が形成されている。また、このチャネル拡散領域3上には、ゲート絶縁膜を介して、上記垂直転送部150を構成する電荷転送電極8が所定のギャップGを隔てて配置されている。また、チャネル拡散領域3と受光部拡散領域5との間の一部には、読み出し拡散領域6が形成され、チャネル拡散領域3と受光部拡散領域5との間の他の部分には、チャネルストップ領域4が形成されている。
また、水平方向に並ぶ各行の複数の電荷転送電極8上には、絶縁膜を介して吊り上げ配線15が形成され、該吊り上げ配線15とこれらの電荷転送電極8とはコンタクトホール15aにより接続されている。
そして、さらにこの吊り上げ配線15の上方には、上記受光部に対向する部分に遮光膜開口14aを形成した遮光膜14が絶縁膜を介して形成されている。
次に、図2(b)に示す断面構造について説明する。
上記n型半導体基板1上に低濃度のp型ウェル2が形成されている。さらに、p型ウェル2内には、チャネルストップ領域4と、フォトダイオード部5で発生した信号電荷を垂直CCD電荷転送部3に読出すための電荷読出し領域6とが形成されている。
更に、基板1上にゲート絶縁膜7を介して、ゲート電極(電荷転送電極)8が形成されている。このゲート電極8の上面および側壁とフォトダイオード部5の表面には、シリコン酸化膜からなる第1の絶縁膜9が形成され、さらに、少なくともシリコン酸化膜12とシリコン窒化膜13とを含む第2の絶縁膜が形成されている。
また、ゲート電極8上には、これらの絶縁膜を介して吊り上げ配線15が形成され、この吊り上げ配線15は、コンタクトホール15aに充填した導電性プラグにより該ゲート電極8に接続されている。
そして、さらに第1〜第3の絶縁膜9、12,13及び上記吊り上げ配線上15上には絶縁膜16を介して遮光膜14が形成されており、この遮光膜の受光部(フォトダイオード部)5に対応する部分には、遮光膜開口14aが形成されている。
ここで、遮光膜には、例えばタングステン(W)膜などが用いられている。また、受光部5の表面には、熱酸化による均一な膜厚で形成される第1の絶縁膜9が設けられているので、フォトダイオードの表面へのP+イオンの注入は、この絶縁膜9を介してばらつき少なく行われ、その結果、読み出し特性の劣化が抑制できる。
続いて、図2(a)に示す断面構造について説明する。
n型半導体基板1の上に低濃度のp型ウェル2が形成され、該p型ウエル垂直CCD転送部3としてn型不純物拡散領域が形成されている。
さらに、シリコン基板1にゲート絶縁膜7を介して、ギャップ部Gを有する転送ゲート電極8が形成され、ギャップ部Gには、ゲート絶縁膜7、第2の絶縁膜12としてのCVDによるシリコン酸化膜、第3の絶縁膜13としてのシリコン窒化膜により充填されており、ギャップ部Gの間のゲート電極材とギャップ下の基板表面とは、ゲート絶縁膜以外の酸化による侵食がない。
また受光部5の、ポリシリコン膜の開口部内に露出する部分を覆う、熱酸化により形成した第1の絶縁膜9と、該電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該ポリシリコン膜の開口部内面に形成した熱酸化膜7との間には、膜厚方向の段差があり、第1の絶縁膜9の方が、熱酸化膜7より深い位置に形成されている。
次に製造方法について説明する。
図3〜図10は、本実施形態1による固体撮像素子の製造方法を説明する図である。図3は、半導体基板内の拡散領域の形成から基板上でのポリシリコン膜の形成まで工程を説明する図である。図4は、ポリシリコン膜のパターニング工程を説明する図である。図5は、受光部及びポリシリコン膜を覆う第1の絶縁膜の形成工程を説明する図である。図6は、有機絶縁膜の形成及びギャップ部を形成するフォトレジストの形成工程を説明する図である。図7は、電荷転送電極間のギャップ部を形成する工程を説明する図である。図8は、電荷転送電極間のギャップ部を絶縁膜により埋め込む工程を説明する図である。図9は、電荷転送電極と吊り上げ配線とのコンタクトホールを形成する工程を説明する図である。図10は、電荷転送電極上に吊り上げ配線を形成する工程を説明する図である。
なお、図3(a)〜図10(a)はそれぞれ、図1(b)のIIa−IIa線断面に対応する部分の構造を示し、図3(b)〜図10(b)はそれぞれ、図1(b)のIIb−IIb線断面に対応する部分の構造を示している。
まず、図3に示すように、例えば、n型シリコンからなる半導体基板1に低濃度のp型ウェル2を形成し、該p型ウェル2内にn型不純物を導入して、フォトダイオード部5を構成するn型拡散領域及び垂直CCD電荷転送部3を構成するn型拡散領域を形成する。
続いて、選択的にp型不純物を導入して、画素分離部としてのチャネルストップ4を構成する高濃度のp型拡散領域、及び信号電荷を垂直電荷転送部3に読出すための電荷読出し領域6を構成する高濃度のp型拡散領域を形成する。
次に、半導体基板1の表面に、例えば膜厚30nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜7を形成し、さらに、例えば膜厚200nmのリンドープポリシリコン膜(ゲート電極材料膜)8を形成する(図3(a)及び(b))。
その次に、フォトダイオード部5に対向する部分にのみ開口を有するフォトレジスト(図示せず)をマスクとして、ゲート電極材料膜8及びゲート絶縁膜7を、ゲート絶縁膜7の残膜が例えば10nmになるようにドライエッチングして、受光部5に対向する部分に開口を有するゲート電極材料膜8を形成する(図4(a)及び(b))。
その次に、受光部5表面のゲート絶縁膜7をシリコン基板が露出するように、例えばフッ酸(HF)により、エッチング除去し、その後、例えば950℃の熱酸化を行って、受光部5表面およびゲート電極材料膜8の表面に第1の絶縁膜9としてのシリコン酸化膜を10nmの厚みで形成する(図5(a)及び(b))。
なお、図4に示す工程において、ゲート絶縁膜7のエッチング後残膜を10nm以下に薄くすることにより、上記フッ酸によるウエットエッチングを極力少なくすることができるので、ゲート電極8の端部下側での第1の絶縁膜7の横方向のエッチングを小さくすることができる。
また、受光部5の表面の第1の絶縁膜9は、熱酸化により均一な膜厚で形成されているので、この後にフォトダイオード部の表面領域に対するP+注入(図示せず)がばらつき少なく行われることとなり、読み出し特性の劣化を抑制することができる。
その次に、フォトダイオード部5に表面P+注入を行ってから(図示せず)、シリコン基板1およびゲート電極8全面に有機塗布膜10を基板段差が平坦化されるよう形成し、その上に、電荷転送電極のギャップ部であるスペースの幅を例えば100nmとする開口を有するフォトレジスト11を形成する(図6(a)及び(b))。
ここで、有機塗布膜10は、フォトレジスト11をパターニングに用いる光源波長に対して吸収をもつ有機反射防止膜を用いると高精度なレジストパターニングが可能となる。
その次に図7に示すように、このフォトレジスト11をマスクとして、有機塗布膜10、ゲート電極材料膜8上の第1の絶縁膜9、ゲート電極材料膜8を順次ドライエッチングして、スペース幅が例えば100nmのギャップ部Gを隔てて配列されたゲート電極8を形成し、電荷転送電極を完成する。
このように電荷転送電極間のギャップ部Gと、フォトダイオード部5上の開口とを、別々の工程に分割して形成することで、高度なOPC(光近接効果補正)技術を必要とせず、夫々の最適な光学条件にてパターニングを行うことができ、素子の微細化に対応することが可能となる。
また、ギャップ部Gとフォトダイオード5部とのオーバーラップ部においては、第1の絶縁膜としてのシリコン酸化膜9とゲート電極8の高さ相当分の有機塗布膜10とにより、エッチング処理に対して保護されるように、選択比などのエッチング条件を設定する。これにより、フォトダイオード部5に対するダメージをなくし、転送ゲート電極を精度良く形成することが可能となる(図7(a)及び(b))。
その次に、LPCVD法などでSiH4ガスとN2Oを用いて、例えば800℃の温度で膜厚が20nmのシリコン酸化膜(HTO)12を成膜し、引き続きLPCVD法などでSiH2CL2ガスとNH3ガスを用いて、例えば800℃の温度で膜厚が70nmのシリコン窒化膜13を成膜し、ギャップ部Gへの層間絶縁膜の充填と、受光部5の表面での反射防止膜形成を同時に行う(図8(a)及び(b))。
ここで、これらの絶縁膜12及び13については、ギャップ部Gが完全充填されるように適宜膜厚設定する。なお、絶縁膜12の成膜を行わずに、シリコン窒化膜13により、ギャップ部Gへの層間絶縁膜の充填と受光部5表面での反射防止膜の形成とを同時に行ってもよい。
このように電荷転送電極間のギャップ部Gの形成を、フォトダイオード表面の熱酸化工程以降に行うことにより、ギャップ部Gが熱酸化されることがなくなり、これによりギャップ部Gの幅、つまり隣接する電荷転送電極8の間のスペース幅の広がりを抑制することができる。
以上の工程によって、受光部5表面での絶縁膜の厚さの均一化とギャップ部Gの拡がりがない層間絶縁膜の理想形状とを両立させることが可能となる。
その後、上記第1〜第3の絶縁膜9、12、13にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールに導電性部材を充填してコンタクトプラグ15aを形成する(図9(a)及び(b))。
その後、各電荷転送電極に電圧を印加するための吊り上げ配線15を、該電荷転送電極8上に形成し(図10(a)及び(b))、その後、層間絶縁膜16を介して例えばCVD法などによって膜厚100nmのタングステン(W)膜などの遮光膜14を基板全面に形成し、該遮光膜14の、フォトダイオード5に対応する部分に開口14aを形成して、図2(a)及び(b)に示した断面構造を有する固体撮像素子を得る。
なお、遮光膜14とゲート電極8や基板1との間での耐圧確保を目的として、上記層間絶縁膜16を、膜厚が50nmのシリコン酸化膜としてもよい。
その後、図示しないがプラズマCVD法などでシリコンナイトライドなどのパッシベーション膜を形成しカラーフィルタ、オンチップレンズ等を形成して固体撮像素子110を得る。
このように本実施形態では、固体撮像素子110の製造方法において、シリコン基板1のウエル領域2上にゲート絶縁膜7を介して導電性膜(ポリシリコン膜)8を形成する工程と、該導電性膜8を、該光電変換部の拡散領域5に対向する開口部が形成されるようパターニングする工程と、全面に第1の絶縁膜9を形成した後、有機塗布膜10を該導電性膜に形成した該開口部が埋まるよう形成する工程と、該導電性膜8をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングして、複数の電荷転送電極8を、該複数の電荷転送電極が該電荷転送方向に所定のギャップGを開けて配列されるよう形成する工程と、該第2の絶縁膜12及び13を、該電荷転送電極間のギャップGに埋め込まれるよう形成する工程を含むので、固体撮像素子の製造方法において、固体撮像素子における電荷転送電極の間に、画素特性の劣化を招くことなく絶縁膜を形成することができる。
つまり、本実施形態1においては、光電変換部である受光部5の表面には、熱酸化膜により均一な絶縁膜を形成することで、光電変換部としてのフォトダイオード部(受光部)に対する表面P+注入がばらつき少なく行われることとなり、読み出し特性の劣化を回避できる。
また、本実施形態1においては、電荷転送電極間ギャップ部にはCVDによる埋め込み絶縁膜12及び13が形成されているので、ギャップ下の転送チャネル表面や電荷転送電極が埋め込み絶縁膜の形成時に酸化されることはなく、電荷転送電極間ギャップの拡大を抑制することができる。
さらに、本実施形態1においては、垂直転送部上の導電性膜(ポリシリコン膜)8に電荷転送電極間ギャップ部を形成する工程では、第1の絶縁膜9および有機塗布膜10により、フォトダイオード部5の、電荷転送電極間ギャップ部Gとのオーバーラップ部が保護されるので、電荷転送電極間ギャップ部を形成するためのマスクパターンの位置ずれがあっても、電荷転送電極間ギャップ部の形成時に、フォトダイオード部がエッチングされるのを回避することができる。
この結果、フォトダイオード部と微細なギャップ部とを精度良く形成することが可能となる。
本実施形態1においては、固体撮像素子110において、電荷転送電極を構成するポリシリコン膜8を、電荷転送電極の間のギャップ部G、及び受光部5に対応する部分に開口部を有する構造とし、該受光部の、該開口部内に露出する部分は、熱酸化により形成した第1の絶縁膜9により覆われており、該電荷転送電極の間のギャップ部Gに対応する該ポリシリコン膜8の開口部には、CVDにより形成した第2の絶縁膜12及び13が充填されているので、電荷転送電極の間のギャップ部に埋め込む絶縁膜の形成する際に、熱酸化によりギャップ部の間隔が広がるのを回避することができる。
なお、上記実施形態1では、特に説明しなかったが、上記実施形態1の固体撮像素子を撮像部に用いた、例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの、画像入力デバイスを有した電子情報機器について以下簡単に説明する。
(実施形態2)
図11は、本発明の実施形態2として、実施形態1の固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
(実施形態2)
図11は、本発明の実施形態2として、実施形態1の固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
図11に示す本発明の実施形態2による電子情報機器90は、本発明の上記実施形態1の固体撮像素子を、被写体の撮影を行う撮像部91に用いたものであり、このような撮像部による撮影により得られた高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部92と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示部93と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信部94と、この画像データを印刷(印字)して出力(プリントアウト)する画像出力部95とのうちの少なくともいずれかを有している。
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明は、固体撮像素子における隣接する電荷転送電極の間のギャップを形成する方法、このような固体撮像素子における電荷転送電極の間のギャップにCVD絶縁膜を埋め込んだ構造、及びこのような固体撮像素子を搭載した電子情報機器の分野において、画素特性を劣化させることなく、電荷転送電極間のギャップ部に絶縁膜を形成することができるものである。
1 n型半導体基板
2 p型ウェル
5 受光部(拡散領域)
3 垂直転送チャネル(拡散領域)
4 チャネルストップ領域
6 電荷読出し領域
8 電荷転送電極(ゲート電極)
7 熱酸化膜
9 熱酸化膜(第1の絶縁膜)
12 シリコン酸化膜(第2の絶縁膜)
13 シリコン窒化膜(第2の絶縁膜)
14 遮光膜
14a遮光膜開口
15 吊り上げ配線
15a コンタクトホール
90 電子情報機器
91 撮像部
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
110 固体撮像素子
120 アンプ(出力部)
130 垂直転送部(VCCD)
140 水平転送部(HCCD)
150 フォトダイオードPD(光電変換部)
G ギャップ部
2 p型ウェル
5 受光部(拡散領域)
3 垂直転送チャネル(拡散領域)
4 チャネルストップ領域
6 電荷読出し領域
8 電荷転送電極(ゲート電極)
7 熱酸化膜
9 熱酸化膜(第1の絶縁膜)
12 シリコン酸化膜(第2の絶縁膜)
13 シリコン窒化膜(第2の絶縁膜)
14 遮光膜
14a遮光膜開口
15 吊り上げ配線
15a コンタクトホール
90 電子情報機器
91 撮像部
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
110 固体撮像素子
120 アンプ(出力部)
130 垂直転送部(VCCD)
140 水平転送部(HCCD)
150 フォトダイオードPD(光電変換部)
G ギャップ部
Claims (10)
- 入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の光電変換部と、該光電変換部で生成された信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像素子を製造する方法であって、
半導体基板上にゲート絶縁膜を介して導電性膜を形成する工程と、
該導電性膜を、該光電変換部に対向する開口部が形成されるようパターニングする工程と、
全面に第1の絶縁膜を形成した後、有機塗布膜を該導電性膜に形成した該開口部が埋まるよう形成する工程と、
該導電性膜をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングして、該電荷転送部を構成する複数の電荷転送電極を、該複数の電荷転送電極が該電荷転送方向に所定のギャップを開けて配列されるよう形成する工程と、
該第2の絶縁膜を、該電荷転送電極間のギャップに埋め込むよう形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記第1の絶縁膜は、熱酸化膜であり、前記第2の絶縁膜は、CVDによる絶縁膜である固体撮像素子の製造方法。 - 請求項2に記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記第2の絶縁膜は、
LPCVD法でSiH4ガスとN2Oを用いて、下地の段差を反映するよう形成されたシリコン酸化膜と、
該シリコン酸化膜上に、LPCVD法でSiH2CL2ガスとNH3ガスを用いて、前記電荷転送電極間のギャップを埋め込むよう形成されたシリコン窒化膜とを含む、固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記第1の絶縁膜を形成した後に、前記光電変換部を構成するフォトダイオードの形成領域の表面に表面P+層が形成されるようイオン注入を行う工程を有する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記電荷転送部は、前記光電変換部で生成された信号電荷を受け取り、垂直方向に転送する垂直電荷転送部である、固体撮像素子の製造方法。 - 請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記導電性膜をエッチングマスクを用いて選択的にエッチングする工程では、
該エッチングマスクの位置合わせに起因した、前記光電変換部の、前記垂直電荷転送部を構成する電荷転送電極の間のギャップを形成すべき領域とのオーバーラップ部が、前記第1の絶縁膜および前記有機塗布膜によって、該導電性膜に対するエッチングから保護される固体撮像素子の製造方法。 - 入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数の光電変換部と、該光電変換部で生成された信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像素子であって、
半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
該半導体基板上に該ゲート絶縁膜を介して形成され、該電荷転送部を構成する複数の電荷転送電極と、
該半導体基板上に形成され、該光電変換部を構成する受光領域とを備え、
該電荷転送電極を構成する導電性膜は、該電荷転送電極の間のギャップ部、及び該受光領域に対応する部分に開口部を有し、
該受光領域の、該開口部内に露出する部分は、熱酸化により形成した第1の絶縁膜により覆われており、
該電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部には、CVDにより形成した第2の絶縁膜が充填されている、固体撮像素子。 - 請求項7に記載の固体撮像素子において、
前記第2の絶縁膜は、
前記電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部内面上に形成された酸化膜と、
前記電荷転送電極の間のギャップ部に対応する該導電性膜の開口部内に、該酸化膜を介して充填された窒化膜とを有する、固体撮像素子。 - 請求項8に記載の固体撮像素子において、
前記受光領域の、前記開口部内に露出する部分を覆う、熱酸化により形成した第1の絶縁膜と、該電荷転送電極の下側にゲート絶縁膜として熱酸化により形成されている絶縁膜との間には、膜厚方向の段差がある、固体撮像素子。 - 被写体の撮像を行う撮像部を備えた電子情報機器であって、
該撮像部は、請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の固体撮像素子を含む、電子情報機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010279955A JP2012129373A (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び電子情報機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010279955A JP2012129373A (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び電子情報機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012129373A true JP2012129373A (ja) | 2012-07-05 |
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ID=46646097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010279955A Withdrawn JP2012129373A (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び電子情報機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2012129373A (ja) |
-
2010
- 2010-12-15 JP JP2010279955A patent/JP2012129373A/ja not_active Withdrawn
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