JP2012510722A - 可変厚さを有する透明導電性電極を備える太陽電池モジュール、及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000796 S alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003978 infusion fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
- H01L31/1888—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO methods for etching transparent electrodes
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
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Abstract
【解決手段】 発明は直列の少なくとも二つの太陽電池(7、7’)を備える太陽電池モジュール(1)に関し、それぞれの矩形電池(7、7’)はそれぞれ第1の薄膜裏面電極(5、5’)と、前記裏面電極(5)と薄膜(4)で出来た透明導電性(TC)電極の間にある少なくとも二つの活性材料(3)を有する光起電力積層とを備え、前記TC電極(4、4’)は前記光起電力積層(3、3’)により発生した電流(10、10’)を収集及び伝達でき、前記二つの太陽電池(7、7’)は、前記第1の電池(7)の前記TC電極(4)と前記第2の電池(7’)の前記裏面電極(5’)の間にある電気接触ストリップ(6)により直列に電気接続される。発明によれば、前記電池(7)の前記TC電極(4)の局部的厚さ(e)は前記電気接触ストリップ(6)までの距離の関数として変化する。発明はまた透明導電(TC)膜を堆積及びエッチングして単一モジュール(1)用の複数の電池(7、7’、7”・・・)を同時に製造する方法に関する。
【選択図】 図1
Description
with Intrinsic Thin Layer)電池は特殊な場合となる。なぜなら、それらはバルク材料を使用するが、ドープされた層が気相前駆体から堆積され、十分には導電性でないからである。従って、この型の電池は基板の上に堆積された薄膜に基づく電池の場合のように、キャリヤの横方向搬送のためのTCO膜を必要とする。さらに、バルクシリコン電池は反射防止膜としてTCO膜を使用することもできる。
2 基板
3 光起電力材料の積層
4 TC膜
5 金属電極
6 電気接触ストリップ
7 電池
8 マスク
9 相補マスク
10 電流
11 ターゲット材料
12 容器
13 タンク
14 タンクの上縁
15 注入接続部
16 排出接続部
17 排気接続部
18 エッチング溶液
19 閉じ込められた空気
Claims (13)
- 直列の少なくとも二つの太陽電池(7、7’)を備える太陽電池モジュール(1)において、それぞれの電池(7、7’)は形状が矩形であり、それぞれ
薄膜裏面電極(5、5’)と、
前記裏面電極(5、5’)と薄膜透明導電性(TC)電極(4、4’)との間にある少なくとも二つの光起電力活性材料の積層(3、3’)とを備え、
前記TC電極(4、4’)は前記光起電力積層(3、3’)により発生した電流(10、10’)を収集及び伝達でき、
前記二つの太陽電池(7、7’)は、前記二つの電池(7、7’)に隣接するへりに沿って伸びて前記第1の電池(7)の前記TC電極(4)と前記第2の電池(7’)の前記裏面電極(5’)の間にある電気接触ストリップ(6)により直列に電気接続されている
太陽電池モジュール(1)であって、
前記電池(7)の前記薄膜透明電極(4)の局部的厚さ(e)は前記電気接触ストリップ(6)までの距離の関数として変化する
ことを特徴とする太陽電池モジュール(1)。 - 前記薄膜透明電極(4)の光電子特性は前記電気接触ストリップ(6)までの距離の関数として変化することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール(1)。
- 電池(7)の前記薄膜透明電極(4)の局部的厚さ(e)及び/又は光電子特性は前記薄膜透明電極(4)の平面内の一方向(X)に沿って前記接触ストリップ(6)から直線的に減少することを特徴とする請求項1又は2の一つに記載の太陽電池モジュール(1)。
- 電池(7)の前記薄膜透明電極(4)の局部的厚さ(e)及び/又は光電子特性は前記薄膜透明電極(4)の平面内の一方向(X)に沿って前記接触ストリップ(6)から非直線的に減少することを特徴とする請求項1又は2の一つに記載の太陽電池モジュール(1)。
- 前記TC電極(4)の材料はフッ素でドープされた酸化錫(SnO2:F)、アルミでドープされた酸化亜鉛(ZnO:Al)、又は金属酸化物合金(ITO)から選択された透明導電性酸化物であることを特徴とする請求項1ないし4の一つに記載の太陽電池モジュール(1)。
- 同じ基板(2)の上に堆積された同一太陽電池(7、7’、7”・・・)列を備え、前記活性材料の光起電力積層(3、3’、3”・・・)はドープされた又は真性のアモルファスシリコン(a−Si:H)を備えることを特徴とする請求項1ないし5の一つに記載の太陽電池モジュール(1)。
- 可変厚さの前記透明導電性薄膜(4、4’、4”・・・)は幅LのN個の鋸歯を備えるマスク(8)を介してTC材料の陰極スパッタリングにより基板の上に堆積され、それは前記スパッタリング中に鋸歯方向(X)に前記マスクと前記基板の間に相対的並進を適用しながら行われる
ことを特徴とする、幅LのN個の矩形太陽電池(7、7’、7”・・・)列を備える請求項1ないし6の一つに記載の太陽電池モジュール(1)を製造する方法。 - 可変厚さの前記透明導電性薄膜(4、4’、4”・・・)は幅LのN個のスロット列と幅LのN個の遮蔽領域を備える二つのマスク(9、9’)を介してTC材料の陰極スパッタリングにより堆積され、前記マスク(9、9’)は二つの反対方向に逐次並進運動可能である
ことを特徴とする、幅LのN個の太陽電池(7、7’、7”・・・)列を備える請求項1ないし6の一つに記載の太陽電池モジュール(1)を製造する方法。 - 可変厚さの前記透明導電性薄膜(4、4’、4”・・・)は幅LのN個の鋸歯を備えるマスク(8)を介して気体前駆体の熱分解により基板(2)の上に堆積され、それは前記熱分解中に鋸歯方向(X)に前記マスクと前記基板の間に相対的並進を適用しながら行われる
ことを特徴とする、幅LのN個の矩形太陽電池(7、7’、7”・・・)列を備える請求項1ないし6の一つに記載の太陽電池モジュール(1)を製造する方法。 - 透明導電性(TC)薄膜を均一に堆積するステップと、N個のエッチングタンク(13、13’、13”、13’”)を備える容器(12)の上縁(14)に前記均一膜を当てることにより前記TC薄膜をウェットエッチングするステップとを含み、
各タンクに対し、前記透明導電材料をエッチングできる液体(18)を満たす手段(15)および排出する手段(16)と、各タンク間にある遮液手段とを備え、
前記上縁(14)は前記タンク(13、13’、13”、13’”)内の液体の水平面に対して傾斜した平面を形成し、それにより、前記タンクを満たして徐々に排出することにより前記透明導電膜(4)を不均一にエッチングすることができる
ことを特徴とする請求項1ないし6の一つに記載の太陽電池モジュール(1)を製造する方法。 - 透明導電性薄膜を均一に堆積するステップと、前記導電性材料をエッチングできる液体(18)を満たして(15)排出する(16)共通の手段と、各タンクから空気を放出する手段(17)とを備えるN個のエッチングタンク(13、13’、13”、13’”)を備える容器(12’)の上縁(14)に前記均一膜を当てることにより前記薄膜をウェットエッチングするステップとを含み、
前記上縁(14)は前記タンク(13、13’、13”、13’”)内の前記液体(18)の水平面に対して傾斜した平面を形成し、それにより、前記タンクから空気を徐々に放出する(17)ことにより前記透明導電膜(4)を不均一にエッチングすることができる
ことを特徴とする請求項1ないし6の一つに記載の太陽電池モジュール(1)を製造する方法。 - 透明導電性薄膜を堆積するステップと、前記導電性薄膜を、前記透明導電性薄膜により吸収される少なくとも一つの波長を含むレーザビームのような強力光ビームにさらすステップとを含む
ことを特徴とする請求項1ないし6の一つに記載の太陽電池モジュール(1)を製造する方法。 - 前記透明導電性薄膜に隣接するさらなる層を堆積するステップと、前記隣接層を、前記隣接層により吸収される少なくとも一つの波長を含むレーザビームのような強力光ビームにさらして前記隣接層により吸収されたエネルギーを前記透明導電性薄膜(4)に伝達するステップとを含む
ことを特徴とする請求項1ないし6の一つに記載の太陽電池モジュール(1)を製造する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0858237A FR2939239B1 (fr) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | Module photovoltaique comprenant une electrode transparente conductrice d'epaisseur variable et procedes de fabrication d'un tel module |
FR0858237 | 2008-12-03 | ||
PCT/FR2009/052400 WO2010063970A2 (fr) | 2008-12-03 | 2009-12-03 | Module photovoltaique comprenant une electrode transparente conductrice d'epaisseur variable et procedes de fabrication d'un tel module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012510722A true JP2012510722A (ja) | 2012-05-10 |
JP5624553B2 JP5624553B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=40833542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011539080A Active JP5624553B2 (ja) | 2008-12-03 | 2009-12-03 | 可変厚さを有する透明導電性電極を備える太陽電池モジュール、及びその製造方法 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10002978B2 (ja) |
EP (1) | EP2353184B1 (ja) |
JP (1) | JP5624553B2 (ja) |
KR (1) | KR101690114B1 (ja) |
CN (1) | CN102301486B (ja) |
AU (1) | AU2009323922B2 (ja) |
BR (1) | BRPI0922748B8 (ja) |
CA (1) | CA2745500C (ja) |
ES (1) | ES2667800T3 (ja) |
FR (1) | FR2939239B1 (ja) |
RU (1) | RU2519594C2 (ja) |
WO (1) | WO2010063970A2 (ja) |
ZA (1) | ZA201104124B (ja) |
Cited By (1)
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RU2011127171A (ru) | 2013-01-10 |
CA2745500A1 (fr) | 2010-06-10 |
CN102301486B (zh) | 2014-01-15 |
CN102301486A (zh) | 2011-12-28 |
EP2353184B1 (fr) | 2018-02-07 |
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FR2939239A1 (fr) | 2010-06-04 |
WO2010063970A3 (fr) | 2010-12-02 |
ES2667800T3 (es) | 2018-05-14 |
KR20110099009A (ko) | 2011-09-05 |
AU2009323922A1 (en) | 2011-06-30 |
JP5624553B2 (ja) | 2014-11-12 |
BRPI0922748B1 (pt) | 2019-07-02 |
EP2353184A2 (fr) | 2011-08-10 |
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A977 | Report on retrieval |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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