KR20100094988A - 광을 수집할 수 있는 요소의 개선 - Google Patents
광을 수집할 수 있는 요소의 개선 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100094988A KR20100094988A KR1020107012385A KR20107012385A KR20100094988A KR 20100094988 A KR20100094988 A KR 20100094988A KR 1020107012385 A KR1020107012385 A KR 1020107012385A KR 20107012385 A KR20107012385 A KR 20107012385A KR 20100094988 A KR20100094988 A KR 20100094988A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- layers
- layer
- barrier layer
- Prior art date
Links
- 230000006872 improvement Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 107
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 23
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 22
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical class O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 16
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 9
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 8
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical class [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical class [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003385 sodium Chemical class 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- DOICFEXUJKISKP-UHFFFAOYSA-L triphenylstannyl n-[2-(triphenylstannylsulfanylcarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Sn](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)SC(=S)NCCNC(=S)S[Sn](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DOICFEXUJKISKP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
유리 기능을 가지는 기판은, 흡수성 물질에 기초한 층과 결합하기 위해 의도된 주면을 포함하며, 상기 주면의 적어도 하나의 표면 부분 위에 자외선 내지 근 적외선에 이르는 파장 범위에서 반사하는 적어도 하나의 전극을 포함하며, 상기 전극은 층들 사이에 인터페이스 영역을 한정하는 n개(여기서 n≥2)의 층들의 스택으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 광을 수집할 수 있는 요소 또는 보다 일반적으로 반도체 물질에 기초한 태양 전지와 같은 임의의 전자 디바이스에 이루어진 개선에 관한 것이다.
박막 광전 태양 전지 유형의 광을 수집할 수 있는 요소는 흡수성 물질 층과, 전기 전도성 물질에 기초하며 광이 입사하는 측에 배치된 적어도 하나의 전극과, 전도성 물질에 기초한 후면 전극을 포함하며, 이 후면 전극은 상대적으로 두껍고 불투명할 수 있다는 것이 알려져 있다. 이 요소는 본질적으로 가능한 한 낮은 전기적 표면 저항과, 흡수성 물질 층에 대한 그리고 적절한 경우에는 기판에 대한 우수한 점착성을 특징으로 하여야 한다.
흡수성 물질로 작용할 수 있는 황동광 3차 화합물은 일반적으로 구리, 인듐 및 셀레늄을 포함한다. 이러한 흡수성 물질의 층은 이후 CISe2 층이라고 언급된다. 흡수성 물질 층은 또한 갈륨(예를 들어, Cu(In,Ga)Se2 또는 CuGaSe2), 알루미늄(예를 들어, Cu(In,Al)Se2), 또는 황(예를 들어, CuIn(Se,S))을 포함할 수도 있다. 이들 층은 일반적으로 이후 "황동광 흡수성 물질 층"이라고 언급된다.
이 황동광 흡수성 물질 시스템의 문맥에서, 제조되는 후면 전극은 통상 예를 들어 몰리브덴과 같은 전도성 물질에 기초한다.
이제, 이러한 시스템에서의 고성능은 오직 이 흡수성 물질 층과 그 화학적 조성물의 결정 성장을 엄격히 제어하는 것에 의해서만 달성될 수 있다.
나아가, 이 성능에 기여하는 모든 요인들 중에서, 몰리브덴(Mo) 층 위에 나트륨(Na)이 존재하는 것이 황동광 흡수성 물질의 결정화를 촉진시키는 키 파라미터(key parameter)라는 것이 알려져 있다. 이 나트륨(Na)이 제어된 양으로 존재하면 흡수성 물질에서의 결함 밀도가 줄어들고 그 전도성이 증가되게 된다.
일반적으로 소다 라임 실리카 유리에 기초한 알칼리 금속을 포함하는 유리 기능을 가지는 기판은 자연히 나트륨 저장 기능을 구비한다. 일반적으로 고온에서 수행되는 흡수성 물질의 층들을 제조하는 공정 하에서는, 알칼리 금속이 기판으로 침투하고 몰리브덴에 기초한 후면 전극을 거쳐 특히 황동광 유형의 흡수성 물질의 층 안으로 들어간다. 몰리브덴 층은 기판으로부터 나온 나트륨이 열적 어닐링 동작시에 상부 활성층 안으로 자유로이 확산해 들어가게 한다. 이 몰리브덴(Mo) 층은 모든 것에도 불구하고 Mo/CIGSe2 경계면으로 들어가는 나트륨의 양을 단지 부분적으로만 제어하고 매우 정확히 제어하지 못하는 단점을 가지고 있다.
하나의 변형 실시예에 따르면 흡수성 물질의 층은, 실리콘 질화물, 산화물 또는 옥시질화물에 기초하거나 또는 알루미늄 산화물이나 옥시질화물에 기초하거나 또는 티타늄이나 지르코늄 질화물에 기초한 장벽 층에 의하여 기판과 분리된 몰리브덴에 기초한 층 위에 고온에서 증착된다. 이 장벽 층은 기판 내로 확산이 일어나는 나트륨이 몰리브덴(Mo) 위에 증착된 상부 활성 층 안으로 확산되는 것을 방지한다.
제조 공정에 추가적인 단계를 추가한다 하더라도, 이 후자의 해법은 외부 소스(예를 들어, NaF, Na2O2 또는 Na2Se)를 사용하는 것에 의해 몰리브덴(Mo) 층에 증착된 나트륨(Na)의 양을 매우 정확히 계량할 수 있는 가능성을 제공한다.
박막 형태의 다른 흡수성 물질의 군이 광을 수집할 수 있는 요소에 사용될 수 있다. 특히, 비정질 또는 마이크로 결정질 또는 심지어 결정질일 수 있는 실리콘에 기초한 물질이나 또는 카드뮴 텔루르 화합물(CdTe)에 기초한 물질이 알려져 있다.
50㎛ 내지 250㎛의 두께를 갖는 후막 형태의 단일 결정이나 다결정 실리콘 웨이퍼에 기초한 흡수성 물질의 다른 군이 또한 있다.
흡수성 물질의 군이 무엇이든지 간에, 태양 스펙트럼의 최대 부분, 즉 자외선 내지 가시 광선의 파장 범위를 거쳐 근 적외선을 커버하는 광 에너지의 양이 전기 에너지로 변환되기 위하여 흡수성 물질에 의해 흡수될 때 에너지 변환 효율이 더 높다는 것이 항상 발견되었다. 이 관찰로부터 시작하여, 광전지 제조사는 흡수되지 않은 가장 작은 복사선이라도 흡수성 물질로 반사하는 것을 포함하여 전지 내에서 광 복사선을 최대한 포획하고자 시도한다.
에너지 변환을 최적화하기 위한 이런 조사에서 본 발명자는 놀랍게도 그리고 기대치 않게도 흡수성 물질의 층과 접촉하는 전극의 구조물이 주요한 역할을 한다는 것을 발견하였다.
그러므로, 본 발명의 목적은 흡수성 물질에 입사하는 복사선을 최대화하는 개선된 전극을 제안하는 것에 의해 이들 종래의 단점을 해소하는 것이다.
이를 위해, 유리 기능을 가지는 기판은, 흡수성 물질에 기초한 층과 결합되기 위해 의도된 주면(main face)을 포함하고, 상기 주면의 적어도 하나의 표면 부분 위에 자외선 내지 근 적외선에 이르는 파장 범위에서 반사하는 적어도 하나의 전기 전도성 전극을 포함하며, 상기 전극은 층들 사이에 인터페이스(interface : 경계면) 영역을 한정하는 n개(n≥2)의 층들의 스택으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
전극을 형성하는 층들 사이에 인터페이스 영역들이 존재하는 것으로 인해, 굴절률이 각 인터페이스에서 크게 점프(jump : 급증)하고, 이는 흡수성 물질에 입사하는 복사선의 반사율을 개선시킨다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 다음의 배열들 중 하나의 배열 및/또는 다른 배열들이 선택적으로 더 사용될 수 있다:
- 상기 전극은, 은, 몰리브덴, 구리, 알루미늄, 니켈, 크롬, 니켈-크롬 및 탄탈륨으로부터 선택된 전도성 물질에 기초하거나 또는 몰리브덴, 티타늄, 니오븀, 지르코늄 및 탄탈륨으로부터 선택된 전도성 물질의 질화물에 기초한다;
- 상기 전극은 기껏해야 500㎚, 특별히 기껏해야 400㎚ 또는 기껏해야 300㎚ 또는 기껏해야 200㎚의 두께를 가지는 몰리브덴에 기초한다;
- 상기 전극은 1 내지 16개의 층들, 바람직하게는 4 내지 12개의 층들 및 보다 바람직하게는 8개에 가까운 층들을 포함한다;
- 상기 전극을 형성하는 층들 각각은 동일한 물질을 포함한다;
- 상기 전극을 형성하는 층들 각각은 거의 동일한 두께를 가지고 있다;
- 상기 전극을 형성하는 층들은 서로 다른 물질로 형성된다;
- 상기 기판은 상기 주면의 적어도 하나의 표면 부분 위에 적어도 하나의 알칼리 장벽 층을 포함하며, 상기 전극은 상기 장벽 층 위에 증착된다;
- 상기 장벽 층은 유전체 물질에 기초한다;
- 상기 유전체 물질은 실리콘 질화물, 산화물 또는 옥시질화물에 기초하거나 또는 알루미늄 질화물, 산화물 또는 옥시질화물에 기초하거나 또는 티타늄이나 지르코늄 질화물에 기초하며, 이들 물질은 단독으로 또는 혼합하여 사용된다;
- 상기 장벽 층의 두께는 3 내지 200㎚, 바람직하게는 20 내지 150㎚이고, 실질적으로는 130㎚에 가깝다.
- 상기 장벽 층은 실리콘 질화물에 기초한다;
- 상기 실리콘 질화물에 기초한 층은 부화학양론적(substoichiometric)이다;
- 상기 실리콘 질화물에 기초한 층은 초화학양론적(superstoichiometric)이다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 본 발명은 또한 전술된 기판을 적어도 하나 사용하여 광을 수집할 수 있는 요소에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 다음의 배열들 중 하나 이상의 배열이 선택적으로 더 사용될 수 있다:
- 광을 수집할 수 있는 요소는, 지지 기능을 가지는 제 1 기판과, 유리 기능을 가지는 제 2 기판을 포함하고, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에는 전극들을 형성하는 2개의 전도성 층들 사이에 광 에너지를 전기 에너지로 변환하게 하는 흡수성 물질에 기초한 적어도 하나의 기능 층이 배치되며, 상기 전극들 중 적어도 하나는 자외선 내지 근 적외선에 이르는 파장 범위에서 반사하며, 상기 전극은 층들 사이에 인터페이스 영역을 한정하는 n개(n≥2)의 층들의 스택으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징, 상세사항 및 잇점은 첨부된 도면을 참조하여 완전히 비제한적인 예시로서 주어진 이하 상세한 설명으로부터 보다 명확히 드러날 것이다.
본 발명은, 전극을 형성하는 층들 사이에 인터페이스 영역들이 존재하는 것으로 인해, 굴절률이 각 인터페이스에서 크게 점프하고, 이는 흡수성 물질에 입사하는 복사선의 반사율을 개선시키는 등의 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 광을 수집할 수 있는 요소의 개략도.
도 2는 일정한 층 두께에 대해 전극을 구성하는 층들의 수의 함수로서 반사율의 변화를 도시하는 그래프.
도 3은 일정한 개수의 층들에서 전극을 구성하는 층들의 수의 함수로서 반사율의 변화를 도시하는 그래프.
도 2는 일정한 층 두께에 대해 전극을 구성하는 층들의 수의 함수로서 반사율의 변화를 도시하는 그래프.
도 3은 일정한 개수의 층들에서 전극을 구성하는 층들의 수의 함수로서 반사율의 변화를 도시하는 그래프.
도 1은 광을 수집할 수 있는 요소(태양 전지 또는 광전지)를 도시한다.
유리 기능을 가지는 투명 기판(1)은 예를 들어 소다 라임 실리카 유리와 같은 알칼리 금속을 포함하는 유리로 완전히 제조될 수 있다. 이 기판(1)은 또한 폴리우레탄이나 폴리카보네이트나 폴리메틸메타크릴레이트와 같은 열가소성 중합체로 제조될 수 있다.
본질적으로 유리 기능을 가지는 물질의 전부(즉, 적어도 98중량%)나 또는 심지어 기판의 전부는 가장 높은 가능한 투명도를 가지고 또 바람직하게는 본 응용(태양 모듈)에 사용되는 스펙트럼, 일반적으로 자외선(약 280㎚) 내지 근 적외선(실질적으로 근 1200㎚)에 이르는 스펙트럼의 부분에서 0.01㎜-1보다 더 작은 선형 흡수율을 가지는 하나 이상의 물질로 제조된다.
본 발명에 따른 기판(1)은 여러 황동광 기술(CIS,CIGS, CIGSe2 등)에 기초한 광전지에 대해 보호 판으로 사용되거나 또는 전체 기능성 다층 스택을 수용하기 위해 의도된 지지 기판(1')으로 사용될 때 0.5 내지 10㎜에 이르는 총 두께를 가질 수 있다. 이 기판(1)이 보호 판으로 사용될 때에는 이 판이 유리로 만들어진 경우 이 판이 {예를 들어 강인화 유형(toughening type)의} 열 처리를 거치는 것이 유리할 수 있다.
종래에 광선을 향하는 기판의 전면은 면 A(이 면이 외부면이다)로 정의되고, 태양 모듈의 나머지 층들을 향하는 기판의 후면은 B 면(이 면은 내부면이다)으로 정의된다.
기판(1')의 B 면은 전극 역할을 하는 전도성 제 1 층(2)으로 코팅된다. 황동광 흡수성 물질에 기초한 기능성 층(3)이 이 전극(2) 위에 증착된다. 기능성 층(3)이 예를 들어 CIS, CIGS 또는 CIGSe2에 기초하는 경우, 기능성 층(3)과 전극(2) 사이에 인터페이스는 몰리브덴에 기초하는 것이 바람직하다. 이들 요건을 만족하는 전도성 층은 유럽 특허 출원 EP 1 356 528호에 기재되어 있다.
본 발명의 하나의 유리한 특징에 따르면, 몰리브덴 전극은 사실 n개(여기서 n≥2)의 층들의 스택으로 이루어지며, 각 층은 동일한 물질이나 서로 다른 물질로 구성된다.
도 2의 그래프에서 볼 수 있는 바와 같이, 도 2는 몰리브덴에 기초한 전극을 구성하는 층들의 수의 함수로서 전체 스펙트럼에 대한 반사율의 변화를 도시한다. 동일한 몰리브덴 두께에서 스택에 층들의 수가 많으면 많을수록 반사율이 더 높다는 것이 발견되었다.
또한 반사율(원하는 효과)의 증가는 전극을 구성하는 층들의 수에 비례하지만 이것은 또한 저항(원치 않는 효과)의 증가를 초래한다는 것이 발견되었다.
이것은 또한 하부층의 두께의 함수로서 전체 스펙트럼에 대한 반사율의 변화를 도시하는 도 3에 기초하여 볼 때 저항의 악영향에 대해 반사율을 최대화하기 위하여 전극이 우선적으로 작은 하부층 두께를 가지게 하는 것이 바람직하다는 것을 볼 수 있다.
도 2와 도 3의 두 개의 그래프를 결합하는 것에 의해, (400㎚의 총 몰리브덴 층 두께에 대해) n이 8인 다층 스택에서 절충점이 발견될 수 있다는 것을 볼 수 있다.
몰리브덴에 기초한 전극은 더 작은 개수의 층들을 가지는 종래의 전극에 비해 더 많은 반사율을 가지기 때문에, 여분의 반사된 광자는 전지의 효율성을 증가시키는 역할을 한다. 또한 이와 유사한 효율성을 여전히 유지하면서도 흡수성 층의 두께를 감소시키는 것이 가능하게 된다.
황동광 흡수성 물질의 층(3)이 카드뮴 황화물(CdS)의 박층(4)으로 코팅되며, 이는 황동광 층(3)으로 p-n 접합을 생성하는 것을 가능하게 한다. 구체적으로, 황동광 물질은 일반적으로 p-도핑되고, CdS 층(4)은 n-도핑되며, 이에 의해 전기 전류를 수립하는데 필요한 p-n 접합을 생성할 수 있다.
이러한 CdS 박층(4) 그 자체는 진성(intrinsic) 아연 산화물(i:ZnO)이라고 불리우는 것으로부터 일반적으로 형성된 타이(tie) 층(5)으로 코팅된다.
제 2 전극을 형성하기 위하여, i:ZnO 층(5)은 TCO(투명한 전도성 산화물)로 만들어진 층(6)으로 코팅된다. 이것은 다음 물질, 즉 도핑된 주석 산화물, 특별히 불소나 안티몬으로 도핑된 주석 산화물(CVD에 의해 증착되는 경우에 사용될 수 있는 선구물질은 하이드로플루오릭 산이나 트리플루오로아세틱 산 유형의 불소 선구물질과 연관된 주석 유기금속이나 할로겐화물일 수 있다); 도핑된 아연 산화물, 특별히 알루미늄이나 붕소로 도핑된 아연 산화물(CVD에 의해 증착되는 경우에 사용될 수 있는 선구물질은 아연과 알루미늄 유기 금속이나 할로겐화물일 수 있다); 또는 도핑된 인듐 산화물, 특별히 주석으로 도핑된 인듐 산화물(CVD에 의해 증착되는 경우에 사용될 수 있는 선구물질은 주석과 인듐 유기 금속이나 할로겐화물일 수 있다)로부터 선택될 수 있다. 이 전도성 층은 태양 모듈의 효율을 불필요하게 감소시키지 않기 위하여 가능한 한 투명하여야 하며 기능성 층을 구성하는 물질의 흡수 스펙트럼에 대응하는 모든 파장에 대해 높은 광 투과율을 가져야 한다.
기능성 층(3)과, 예를 들어 CdS로 이루어진 n-도핑된 전도성 층 사이에 유전체 ZnO(i:ZnO)의 상대적으로 박층(예를 들어, 100㎚)(5)은 기능성 층을 증착하기 위한 공정의 안정성에 긍정적인 영향을 가지는 것으로 발견되었다.
전도성 층(6)은 기껏해야 30 ohm/□, 특별히 기껏해야 20 ohm/□, 바람직하게는 기껏해야 10 또는 15 ohm/□의 스퀘어당 저항을 가지고 있다. 일반적으로 이 스퀘어당 저항은 5 내지 12 ohm/□이다.
박막 다층 스택(7)은 예를 들어 PU, PVB 또는 EVA로 만들어진 적층된 중간층(8)을 통해 2개의 기판(1,1') 사이에 끼워진다. 기판(1')은 태양 전지나 광전지에 따르기 위해 소다 라임 실리카 유리 또는 낮은 나트륨 함량을 갖는 유리와 같은 알칼리 금속에 기초한 유리로 만들어진 후 가스킷이나 밀봉 수지에 의하여 주변이 밀봉된다는 사실에 의해 기판(1)과는 구별된다. 이 수지의 조성물과 그 구현 수단의 일례는 출원 EP 739 042에 기재되어 있다.
본 발명의 하나의 특징에 따르면, 전극(2), 특별히 몰리브덴에 기초한 전극을 증착하기 전에, 알칼리 장벽 층(9)이 기판(1')의 면의 전부나 일부 위에 증착된다. 이 알칼리 장벽 층(9)은 유전체 물질에 기초하며, 이 유전체 물질은 실리콘 질화물, 산화물 또는 옥시질화물에 기초하거나 또는 알루미늄 질화물, 산화물 또는 옥시질화물에 기초하거나 또는 티타늄이나 지르코늄 질화물에 기초하며, 이들 물질은 단독으로 또는 혼합하여 사용된다. 이 장벽 층의 두께는 3 내지 200㎚이며, 바람직하게는 20 내지 150㎚이며, 실질적으로 130㎚에 가깝다.
이 경우에, 유리의 나트륨(Na) 함량은 장벽이 존재하는 것으로 인해 매우 낮은 영향만을 받는다. 바람직하게는 소다 라임 유형의 유리가 경제적인 이유로 사용될 수 있으나, 낮은 Na 함량을 갖는 유리나 붕규산(borosilicate) 유형 중 하나가 사용될 수도 있다.
예를 들어 실리콘 질화물에 기초한 이러한 알칼리 장벽 층은 반드시 화학양론(stoichiometric)을 만족시킬 필요는 없다. 이 장벽 층은 자연히 부화학양론(substoichiometric)이거나 심지어 그리고 바람직하게는 초화학양론적(superstoichiometric)일 수도 있다. 예를 들어, 이 장벽 층은 SixNy로 이루어지며, 또 SixNy에서 Si가 풍부할 때 알칼리 장벽 효과가 모두 보다 더 효율적이라는 것이 밝혀졌기 때문에 여기서 x/y 비는 적어도 0.76, 바람직하게는 0.80 내지 0,90이다.
예를 들어, 화학양론은 금속 타겟의 반응 마그네트론 스퍼터링에 의하여 층들을 증착하는 동안 스퍼터링 챔버 내 질소의 압력을 변경시켜 조절될 수 있다.
장벽 층(9)은 몰리브덴에 기초한 다층 스택을 증착하기 전에 "다운(down) 스퍼터링"이나 "업(up) 스퍼터링" 유형의 마그네트론 스퍼터링에 의하여 증착된다. 이 생산 공정의 하나의 예는 예를 들어 특허 EP 1 179 516에 주어져 있다. 이 장벽 층은 또한 PE-CVD와 같은 CVD 공정에 의해서도 증착될 수 있다.
모든 가능한 조합들 중에서, 가장 간단한 해법은 모든 층들이 동일한 코팅기(즉, 마그네트론 스퍼터링 장치)에서 증착되는 단일 단계 공정이다.
전술된 태양 모듈은 전기 분배 네트워크에 전기 전압을 동작시키고 전달할 수 있도록 하기 위해 한편으로는 전기 연결 디바이스를 구비하고 다른 한편으로는 광 복사선에 대해 배향이 정해지는 것을 보장하기 위해 지지 및 고정 수단을 구비하여야 한다.
1, 1' : 기판 2 : 전극층
3 : 기능성 층 4 : CdS 층
5 : i:ZnO 층 6 : 전도성 층
7 : 박막 다층 스택 8 : 적층된 중간층
3 : 기능성 층 4 : CdS 층
5 : i:ZnO 층 6 : 전도성 층
7 : 박막 다층 스택 8 : 적층된 중간층
Claims (16)
- 흡수성 물질에 기초한 층(3)과 결합하기 위해 의도된 주면(main face)을 구비하는 유리 기능을 가지는 기판(1, 1')으로서,
상기 주면의 적어도 하나의 표면 부분에는 자외선 내지 근 적외선에 이르는 파장 범위에서 반사하는 적어도 하나의 전기 전도성 전극(2)을 포함하며, 상기 전극(2)은 층들 사이에 인터페이스 영역을 한정하는 n개(여기서 n ≥ 2)의 층들의 스택으로 형성되고, 상기 전극(2)은 2 내지 16개의 층, 바람직하게는 4 내지 12개의 층 그리고 보다 바람직하게는 8개에 가까운 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판. - 제 1 항에 있어서, 상기 전극(2)은, 은, 몰리브덴, 구리, 알루미늄, 니켈, 크롬, 니켈-크롬 및 탄탈륨으로부터 선택된 전도성 물질에 기초하거나 또는 몰리브덴, 티타늄, 니오븀, 지르코늄 및 탄탈륨으로부터 선택된 전도성 물질의 질화물에 기초하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전극(2)은 기껏해야 500㎚, 특별히 기껏해야 400㎚ 또는 기껏해야 300㎚ 또는 기껏해야 200㎚의 두께의 몰리브덴에 기초하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극(2)을 형성하는 층들 각각은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극(2)을 형성하는 층들 각각은 거의 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극(2)을 형성하는 층들은 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주면의 적어도 하나의 표면 부분 위에 적어도 하나의 알칼리 장벽 층을 포함하고, 상기 전극(2)은 상기 장벽 층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서, 상기 장벽 층은 유전체 물질에 기초하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 8 항에 있어서, 상기 유전체 물질은, 실리콘 질화물, 산화물 또는 옥시질화물에 기초하거나 또는 알루미늄 질화물, 산화물 또는 옥시질화물에 기초하거나 또는 티타늄 또는 지르코늄 질화물에 기초하며, 이들 물질은 단독으로 또는 혼합물로 사용되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항 내지 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽 층의 두께는 3 내지 200㎚ 이며, 바람직하게는 20 내지 150㎚이고, 실질적으로 130㎚에 가까운 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽 층은 실리콘 질화물에 기초한 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 질화물에 기초한 층은 부화학양론적(substoichiometric)인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 질화물에 기초한 층은 초화학양론적(superstoichiometric)인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 기판(1, 1')을 적어도 하나 사용하는 광을 수집할 수 있는 요소.
- 광을 수집할 수 있는 요소로서, 지지 기능을 가지는 제 1 기판(1')과, 유리 기능을 가지는 제 2 기판(1)을 포함하고, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에는 전극들을 형성하는 2개의 전도성 층들(2, 6) 사이에 광 에너지를 전기 에너지로 변환하게 하는 흡수성 물질에 기초한 적어도 하나의 기능 층(3)이 배치되는, 광을 수집할 수 있는 요소로서,
상기 전극들(2,6) 중 적어도 하나는 자외선 내지 근 적외선에 이르는 파장 범위에서 반사하며, 상기 전극은 층들 사이에 인터페이스 영역을 한정하는 n개(여기서 n≥2)의 층들의 스택으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광을 수집할 수 있는 요소. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 기판을 제조하는 방법으로서, 장벽 층과 상기 전기 전도성 층(2)이 마그네트론 스퍼터링 공정을 사용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 기판을 제조하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0759632A FR2924863B1 (fr) | 2007-12-07 | 2007-12-07 | Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere. |
| FR0759632 | 2007-12-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100094988A true KR20100094988A (ko) | 2010-08-27 |
| KR101560640B1 KR101560640B1 (ko) | 2015-10-16 |
Family
ID=39560924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107012385A KR101560640B1 (ko) | 2007-12-07 | 2008-12-02 | 광을 수집할 수 있는 요소의 개선 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100300512A1 (ko) |
| EP (1) | EP2227829B2 (ko) |
| JP (2) | JP2011507224A (ko) |
| KR (1) | KR101560640B1 (ko) |
| CN (1) | CN101889350B (ko) |
| AT (1) | ATE522933T1 (ko) |
| ES (1) | ES2372131T3 (ko) |
| FR (1) | FR2924863B1 (ko) |
| PL (1) | PL2227829T3 (ko) |
| PT (1) | PT2227829E (ko) |
| WO (1) | WO2009080931A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012102533A3 (ko) * | 2011-01-24 | 2012-11-29 | 엘지이노텍주식회사 | 태양전지 및 그의 제조방법 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009028393A1 (de) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | Robert Bosch Gmbh | Solarzelle |
| FR2949494B1 (fr) * | 2009-08-25 | 2015-02-13 | Avancis Gmbh & Co Kg | Dispositif de fixation et procede de montage de modules solaires |
| WO2011057189A1 (en) * | 2009-11-08 | 2011-05-12 | First Solar, Inc. | Back contact deposition using water-doped gas mixtures |
| US20110247687A1 (en) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | Minglong Zhang | Thin film solar cell and method for making the same |
| FR2969389A1 (fr) | 2010-12-21 | 2012-06-22 | Saint Gobain | Substrat conducteur a base de molybdène |
| KR101219948B1 (ko) * | 2011-01-27 | 2013-01-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 제조방법 |
| WO2012103390A2 (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | Vitriflex, Inc. | An inorganic multilayer stack and methods and compositions relating thereto |
| FR2977078B1 (fr) * | 2011-06-27 | 2013-06-28 | Saint Gobain | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique |
| CN103022157A (zh) * | 2011-09-20 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 一种具有透明薄膜太阳能电池的除尘装置 |
| CN103022158A (zh) * | 2011-09-28 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 一种具有薄膜太阳能电池的伸缩门 |
| FR2982422B1 (fr) | 2011-11-09 | 2013-11-15 | Saint Gobain | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique |
| US8809674B2 (en) | 2012-04-25 | 2014-08-19 | Guardian Industries Corp. | Back electrode configuration for electroplated CIGS photovoltaic devices and methods of making same |
| US9935211B2 (en) | 2012-04-25 | 2018-04-03 | Guardian Glass, LLC | Back contact structure for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells |
| US9419151B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-08-16 | Guardian Industries Corp. | High-reflectivity back contact for photovoltaic devices such as copper—indium-diselenide solar cells |
| US9246025B2 (en) * | 2012-04-25 | 2016-01-26 | Guardian Industries Corp. | Back contact for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells |
| US9159850B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-10-13 | Guardian Industries Corp. | Back contact having selenium blocking layer for photovoltaic devices such as copper—indium-diselenide solar cells |
| US10546964B2 (en) * | 2012-11-15 | 2020-01-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Molybdenum selenide sublayers with controlled thickness in solar cells and methods for forming the same |
| EP2800145B1 (en) | 2013-05-03 | 2018-11-21 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| EP2800144A1 (en) | 2013-05-03 | 2014-11-05 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| EP2800146A1 (en) | 2013-05-03 | 2014-11-05 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| EP2871681A1 (en) | 2013-11-07 | 2015-05-13 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| FR3013507B1 (fr) * | 2013-11-15 | 2015-11-20 | Saint Gobain | Substrat de contact arriere pour cellule photovoltaique |
| US9739913B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof |
| KR101997661B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2019-07-08 | 주식회사 엘지화학 | 전도성 구조체, 이를 포함하는 전극 및 디스플레이 장치 |
| DE202015106923U1 (de) | 2015-12-18 | 2016-01-22 | Saint-Gobain Glass France | Elektronisch leitfähiges Substrat für Photovoltaikzellen |
| JP7076971B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-05-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその製造方法ならびに機器 |
| CN111933649B (zh) * | 2020-07-22 | 2024-01-30 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种光电探测器及其制作方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4915745A (en) * | 1988-09-22 | 1990-04-10 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell and method of making |
| DE4442824C1 (de) † | 1994-12-01 | 1996-01-25 | Siemens Ag | Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht |
| JP2984595B2 (ja) * | 1996-03-01 | 1999-11-29 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子 |
| US5981934A (en) * | 1996-09-12 | 1999-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element having a transparent conductive layer with specified fractal dimension and fractal property |
| JP3527815B2 (ja) * | 1996-11-08 | 2004-05-17 | 昭和シェル石油株式会社 | 薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法 |
| US6951689B1 (en) * | 1998-01-21 | 2005-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate with transparent conductive layer, and photovoltaic element |
| JP2001147424A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Hitachi Ltd | 導電性薄膜形成用の絶縁基板およびこの絶縁基板を用いた液晶表示素子 |
| FR2820241B1 (fr) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| JP2003008039A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Sharp Corp | 化合物太陽電池の製造方法 |
| FR2832706B1 (fr) * | 2001-11-28 | 2004-07-23 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| US6626688B1 (en) * | 2002-08-22 | 2003-09-30 | International Business Machines Corporation | Mechanism for seating and unseating a module having an electrical connector |
| AU2003275239A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-23 | Miasole | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
| JP4055064B2 (ja) † | 2002-10-16 | 2008-03-05 | 本田技研工業株式会社 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP2006165386A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池及びその作製方法 |
| US8389852B2 (en) * | 2006-02-22 | 2013-03-05 | Guardian Industries Corp. | Electrode structure for use in electronic device and method of making same |
| US7846750B2 (en) * | 2007-06-12 | 2010-12-07 | Guardian Industries Corp. | Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS solar cell |
| US8071872B2 (en) * | 2007-06-15 | 2011-12-06 | Translucent Inc. | Thin film semi-conductor-on-glass solar cell devices |
| US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
-
2007
- 2007-12-07 FR FR0759632A patent/FR2924863B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-12-02 WO PCT/FR2008/052187 patent/WO2009080931A1/fr active Application Filing
- 2008-12-02 EP EP08864573.4A patent/EP2227829B2/fr not_active Not-in-force
- 2008-12-02 KR KR1020107012385A patent/KR101560640B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-02 JP JP2010536514A patent/JP2011507224A/ja not_active Withdrawn
- 2008-12-02 AT AT08864573T patent/ATE522933T1/de active
- 2008-12-02 CN CN2008801197005A patent/CN101889350B/zh active Active
- 2008-12-02 PT PT08864573T patent/PT2227829E/pt unknown
- 2008-12-02 US US12/746,677 patent/US20100300512A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-02 PL PL08864573T patent/PL2227829T3/pl unknown
- 2008-12-02 ES ES08864573T patent/ES2372131T3/es active Active
-
2014
- 2014-10-10 JP JP2014209157A patent/JP2015039020A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012102533A3 (ko) * | 2011-01-24 | 2012-11-29 | 엘지이노텍주식회사 | 태양전지 및 그의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101560640B1 (ko) | 2015-10-16 |
| EP2227829A1 (fr) | 2010-09-15 |
| ATE522933T1 (de) | 2011-09-15 |
| PT2227829E (pt) | 2011-12-20 |
| US20100300512A1 (en) | 2010-12-02 |
| FR2924863A1 (fr) | 2009-06-12 |
| JP2011507224A (ja) | 2011-03-03 |
| WO2009080931A8 (fr) | 2010-06-03 |
| EP2227829B2 (fr) | 2015-12-16 |
| JP2015039020A (ja) | 2015-02-26 |
| CN101889350A (zh) | 2010-11-17 |
| EP2227829B1 (fr) | 2011-08-31 |
| ES2372131T3 (es) | 2012-01-16 |
| CN101889350B (zh) | 2013-10-23 |
| PL2227829T3 (pl) | 2012-01-31 |
| FR2924863B1 (fr) | 2017-06-16 |
| WO2009080931A1 (fr) | 2009-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101560640B1 (ko) | 광을 수집할 수 있는 요소의 개선 | |
| JP5330400B2 (ja) | 改良された抵抗率を有する層で被覆したガラス基板 | |
| EP1723682B1 (en) | Thin film solar cell and manufacturing method | |
| US7875945B2 (en) | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same | |
| US20080308147A1 (en) | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same | |
| KR101739823B1 (ko) | 적층 요소 및 상기 적층 요소를 포함하는 광기전 장치 | |
| US20090194165A1 (en) | Ultra-high current density cadmium telluride photovoltaic modules | |
| JP5869626B2 (ja) | 基板及びそれを用いた集光能力のある素子 | |
| US8502066B2 (en) | High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same | |
| KR20100047296A (ko) | 태양전지 전면용 기재 및 태양전지 전면용 기재의 용도 | |
| CN103563088A (zh) | 本质上半透明的太阳能电池及其制造方法 | |
| KR20110095926A (ko) | 광기전 패널의 전면용 기재, 광기전 패널, 및 광기전 패널의 전면용 기재의 용도 | |
| JP2014504035A (ja) | 太陽光発電装置及びその製造方法。 | |
| US8604336B2 (en) | Photovoltaic device with transparent, conductive barrier layer | |
| US20110100446A1 (en) | High haze transparent contact including ion-beam treated layer for solar cells, and/or method of making the same | |
| JP5594949B2 (ja) | 光起電力素子、および、その製造方法 | |
| JP2012114296A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180918 Year of fee payment: 4 |